JP2002111021A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複雑な製造工程を経ることなく、低コストで
かつ簡単に受光効率の良い信頼性の高い太陽電池の製造
方法を提供する。 【解決手段】 第１導電型半導体層を有する球体基板表
面に、第２導電型半導体層を形成してなる球体セルを、
トレイに敷き詰める工程と、トレイ内に樹脂を充填し、
敷き詰められた球体セルとともに硬化せしめ、多数の太
陽電池セルを一体的に固着する工程と、前記樹脂より露
出する球体セル表面の前記第２導電型半導体層をエッチ
ングにより除去し、前記第１導電型半導体層を露出させ
る工程と、前記第１導電型半導体層が露出した面に、絶
縁性樹脂を塗布し、硬化させる工程と、前記絶縁性樹脂
より、前記第１導電型半導体層を露出させる工程と、前
記第２導電型半導体層が露出するように、前記樹脂を除
去する工程と、前記第２導電型半導体層が露出した側
の、前記球体セル表面に、第１導電層を形成する工程
と、前記球体セルの前記第１導電型半導体層が露出した
面に、第２導電層を形成する工程と、を含む。
かつ簡単に受光効率の良い信頼性の高い太陽電池の製造
方法を提供する。 【解決手段】 第１導電型半導体層を有する球体基板表
面に、第２導電型半導体層を形成してなる球体セルを、
トレイに敷き詰める工程と、トレイ内に樹脂を充填し、
敷き詰められた球体セルとともに硬化せしめ、多数の太
陽電池セルを一体的に固着する工程と、前記樹脂より露
出する球体セル表面の前記第２導電型半導体層をエッチ
ングにより除去し、前記第１導電型半導体層を露出させ
る工程と、前記第１導電型半導体層が露出した面に、絶
縁性樹脂を塗布し、硬化させる工程と、前記絶縁性樹脂
より、前記第１導電型半導体層を露出させる工程と、前
記第２導電型半導体層が露出するように、前記樹脂を除
去する工程と、前記第２導電型半導体層が露出した側
の、前記球体セル表面に、第１導電層を形成する工程
と、前記球体セルの前記第１導電型半導体層が露出した
面に、第２導電層を形成する工程と、を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池の製造方
法および太陽電池に係り、特に球体セルを用いた太陽電
池の製造方法および太陽電池に関する。
法および太陽電池に係り、特に球体セルを用いた太陽電
池の製造方法および太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体のｐｎ接合部分には内部電界が生
じており、これに光を当て、電子正孔対を生成させる
と、生成した電子と正孔は内部電界により分離されて、
電子はｎ側に、正孔はｐ側に集められ、外部に負荷を接
続するとｐ側からｎ側に向けて電流が流れる。この効果
を利用し、光エネルギーを電気エネルギーに変換する素
子として太陽電池の実用化が進められている。
じており、これに光を当て、電子正孔対を生成させる
と、生成した電子と正孔は内部電界により分離されて、
電子はｎ側に、正孔はｐ側に集められ、外部に負荷を接
続するとｐ側からｎ側に向けて電流が流れる。この効果
を利用し、光エネルギーを電気エネルギーに変換する素
子として太陽電池の実用化が進められている。
【０００３】近年、単結晶、多結晶シリコンなどの直径
１ｍｍ以下の球状の半導体（Ball Semiconductor）上に
回路パターンを形成して半導体素子を製造する技術が開
発されている。
１ｍｍ以下の球状の半導体（Ball Semiconductor）上に
回路パターンを形成して半導体素子を製造する技術が開
発されている。
【０００４】その１つとして、アルミ箔を用いて多数個
の半導体粒子を接続したソーラーアレーの製造方法が提
案されている（特開平６-１３６３３号）。この方法で
は、図５に示すように、ｎ型表皮部とｐ型内部を有する
半導体粒子２０７をアルミ箔の開口にアルミ箔２０１の
両側から突出するように配置し、片側の表皮部２０９を
除去し、絶縁層２２１を形成する。次にｐ型内部２１１
の一部およびその上の絶縁層２２１を除去し、その除去
された領域２１７に第２アルミ箔２１９を結合する。そ
の平坦な領域２１７が導電部としての第２アルミ箔２１
９に対し良好なオーミック接触を提供するようにしたも
のである。
の半導体粒子を接続したソーラーアレーの製造方法が提
案されている（特開平６-１３６３３号）。この方法で
は、図５に示すように、ｎ型表皮部とｐ型内部を有する
半導体粒子２０７をアルミ箔の開口にアルミ箔２０１の
両側から突出するように配置し、片側の表皮部２０９を
除去し、絶縁層２２１を形成する。次にｐ型内部２１１
の一部およびその上の絶縁層２２１を除去し、その除去
された領域２１７に第２アルミ箔２１９を結合する。そ
の平坦な領域２１７が導電部としての第２アルミ箔２１
９に対し良好なオーミック接触を提供するようにしたも
のである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の太陽電池（上記ソーラーアレー）では、アル
ミ箔２１９をパンチ等により打ち抜いて開口を形成し、
半導体粒子２０７をこのアルミ箔２１９の開口に埋め込
んでいた。このため、半導体粒子２０７をアルミ箔２１
９の開口に対して正確な位置合わせをしてから埋め込ま
なければならなかった。
うな従来の太陽電池（上記ソーラーアレー）では、アル
ミ箔２１９をパンチ等により打ち抜いて開口を形成し、
半導体粒子２０７をこのアルミ箔２１９の開口に埋め込
んでいた。このため、半導体粒子２０７をアルミ箔２１
９の開口に対して正確な位置合わせをしてから埋め込ま
なければならなかった。
【０００６】また、ｐ型内部２１１の電極は第２アルミ
箔２１９、ｎ型表皮部の電極はアルミ箔２０１であり、
これら２枚のアルミ箔を接触させないように、上面のア
ルミ箔２０１裏面をアルマイト処理する工程や、ポリイ
ミド等の絶縁性樹脂をコーティングする工程が必要にな
り。太陽電池の内側電極の形成、外側電極の形成、およ
び両電極間の絶縁層形成など、一連の製造工程が複雑で
あるため、生産性も低く、製造コストも高くなってしま
うという問題点があった。
箔２１９、ｎ型表皮部の電極はアルミ箔２０１であり、
これら２枚のアルミ箔を接触させないように、上面のア
ルミ箔２０１裏面をアルマイト処理する工程や、ポリイ
ミド等の絶縁性樹脂をコーティングする工程が必要にな
り。太陽電池の内側電極の形成、外側電極の形成、およ
び両電極間の絶縁層形成など、一連の製造工程が複雑で
あるため、生産性も低く、製造コストも高くなってしま
うという問題点があった。
【０００７】また、さらに上記２枚のアルミ箔間に隙間
（ギャップ）が存在するため、半導体粒子２０７と太陽
電池の基板となるアルミ箔との固着性が悪く、信頼性に
問題が生じるなどの問題があった。
（ギャップ）が存在するため、半導体粒子２０７と太陽
電池の基板となるアルミ箔との固着性が悪く、信頼性に
問題が生じるなどの問題があった。
【０００８】本発明は、上記の問題点に鑑みて成された
ものであり、複雑な製造工程を経ることなく生産性の向
上が図ることができ、低コストかつ簡単で、受光効率の
良い信頼性の高い太陽電池の製造方法を提供することを
目的とする。
ものであり、複雑な製造工程を経ることなく生産性の向
上が図ることができ、低コストかつ簡単で、受光効率の
良い信頼性の高い太陽電池の製造方法を提供することを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の太陽電池
の製造方法は、第１導電型半導体層を有する球体基板表
面に、第２導電型半導体層を形成してなる球体セルを用
いた太陽電池の製造方法おいて、前記球体セルを、トレ
イに敷き詰める工程と、前記トレイ内に樹脂を充填し、
敷き詰められた球体セルとともに硬化せしめ、多数の太
陽電池セルを一体的に固着する工程と、前記樹脂より露
出する球体セル表面の前記第２導電型半導体層をエッチ
ングにより除去し、前記第１導電型半導体層を露出させ
る工程と、前記第１導電型半導体層が露出した面に、絶
縁性樹脂を塗布し、硬化させる工程と、前記絶縁性樹脂
より、前記第１導電型半導体層を露出させる工程と、前
記第２導電型半導体層が露出するように、前記樹脂を除
去する工程と、前記第２導電型半導体層が露出した側
の、前記球体セル表面に、第１導電層を形成する工程
と、前記球体セルの前記第１導電型半導体層が露出した
面に、第２導電層を形成する工程と、を含むことを特徴
とする。かかる方法によれば、複雑な製造工程を経るこ
となく複数の球体セルを一括処理することができるた
め、太陽電池を低コストで簡単に製造することができ
る。また、本方法により完成した太陽電池は電極間の短
絡が基本的に発生せず、さらに、受光面積を大きく取る
ことができるので受光効率がよく、信頼性も高い。
の製造方法は、第１導電型半導体層を有する球体基板表
面に、第２導電型半導体層を形成してなる球体セルを用
いた太陽電池の製造方法おいて、前記球体セルを、トレ
イに敷き詰める工程と、前記トレイ内に樹脂を充填し、
敷き詰められた球体セルとともに硬化せしめ、多数の太
陽電池セルを一体的に固着する工程と、前記樹脂より露
出する球体セル表面の前記第２導電型半導体層をエッチ
ングにより除去し、前記第１導電型半導体層を露出させ
る工程と、前記第１導電型半導体層が露出した面に、絶
縁性樹脂を塗布し、硬化させる工程と、前記絶縁性樹脂
より、前記第１導電型半導体層を露出させる工程と、前
記第２導電型半導体層が露出するように、前記樹脂を除
去する工程と、前記第２導電型半導体層が露出した側
の、前記球体セル表面に、第１導電層を形成する工程
と、前記球体セルの前記第１導電型半導体層が露出した
面に、第２導電層を形成する工程と、を含むことを特徴
とする。かかる方法によれば、複雑な製造工程を経るこ
となく複数の球体セルを一括処理することができるた
め、太陽電池を低コストで簡単に製造することができ
る。また、本方法により完成した太陽電池は電極間の短
絡が基本的に発生せず、さらに、受光面積を大きく取る
ことができるので受光効率がよく、信頼性も高い。
【００１０】本発明の第２は、請求項１に記載の太陽電
池の製造方法において、前記第１導電型半導体層は、そ
の一部を前記絶縁性樹脂とともに研削除去することによ
り、前記絶縁性樹脂より露出させる特徴とする。かかる
方法によれば、絶縁性樹脂ならびに前記第１導電型半導
体層の露出面が同一高さの平坦面となるため、金属基板
に載置される際に、金属基板と前記第１導電型半導体層
とが確実に接触するので、信頼性の高い太陽電池を製造
することができる。
池の製造方法において、前記第１導電型半導体層は、そ
の一部を前記絶縁性樹脂とともに研削除去することによ
り、前記絶縁性樹脂より露出させる特徴とする。かかる
方法によれば、絶縁性樹脂ならびに前記第１導電型半導
体層の露出面が同一高さの平坦面となるため、金属基板
に載置される際に、金属基板と前記第１導電型半導体層
とが確実に接触するので、信頼性の高い太陽電池を製造
することができる。
【００１１】本発明の第３の太陽電池の製造方法は、請
求項１に記載の太陽電池の製造方法において、前記第１
導電層は、透明導電膜で被覆することにより、形成され
ることを特徴とする。かかる方法によれば、この透明導
電膜を透過した太陽光を取り込むことができ、球体セル
同士の電気的接続がより確実なものとなるため、高効率
で信頼性の高い太陽電池を製造することができる。
求項１に記載の太陽電池の製造方法において、前記第１
導電層は、透明導電膜で被覆することにより、形成され
ることを特徴とする。かかる方法によれば、この透明導
電膜を透過した太陽光を取り込むことができ、球体セル
同士の電気的接続がより確実なものとなるため、高効率
で信頼性の高い太陽電池を製造することができる。
【００１２】本発明の第４の太陽電池の製造方法は、請
求項１に記載の太陽電池の製造方法において、前記第２
導電層は、前記絶縁性樹脂より露出した前記第１導電型
半導体層を、金属基板に載置させることにより、形成さ
れることを特徴とする。かかる方法によれば、前記第１
導電型半導体層が金属基板に載置されることで複数の球
状セルから一括して第２導電層が形成されるため、余分
な製造工程を必要とせず、生産性の効率の向上を図るこ
とができる。
求項１に記載の太陽電池の製造方法において、前記第２
導電層は、前記絶縁性樹脂より露出した前記第１導電型
半導体層を、金属基板に載置させることにより、形成さ
れることを特徴とする。かかる方法によれば、前記第１
導電型半導体層が金属基板に載置されることで複数の球
状セルから一括して第２導電層が形成されるため、余分
な製造工程を必要とせず、生産性の効率の向上を図るこ
とができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しつつ詳細に説明する。まず本実施によ
り完成した太陽電池は図１に全体図を、図２に断面概要
図を示すように、内部のｐ型半導体層（第１導電型半導
体層）１１とｐｎ接合を形成するｎ型半導体層（第２導
電型半導体層）１２とを有する球体セル１０に、前記ｎ
型半導体層１２の表面（受光面）に電気的に接続される
ように透明な第１導電層１４を形成し、これを太陽電池
の外側電極（ｎ型半導体層に対する電極）とし、絶縁性
樹脂１３より露出する前記ｐ型半導体層１１（第１導電
型半導体層）を導電性の接着材１６を介して金属基板上
に載置させることにより、第２導電層１５を形成してい
る、この第２導電層１５は太陽電池の内側電極（ｐ型半
導体層に対する電極）となっている。
て、図面を参照しつつ詳細に説明する。まず本実施によ
り完成した太陽電池は図１に全体図を、図２に断面概要
図を示すように、内部のｐ型半導体層（第１導電型半導
体層）１１とｐｎ接合を形成するｎ型半導体層（第２導
電型半導体層）１２とを有する球体セル１０に、前記ｎ
型半導体層１２の表面（受光面）に電気的に接続される
ように透明な第１導電層１４を形成し、これを太陽電池
の外側電極（ｎ型半導体層に対する電極）とし、絶縁性
樹脂１３より露出する前記ｐ型半導体層１１（第１導電
型半導体層）を導電性の接着材１６を介して金属基板上
に載置させることにより、第２導電層１５を形成してい
る、この第２導電層１５は太陽電池の内側電極（ｐ型半
導体層に対する電極）となっている。
【００１４】次に、本実施の形態に係る太陽電池の具体
的な製造方法の一例を以下、説明する。まず、本実施の
形態で用いる球体セル１０の形成方法の一例について説
明する。直径１ｍｍのｐ型多結晶シリコン粒を真空中で
加熱しつつ落下させ、結晶性の良好なｐ型多結晶シリコ
ン球（ｐ型半導体層）１１を形成し、この表面に、フォ
スフィンを含むシランなどの混合ガスを用いたＣＶＤ法
により、ｎ型多結晶シリコン層（ｎ型半導体層）１２を
形成する。ここでＣＶＤ工程は細いチューブ内でシリコ
ン球を搬送しながら、所望の反応温度に加熱されたガス
を供給排出することにより、薄膜形成を行うものであ
る。
的な製造方法の一例を以下、説明する。まず、本実施の
形態で用いる球体セル１０の形成方法の一例について説
明する。直径１ｍｍのｐ型多結晶シリコン粒を真空中で
加熱しつつ落下させ、結晶性の良好なｐ型多結晶シリコ
ン球（ｐ型半導体層）１１を形成し、この表面に、フォ
スフィンを含むシランなどの混合ガスを用いたＣＶＤ法
により、ｎ型多結晶シリコン層（ｎ型半導体層）１２を
形成する。ここでＣＶＤ工程は細いチューブ内でシリコ
ン球を搬送しながら、所望の反応温度に加熱されたガス
を供給排出することにより、薄膜形成を行うものであ
る。
【００１５】なお、この工程は、ｐ型多結晶シリコン粒
を真空中で加熱しつつ落下させながら球状化し、ｐ型多
結晶シリコン球（ｐ型半導体層）１１を形成するととも
に、落下途上で所望のガスと接触させることにより、ｎ
型多結晶シリコン層（ｎ型半導体層）１２を形成する様
にすることも可能である。
を真空中で加熱しつつ落下させながら球状化し、ｐ型多
結晶シリコン球（ｐ型半導体層）１１を形成するととも
に、落下途上で所望のガスと接触させることにより、ｎ
型多結晶シリコン層（ｎ型半導体層）１２を形成する様
にすることも可能である。
【００１６】次に、上述の球体セル１０を用いた太陽電
池の製造方法について、図３、図４を用いて説明する。
池の製造方法について、図３、図４を用いて説明する。
【００１７】まず、図３の（ａ）に示すように、球体セ
ル１０をトレイＴに入れ、押さえ治具Ｇを用いて球体セ
ル１０を凝集させた状態にして、トレイＴ内に液状のワ
ックス樹脂Ｗ（ゴム系樹脂）を球体セル１０の半分が埋
まる程度まで流し込む。その後、１５０℃で１５分間加
熱して硬化させる。なお、本実施の形態でゴム系樹脂を
使用する理由には、後の工程においてワックス樹脂Ｗを
除去する際に、硬化したワックス樹脂Ｗがゴム状の一体
シートとなるため、これを引き剥がすことにより、一括
して簡単に除去することができ、エッチング等の余分な
工程を省くことができるからである。
ル１０をトレイＴに入れ、押さえ治具Ｇを用いて球体セ
ル１０を凝集させた状態にして、トレイＴ内に液状のワ
ックス樹脂Ｗ（ゴム系樹脂）を球体セル１０の半分が埋
まる程度まで流し込む。その後、１５０℃で１５分間加
熱して硬化させる。なお、本実施の形態でゴム系樹脂を
使用する理由には、後の工程においてワックス樹脂Ｗを
除去する際に、硬化したワックス樹脂Ｗがゴム状の一体
シートとなるため、これを引き剥がすことにより、一括
して簡単に除去することができ、エッチング等の余分な
工程を省くことができるからである。
【００１８】次に、図３の（ｂ）に示すように、硬化さ
せたワックス樹脂Ｗで固定した球体セル１０を、トレイ
Ｔから取出し、図３（ｃ）に示すように、ワックス樹脂
Ｗより露出した球体セル１０のｎ型多結晶シリコン層
（ｎ型半導体層）１２をエッチングにより除去し、ｐ型
半導体層１１を露出させる。本工程では、前記ワックス
樹脂Ｗがマスクの役割を兼ねるため、ワックス樹脂Ｗで
保護されたｎ型多結晶シリコン層（ｎ型半導体層）１２
は除去されることがない。
せたワックス樹脂Ｗで固定した球体セル１０を、トレイ
Ｔから取出し、図３（ｃ）に示すように、ワックス樹脂
Ｗより露出した球体セル１０のｎ型多結晶シリコン層
（ｎ型半導体層）１２をエッチングにより除去し、ｐ型
半導体層１１を露出させる。本工程では、前記ワックス
樹脂Ｗがマスクの役割を兼ねるため、ワックス樹脂Ｗで
保護されたｎ型多結晶シリコン層（ｎ型半導体層）１２
は除去されることがない。
【００１９】そして、図３の（ｄ）に示すように、ｐ型
半導体層１１が露出した側の表面（球体セル１０表面お
よびワックス樹脂Ｗの表面）に、電気的に絶縁性を有す
る液状の絶縁性樹脂１３（例えば、エポキシ樹脂）を塗
布し、加熱して硬化させる。なお、絶縁性樹脂１３の形
成は液状のもを塗布するほか、パウダー状の絶縁性樹脂
を降りかけて、その後リフローするようにして形成して
もよい。
半導体層１１が露出した側の表面（球体セル１０表面お
よびワックス樹脂Ｗの表面）に、電気的に絶縁性を有す
る液状の絶縁性樹脂１３（例えば、エポキシ樹脂）を塗
布し、加熱して硬化させる。なお、絶縁性樹脂１３の形
成は液状のもを塗布するほか、パウダー状の絶縁性樹脂
を降りかけて、その後リフローするようにして形成して
もよい。
【００２０】次の工程以降は、図４を用いて以下、説明
する。まず、図４の（ａ）に示すように、絶縁性樹脂１
３とともにｐ型半導体層１１層の一部をグラインディン
グ等により研削して除去することにより、絶縁性樹脂１
３からｐ型半導体層１１層の一部を露出させる。
する。まず、図４の（ａ）に示すように、絶縁性樹脂１
３とともにｐ型半導体層１１層の一部をグラインディン
グ等により研削して除去することにより、絶縁性樹脂１
３からｐ型半導体層１１層の一部を露出させる。
【００２１】次に、図４の（ｂ）に示すように、ワック
ス樹脂Ｗを引き剥がして除去した後、図４の（ｃ）に示
すように、ｎ型半導体層１２が露出した側の表面（ｎ型
半導体層１２及び絶縁性樹脂１３の表面）を、透明導電
膜（例えば、ＩＴＯ等）で被覆（コーティング）し、こ
れを第１導電層１４（太陽電池の外側電極）とする。
ス樹脂Ｗを引き剥がして除去した後、図４の（ｃ）に示
すように、ｎ型半導体層１２が露出した側の表面（ｎ型
半導体層１２及び絶縁性樹脂１３の表面）を、透明導電
膜（例えば、ＩＴＯ等）で被覆（コーティング）し、こ
れを第１導電層１４（太陽電池の外側電極）とする。
【００２２】そして最後に、図４の（ｄ）に示すよう
に、アルミを基材とする金属基板上に、絶縁性樹脂１３
から露出するｐ型半導体層１１の面側を載置させて金属
基板と接続し、これを第２導電層１５（太陽電池の内側
電極）とする。なお、前記ｐ型半導体層１１を金属基板
上に載置させる際には、接着材として導電性ペースト１
６（例えば、Ａｇペースト）を使用している。以上の一
連の工程により、本実施の形態の太陽電池が形成され
る。
に、アルミを基材とする金属基板上に、絶縁性樹脂１３
から露出するｐ型半導体層１１の面側を載置させて金属
基板と接続し、これを第２導電層１５（太陽電池の内側
電極）とする。なお、前記ｐ型半導体層１１を金属基板
上に載置させる際には、接着材として導電性ペースト１
６（例えば、Ａｇペースト）を使用している。以上の一
連の工程により、本実施の形態の太陽電池が形成され
る。
【００２３】上述の実施の形態において、第１導電型を
ｐ型、第２導電型をｎ型として、説明を行ったが、第１
導電型をｎ型、第２導電型をｐ型としても同様に製造で
きるものである。また、ｐ型多結晶を球状基板とする球
体セルを用いたが、ｐ型単結晶またはｐ型アモルファス
シリコンなどを用いてもよい。
ｐ型、第２導電型をｎ型として、説明を行ったが、第１
導電型をｎ型、第２導電型をｐ型としても同様に製造で
きるものである。また、ｐ型多結晶を球状基板とする球
体セルを用いたが、ｐ型単結晶またはｐ型アモルファス
シリコンなどを用いてもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上詳記したように、本発明に係る太陽
電池の製造方法によれば、複雑な製造工程を経ることな
く、低コストでかつ簡単に受光効率の良い信頼性の高い
太陽電池を製造することができる。
電池の製造方法によれば、複雑な製造工程を経ることな
く、低コストでかつ簡単に受光効率の良い信頼性の高い
太陽電池を製造することができる。
【図１】本発明の実施に係る太陽電池を説明する全体図
である。
である。
【図２】本発明の実施に係る太陽電池を説明する概略断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る太陽電池の製造方法
を説明する概略断面図である。
を説明する概略断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る太陽電池の製造方法
を説明する概略断面図である。
を説明する概略断面図である。
【図５】従来の太陽電池を説明する概略断面図である。
１０ 球体セル １１ 第１導電型（ｐ型）半導体層 １２ 第２導電型（ｎ型）半導体層 １３ 絶縁性樹脂 １４ 第１導電層 １５ 第２導電層 １６ 導電性接着材
Claims (4)
- 【請求項１】 第１導電型半導体層を有する球体基板表
面に、第２導電型半導体層を形成してなる球体セルを用
いた太陽電池の製造方法おいて、 前記球体セルを、トレイに敷き詰める工程と、 前記トレイ内に樹脂を充填し、敷き詰められた球体セル
とともに硬化せしめ、多数の太陽電池セルを一体的に固
着する工程と、 前記樹脂より露出する球体セル表面の前記第２導電型半
導体層をエッチングにより除去し、前記第１導電型半導
体層を露出させる工程と、 前記第１導電型半導体層が露出した面に、絶縁性樹脂を
塗布し、硬化させる工程と、 前記絶縁性樹脂より、前記第１導電型半導体層を露出さ
せる工程と、 前記第２導電型半導体層が露出するように、前記樹脂を
除去する工程と、 前記第２導電型半導体層が露出した側の、前記球体セル
表面に、第１導電層を形成する工程と、 前記球体セルの前記第１導電型半導体層が露出した面
に、第２導電層を形成する工程と、を含むことを特徴と
する太陽電池の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の太陽電池の製造方法に
おいて、前記第１導電型半導体層は、その一部を前記絶
縁性樹脂とともに研削除去することにより、前記絶縁性
樹脂より露出させることを特徴とする太陽電池の製造方
法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の太陽電池の製造方法に
おいて、前記第１導電層は、透明導電膜で被覆すること
により、形成されることを特徴とする太陽電池の製造方
法。 - 【請求項４】 請求項１に記載の太陽電池の製造方法に
おいて、前記第２導電層は、前記絶縁性樹脂より露出し
た前記第１導電型半導体層を、金属基板に載置させるこ
とにより、形成されることを特徴とする太陽電池の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000291814A JP2002111021A (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000291814A JP2002111021A (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002111021A true JP2002111021A (ja) | 2002-04-12 |
Family
ID=18774839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000291814A Pending JP2002111021A (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002111021A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015053481A (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-19 | ディフテック レーザーズ インコーポレイテッド | 半導体バックプレーンを製造するための方法およびシステム |
| US9859348B2 (en) | 2011-10-14 | 2018-01-02 | Diftek Lasers, Inc. | Electronic device and method of making thereof |
| US10312310B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-06-04 | Diftek Lasers, Inc. | OLED display and method of fabrication thereof |
| US10446629B2 (en) | 2011-10-14 | 2019-10-15 | Diftek Lasers, Inc. | Electronic device and method of making thereof |
-
2000
- 2000-09-26 JP JP2000291814A patent/JP2002111021A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9859348B2 (en) | 2011-10-14 | 2018-01-02 | Diftek Lasers, Inc. | Electronic device and method of making thereof |
| US10446629B2 (en) | 2011-10-14 | 2019-10-15 | Diftek Lasers, Inc. | Electronic device and method of making thereof |
| JP2015053481A (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-19 | ディフテック レーザーズ インコーポレイテッド | 半導体バックプレーンを製造するための方法およびシステム |
| US10312310B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-06-04 | Diftek Lasers, Inc. | OLED display and method of fabrication thereof |
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