WO2012026013A1 - 半導体素子付き織網基材の製造方法、その製造装置及び半導体素子付き織網基材 - Google Patents

半導体素子付き織網基材の製造方法、その製造装置及び半導体素子付き織網基材 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a woven mesh substrate with semiconductor elements, a method for manufacturing the same, and a manufacturing apparatus therefor, and more particularly, a plurality of spherical semiconductor elements having a light receiving or light emitting function, and a mesh composed of a plurality of insulating warps and a plurality of conductive wefts.
  • TECHNICAL FIELD The present invention relates to a technique for making a woven mesh substrate with a semiconductor element incorporated in a woven mesh.
  • a light receiving or light emitting device such as a solar cell or an EL display having a structure in which a semiconductor thin film is formed on an insulating or conductive flexible sheet.
  • These devices can be manufactured from a small light receiving area to a relatively large one by sequentially forming a semiconductor thin film, electrodes, and wiring, etc., but both are planar semiconductor devices, It is formed on a sheet.
  • Patent Document 1 a spherical semiconductor element (spherical solar battery cell) in which a spherical pn junction is formed on a p-type spherical silicon crystal is attached to two aluminum sheets bonded together via an insulating film.
  • a flexible solar cell having a structure in which a p-type layer and an n-type layer of a semiconductor element are connected to an aluminum sheet is disclosed.
  • Patent Document 2 a large number of spherical light emitters (light emitting diodes) are arranged in a matrix in the XY direction on the surface of a flexible plastic film, and the electrodes of the spherical light emitters are electrically connected to the sheet-like electrodes, respectively.
  • a light emitting display and a method for manufacturing the same are disclosed.
  • Patent Documents 1 and 2 have a structure in which a solar cell or a spherical light emitter is provided on a common film and electrically connected.
  • the light receiving layer or the light emitting layer is formed collectively on one side of the common film, or a plurality of light receiving bodies or a plurality of light emitting bodies manufactured individually are arranged on one side of the common film. Therefore, the light receiving or light emitting function exists only on one side of the film.
  • Patent Document 3 discloses a structure having a light receiving or light emitting function on both sides of a device. Specifically, a flexible light receiving or light emitting device in which a plurality of spherical semiconductor elements are electrically connected by a linear conductive member (conductive wire) and sealed with a resin is disclosed. In this device, the cells in the column direction are connected in parallel in the vertical direction by a pair of conductive lines, and are connected in series by directly connecting conductive lines adjacent in the row direction. However, when pulled in the direction connected in series, the spherical semiconductor element is subjected to tension as it is, so that the spherical semiconductor element may be peeled off.
  • a linear conductive member conductive wire
  • Patent Document 4 a spherical shape in which a pn junction is formed on a mesh of a mesh-like structure (glass cloth) in which a conductor (a conductive wire in which silver is coated on glass fiber) is used as a weft and a defective conductor (glass fiber) is used as a warp.
  • the semiconductor element is pressed firmly and heated at that temperature to form an electrode and simultaneously connect the network-like structure and the spherical semiconductor element at the same time, and then laminate with a resin film from both sides of the network-like structure.
  • a solar cell module is disclosed.
  • Patent Document 5 a woven fabric having a mesh structure in which wefts made of insulating tension yarns and weft yarns made of conductive tension yarns are plain woven is prepared, and a positive electrode and a negative electrode are connected to a plurality of mesh-like meshes of the woven mesh.
  • a plurality of spherical semiconductor elements having a light receiving or light emitting function provided are inserted in a state in which the polarities of the electrodes are aligned, connected in parallel in the horizontal direction and connected in series in the vertical direction by conductive wires, and these are placed in a transparent resin sheet By sealing, a transparent and flexible sheet-like light-receiving or light-emitting module is manufactured.
  • the light-receiving or light-emitting module of Patent Document 5 is a module in which spherical semiconductor elements are integrally incorporated in a woven fabric, it is a module having the characteristics of double-sided light-receiving or double-sided light emission with no bias on one side of the light-receiving or light-emitting module.
  • a symmetrical flexible module is obtained in which both sides of the module have the same appearance and can be bent in the same manner.
  • a plurality of spherical semiconductor elements are inserted into a mesh-like mesh of a woven fabric that has been woven in advance, and positive and negative electrodes and conductive wires (wefts) at both ends of these semiconductor elements are connected to a conductive paste.
  • positive and negative electrodes and conductive wires (wefts) at both ends of these semiconductor elements are connected to a conductive paste.
  • An object of the present invention is to manufacture a woven mesh substrate with a semiconductor element capable of manufacturing a woven mesh substrate with a stable quality semiconductor element by incorporating a plurality of spherical semiconductor elements while weaving the woven mesh substrate using a loom.
  • Providing a method and an apparatus for manufacturing the same providing a woven mesh substrate with a semiconductor element in which spherical semiconductor elements having a light receiving or light emitting function are incorporated in a woven mesh substrate and connecting their electrodes to conductive wires, It is to provide a woven mesh substrate with a semiconductor element that can be used for an application, or to provide a woven mesh substrate with a semiconductor element that can improve the design.
  • the method for producing a woven mesh substrate with a semiconductor element according to claim 1 has a light receiving or light emitting function on a mesh woven mesh substrate having a plurality of insulated wires as warp yarns and a plurality of conductive wires as weft yarns,
  • the apparatus for producing a woven mesh base material with a semiconductor element according to claim 6 includes a mesh-shaped woven mesh base material having a plurality of insulated wires as warp yarns and a plurality of conductive wires as weft yarns, each having a light receiving or light emitting function.
  • a guide roller, a first group warp including a plurality of warps arranged in parallel at regular intervals, and a second group warp including a plurality of warps alternately and parallel to the first group warp are moved up and down.
  • a scissor mechanism for striking the supplied weft and the front Among the beaten wefts a first application mechanism that applies a first conductive bonding material to a plurality of portions that connect a plurality of spherical semiconductor elements, and a plurality of portions corresponding to the plurality of portions to which the first conductive bonding material is applied
  • a semiconductor element supply mechanism that incorporates a spherical semiconductor element and connects a plurality of first electrodes to the plurality of portions, respectively, and a second conductive junction to a plurality of second electrodes of the plurality of spherical semiconductor elements incorporated by the semiconductor element supply mechanism
  • a second coating mechanism for coating the material and a drawer mechanism for pulling out the woven mesh substrate with semiconductor elements by a predetermined length are provided.
  • the woven mesh substrate with a semiconductor element according to claim 12 is a woven mesh substrate with a semiconductor element incorporating a plurality of spherical semiconductor elements having a light receiving or light emitting function, wherein a plurality of insulating wires are warp yarns and a plurality of conductive wires are weft yarns.
  • a plurality of spherical semiconductor elements incorporated in a plurality of meshes of the woven mesh substrate, and a first conductive junction for electrically connecting a plurality of first electrodes to the plurality of wefts in the plurality of spherical semiconductor elements, respectively And a second conductive bonding material for electrically connecting the material and the plurality of second electrodes to the plurality of weft yarns, respectively.
  • a plurality of spherical semiconductor elements are formed on a woven mesh substrate while weaving the woven mesh substrate with a plurality of warps (insulating wires) and a plurality of wefts (conductive wires) using a loom.
  • the production of the woven mesh substrate, the incorporation of the spherical semiconductor element, and the first and second Application of conductive bonding material can be automated, and a woven mesh base material with a semiconductor element can be produced efficiently and stably with a small number of processes, thereby reducing the production cost of the woven mesh base material with a semiconductor element. You can also.
  • the plurality of spherical semiconductor elements are grouped into a plurality of longitudinal groups arranged in the warp direction and a plurality of transverse groups arranged in the weft direction.
  • the plurality of spherical semiconductor elements included in the vertical direction group can be connected in series, and the plurality of spherical semiconductor elements included in the horizontal direction group can be connected in parallel.
  • the generated voltage can be freely set via the number of series connections, and the generated current can be freely set via the number of parallel connections.
  • a woven mesh substrate with a semiconductor element for receiving light even if a partially shaded part occurs, the influence on the output of the spherical semiconductor element in other parts that are not shaded can be kept to a minimum. Moreover, this woven mesh substrate with semiconductor elements can receive or emit light with the same efficiency on both the upper and lower surfaces.
  • this woven mesh substrate with semiconductor elements can be finished into various products according to the application as an intermediate material product having flexibility, light weight, thinness, flexibility, see-through, and daylighting.
  • a 6th process of drawing out the woven mesh substrate with a semiconductor element for a predetermined length is provided.
  • a seventh step of heating the first and second conductive bonding materials is provided after the fifth step.
  • a ninth step of forming a net substrate is provided.
  • the first and second coating mechanisms are constituted by a common coating mechanism, and the common coating mechanism is arranged at regular intervals in the axial direction on the outer peripheral surface of the first rotating drum and the first rotating drum.
  • a plurality of fixed L-shaped dispensers each having a plurality of dispensers capable of adsorbing and distributing a conductive bonding material at the tip.
  • the semiconductor element supply mechanism includes a second rotating drum into which negative pressure is introduced, and an L-shaped pipe member fixed to the outer peripheral surface of the second rotating drum at regular intervals in the axial direction. And a plurality of air tweezers.
  • a heating mechanism for heating the first and second conductive bonding materials is provided.
  • a protective film coating mechanism is provided for coating the upper and lower surfaces of the woven mesh substrate with semiconductor elements with an insulating protective film having flexibility and light transmission.
  • a sheet-like woven mesh substrate with a semiconductor element is formed by heating and pressurizing a flexible and light-transmitting synthetic resin sheet material on both upper and lower surfaces of the woven mesh substrate with a semiconductor element. A heating and pressing mechanism is provided.
  • a first woven fabric having a predetermined width formed in a woven fabric shape with a plurality of wefts and a plurality of warp yarns arranged more densely than the mesh at both ends of the woven mesh substrate in the longitudinal direction of the warp yarns
  • a second portion having a predetermined width formed in a woven cloth shape with a plurality of warp yarns and a plurality of weft yarns arranged more densely than the mesh at both end portions in the length direction of the weft yarn of the woven mesh base material.
  • a woven fabric portion is formed.
  • (K) The upper and lower surfaces of the woven mesh substrate and the plurality of spherical semiconductor elements are covered with an insulating protective film having flexibility and light transmission.
  • (L) A flexible and light-transmitting synthetic resin sheet in which the woven mesh substrate and a plurality of spherical semiconductor elements are formed with a flexible and light-transmitting synthetic resin film layer on both upper and lower surfaces. Sealed in an embedded state.
  • (M) The warp is composed of a bundle of any one of glass fiber, carbon fiber, and synthetic resin fiber, and the weft is any one of glass fiber, carbon fiber, and synthetic resin fiber. It is composed of a conductive wire in which a thin metal wire is covered in a coil shape on the surface of a bundle of fibers.
  • Example 1 of this invention It is a top view of the woven-mesh base material with a semiconductor element which concerns on Example 1 of this invention. It is the II-II sectional view taken on the line of FIG. It is a principal part enlarged plan view of the woven net base material with a semiconductor element. It is sectional drawing of a spherical solar cell. It is a partial expansion perspective view of a conductive wire. It is a partial expansion perspective view of an insulated wire. It is a perspective view of the manufacturing apparatus of the woven net base material with a semiconductor element. It is a principal part expanded sectional view of the application
  • FIG. 10 is a sectional view taken along line XX in FIG. 9. It is a perspective view of the manufacturing apparatus of the woven net base material with a semiconductor element. It is a principal part expanded sectional view of the application
  • a woven mesh substrate 1 with a semiconductor element (hereinafter referred to as a woven mesh substrate with an element) has a mesh shape with a plurality of insulating wires 21 as warps and a plurality of conductive wires 22 as wefts.
  • First and second conductive bonding materials 4 and 5 for connection are provided, and insulating protective films 6 are formed on the upper and lower surfaces of the woven mesh substrate 2 and the plurality of spherical solar cells 3.
  • insulating protective films 6 are formed on the upper and lower surfaces of the woven mesh substrate 2 and the plurality of spherical solar cells 3.
  • the woven mesh substrate 1 with the element can be continuously woven into a long belt shape by a manufacturing method and a manufacturing apparatus 50 described later.
  • the woven mesh substrate 1 with an element can be manufactured by appropriately setting the number of spherical solar cells 3 incorporated, the arrangement pattern (pattern), the size, and the like according to specifications.
  • the woven mesh substrate 1 with the element is flexible, and light transmittance can be adjusted by adjusting the ratio of the mesh 23 in which the plurality of spherical solar cells 3 are incorporated and the mesh 23 not incorporated.
  • the spherical solar cells 3 are incorporated in every other mesh in the left-right direction, and the spherical solar cells 3 are incorporated in every other mesh 23 in the vertical direction. However, the spherical solar cells 3 may be incorporated in all the meshes 23.
  • a plurality of spherical solar cells 3 are incorporated in a plurality of meshes 23 of the woven mesh base material 2 with their conductive directions aligned.
  • Insulating wires 21 are located on the left and right sides of each solar cell 3
  • conductive wires 22 are located on the upper and lower sides of each solar cell 3.
  • the plurality of solar cells 3 have a light receiving function (power generation function), a positive electrode 31 (second electrode), a negative electrode 32 (first electrode), and a conductive direction defined by the positive electrode 31 and the negative electrode 32. In a state where they are aligned, they are respectively incorporated into the plurality of meshes 23 of the woven mesh base material 2.
  • the positive electrode 31 of each solar cell 3 is electrically connected to the conductive wire 22 by the second conductive bonding material 5
  • the negative electrode 32 of each solar cell 3 is electrically connected to the conductive wire 22 by the first conductive bonding material 4. It is connected to the.
  • the first and second conductive bonding materials 4 and 5 are made of silver paste (epoxy resin mixed with silver powder).
  • silver paste epoxy resin mixed with silver powder
  • the silver paste is applied to the joint portion between the positive electrode 31 and the conductive wire 22 or the joint portion between the negative electrode 32 and the conductive wire 22 and will be described later.
  • the silver paste is cured by heating and drying the silver paste with the heating mechanism 61, and the positive electrode 31 and the conductive wire 22, and the negative electrode 32 and the conductive wire 22 of the solar battery cell 3 are electrically connected and fixed.
  • the solar cell 3 includes a p-type spherical semiconductor 33, a flat surface 34 formed on a part of the surface of the spherical semiconductor 33, and an n-type diffusion layer on the surface layer portion of the spherical semiconductor 33.
  • a pair of a positive electrode 31 and a negative electrode 32 (which are formed so as to face each other across the center of the spherical semiconductor 33 and are bonded to both ends of the pn junction 36. 2nd electrode, 1st electrode), and the anti-reflective film 37 formed into the part except these positive electrodes 31 and the negative electrodes 32.
  • a small spherical p-type silicon crystal (spherical semiconductor 33) having a diameter of about 1.0 mm to about 2.0 mm (in this embodiment, 1.8 mm) is prepared.
  • a small p-type silicon crystal lump is melted, and spherical droplets formed by surface tension are cooled and solidified.
  • the silicon crystal of the spherical semiconductor may be a single crystal or a polycrystal.
  • a part of the spherical silicon crystal is cut to provide a flat surface 34, and an SiO 2 film as a diffusion mask is formed on the flat surface 34 and the surface in the vicinity of the outer periphery thereof.
  • n-type impurities are diffused from the surface of the p-type silicon crystal except for the portion masked by the SiO 2 film, and the n-type layer (n-type diffusion layer 35) is formed to a depth of about 0.5 ⁇ m to 1.0 ⁇ m.
  • the spherical pn junction 36 is formed.
  • the oxide film formed after impurity diffusion is removed, and SiO 2 and Si 3 N 4 are sequentially formed on the entire surface to form an antireflection film 37.
  • a glass frit and a conductive paste mainly composed of silver are printed in the form of dots on the flat surface 34, and the glass frit is formed on the top surface of the n-type diffusion layer 35 facing the flat surface 34 facing the flat surface 34.
  • a conductive paste containing aluminum, silver and silver is printed in dots.
  • the electrode member containing glass frit penetrates the reflection film prevention 37 to form the positive electrode 31 and the negative electrode 32 that are in ohmic contact with the p-type surface and the n-type surface. In this way, a plurality of spherical solar cells 3 are manufactured.
  • the spherical solar battery cell 3 has the following characteristics. First, a spherical crystal is made using the surface tension of the silicon crystal and finished into a spherical solar battery cell 3 with a small polishing loss, so that the amount of raw silicon used can be reduced. Further, since the dot-like positive electrode 31 and the negative electrode 32 are provided to face each other on the center line of the spherical silicon crystal, power is generated by receiving light from almost all directions except for light from an axis connecting both electrode lines. Therefore, the same output can be obtained even if the direction of the direct light is changed, and other reflected light and scattered light can be received at the same time. Therefore, the light receiving characteristics are superior to those of the planar light receiving solar cell. As a result, a large output can be obtained.
  • the woven mesh substrate 2 includes a plurality of parallel insulation wires 21 extending in the column direction (vertical direction), and a plurality of insulation wires so as to be orthogonal to the plurality of insulation wires 21.
  • the woven mesh base material 2 includes a plurality of conductive lines 22 woven into the line 21 and extending in the row direction (left-right direction), and the solar cells 3 are incorporated and connected by the plurality of insulating lines 21 and the plurality of conductive lines 22. Is formed.
  • a gusset portion 24 woven without incorporating the solar battery cells 3 is formed on the outer peripheral portion of the woven mesh substrate 2.
  • the interval between the conductive lines 22 adjacent to the upper and lower sides and the interval between the insulating lines 21 adjacent to the left and right are approximately the same as the diameter of the solar battery cell 3. It is set to about 1.8 mm.
  • the gusset portion 24 of the outer peripheral portion of the woven mesh base material 2 is arranged more densely than the mesh at both ends in the longitudinal direction of the warp yarn (insulating wire 21) of the woven mesh base material 2.
  • the first woven fabric portion 25 having a predetermined width formed in a woven shape with a plurality of wefts and a plurality of warp yarns and denser than the mesh at both end portions in the length direction of the weft (conductive wire 22) of the woven mesh substrate 2
  • the second woven fabric portion 26 having a predetermined width formed in a woven fabric shape with a plurality of warp yarns and a plurality of weft yarns.
  • the interval between the conductive wires 22 is about 1/3 of the mesh width
  • the interval between the insulating wires 21 is about 1/3 of the mesh width.
  • the gusset portion 24 has a high weaving density of the insulating wires 21 and the conductive wires 22, the tensile strength and the bending strength are improved, and the durability of the woven mesh substrate 2 is also increased. Further, when the woven mesh base material 2 is manufactured in a long band shape, the gusset portion 24 is provided when cutting to a required length by providing two sets of continuous first woven fabric portions 25 at predetermined locations. The solar battery cell 3 can be protected by the gusset portion 24 even in handling the woven mesh substrate 2 after cutting.
  • the conductive wire 22 is, for example, a thin metal wire such as copper using a bundle of glass fiber, carbon fiber, or synthetic resin fiber (any one of polyester, aramid, polyethylene, liquid crystal polymer, etc.) as a core material 22a. 22b is coiled and wound twice.
  • the conductive wire 22 is a fine metal wire 22b (for example, a copper thin wire) having a diameter of 0.05 mm, which is silver-plated on the surface of a core material 22a made of a plurality of glass fibers (for example, a diameter of about 0.3 mm). Are covered in a coil shape.
  • the two thin metal wires 22b are wound around the right and left windings so as to intersect each other.
  • the conductive wire 22 has a structure in which two thin metal wires 22b are wound in a coil shape, it can be bent in any direction and has high durability against repeated bending.
  • carbon fibers having conductivity may be adopted, and the number of the fine metal wires 22b is not necessarily limited to two, and two or more plural You may cover in a coil shape with a thin metal wire.
  • the insulating wire 21 is made of, for example, glass fiber, carbon fiber, or synthetic fiber (any one of polyester, aramid, polyethylene, liquid crystal polymer, etc.).
  • the insulating wire 21 is composed of a twisted wire made of a plurality of glass fibers (for example, a diameter of about 0.3 mm).
  • glass fibers for the insulating wire 21 and the conductive wire 22 having high mechanical strength and excellent heat resistance can be obtained.
  • the insulating protective film 6 is, for example, a film of a silane coupling agent or a film of parylene (trade name, manufactured by Union Carbide Chemicals & Plastics), which is a paraxylene polymer.
  • the upper and lower surfaces of the woven mesh substrate 1 with the element are coated (for example, about 25 ⁇ m in thickness).
  • This insulating protective film 6 has flexibility and light transmittance.
  • the insulating protective film 6 made of a silane coupling agent can be formed by the spray method using the protective film coating mechanism 62 described later after the woven mesh substrate 1 with an element is manufactured.
  • the insulating protective film 6 made of parylene can be formed by a chemical vapor deposition method at room temperature using a parylene protective film coating mechanism (not shown) after the woven mesh substrate 1 with the element is manufactured.
  • the solar cell 3 that can receive light three-dimensionally easily receives light that is directly irradiated or reflected and scattered, and therefore is incident from the outside.
  • High utilization efficiency of light and stable high output can be obtained.
  • the output is less reduced, and the total amount of power generation is larger than that of a planar solar cell module in which light reception remains two-dimensionally.
  • the element-woven woven mesh substrate 1 employs a colored insulating wire, or incorporates a colored decorative sphere having the same size as the solar battery cell 3 into the mesh, etc. It can be composed of materials.
  • the plurality of conductive wires 22 of the lower first woven fabric portion 25 are bonded together with solder or silver paste, By combining the plurality of conductive wires 22 of the upper first woven fabric portion 25 with solder or silver paste, integrated external terminals 45 and 46 can be obtained. By using the external terminals 45 and 46, the necessary number of woven mesh substrates 1 with elements are connected in parallel and / or in series to realize the woven mesh substrate 1 with elements having higher output power. Can do.
  • the woven mesh base material 1 with the element is obtained by incorporating solar cells 3 in a mesh surrounded by warp yarns (insulating wires 21) and weft yarns (conductive wires 22) having a structure similar to that of a woven fabric. Therefore, the number of necessary members can be reduced, and the material and processing cost can be reduced. In addition, it is possible to make the woven mesh substrate 1 with elements thin and light, see-through and flexible.
  • the manufacturing apparatus 50 which manufactures the woven mesh base material 1 with an element is demonstrated. As shown in FIGS. 7 and 8, the manufacturing apparatus 50 manufactures the woven mesh substrate 1 with elements while moving the material from the upstream side toward the downstream side.
  • the manufacturing apparatus 50 includes a supply-side guide roller 51 on the most upstream side, a scissor mechanism 53, a shuttle mechanism 54, a scissor mechanism 55, a coating mechanism 56 that is a first coating mechanism 57 and a second coating mechanism 58, and a semiconductor.
  • An element supply mechanism 59, a heating mechanism 61, a protective film coating mechanism 62, a most downstream drawing mechanism 63, and the like are provided.
  • the manufacturing apparatus 50 includes a mesh-shaped woven mesh base material 2 having a plurality of insulating wires 21 as warp yarns and a plurality of conductive wires 22 as weft yarns, each having a light receiving function and each having a positive electrode 31 and a negative electrode 32.
  • the woven mesh base material 1 with the element incorporating the solar battery cell 3 is manufactured.
  • the gusset part 24 of the woven mesh base material 1 with an element is abbreviate
  • the supply-side guide roller 51 is rotatably supported by the machine frame of the manufacturing apparatus 50, and is rotationally driven by a roller drive mechanism (not shown).
  • the supply-side guide roller 51 guides the plurality of insulated wires 21 (warp yarns) supplied from a warp yarn supply source (not shown) in an aligned state while changing the direction, toward the heel mechanism 53.
  • the plurality of insulated wires 21 excluding several ends of the plurality of insulated wires 21 (portions corresponding to the second woven fabric portion 26) are approximately 1.8 mm in the axial direction of the roller 51 on the supply side guide roller 51. They are arranged at a certain interval.
  • interval of the insulated wire 21 of the part which forms the 2nd woven fabric part 26 of the woven net base material 1 with an element is about 0.6 mm.
  • a guide plate 52 is provided between the supply side guide roller 51 and the eaves mechanism 53.
  • the guide plate 52 has a pair of flat plate portions 52a and 52b and an opening 52c extending long in a direction orthogonal to the insulating wire 21 formed between the pair of flat plate portions 52a and 52b.
  • the guide plate 52 passes the plurality of insulated wires 21 through the upper side of the flat plate portion 52a, the first group warp yarn 21a passing through the opening 52c and passing under the flat plate portion 52b, and the lower side of the flat plate portion 52a.
  • the second group warp yarn 21b passes through the opening 52c and passes through the upper side of the flat plate portion 52b.
  • the odd-numbered insulated wires 21 from the right end in FIG. 7 are the first group warps 21a
  • the even-numbered insulated wires 21 are the second group warps 21b.
  • the scissors mechanism 53 includes a first and second scissors members 53a and 53b, and a reciprocating drive member 53c for relatively reciprocating the first and second scissors members 53a and 53b. It consists of
  • the reed mechanism 53 includes a first group warp 21a including a plurality of insulating wires 21 arranged in parallel at regular intervals, and a second group including a plurality of insulating wires 21 positioned alternately and parallel to the first group warp 21a.
  • the group warp yarn 21b is moved up and down to form a gap for allowing the shuttle 54a to pass between the first and second group warp yarns 21a and 21b.
  • Each of the first and second flange members 53a and 53b includes an elongated plate-like upper frame 53d, a lower frame 53e, and a plurality of healds 53f extending in the vertical direction connecting the upper frame 53d and the lower frame 53e. Yes.
  • a thread hole 53g through which the insulating wire 21 is inserted is formed at the center of the hold 53f.
  • the scissors mechanism 53 has the first and second scissors members 53a, 53b in the lateral direction (the woven mesh with elements) so that the plurality of healds 53f of the second scissors member 53b are positioned between the plurality of healds 53f of the first scissors member 53a. It is comprised in the state shifted
  • the plurality of warp yarns of the first group warp yarn 21a are respectively inserted into the plurality of yarn holes 53g of the first rod member 53a, and the plurality of warp yarns of the second group warp yarn 21b are inserted into the plurality of yarn holes 53g of the second rod member 53b. It is inserted.
  • a pair of upper and lower carrier rods may be provided on the upper frame 53d and the lower frame 53e, respectively, and the heald 53f may be supported by this carrier rod.
  • the reciprocating drive member 53c includes a rotating shaft 53h extending in a direction orthogonal to the insulated wire 21, a pair of pulley members 53i fixed to both ends of the rotating shaft 53h, and engaging the pulley members 53i and the first, A pair of belt members 53j connecting the second flange members 53a and 53b, a reciprocating rotation mechanism (not shown) for reciprocatingly rotating the rotating shaft 53h, and the like are included.
  • the shuttle mechanism 54 includes a shuttle member 54a to which the leading end portion of the conductive wire 22 (weft) is fixed, and a shuttle drive mechanism (not shown) that can reciprocate the shuttle member 54a in the left-right direction. And a weft supply mechanism (not shown) for supplying the weft (conductive wire 22) to the shuttle member 54a.
  • the shuttle member 54a supplies the conductive wire 22 to the wedge-shaped gap between the first and second group warps 21a and 21b formed by the heel mechanism 53. Specifically, the shuttle member 54a is moved from the right side to the left side in FIG.
  • the scissor mechanism 55 has a vertically-oriented plate-like member 55 a that is long in the lateral direction, and a scissor drive mechanism (not shown) that moves the plate-like member 55 a back and forth by a predetermined stroke.
  • a scissor drive mechanism (not shown) that moves the plate-like member 55 a back and forth by a predetermined stroke.
  • a plurality of vertically long slits 55b are formed at equal intervals.
  • the scissor mechanism 55 strikes the conductive wire 22 (weft) supplied by the shuttle mechanism 54 so as to press it downstream, aligns the conductive wire 22 in an orthogonal state with respect to the insulating wire 21, and also downstream the sun.
  • the battery cell 3 is closely attached.
  • a plurality of insulation wires 21 of the first group warp yarn 21a are inserted into every other slit 55b among the plurality of slits 55b, and a plurality of insulation wires of the second group warp yarn 21b are inserted into every other slit 55b.
  • the line 21 is inserted.
  • the application mechanism 56 that is the first application mechanism 57 and the second application mechanism 58 will be described.
  • the first application mechanism 57 includes the first conductive bonding material 4 at a plurality of portions connecting the plurality of negative electrodes 32 of the plurality of solar cells 3 in the beaten conductive wire 22. Is applied.
  • the second application mechanism 58 applies the second conductive bonding material 5 to the plurality of positive electrodes 31 of the plurality of solar cells 3 incorporated by the semiconductor element supply mechanism 59.
  • the first and second coating mechanisms 57 and 58 are configured by a common coating mechanism 56.
  • the coating mechanism 56 is disposed on the downstream side of the scissor mechanism 55 and below the woven mesh substrate 2 composed of the plurality of insulating wires 21 and the plurality of conductive wires 22.
  • FIG. 7 it is illustrated in an exploded state.
  • the coating mechanism 56 includes a first rotating drum 56a that can be rotated by a predetermined angle (about 270 °), and a plurality of L-shaped fixing members fixed to the outer peripheral surface of the first rotating drum 56a at regular intervals in the axial direction. And a dispenser 56b.
  • the first rotating drum 56a is rotatably supported by a machine frame (not shown) of the manufacturing apparatus 50 and is driven to reciprocate by a drum rotation driving mechanism (not shown).
  • the first rotating drum 56a rotates, for example, about 270 ° counterclockwise from the suction position (see the two-dot chain line in FIG. 8) for sucking the first and second conductive bonding materials 4 and 5.
  • the coating mechanism 56 includes a reciprocating drive mechanism (not shown) that can reciprocate the first rotating drum 56a by a predetermined small stroke (for example, one pitch) in the axial direction.
  • each dispenser 56b is formed in an L shape.
  • Each dispenser 56b is configured such that the first and second conductive bonding materials 4 and 5 are adsorbed to the tip portions thereof and can be distributed.
  • the supply is slidable in the direction of the arrow in FIG. 8 to the position below the tip of the dispenser 56b with each dispenser 56b in the adsorption position.
  • the first and second conductive bonding materials 4 and 5 are supplied to a plurality of portions by the mechanism 64, and the first rotating drum 56a is slightly rotated counterclockwise, so that the first end portions of the plurality of dispensers 56b are moved to the first portion.
  • the second conductive bonding materials 4 and 5 are adsorbed.
  • the dispenser 56b one that adsorbs the first and second conductive bonding materials 4 and 5 by negative pressure and distributes the first and second conductive bonding materials 4 and 5 by low-pressure pressurized air is adopted. May be.
  • the semiconductor element supply mechanism 59 will be described. As shown in FIG. 8, the semiconductor element supply mechanism 59 is disposed on the downstream side of the heel mechanism 55 and on the upper side of the woven mesh substrate 2. However, FIG. 7 shows an exploded state. The semiconductor element supply mechanism 59 is fixed at regular intervals in the axial direction on the outer peripheral surface of the second rotary drum 59a that can be driven to rotate at a predetermined angle and into which negative pressure is introduced. And a plurality of L-shaped air tweezers 59b.
  • the semiconductor element supply mechanism 59 incorporates a plurality of solar cells 3 corresponding to a plurality of portions of the conductive wire 22 to which the first conductive bonding material 4 is applied into the woven mesh substrate 2, and a plurality of negative electrodes are formed in the plurality of portions. 32 are respectively joined.
  • the second rotary drum 59a is rotatably supported by a machine frame (not shown) of the manufacturing apparatus 50, and is driven to reciprocate by a reciprocating rotation drive mechanism (not shown).
  • the second rotating drum 59a can introduce negative pressure into the second rotating drum 59a by a negative pressure generating mechanism (not shown).
  • the second rotating drum 59a is rotated by, for example, about 270 ° in the clockwise direction from the holding position (see the two-dot broken line in FIG. 8) for receiving and holding the solar cells 3 from the external supply mechanism. It is possible to switch to a charging position where the solar battery cell 3 is joined to the first conductive bonding material 4 (a position shown by a two-dot chain line in FIG. 8, a position of the solar battery cell 3a).
  • the semiconductor element supply mechanism 59 is provided with a reciprocating drive mechanism (not shown) for reciprocating the second rotating drum 59a by a predetermined small stroke in the axial direction in conjunction with the first rotating drum 56a of the coating mechanism 56
  • each air tweezer 59b is composed of an L-shaped pipe material.
  • a nozzle 59c communicating with the inside of the second rotary drum 59a is formed at the tip of each air tweezer 59b.
  • the heating mechanism 61 will be described. As shown in FIG. 8, the heating mechanism 61 is disposed in the vicinity of the coating mechanism 56 and the semiconductor element supply mechanism 59. The heating mechanism 61 hardens the first and second conductive bonding materials 4 and 5 at the joint portion between the solar battery cell 3 and the conductive wire 22 in a short time after the solar battery cell 3 is incorporated into the woven mesh substrate 2. Is. Specifically, the heating mechanism 61 locally irradiates warm air or infrared rays to heat and dry the first and second conductive bonding materials 4 and 5 to be cured.
  • the protective film coating mechanism 62 will be described. As shown in FIGS. 7 and 8, the protective film covering mechanism 62 has a tunnel-shaped passage hole and is disposed on the downstream side of the heating mechanism 61. While the woven mesh substrate 1 with an element passes through the passage hole, an insulating protective film 6 (silane coupling) having flexibility and light transmittance is applied to the upper and lower surfaces of the woven mesh substrate 1 with an element by a spray method. Coating with an agent coating).
  • the pull-out mechanism 63 includes a winding roller 63a for winding the woven mesh substrate 1 with elements, a guide roller 63b for guiding the woven mesh substrate 1 with elements in the direction of the winding roller 63a, and the like. And disposed on the most downstream side of the manufacturing apparatus 50.
  • the take-up roller 63a is rotatably supported by a machine frame (not shown) of the manufacturing apparatus 50, and in conjunction with other mechanisms such as a coating mechanism 56 and a semiconductor element supply mechanism 59, an element is driven by a drawing drive mechanism (not shown).
  • the attached woven mesh substrate 1 is wound up by a winding roller 63a while being intermittently pulled out by one pitch.
  • the manufacturing method which manufactures the woven-mesh base material 1 with an element is demonstrated.
  • this manufacturing method a plurality of suns having a light receiving function and each having a positive electrode 31 and a negative electrode 32 on a mesh-like woven mesh base material 2 having a plurality of insulated wires 21 as warp yarns and a plurality of conductive wires 22 as weft yarns.
  • the 1st process includes the several insulated wire 21 arrange
  • the first group warp yarn 21a and the second group warp yarn 21b including a plurality of warp yarns parallel and alternately positioned with the first group warp yarn 21a.
  • the first group warp yarn 21a and the second group warp yarn 21b are moved up and down by the reed mechanism 53 to form a shuttle passage gap between the first and second group warp yarns 21a and 21b.
  • the conductive wire 22 is supplied through the shuttle member 54a of the shuttle mechanism 54 in the direction perpendicular to the insulating wire 21 through the gap between the first and second group warp yarns 21a and 21b.
  • the conductive wire 22 (weft) is beaten to press it downstream by the reed mechanism 55, the conductive wire 22 is aligned perpendicularly to the insulating wire 21, and the conductive wire 22 is aligned with the solar cell 3 on the downstream side. Press against the positive electrode 31.
  • the mesh-shaped woven mesh base material 2 having the plurality of insulating wires 21 as the warp and the plurality of conductive wires 22 as the weft is manufactured.
  • the conductive wire 22 beaten in the second step is made of a silver paste by a coating mechanism 56 (first coating mechanism 57) at a plurality of sites connecting the plurality of solar cells 3.
  • the first conductive bonding material 4 is applied. Specifically, first, the first conductive bonding material 4 supplied by the supply mechanism 64 is adsorbed to the tips of the plurality of dispensers 56b at the adsorption position, and then the plurality of dispensers 56b are counterclockwise. The plurality of dispensers 56 b are switched to the application position by rotating about 270 ° in the rotating direction, and the first conductive bonding material 4 is applied to the plurality of portions of the conductive wire 22. Thereafter, the plurality of dispensers 56b are rotated 270 ° in the clockwise direction and retracted to the suction position.
  • the plurality of solar cells 3 corresponding to the plurality of portions to which the first conductive bonding material 4 has been applied in the third step are incorporated by the semiconductor element supply mechanism 59, and the plurality of negative electrodes 32 are connected to the plurality of portions.
  • the first conductive bonding material 4 is bonded.
  • the solar cells 3 are supplied to the tip of the air tweezers 59b in the holding position, and the solar cells 3 are held in the air tweezers 59b by the negative pressure generated in the nozzle 59c.
  • the air tweezers 59b are rotated by about 270 ° in the clockwise direction, the air tweezers 59b are switched to the loading position, and the negative electrode 32 of the solar battery cell 3a is applied to the conductive wire 22 to which the first conductive bonding material 4 is applied. To join. Thereafter, the plurality of air tweezers 59b are rotated 270 ° counterclockwise and retracted to the holding position. At this time, since the semiconductor element supply mechanism 59 presses the solar battery cell 3 in the downstream direction after being bonded to the first conductive bonding material 4, an effect similar to that of the eaves mechanism 55 can be expected. Then, the one-pitch woven mesh substrate 2 corresponding to the diameter of the solar battery cell 3 is pulled out to the downstream side by the pull-out mechanism 63.
  • This drawing step corresponds to a fourth step or a sixth step performed between the fourth and fifth steps.
  • the second conductive bonding material 5 made of silver paste is applied to the plurality of positive electrodes 31 of the plurality of solar cells 3 incorporated in the fourth step by the application mechanism 56 (second application mechanism 58).
  • the application mechanism 56 second application mechanism 58
  • the second conductive bonding material 5 supplied by the supply mechanism 64 is adsorbed to the tips of the plurality of dispensers 56b at the adsorption position, and then the plurality of dispensers 56b are counterclockwise.
  • the plurality of dispensers 56 b are switched to the application position by rotating 270 ° in the rotating direction, and the second conductive bonding material 5 is applied to the plurality of positive electrodes 31.
  • the plurality of dispensers 56b are rotated 270 ° in the clockwise direction and retracted to the suction position.
  • the first group warp yarn 21a and the second group warp yarn 21b are moved to the original vertical position by the reed mechanism 53.
  • the first and second conductive wires 22 are supplied through the shuttle member 54a of the shuttle mechanism 54 to the gap between the first and second group warp yarns 21a and 21b by moving them so as to have a reverse vertical positional relationship. Steps are executed, and thereafter, the third to fifth steps are executed by the coating mechanism 56 and the semiconductor element supply mechanism 59.
  • the heating mechanism 61 disposed on the downstream side of the coating mechanism 56 and the semiconductor element supply mechanism 59 is used to send warm air or infrared rays to the first and second conductive bonding materials. 4 and 5, the first and second conductive bonding materials 4 and 5 are dried, and the first and second conductive bonding materials 4 and 5 are cured in a short time. Thereby, the conductive wire 22 and the some photovoltaic cell 3 can be joined firmly, and can be electrically connected.
  • the woven mesh base material 1 with an element is passed through the tunnel-shaped passage hole of the protective film coating mechanism 62 disposed on the downstream side of the heating mechanism 61.
  • the upper and lower surfaces of the woven mesh base material 1 with the element are covered with an insulating protective film 6 (a film of a silane coupling agent) that is flexible and light transmissive.
  • the woven-mesh base material 1 with an element is accommodated, winding up by 1 pitch intermittently with the drawer mechanism 63.
  • FIG. By repeating the first to eighth steps a plurality of times, the continuous woven mesh base material 1 with the insulating protective film 6 formed can be manufactured.
  • a set of continuous first woven fabric portions 25 may be formed.
  • An intermediate position between the two sets of continuous first woven fabric portions 25 is a part that can be divided.
  • a plurality of warp yarns (insulating wires 21) and a plurality of weft yarns (conductive wires 22) are used to weave the woven mesh substrate 2 using the loom (manufacturing apparatus 50) shown in FIG.
  • the solar battery cell 3 (spherical semiconductor element) and to electrically connect the negative electrode 32 and the positive electrode 31 to the weft by the first and second conductive bonding materials 4 and 5
  • Incorporation of the solar battery cell 3 and application of the first and second conductive bonding materials 4 and 5 can be automated, and the woven mesh substrate 1 with an element having a stable and efficient quality can be manufactured with a small number of steps. It is also possible to reduce the manufacturing cost of the woven mesh base material 1 with a semiconductor element.
  • An application mechanism 56 (first and second application mechanisms 57 and 58), a semiconductor element supply mechanism 59, while effectively utilizing the supply side guide roller 51, the heel mechanism 53, the heel mechanism 55, and the drawer mechanism 63 of the existing loom. Since the heating mechanism 61 and the protective film covering mechanism 62 may be additionally provided, it is advantageous in terms of design, production, and manufacturing cost of the manufacturing apparatus 50 for the woven mesh substrate 1 with elements. It can be set as the manufacturing apparatus 50 which manufactures the net
  • a plurality of solar cells 3 are grouped into a plurality of longitudinal groups arranged in the warp direction and a plurality of transverse groups arranged in the weft direction.
  • the number of elements connected in series is determined because the plurality of solar battery cells 3 are connected in series and the plurality of solar battery cells 3 included in the lateral group are connected in parallel.
  • the generated voltage can be freely set, and the generated current can be set freely via the number of elements connected in parallel.
  • the influence on the output of the solar cells 3 in other parts that are not shaded can be kept to a minimum.
  • the woven mesh substrate 1 with the element can receive or emit light with the same efficiency on the upper and lower surfaces.
  • the woven mesh substrate 1 with elements can be used as the woven mesh substrate 1 with elements having a light receiving function, which is flexible, lightweight, thin, flexible, see-through, and daylighting. Since the woven mesh base material 1 with the element is configured in a woven mesh shape, it can be finished into various products as an intermediate product depending on the application.
  • a woven mesh substrate 1A with a semiconductor element partially modified from the woven mesh substrate 1 with a semiconductor element and a manufacturing apparatus 50A partially modified from the manufacturing apparatus 50 will be described.
  • Constituent elements similar to those of Example 1 are denoted by the same reference numerals, description thereof is omitted, and only different constituent elements are described.
  • a woven mesh substrate 1A with a semiconductor element is a woven mesh substrate with an element composed of a woven mesh substrate 2 and a plurality of solar cells 3.
  • the material 1 is sealed in an embedded state between a pair of upper and lower synthetic resin sheet materials 40 having flexibility and light transmission.
  • woven mesh base materials with an element are the upper and lower surfaces of the woven mesh base material 2 of Example 1 and the some photovoltaic cell 3, and the insulating protective film 6 (the coating of a silane coupling agent, or a parylene film) of the said Example 1. ) Is formed between the upper and lower surfaces in a flat shape by pressing and hot-molding with a synthetic resin sheet material 40 having optical transparency and flexibility.
  • the synthetic resin sheet material 40 is configured as a flexible and see-through sheet material in which a synthetic resin film layer 42 such as a PET resin film is formed on both upper and lower surfaces of an EVA sheet 41 (or PVB sheet or the like).
  • this woven mesh substrate 1A with an element a transparent PET (polyethylene terephthalate) resin film on both upper and lower surfaces of a synthetic resin sheet material 40 in which a woven mesh substrate 2 and a plurality of solar cells 3 are sealed in an embedded state, PVF Since the synthetic resin film layer 42 such as (polyvinyl fluoride resin) is provided, light other than light directly absorbed by the surface of the solar battery cell 3 in the incident light is reflected on the inner surface of the synthetic resin film layer 42 and the solar battery. The light is finally absorbed by the surface of the solar cell 3 while repeating multiple reflections between the cell 3, the surface of the insulating wire 21 and the conductive wire 22. For this reason, the output improvement of the whole woven-mesh base material with an element 1A can be expected.
  • a transparent PET (polyethylene terephthalate) resin film on both upper and lower surfaces of a synthetic resin sheet material 40 in which a woven mesh substrate 2 and a plurality of solar cells 3 are sealed in an embedded state
  • the woven mesh base material 1A with the element is connected to the plurality of conductive wires 22 of the lower first woven fabric portion 25 with solder or silver paste in order to facilitate electrical or mechanical connection with the outside. Then, by connecting the plurality of conductive wires 22 of the upper first woven fabric portion 25 with solder or silver paste, integrated external terminals 45A and 46A can be obtained. By utilizing this, the necessary number of woven mesh base materials 1A can be connected in parallel and / or in series, and the woven mesh base material 1A with higher output power can be manufactured.
  • a woven mesh base material 1A with an element is obtained by incorporating solar cells 3 into a mesh 23 surrounded by warp yarns (insulating wires 21) and weft yarns (conductive wires 22) having the same structure as a woven fabric, Since it is mechanically connected, the number of required members can be reduced, and the material and processing cost can be suppressed.
  • the woven mesh base sheet 1A is thin and light, and a see-through and flexible structure can be expected.
  • the manufacturing apparatus 50A for manufacturing the woven mesh base material 1A with an element includes a supply-side guide roller 51, a guide plate 52, a hook mechanism 53, a shuttle mechanism 54, and a hook mechanism 55 from the upstream side toward the downstream side.
  • the first application mechanism 57 and the second application mechanism 58 include an application mechanism 56, a semiconductor element supply mechanism 59, a heating mechanism 61, a heating and pressing mechanism 65, and a drawer mechanism 63. Since the protective film coating mechanism 62 is omitted from Example 1 and the heating and pressurizing mechanism 65 is added, the configuration is the same as that of Example 1 described above. Only the heating and pressing mechanism 65 will be described.
  • the heating and pressing mechanism 65 has a pair of upper and lower roller members 65 a and 65 b that can convey the woven mesh substrate 1 with elements and the synthetic resin sheet material 40 while being pressurized and heated. It is disposed downstream of the mechanism 61 (not shown).
  • the heating and pressurizing mechanism 65 makes the woven mesh substrate 1 with an element by heating and pressurizing the woven mesh substrate 1 with an element from both the upper and lower sides of the synthetic resin sheet material 40 having flexibility and light transmission. Is.
  • the manufacturing method which manufactures 1A of woven net base materials with an element is demonstrated. Since the first to seventh steps of the first embodiment are the same, the description thereof is omitted.
  • the heating and pressurizing mechanism 65 is used.
  • the synthetic resin sheet material 40 having flexibility and light transmission (for example, the synthetic resin film layer 42 attached to the surface of the EVA resin sheet 41) is superimposed on the upper and lower surfaces of the woven mesh substrate 1 with the elements.
  • the EVA resin is softened and melted, and the woven mesh substrate 2 and the plurality of solar cells 3 are sealed in the EVA resin in an embedded state.
  • a net substrate 1A is manufactured. Finally, the woven mesh substrate 1A with the element is accommodated while being intermittently wound by the winding roller 63a of the pulling mechanism 63. Since other configurations, operations, and effects are the same as those in the first embodiment, description thereof is omitted.
  • a pn junction may be formed by forming a p-type diffusion layer in a spherical n-type silicon crystal.
  • silver paste is used as the first and second conductive bonding materials 4 and 5 of Examples 1 and 2, it is not necessary to be limited to this, and the positive electrode 31 and the negative electrode 32 of the solar battery cell 3 are soldered.
  • the conductive wire 22 may be connected by a paste (such as tin or silver solder paste).
  • the conductive wires 22 of Examples 1 and 2 have a configuration in which two fine metal wires are covered in a coil shape on a glass fiber, but there is no need to be limited to this, and a plurality of wires are used instead of the fine metal wires. It may have a structure in which a conductive film is formed on the surface of the glass fiber strand.
  • first and second coating mechanisms 57 and 58 of the first and second embodiments are configured by a common coating mechanism 56, the first and second coating mechanisms 57 and 58 may be configured separately. good.
  • the protective film coating mechanism 62 for forming transparent resin films on the upper and lower surfaces of the woven mesh substrate 1 with the element of Example 1 and the upper and lower surfaces of the woven mesh substrate 1A with the element of Example 2 are made of synthetic resin.
  • the heating and pressing mechanism 65 for heating and pressing the sheet material 40 is not always necessary, and may be omitted depending on the specification.
  • the heated and pressurized mechanism 65 allows the woven mesh substrate 1 with elements to be flexible and light transmissive.
  • the synthetic resin sheet material 40 is sealed in an embedded state, and a flexible and light-transmitting synthetic resin film layer 42 is formed on both upper and lower surfaces of the synthetic resin sheet material 40 to provide a woven mesh base with an element.
  • the material sheet 1A may be manufactured.
  • the negative electrode 32 of the solar battery cell 3 is the first electrode and the positive electrode 31 is the second electrode.
  • the present invention is not limited to this. Two electrodes may be used, and the positive electrode 31 may be used as the first electrode.
  • the air tweezers 59b of the semiconductor element supply mechanism 59 attracts and holds the negative electrode 32 side of the solar battery cell 3, and the positive electrode 31 of the solar battery cell 3 is held by the first conductive bonding material 4 after the air tweezers 59b is rotationally driven.
  • the conductive wire 22 coated with is bonded.
  • the insulated wire 21 may be a twisted wire made of a plurality of insulating synthetic resin fibers, or may be a single wire or band other than the twisted wire. Further, as the conductive wire 22, a twisted wire made of a plurality of fine metal wires may be employed, or a single wire or band other than the twisted wire may be employed.
  • a plurality of spherical light emitting diode cells 70 each having a light emitting function and each having a positive electrode 71 and a negative electrode 72 are used instead of the spherical solar battery cell 3 described above.
  • a spherical light emitting diode cell 70 shown in FIG. 13 includes an n-type spherical semiconductor 73, a flat surface 74, a spherical p-type diffusion layer 75, a pn junction 76, and a phosphor film formed on the entire surface.
  • the light emitting diode cell 70 emits light. Since the emission color is determined according to the phosphor component of the phosphor film 77, it is possible to employ light emitting diode cells 70 of various emission colors.
  • the insulating protective films 6 made of parylene may be formed on the upper and lower surfaces of the woven mesh substrate 1 with the element of Example 1. In this case, since parylene penetrates into narrow gaps at the molecular level, a film can be uniformly formed on the entire surface of the woven mesh substrate 1 with elements. Parylene has a refractive index of about 1.64, and coating the surface of the solar battery cell 3 has an effect of preventing reflection and an effect of improving electrical insulation as compared with the case where light is directly incident from the air. . It can be expected to have an effect of preventing permeation of water vapor and gas, chemical resistance, and radiation resistance.
  • the solar cell 3, the plurality of insulating wires 21, the plurality of conductive wires 22, and the first and second conductive bonding materials 4, 5 can be expected to prevent deterioration.
  • the insulating protective film 6 may be composed of a synthetic resin material (for example, a silicone resin film) having light transmissivity and flexibility other than a film of a silane coupling agent or a film of parylene.
  • the woven mesh substrate with a semiconductor element according to the present invention is flexible and well-lighted (or see-through), and can be applied to thin and light solar cell panels and light-emitting panels. In addition, it is possible to realize a solar cell panel that is incorporated in the wall surface of a building and has excellent design properties.

Abstract

 複数の絶縁線21を縦糸とし複数の導電線22を横糸とするメッシュ状の織網基材2に、受光又は発光機能を有する複数の球状半導体素子3を組み込んだ半導体素子付き織網基材1を製造する製造方法は、複数の縦糸を含む第1群縦糸と、この第1群縦糸と平行且つ交互に位置する複数の縦糸を含む第2群縦糸とを綜絖機構53により上下に移動させて隙間を形成する第1工程と、第1,第2群縦糸の間の隙間にシャトル機構54により横糸を供給し、その横糸を筬機構55により筬打ちする第2工程と、この筬打ちされた横糸のうち、複数の球状半導体素子を接続する複数部位に第1導電接合材4を塗布する第3工程と、この第1導電接合材が塗布された部位に複数の球状半導体素子を組み込んで、複数部位に複数の第1電極31を夫々接続する第4工程と、複数の球状半導体素子の複数の第2電極32に第2導電接合材5を塗布する第5工程とを備えている。

Description

半導体素子付き織網基材の製造方法、その製造装置及び半導体素子付き織網基材
 本発明は半導体素子付き織網基材、その製造方法及びその製造装置に関し、特に受光又は発光機能の有る複数の球状半導体素子を、絶縁性の複数の縦糸と導電性の複数の横糸からなるメッシュ状の織網に組み込んだ半導体素子付き織網基材を利用可能にする技術に関する。
 従来から、絶縁性或いは導電性のフレキシブルなシート上に半導体薄膜を成膜した構造の太陽電池或いはELディスプレイなどの受光又は発光デバイスが開発されている。これらのデバイスは、半導体薄膜と電極及び配線などを個別に順次形成することで、受光面積が小さいものから比較的大きなものまで製造可能であるが、いずれも平面型の半導体デバイスであり、共通のシート上に形成されるものである。
 一方、球状半導体素子を用いた受光又は発光デバイスが提案されている。例えば、特許文献1には、p形球状シリコン結晶に球面状のpn接合を形成した球状半導体素子(球状太陽電池セル)を、絶縁膜を介して張り合わせた2枚のアルミニウムシートに貼り付け、これらアルミニウムシートに半導体素子のp形層とn形層を夫々接続した構造のフレキシブルな太陽電池が開示されている。
 特許文献2には、多数の球状発光体(発光ダイオード)をフレキシブルなプラスチックフィルムの表面にXY方向にマトリックス状に配置して、球状発光体の電極をシート状の電極に夫々電気的に接続した発光ディスプレイとその製造方法が開示されている。
 特許文献1,2は、太陽電池又は球状発光体を共通のフィルム上に設けて電気的に接続した構造を有するものである。つまり、共通のフィルムの片面に一括して受光層又は発光層を形成している、或いは共通のフィルムの片面に個別に製造した複数の受光体又は複数の発光体を配置している構造であるため、受光又は発光機能はフィルムの片面にしか存在しない。
 一方で、特許文献3には、デバイスの両面に受光又は発光機能がある構造が開示されている。具体的に、複数の球状半導体素子を、線状の導電部材(導電線)によって電気的に接続し、樹脂封止したフレキシブルな受光又は発光デバイスが開示されている。このデバイスにおいて、列方向の各セルは、1対の導電線によって縦方向に並列接続され、行方向に隣接する導電線を直結することで直列接続された構造を有する。しかし、直列接続された方向に引っ張るとそのまま球状半導体素子が張力を受けるため、球状半導体素子が引き剥がされる虞がある。
 特許文献4には、導体(銀をガラスファイバーにコーティングした導線)を横糸とし、不良導体(ガラスファイバー)を縦糸として平織りした網目様構造体(ガラス布)の網目に、pn接合を形成した球状半導体素子を強固に押し込み、その状態で高温加熱して電極形成と共に網目様構造体と球状半導体素子の電気的接続を同時に行い、その後、網目様構造体の両面から樹脂フィルムでラミネーションした構造のフレキシブルな太陽電池モジュールが開示されている。
 しかし、特許文献4の製造方法では、電極形成と、網目様構造体と半導体素子間の電気的接続が同時に行われるため、半導体素子は網目様構造体の網目に押し込み電極形成した後でないと、半導体素子の機能試験が出来ない。それ故、不良な半導体素子が混ざった場合でも検出することが出来ず、太陽電池モジュールの不良率が高くなる。さらに、完成した太陽電池モジュールにおいては、その一方の表面に半導体素子が突出した構造になるため、太陽電池モジュールの裏面からの光を有効に活用できず、裏面側から入射する光に対する受光感度が低くなってしまう。また、太陽電池モジュールを機械的に折曲する場合のモジュールの可撓性が、両面側へ対称でなく、片面側に偏るため、利便性が悪くなる。
 そこで、特許文献5では、絶縁性張力糸からなる縦糸と導電性張力糸からなる横糸とで平織した網目構造の織布を用意し、織網の複数のメッシュ状の網目に、正極と負極を備えた受光又は発光機能を有する複数の球状半導体素子を電極の極性を揃えた状態で挿入し、導電線により横方向に並列接続し且つ縦方向に直列接続し、これらを透明な樹脂シート内に封止することにより、透明で可撓性のあるシート状受光又は発光モジュールを製造している。
 この特許文献5の受光又は発光モジュールでは、織布に球状半導体素子を一体的に組み込んだモジュールであるので、受光又は発光モジュールの片面に偏りがない両面受光又は両面発光の特性を有するモジュールであって、モジュールの両面が同じ外観で同じように折曲可能な対称性のあるフレキシブルなモジュールが得られる。
米国特許4691076号公報 米国特許5469020号公報 国際公開WO2004/001858号公報 特開平9-162434号公報 国際公開WO2005/041312号公報
 ところで、上記特許文献5のモジュールでは、予め平織した織布のメッシュ状の網目に、複数の球状半導体素子を挿入し、これら半導体素子の両端の正負電極と導電線(横糸)とを導電性ペーストで電気的に接続するために、球状半導体素子の直径と網目の間隔を一定に保つ必要がある。
 しかし、織布の網目が開いた状態で上記の球状半導体素子を挿入する作業をするため、作業中に織布の自重などによって寸法や形状が崩れ、横糸間や縦糸間が狭まり過ぎて球状半導体素子が網目に詰まったり、また逆に横糸間や縦糸間が拡がり過ぎて球状半導体素子の電極を導電性ペーストで適切に接続できない、などの状態が生じる虞がある。
 ところで、太陽電池、太陽光モジュール、太陽光パネルなどにおいては、製品の発電効率や使い勝手、耐久性および経済性だけでは満足できない分野がある。例えば、外部から光を取り込み電気エネルギーを供給する受光デバイス、或いは、電気エネルギーを光に変換し外部に光を放射する発光デバイスでは、用途によってはヒュウーマンインターフェースとして人の感性に触れる要素を有するようになる。
 太陽電池を、人目に触れる電子機器、建物、電車や乗用車、衣服や身の周り品に取り付けて使用する場合は、その存在がこれらの外観に大きな影響を及ぼすことが多い。このため、用途に応じて多様な形状や特性が要請され、例えば、薄い、軽い、フレキシブル、光透過性あるいはシースルー性などが要請される場合がある。さらに、物理的要素のほか、色彩や柄模様といった意匠面での設計の自由度が高いことが望ましい。
 本発明の目的は、織機を用いて織網基材を織りながら複数の球状半導体素子を組み込んで、安定した品質の半導体素子付き織網基材を製造可能な半導体素子付き織網基材の製造方法及びその製造装置を提供すること、受光又は発光機能を有する球状半導体素子を織網基材に組み込んでそれらの電極を導電線に接続した半導体素子付き織網基材を提供すること、種々の用途に利用可能な中間材的な半導体素子付き織網基材を提供すること、意匠性を向上させ得る半導体素子付き織網基材を提供すること、などである。
 請求項1の半導体素子付き織網基材の製造方法は、複数の絶縁線を縦糸とし複数の導電線を横糸とするメッシュ状の織網基材に、受光又は発光機能を有し且つ各々が第1,第2電極を有する複数の球状半導体素子を組み込んだ半導体素子付き織網基材を製造する製造方法において、定間隔おきに平行に配置した複数の縦糸を含む第1群縦糸と、この第1群縦糸と平行且つ交互に位置する複数の縦糸を含む第2群縦糸とを綜絖機構により上下に移動させて、第1,第2群縦糸の間に隙間を形成する第1工程と、前記第1,第2群縦糸の間の隙間にシャトル機構により横糸を供給し、その横糸を筬機構により筬打ちする第2工程と、前記第2工程で筬打ちされた横糸のうち、複数の球状半導体素子を接続する複数部位に第1導電接合材を塗布する第3工程と、前記第3工程で第1導電接合材が塗布された複数部位に対応する複数の球状半導体素子を組み込んで、前記複数部位に複数の第1電極を夫々接続する第4工程と、前記第4工程で組み込んだ複数の球状半導体素子の複数の第2電極に第2導電接合材を塗布する第5工程とを備え、前記第1工程から第5工程を複数回繰り返すことを特徴としている。
 請求項6の半導体素子付き織網基材の製造装置は、複数の絶縁線を縦糸とし複数の導電線を横糸とするメッシュ状の織網基材に、受光又は発光機能を有し且つ各々が第1,第2電極を有する複数の球状半導体素子を組み込んだ半導体素子付き織網基材を製造する製造装置において、絶縁線供給源から供給される複数の絶縁線を整列状態に案内する供給側案内ローラと、定間隔おきに平行に配置した複数の縦糸を含む第1群縦糸と、この第1群縦糸と平行且つ交互に位置する複数の縦糸を含む第2群縦糸とを上下に移動させて、第1,第2群縦糸の間に隙間を形成する綜絖機構と、前記綜絖機構により形成された第1,第2群縦糸の間の隙間に横糸を供給するシャトル機構およびこのシャトル機構で供給された横糸を筬打ちする筬機構と、前記筬打ちされた横糸のうち、複数の球状半導体素子を接続する複数部位に第1導電接合材を塗布する第1塗布機構と、前記第1導電接合材が塗布された複数部位に対応する複数の球状半導体素子を組み込んで、前記複数部位に複数の第1電極を夫々接続する半導体素子供給機構と、前記半導体素子供給機構で組み込んだ複数の球状半導体素子の複数の第2電極に第2導電接合材を塗布する第2塗布機構と、前記半導体素子付き織網基材を所定長さずつ引き出す引き出し機構とを備えたことを特徴としている。
 請求項12の半導体素子付き織網基材は、受光又は発光機能を有する複数の球状半導体素子を組み込んだ半導体素子付き織網基材において、複数の絶縁線を縦糸とし複数の導電線を横糸とするメッシュ状の織網基材と、各々が受光又は発光機能と第1,第2電極を有する複数の球状半導体素子であって、前記第1,第2電極で規定される導電方向を揃えた状態で、前記織網基材の複数の網目に組み込まれる複数の球状半導体素子と、前記複数の球状半導体素子における、複数の第1電極を複数の横糸に夫々電気的に接続する第1導電接合材および複数の第2電極を複数の横糸に夫々電気的に接続する第2導電接合材とを備えたことを特徴としている。
 請求項1の発明によれば、織機を用いて複数の縦糸(絶縁線)と複数の横糸(導電線)とで織網基材を織りながら、その織網基材に複数の球状半導体素子を組み込んで、それらの第1,第2電極を横糸に第1,第2導電接合材で電気的に接続するため、織網基材の製作と、球状半導体素子の組み込みと、第1,第2導電接合材の塗布を自動化することができ、少ない工程数で能率的に安定した品質の半導体素子付き織網基材を製作することができ、半導体素子付き織網基材の製作コストを低減することもできる。
 請求項6の発明によれば、基本的に請求項1と同様の効果を奏する上、次の効果を奏する。既存の織機の供給側案内ローラと綜絖機構と筬機構と引き出し機構を有効活用しながら、第1,第2塗布機構と、半導体素子供給機構とを追加的に装備すればよいため、半導体素子付き織網基材の製造装置の設計、製作、製作コストの面で有利であり、半導体素子付き織網基材を自動的に製造する製造装置とすることができる。
 請求項12の発明によれば、その半導体素子付き織網基材における、複数の球状半導体素子が、縦糸方向に並ぶ複数の縦方向群と、横糸方向に並ぶ複数の横方向群とにグループ化され、縦方向群に含む複数の球状半導体素子が直列接続可能であり、横方向群に含む複数の球状半導体素子が並列接続可能であるため、受光用の半導体素子付き織網基材の場合、直列接続数を介して発電電圧を自由に設定し、並列接続数を介して発電電流を自由に設定することができる。
 そして、受光用の半導体素子付き織網基材の場合、部分的に日陰となる部分が発生しても日陰でない他の部分の球状半導体素子の出力への影響を最小限に留めることができる。しかも、この半導体素子付き織網基材は、その上下両面が同じ効率で受光又は発光可能である。
 また、この半導体素子付き織網基材は、可撓性、軽量、薄型、フレキシブル、シースルー、採光性がある中間材的製品として用途に応じて種々の製品に仕上げることが出来る。
 請求項1の構成に加えて、次のような種々の構成を採用してもよい。
(a)前記第4工程、又は第4,第5工程の間において、前記半導体素子付き織網基材を所定長さ引き出す第6工程を備えている。
(b)前記第5工程の後に、第1,第2導電接合材を加熱する第7工程を備えている。
(c)前記第7工程の後に、前記半導体素子付き織網基材の上下両面を可撓性と光透過性のある絶縁性保護膜で被覆する第8工程を備えている。
(d)前記第7工程の後に、前記半導体素子付き織網基材の上下両面に可撓性と光透過性のある合成樹脂シート材を重ねて加熱加圧することによりシート状の半導体素子付き織網基材にする第9工程を備えている。
 請求項6の構成に加えて、次のような種々の構成を採用してもよい。
(e)前記第1,第2塗布機構は共通の塗布機構で構成され、この共通の塗布機構は、第1回転ドラムと、この第1回転ドラムの外周面に軸心方向に定間隔おきに固定されたL形の複数のデスペンサーであって、先端部に導電接合材を吸着して分配可能な複数のデスペンサーとを備えている。
(f)前記半導体素子供給機構は、内部に負圧が導入される第2回転ドラムと、この第2回転ドラムの外周面に軸心方向に定間隔おきに固定されたL形のパイプ材からなる複数のエアピンセットとを備えている。
(g)前記第1,第2導電接合材を加熱する加熱機構を設けている。
(h)前記半導体素子付き織網基材の上下両面を可撓性と光透過性のある絶縁性保護膜で被覆する保護膜被覆機構を備えている。
(i)前記半導体素子付き織網基材の上下両面に可撓性と光透過性のある合成樹脂シート材を重ねた状態で加熱加圧することによりシート状の半導体素子付き織網基材にする加熱加圧機構を備えている。
 請求項12の構成に加えて、次のような構成を採用してもよい。
(j)前記織網基材の縦糸の長さ方向の両端側部分には、前記メッシュより密に配置した複数の横糸と複数の縦糸とで織布状に形成した所定幅の第1織布部が形成され、前記織網基材の横糸の長さ方向の両端側部分には、前記メッシュより密に配置した複数の縦糸と複数の横糸とで織布状に形成した所定幅の第2織布部が形成されている。
(k)前記織網基材と複数の球状半導体素子の上下の両面を、可撓性と光透過性のある絶縁性保護膜で被覆している。
(l)前記織網基材と複数の球状半導体素子を、上下両面に可撓性と光透過性のある合成樹脂フィルム層を形成した可撓性と光透過性のある合成樹脂シートの中に埋設状態に封止している。
(m)前記縦糸が、ガラス繊維、炭素繊維、合成樹脂繊維のうちの何れか1種類の繊維の束で構成され、横糸がガラス繊維、炭素繊維、合成樹脂繊維のうちの何れか1種類の繊維の束の表面に金属細線をコイル状にカバーリングした導電線で構成されている。
本発明の実施例1に係る半導体素子付き織網基材の平面図である。 図1のII-II線断面図である。 半導体素子付き織網基材の要部拡大平面図である。 球状太陽電池セルの断面図である。 導電線の部分拡大斜視図である。 絶縁線の部分拡大斜視図である。 半導体素子付き織網基材の製造装置の斜視図である。 半導体素子付き織網基材の製造装置の塗布機構と半導体素子供給機構の要部拡大断面図である。 本発明の実施例2に係る半導体素子付き織網基材の平面図である。 図9のX-X線断面図である。 半導体素子付き織網基材の製造装置の斜視図である。 半導体素子付き織網基材の製造装置の塗布機構と半導体素子供給機構の要部拡大断面図である。 球状発光ダイオードセルの断面図である。
 以下、本発明を実施するための形態について実施例に基づいて説明する。
 先ず、本発明の半導体素子付き織網基材1の構成について説明する。
 図1~図3に示すように、半導体素子付き織網基材1(以下、素子付き織網基材という)は、複数の絶縁線21を縦糸とし複数の導電線22を横糸とするメッシュ状の織網基材2と、この織網基材2の複数の網目23に組み込まれる複数の球状太陽電池セル3(球状半導体素子に相当する)と、この球状太陽電池セル3を導電線22に接続するための第1,第2導電接合材4,5とを備え、この織網基材2と複数の球状太陽電池セル3の上下両面には、絶縁性保護膜6が形成されている。尚、図1の上下左右を上下左右として説明する。
 この素子付き織網基材1は、後述する製造方法及び製造装置50により、長い帯状に連続的に織ることが可能である。素子付き織網基材1は、球状太陽電池セル3の組み込み数、配置パターン(模様)やサイズなど、仕様に応じて適宜設定して製造可能である。
 この素子付き織網基材1は、フレキシブルであり、複数の球状太陽電池セル3を組み込む網目23と組み込まない網目23の比率を調整することで光透過性を調整することができる。図1の素子付き織網基材1では、左右方向に1つおきの網目に球状太陽電池セル3が組み込まれ且つ上下方向に1つおきの網目23に球状太陽電池セル3が組み込まれているが、全ての網目23に球状太陽電池セル3を組み込んでもよい。
 図3に示すように、複数の球状太陽電池セル3(以下、太陽電池セルという)は、織網基材2の複数の網目23に導電方向を揃えて組み込まれている。各太陽電池セル3の左右両側に絶縁線21が位置し、各太陽電池セル3の上下両側に導電線22が位置している。
 複数の太陽電池セル3は、受光機能(発電機能)を有すると共に、正極31(第2電極)と負極32(第1電極)を有し、正極31と負極32とで規定される導電方向を揃えた状態で織網基材2の複数の網目23に夫々組み込まれている。各太陽電池セル3の正極31は、第2導電接合材5により導電線22に電気的に接続され、各太陽電池セル3の負極32は、第1導電接合材4により導電線22に電気的に接続されている。
 第1,第2導電接合材4,5は、銀ペースト(エポキシ樹脂に銀粉を混入したもの)からなる。この銀ペーストで太陽電池セル3と導電線22を接続する場合は、銀ペーストを正極31と導電線22との接合部位や、負極32と導電線22との接合部位に塗布した後に、後述する加熱機構61により銀ペーストを加熱して乾燥させることで銀ペーストを硬化させ、太陽電池セル3の正極31と導電線22、負極32と導電線22とを電気的に接続し且つ固着する。
 次に、複数の太陽電池セル3の構造について説明する。
 図4に示すように、太陽電池セル3は、p形の球状半導体33と、この球状半導体33の表面の一部に形成した平坦面34と、この球状半導体33の表層部にn形拡散層35を形成することで形成された球面状のpn接合36と、球状半導体33の中心を挟んで対向するように形成されてpn接合36の両端に接合された1対の正極31,負極32(第2電極,第1電極)と、これら正極31,負極32を除く部分に成膜された反射防止膜37とを有する。
 ここで、太陽電池セル3の製造方法について簡単に説明する。
 先ず、直径が約1.0mmから2.0mm程度(但し、本実施例では、1.8mm)の小粒な球状のp形シリコン結晶(球状半導体33)を準備する。このp形シリコン結晶を製造するためには、例えば、小さなp形シリコン結晶の塊を溶融し、表面張力で出来た球状の液滴を冷却し凝固させることで製造する。尚、球状半導体のシリコン結晶は、単結晶でもよく、多結晶でもよい。
 次に、この球状のシリコン結晶の一部分をカットして平坦面34を設け、この平坦面34とその外周近傍部の表面に拡散マスクとしてのSiO膜を形成する。その後、このSiO膜でマスクした部分を除いてp形シリコン結晶の表面からn形不純物を拡散し、約0.5μmから1.0μm程度の深さまで、n形層(n形拡散層35)に転換することで、球面状のpn接合36を形成する。
 次に、不純物拡散後に出来た酸化膜を除去し、全面にSiOとSiを順次成膜して反射防止膜37を形成する。次に、上記の平坦面34に、ガラスフリットと銀を主成分とする導電性ペーストをドット状にプリントし、これと向き合う平坦面34と対向するn形拡散層35の頂面に、ガラスフリットとアルミニウムと銀を含む導電性ペーストをドット状にプリントする。
 そして、不活性ガス雰囲気中にて、短時間(1~2分間程度)の間約800℃で加熱する。この過程でガラスフリットを含んだ電極部材が、反射膜防止37を貫通して、p形表面及びn形表面にオーミックコンタクトする正極31と負極32が形成される。このようにして、複数の球状太陽電池セル3が製造される。
 この球状の太陽電池セル3は、以下のような特徴を有するものである。
 先ず、シリコン結晶の表面張力を利用して球状結晶を作り、少ない研磨加工ロスで球状太陽電池セル3に仕上げるため、原料シリコンの使用量が少なくてすむ。また、球状のシリコン結晶の中心線上でドット状の正極31と負極32を対向して設けるため、両電極線を結ぶ軸上からの光を除いてほぼ全方向からの光を受けて発電する。従って、直射光の方向が変化しても同じような出力が得られるほか、それ以外の反射光や散乱光も同時に受光できるため、平面受光型太陽電池セルよりも受光特性に優れている。その結果、大きな出力が得られる。
 次に、織網基材2について説明する。
 図1~図3に示すように、織網基材2は、列方向(上下方向)に延びる平行な複数の絶縁線21と、これら複数の絶縁線21に直交するように且つ複数の絶縁線21に織り込まれて行方向(左右方向)に延びる複数の導電線22とを備え、これら複数の絶縁線21と複数の導電線22とで太陽電池セル3を組み込んで接続する織網基材2が形成されている。この織網基材2の外周部分には、太陽電池セル3を組み込むことなく織り込んだマチ部分24が形成されている。マチ部分24以外の領域における織網基材2のメッシュ状の網目23において、上下に隣接する導電線22の間隔と左右に隣接する絶縁線21の間隔は、太陽電池セル3の直径と同じ約1.8mm程度に設定されている。
 図1,2に示すように、織網基材2の外周部分のマチ部分24は、織網基材2の縦糸(絶縁線21)の長さ方向の両端側部分にメッシュより密に配置した複数の横糸と複数の縦糸とで織布状に形成した所定幅の第1織布部25と、織網基材2の横糸(導電線22)の長さ方向の両端側部分にメッシュより密に配置した複数の縦糸と複数の横糸とで織布状に形成された所定幅の第2織布部26とから形成されている。この第1織布部25において、導電線22の間隔はメッシュ幅の約1/3程度であり、第2織布部26において絶縁線21の間隔はメッシュ幅の約1/3程度である。
 このマチ部分24は、絶縁線21と導電線22の織り込み密度が高くなるため、引っ張り強度や曲げ強度が向上し、織網基材2の耐久性も高くなる。また、織網基材2を長い帯状に製造した場合、所定の箇所に2組の連続する第1織布部25を設けることで、必要な長さに裁断する際にマチ部分24を設けた形で裁断することができ、裁断後における織網基材2の取り扱いにおいても、マチ部分24によって太陽電池セル3を保護することができる。
 図5に示すように、導電線22は、例えば、ガラス繊維又は炭素繊維又は合成樹脂繊維(ポリエステル、アラミド、ポリエチレン、液晶ポリマーなどの何れか)の束を芯材22aにして銅などの金属細線22bをコイル状に2重に巻き付けて構成している。本実施例では、導電線22は、複数本のガラス繊維(例えば、直径0.3mm程度)からなる芯材22aの表面に銀メッキした直径0.05mmの金属細線22b(例えば、銅の細線)を2本コイル状にカバーリングすることで構成されている。2本の金属細線22bは、互いに交差するよう右巻きと左巻きに巻き付けられている。この導電線22は、2本の金属細線22bをコイル状に巻き付けた構造なので、どの方向にも折曲可能で且つ繰り返し折曲に対して高い耐久性を有する。尚、上記の炭素繊維の束を芯材とする場合、導電性を有する炭素繊維を採用してもよく、金属細線22bの本数は、2本に限定する必要はなく、2本以上の複数の金属細線でコイル状にカバーリングしても良い。
 図6に示すように、絶縁線21は、例えば、ガラス繊維又は炭素繊維又は合成繊維(ポリエステル、アラミド、ポリエチレン、液晶ポリマーなどの何れか)から構成される。本実施例では、絶縁線21は、複数本のガラス繊維(例えば、直径0.3mm程度)の縒り線で構成されている。尚、絶縁線21と導電線22にガラス繊維を採用することにより、機械的強度が強く耐熱性に優れた絶縁線21と導電線22にすることができる。
 次に、絶縁性保護膜6について説明する。
 図2に示すように、この絶縁性保護膜6は、例えば、シランカップリング剤の被膜或いはパラキシレン系ポリマーであるパリレン(商品名、ユニオンカーバイト・ケミカルズ・アンド・プラスチック社製)の被膜で素子付き織網基材1の上下両面を(例えば、厚さ25μm程度に)被覆するものである。この絶縁性保護膜6は、可撓性と光透過性を有する。シランカップリング剤からなる絶縁性保護膜6は、素子付き織網基材1を製作した後に、後述する保護膜被覆機構62によりスプレイ法によって成膜可能である。尚、パリレンからなる絶縁性保護膜6は、素子付き織網基材1を製作した後に、図示外のパリレン用保護膜被覆機構により常温で化学蒸着法によって成膜可能である。
 素子付き織網基材1を組み込んだ太陽電池モジュールや太陽電池パネルの内部において、3次元的に受光可能な太陽電池セル3は、直射や反射散乱する光を受光しやすいので、外部から入射する光の利用効率が高く且つ安定した高い出力が得られる。特に直射光の入射方向が変化する場合や空が曇った時の出力低下が少なく、受光が2次元的にとどまる平面型太陽電池モジュールと比較すると、総発電量が大きくなる。素子付き織網基材1は、着色した絶縁線を採用したり、太陽電池セル3と同じ大きさの着色した装飾用の球体を網目に組み込む等により、意匠性に優れた素子付き織網基材に構成することができる。
 また、素子付き織網基材1において、外部の機器と電気的、機械的に接続するため、下側の第1織布部25の複数の導電線22同士を半田や銀ペーストで結合し、上側の第1織布部25の複数の導電線22同士を半田や銀ペーストで結合することで、一体化した外部端子45,46とすることができる。この外部端子45,46を利用して、素子付き織網基材1を必要な数だけ並列接続及び/又は直列接続して、さらに大きな出力電力を持つ素子付き織網基材1を実現することができる。素子付き織網基材1は、織布と同様な構造の縦糸(絶縁線21)と横糸(導電線22)で囲まれた網目の中に、太陽電池セル3を組み込んで、電気的、機械的に接続しているので、必要な部材の点数が少なくてすみ、材料や加工コストを節減することが出来る。その上、素子付き織網基材1が薄くて軽く、シースルーでフレキシブルな構造にすることが可能である。
 次に、素子付き織網基材1を製造する製造装置50について説明する。
 図7,図8に示すように、製造装置50は、上流側から下流側に向って材料を移動させながら、素子付き織網基材1を製造する。製造装置50は、最上流側の供給側案内ローラ51と、綜絖機構53と、シャトル機構54と、筬機構55と、第1塗布機構57兼第2塗布機構58である塗布機構56と、半導体素子供給機構59と、加熱機構61と、保護膜被覆機構62と、最下流側の引き出し機構63などを備えている。
 この製造装置50は、複数の絶縁線21を縦糸とし複数の導電線22を横糸とするメッシュ状の織網基材2に、受光機能を有し且つ各々が正極31と負極32を有する複数の太陽電池セル3を組み込んだ素子付き織網基材1を製造するものである。尚、図7において、素子付き織網基材1のマチ部分24は図示省略している。
 次に、供給側案内ローラ51について説明する。
 図7に示すように、供給側案内ローラ51は、製造装置50の機枠に回転可能に支持され、ローラ駆動機構(図示略)により回転駆動される。この供給側案内ローラ51は、縦糸供給源(図示略)から供給される複数の絶縁線21(縦糸)を、方向変換しつつ整列状態にして綜絖機構53の方に案内するものである。複数の絶縁線21の両端側部分(第2織布部26に相当する部分)の数本を除いた複数の絶縁線21は、供給側案内ローラ51にローラ51の軸方向に約1.8mm程度の間隔を空けて配置されている。尚、素子付き織網基材1の第2織布部26を形成する部分の絶縁線21の間隔は、約0.6mm程度である。
 この供給側案内ローラ51と綜絖機構53との間には、案内板52が設けられている。この案内板52は、1対の平板部52a,52bとこの1対の平板部52a,52b間に形成された絶縁線21と直交する方向に長く伸びる開口部52cを有する。この案内板52は、複数の絶縁線21を、平板部52aの上側を通り開口部52cを挿通して平板部52bの下側を通る第1群縦糸21aと、平板部52aの下側を通り開口部52cを挿通して平板部52bの上側を通る第2群縦糸21bとに分けている。尚、本実施例では、複数の絶縁線21について、図7の右端側から奇数番目の絶縁線21を第1群縦糸21aとし、偶数番目の絶縁線21を第2群縦糸21bとしている。
 次に、綜絖機構53について説明する。
 図7に示すように、綜絖機構53は、第1,第2綜絖部材53a,53bと、これら第1,第2綜絖部材53a,53bを相対的に上下往復移動させるための往復駆動部材53cとで構成されている。この綜絖機構53は、定間隔おきに平行に配置した複数の絶縁線21を含む第1群縦糸21aと、この第1群縦糸21aと平行且つ交互に位置する複数の絶縁線21を含む第2群縦糸21bとを上下に移動させて、第1,第2群縦糸21a,21bの間にシャトル54aを通過させるための隙間を形成するものである。
 第1,第2綜絖部材53a,53bの各々は、細長い板状の上枠53dと、下枠53eと、これら上枠53dと下枠53eを結ぶ上下方向に延びる複数のヘルド53fとを備えている。ヘルド53fの中央部には、絶縁線21を挿通するための糸穴53gが形成されている。綜絖機構53は、第1綜絖部材53aの複数のヘルド53f間に第2綜絖部材53bの複数のヘルド53fが位置するように第1,第2綜絖部材53a,53bが横方向(素子付き織網基材1の幅方向)にズレた状態に構成されている。第1綜絖部材53aの複数の糸穴53gに、第1群縦糸21aの複数の縦糸が夫々挿通され、第2綜絖部材53bの複数の糸穴53gに、第2群縦糸21bの複数の縦糸が挿通されている。尚、この綜絖機構53において、上枠53dと下枠53eとに上下1対のキャリアロッドを夫々設け、このキャリアロッドによりヘルド53fを支持するように構成しても良い。
 往復駆動部材53cは、絶縁線21と直交する方向に延びる回転軸53hと、回転軸53hの両端部に固着された1対のプーリ部材53iと、これらプーリ部材53iに係合し且つ第1、第2綜絖部材53a,53bを連結する1対のベルト材53jと、回転軸53hを往復回転させる往復回転機構(図示略)などで構成されている。往復駆動部材53cの往復駆動により、第1綜絖部材53aと第1群縦糸21aが上方に移動する時には、第2綜絖部材53bと第2群縦糸21bは相対的に下方に移動し、第1綜絖部材53aと第1群縦糸21aが下方に移動する時には、第2綜絖部材53bと第2群縦糸21bは相対的に上方に移動することで、第1,第2群縦糸21a,21bの間にシャトル部材54a通過用の隙間を形成する。
 次に、シャトル機構54について説明する。
 図7に示すように、シャトル機構54は、導電線22(横糸)の先端部が固定されたシャトル部材54aと、このシャトル部材54aを左右方向へ往復駆動可能なシャトル駆動機構(図示略)と、シャトル部材54aに横糸(導電線22)を供給する横糸供給機構(図示略)などを備えている。このシャトル部材54aにより、綜絖機構53により形成された第1,第2群縦糸21a,21bの間の楔形の隙間に導電線22を供給するものである。具体的に、第1,第2群縦糸21a,21bの間の隙間に対して、図7の右側から左側に向けてシャトル部材54aを移動させて、導電線22を第1,第2群縦糸21a,21bと直交状態になるように配線し、第2織布部26を相当する部分を残しながら、左側において導電線22を切断する。
 次に、筬機構55について説明する。
 図7,図8に示すように、筬機構55は、横方向に長い鉛直向きの板状部材55aと、この板状部材55aを所定ストロークだけ前後移動させる筬駆動機構(図示略)を有し、この板状部材55aには、複数の縦長のスリット55bが等間隔に形成されている。筬機構55は、シャトル機構54で供給された導電線22(横糸)を下流側へ押圧するように筬打ちし、導電線22を絶縁線21に対して直交状態に整列させると共に下流側の太陽電池セル3に密着させるものである。複数のスリット55bのうち1つおきのスリット55bには、第1群縦糸21aの複数の絶縁線21が挿通し、残りの1つおきのスリット55bには、第2群縦糸21bの複数の絶縁線21が挿通している。
 次に、第1塗布機構57兼第2塗布機構58である塗布機構56について説明する。
 図7,図8に示すように、第1塗布機構57は、筬打ちされた導電線22のうち、複数の太陽電池セル3の複数の負極32を接続する複数部位に第1導電接合材4を塗布するものである。第2塗布機構58は、半導体素子供給機構59で組み込んだ複数の太陽電池セル3の複数の正極31に第2導電接合材5を塗布するものである。本実施例では、第1,第2塗布機構57,58は、共通の塗布機構56で構成されている。
 図8に示すように、塗布機構56は、筬機構55より下流側で且つ複数の絶縁線21と複数の導電線22からなる織網基材2の下側に配設されている。但し、図7では、分解状態で図示してある。塗布機構56は、所定角度(約270°)だけ回転駆動可能な第1回転ドラム56aと、この第1回転ドラム56aの外周面に軸心方向に定間隔おきに固定されたL形の複数のデスペンサー56bとを備えている。
 第1回転ドラム56aは、製造装置50の図示外の機枠に回転可能に支持され、ドラム回転駆動機構(図示略)により往復回転駆動される。この第1回転ドラム56aは、第1,第2導電接合材4,5を吸着する吸着位置(図8の2点鎖線参照)と、この吸着位置から反時計回りに例えば、約270°回転して導電線22や太陽電池セル3に導電接合材4,5を塗布する塗布位置(図8の実線位置)とに切り換え可能である。塗布機構56は、第1回転ドラム56aを、その軸心方向へ所定の小ストローク(例えば、1ピッチ分)だけ往復移動可能な往復駆動機構(図示略)を備えている。
 図8に示すように、各デスペンサー56bはL形に形成されている。各デスペンサー56bは、その先端部に第1,第2導電接合材4,5を吸着して分配可能に構成されている。複数のデスペンサー56bが導電接合材4,5を吸着する場合、各デスペンサー56bが吸着位置にある状態で、デスペンサー56bの先端部の下方位置に、図8において矢印方向にスライド可能な供給機構64により第1,第2導電接合材4,5が複数部位に供給され、第1回転ドラム56aを反時計回り方向に僅かに回転させることで、複数のデスペンサー56bの先端部に第1,第2導電接合材4,5を夫々吸着させる。尚、デスペンサー56bとしては、負圧により第1,第2導電接合材4,5を吸着し、低圧の加圧エアにより第1,第2導電接合材4,5を分配するものを採用しても良い。
 次に、半導体素子供給機構59について説明する。
 図8に示すように、半導体素子供給機構59は、筬機構55より下流側で且つ織網基材2の上側に配設されている。但し、図7には分解状態に図示してある。
 半導体素子供給機構59は、所定の角度回転駆動可能で且つ内部に負圧が導入される第2回転ドラム59aと、この第2回転ドラム59aの外周面に軸心方向に定間隔おきに固定されたL形の複数のエアピンセット59bとを備えている。半導体素子供給機構59は、第1導電接合材4が塗布された導電線22の複数部位に対応する複数の太陽電池セル3を織網基材2に組み込んで、上記の複数部位に複数の負極32を夫々接合するものである。
 第2回転ドラム59aは、製造装置50の図示外の機枠に回転駆動可能に支持され、往復回転駆動機構(図示略)により往復回転駆動される。第2回転ドラム59aは、その内部に図示外の負圧発生機構により負圧を導入可能である。第2回転ドラム59aは、太陽電池セル3を外部の供給機構から受け取って保持する保持位置(図8の2点破線参照)と、この保持位置から時計回り方向に例えば、約270°回転して太陽電池セル3を第1導電接合材4に接合させる投入位置(図8に2点鎖線で図示の位置、太陽電池セル3aの位置)とに切り換え可能である。尚、半導体素子供給機構59は、塗布機構56の第1回転ドラム56aと連動して第2回転ドラム59aを軸心方向に所定の小ストロークだけ往復移動するための往復駆動機構(図示略)を備えている。
 図8に示すように、各エアピンセット59bは、L形のパイプ材から構成されている。各エアピンセット59bの先端部には、第2回転ドラム59aの内部に通ずるノズル59cが形成されている。エアピンセット59bにより太陽電池セル3を保持する場合、各エアピンセット59bの先端部に図示外の供給機構により所定の姿勢(負極32を上、正極31を下にした姿勢)に揃えた太陽電池セル3が供給され、第2回転ドラム59aの内部に負圧が導入されるとエアピンセット59bの先端部のノズル59cに負圧が発生するので、この負圧により先端部が太陽電池セル3の正極31側を吸着して保持する。
 次に、加熱機構61について説明する。
 図8に示すように、加熱機構61は、塗布機構56及び半導体素子供給機構59の近傍部に配設されている。この加熱機構61は、織網基材2に太陽電池セル3を組み込み後、太陽電池セル3と導電線22との接合部の第1,第2導電接合材4,5を短時間に硬化させるものである。具体的に、加熱機構61は、温風又は赤外線を局部的に照射して第1,第2導電接合材4,5を加熱して乾燥させて硬化させる。
 次に、保護膜被覆機構62について説明する。
 図7,図8に示すように、保護膜被覆機構62は、トンネル状の通過孔を有し、加熱機構61の下流側に配設されている。この通過孔を素子付き織網基材1が通過する間に、スプレイ法によって、素子付き織網基材1の上下両面を可撓性と光透過性のある絶縁性保護膜6(シランカップリング剤の被膜)で被覆する。
 次に、引き出し機構63について説明する。
 図7に示すように、引き出し機構63は、素子付き織網基材1を巻き取る巻取りローラ63aと、巻取りローラ63aの方向へ素子付き織網基材1を案内する案内ローラ63bなどを有し、製造装置50の最下流側に配設されている。巻取りローラ63aは、製造装置50の図示外の機枠に回転駆動可能に支持され、塗布機構56や半導体素子供給機構59など他の機構と連動して、引出し駆動機構(図示略)により素子付き織網基材1を間欠的に1ピッチずつ引き出しながら巻取りローラ63aで巻き取る。
 次に、素子付き織網基材1を製造する製造方法について説明する。
 この製造方法は、複数の絶縁線21を縦糸とし複数の導電線22を横糸とするメッシュ状の織網基材2に、受光機能を有し且つ各々が正極31と負極32を有する複数の太陽電池セル3を組み込んだ素子付き織網基材1を製造するための製造方法である。
 先ず、第1工程において、複数の絶縁線21が、供給側案内ローラ51と案内板52を通過してから、綜絖機構53により、定間隔おきに平行に配置した複数の絶縁線21を含む第1群縦糸21aと、この第1群縦糸21aと平行且つ交互に位置する複数の縦糸を含む第2群縦糸21bとに分けられる。そして、第1群縦糸21aと第2群縦糸21bを綜絖機構53により上下に移動させて、第1,第2群縦糸21a,21bの間にシャトル通過用の隙間を形成する。
 次に、第2工程において、第1,第2群縦糸21a,21bの間の隙間に、シャトル機構54のシャトル部材54aを絶縁線21と直交する方向に通して導電線22を供給し、その導電線22(横糸)を、筬機構55により下流側に押圧する筬打ちを行い、導電線22を絶縁線21に対して直交状態に整列させ、導電線22を下流側の太陽電池セル3の正極31に押圧する。このとき、複数の絶縁線21を縦糸とし複数の導電線22を横糸とするメッシュ状の織網基材2が製作される。
 次に、第3工程において、第2工程で筬打ちされた導電線22のうち、複数の太陽電池セル3を接続する複数部位に塗布機構56(第1塗布機構57)により、銀ペーストからなる第1導電接合材4を塗布する。具体的に、先ずは、吸着位置にある複数のデスペンサー56bの先端部に、供給機構64により供給される第1導電接合材4を吸着させて、次に、複数のデスペンサー56bを反時計回りの方向に約270°回転させて、複数のデスペンサー56bを塗布位置に切り換え、第1導電接合材4を導電線22の複数の部位に塗布する。その後、複数のデスペンサー56bを時計回りの方向に270°回転させて吸着位置に退避させる。
 次に、第4工程において、半導体素子供給機構59により、第3工程で第1導電接合材4が塗布された複数部位に対応する複数の太陽電池セル3を組み込み、複数の負極32を複数部位の第1導電接合材4に接合する。具体的に、先ずは、保持位置にあるエアピンセット59bの先端部に太陽電池セル3を供給し、ノズル59cに発生する負圧により太陽電池セル3をエアピンセット59bに保持させる。次に、エアピンセット59bを時計回りの方向に約270°回転して、エアピンセット59bを投入位置に切り換えて、太陽電池セル3aの負極32を第1導電接合材4が塗布された導電線22に接合する。その後、複数のエアピンセット59bを反時計回りに270°回転させて保持位置に退避させる。このとき、半導体素子供給機構59は、第1導電接合材4に接合後に太陽電池セル3を下流方向へ押圧するので、筬機構55と同様な効果を期待できる。そして、引き出し機構63により太陽電池セル3の直径に相当する1ピッチ分織網基材2を下流側へ引き出す。尚、この引き出し工程が第4工程、又は第4,第5工程の間に行なわれる第6工程に相当する。
 次に、第5工程において、第4工程で組み込んだ複数の太陽電池セル3の複数の正極31に塗布機構56(第2塗布機構58)により、銀ペーストからなる第2導電接合材5を塗布する。具体的に、先ずは、吸着位置にある複数のデスペンサー56bの先端部に、供給機構64により供給される第2導電接合材5を吸着させて、次に、複数のデスペンサー56bを反時計回りの方向に270°回転させて、複数のデスペンサー56bを塗布位置に切り換え、第2導電接合材5を複数の正極31に塗布する。その後、複数のデスペンサー56bを時計回りの方向に270°回転させて吸着位置に退避させる。尚、この退避移動の間に、次の1ピッチ分の織網基材2に太陽電池セル3を組み込むため、綜絖機構53により第1群縦糸21aと第2群縦糸21bとを元の上下位置関係から逆の上下位置関係になるように移動させて、第1,第2群縦糸21a,21bの間の隙間に、シャトル機構54のシャトル部材54aを通して導電線22を供給する第1,第2工程が実行され、その後、塗布機構56と半導体素子供給機構59により第3~第5工程が実行される。
 次に、第7工程において、第5工程の後に、塗布機構56及び半導体素子供給機構59の下流側に配設された加熱機構61により、温風又は赤外線などを第1,第2導電接合材4,5に照射し、第1,第2導電接合材4,5を乾燥させ、これら第1,第2導電接合材4,5を短時間に硬化させる。これにより、導電線22と複数の太陽電池セル3を強固に接合して電気的に接続することができる。尚、加熱方法として、レーザ光、赤外線、集光ランプ照射、局部熱風吹き付け法の何れかを採用しても良い。
 次に、第8工程において、第7工程の後に、加熱機構61の下流側に配設された保護膜被覆機構62のトンネル状の通過孔に、素子付き織網基材1を通過させている間に、スプレイ法により、素子付き織網基材1の上下両面を可撓性と光透過性のある絶縁性保護膜6(シランカップリング剤の被膜)を被覆する。そして、引き出し機構63により、素子付き織網基材1を間欠的に1ピッチずつ巻き取りながら収容する。
 以上の第1工程から第8工程を複数回繰り返し実行することで、絶縁性保護膜6を形成した連続した素子付き織網基材1を製作することができる。
 尚、素子付き織網基材1の幅方向の両端部に、第2織布部26を夫々形成してもよく、また、素子付き織網基材1の長さ方向の途中部に、2組の連続する第1織布部25を形成してもよい。この2組の連続する第1織布部25の中間位置が分断可能な部位になる。
 次に、本発明の半導体素子付き織網基材1の製造方法、その製造装置50及び半導体素子付き織網基材1の効果について説明する。
 図7に示す織機(製造装置50)を用いて複数の縦糸(絶縁線21)と複数の横糸(導電線22)とで織網基材2を織りながら、その織網基材2に複数の太陽電池セル3(球状半導体素子)を組み込んで、それらの負極32と正極31を横糸に第1,第2導電接合材4,5で電気的に接続するため、織網基材2の製作と、太陽電池セル3の組み込みと、第1,第2導電接合材4,5の塗布を自動化することができ、少ない工程数で能率的に安定した品質の素子付き織網基材1を製作することができ、半導体素子付き織網基材1の製作コストを低減することもできる。
 既存の織機の供給側案内ローラ51と綜絖機構53と筬機構55と引き出し機構63を有効活用しながら、塗布機構56(第1,第2塗布機構57,58)と、半導体素子供給機構59と、加熱機構61と、保護膜被覆機構62などを追加的に装備すれば良いため、素子付き織網基材1の製造装置50の設計、製作、製作コストの面で有利であり、素子付き織網基材1を自動的に製造する製造装置50とすることができる。
 この素子付き織網基材1によれば、複数の太陽電池セル3が、縦糸方向に並ぶ複数の縦方向群と、横糸方向に並ぶ複数の横方向群とにグループ化され、縦方向群に含む複数の太陽電池セル3が直列接続され、横方向群に含む複数の太陽電池セル3が並列接続されるため、受光用の素子付き織網基材1の場合、直列接続される素子数を介して発電電圧を自由に設定し、並列接続される素子数を介して発電電流を自由に設定することができる。
 そして、受光用の素子付き織網基材1に部分的に日陰となる部分が発生しても日陰でない他の部分の太陽電池セル3の出力への影響を最小限に留めることができる。しかも、この素子付き織網基材1は、その上下両面が同じ効率で受光又は発光可能である。
 また、この素子付き織網基材1は、可撓性、軽量、薄型、フレキシブル、シースルー、採光性がある、受光機能を有する素子付き織網基材1として利用できる。この素子付き織網基材1は、織網状に構成されるため、中間材的製品として用途に応じて種々の製品に仕上げることが出来る。
 本実施例では、上記の半導体素子付き織網基材1を部分的に変更した半導体素子付き織網基材1Aと上記の製造装置50を部分的に変更した製造装置50Aについて説明するが、実施例1と同様の構成要素には同様の参照符号を付して説明を省略し、異なる構成要素についてのみ説明する。
 次に、半導体素子付き織網基材1Aについて説明する。
 図9,図10に示すように、半導体素子付き織網基材1A(以下、素子付き織網基材という)は、織網基材2と複数の太陽電池セル3からなる素子付き織網基材1を可撓性と光透過性のある上下1対の合成樹脂シート材40の間に埋設状態に封止したものである。
 素子付き織網基材1Aは、実施例1の織網基材2と複数の太陽電池セル3の上下両面を、前記実施例1の絶縁性保護膜6(シランカップリング剤の被膜或いはパリレン膜)を被膜せずに、光透過性と可撓性を有する合成樹脂シート材40で挟んで加圧加熱成形することにより上下両面を平面状に成形する。合成樹脂シート材40は、EVAシート41(又は、PVBシートなど)の上下両面にPET樹脂フィルムなどの合成樹脂フィルム層42を形成した可撓性がありシースルーなシート材に構成されている。
 この素子付き織網基材1Aにおいては、織網基材2と複数の太陽電池セル3を埋設状態に封止した合成樹脂シート材40の上下両面に透明なPET(ポリエチレンテレフタレート)樹脂フィルム、PVF(ポリフッ化ビニル樹脂)などの合成樹脂フィルム層42を設けたため、入射光のうちの太陽電池セル3の表面で直接吸収される光以外の光は、合成樹脂フィルム層42の内面と、太陽電池セル3、絶縁線21や導電線22の表面との間で多重反射を繰り返しながら最終的に太陽電池セル3の表面で吸収される。このため、素子付き織網基材1A全体の出力向上が期待できる。
 また、素子付き織網基材1Aは、その外部と電気的或いは機械的な接続を行い易くするため、下側の第1織布部25の複数の導電線22同士を半田や銀ペーストで結合し、上側の第1織布部25の複数の導電線22同士を半田や銀ペーストで結合することで、一体化した外部端子45A,46Aとすることができる。これを利用して、素子付き織網基材1Aを必要な数だけ並列接続及び/又は直列接続して、さらに大きな出力電力を持つ素子付き織網基材1Aを製造することができる。素子付き織網基材1Aは、織布と同様な構造の縦糸(絶縁線21)と横糸(導電線22)で囲まれた網目23の中に、太陽電池セル3を組み込んで、電気的、機械的に接続しているので、所要部材点数が少なくてすみ、材料や加工コストが抑制することが出来る。その上、織網基材シート1Aが薄くて軽く、シースルーでフレキシブルな構造が望める。
 次に、素子付き織網基材1Aを製造する製造装置50Aについて説明する。
 図11,図12に示すように、製造装置50Aは、上流側から下流側に向けて、供給側案内ローラ51と、案内板52と、綜絖機構53と、シャトル機構54と、筬機構55と、第1塗布機構57兼第2塗布機構58である塗布機構56と、半導体素子供給機構59と、加熱機構61と、加熱加圧機構65と、引き出し機構63とを備えているが、前記実施例1から保護膜被覆機構62を省略し、加熱加圧機構65を追加した以外は、前記実施例1と同様なので、実施例1と同様の構成要素に同じ符号を付して説明を省略し、加熱加圧機構65のみについて説明する。
 図11に示すように、加熱加圧機構65は、素子付き織網基材1と合成樹脂シート材40を加圧加熱しながら搬送可能な上下1対のローラ部材65a,65bを有し、加熱機構61(図示略)の下流側に配設されている。加熱加圧機構65は、素子付き織網基材1を、可撓性と光透過性のある合成樹脂シート材40を上下両面から重ねて加熱加圧することにより素子付き織網基材1Aにするものである。
 次に、素子付き織網基材1Aを製造する製造方法について説明する。
 前記実施例1の第1工程から第7工程は同様であるので説明は省略し、第7工程の後の、前記実施例1の第8工程に代わる第9工程において、加熱加圧機構65により、素子付き織網基材1の上下両面に可撓性と光透過性のある合成樹脂シート材40(例えば、EVA樹脂シート41の表面に合成樹脂フィルム層42を貼り付けたもの)を重ねて、1対のローラ部材65a,65bで加熱加圧することにより、EVA樹脂を軟化溶融させて織網基材2と複数の太陽電池セル3をEVA樹脂の中に埋設状態に封止した素子付き織網基材1Aを製造する。最後に、素子付き織網基材1Aを引き出し機構63の巻取りローラ63aで間欠的に巻き取りながら収容する。尚、その他の構成、作用及び効果は前記実施例1と同様であるので説明は省略する。
 ここで、前記実施例を部分的に変更する例について説明する。
[1]実施例1,2の球状太陽電池セル3において、球状のn形シリコン結晶にp形の拡散層を形成することでpn接合を形成しても良い。
[2]実施例1,2の第1,第2導電接合材4,5として銀ペーストを使用しているが、これに限定する必要はなく、太陽電池セル3の正極31と負極32を半田ペースト(錫や銀半田ペーストなど)により導電線22に接続するようにしても良い。この場合、半田ペーストを導電線22に塗布後に、加熱機構61により、高温で加熱して溶融状態にし、太陽電池セル3の正極31及び負極32を導電線22に電気的に接続する。
[3]実施例1,2の導電線22は、ガラス繊維に金属細線を2本コイル状にカバーリングした構成を有するが、特にこれに限定する必要はなく、前記金属細線に代えて複数のガラス繊維の縒り線の表面に導電性被膜を形成した構造のものでもよい。
[4]実施例1,2の第1,第2塗布機構57,58は、共通の塗布機構56で構成されているが、第1,第2塗布機構57,58を別々に構成しても良い。
[5]実施例1の素子付き織網基材1の上下表面に透明樹脂膜を形成するための保護膜被覆機構62や、実施例2の素子付き織網基材1Aの上下両面を合成樹脂シート材40で挟んで加熱加圧するための加熱加圧機構65は、必ずしも必要ではなく、仕様に応じて省略しても良い。また、保護膜被覆機構62で素子付き織網基材1の上下両面に絶縁性保護膜6を形成した後に、加熱加圧機構65により、素子付き織網基材1を可撓性と光透過性のある合成樹脂シート材40の中に埋設状態に封止し、合成樹脂シート材40の上下両面に可撓性と光透過性のある合成樹脂フィルム層42を形成して素子付き織網基材シート1Aを製造しても良い。
[6]実施例1,2において、太陽電池セル3の負極32を第1電極とし、正極31を第2電極としているが、これに限定する必要はなく、これとは逆に負極32を第2電極とし、正極31を第1電極としても良い。この場合、半導体素子供給機構59のエアピンセット59bは、太陽電池セル3の負極32側を吸着して保持し、エアピンセット59bの回転駆動後に太陽電池セル3の正極31を第1導電接合材4が塗布された導電線22接合する。
[7]前記絶縁線21として、絶縁性の複数の合成樹脂繊維からなる縒り線を採用しても良く、または、縒り線以外の1本の線材又は帯材を採用しても良い。また、導電線22として、複数の金属細線からなる縒り線を採用しても良く、または、縒り線以外の1本の線材又は帯材を採用しても良い。
[8]実施例1,2の製造装置50,50Aにおいて、上記の球状太陽電池セル3に代えて、発光機能を有し且つ各々が正極71と負極72を有する複数の球状発光ダイオードセル70を組み込んだ発光用の素子付き織網基材を製造しても良い。例えば、図13に示す球状発光ダイオードセル70は、n形の球状半導体73と、平坦面74と、球状のp形の拡散層75と、pn接合76と、全表面に形成された蛍光体被膜77などを有し、素子付き織網基材の導電線間に電圧を加えて発光ダイオードセル70に順方向電流を流すと発光ダイオードセル70が発光する。上記蛍光体被膜77の蛍光体の成分に応じて発光色が決まるため、種々の発光色の発光ダイオードセル70を採用することも可能である。
[9]実施例1の素子付き織網基材1の上下両面に、パリレンからなる絶縁性保護膜6を成膜しても良い。この場合、パリレンは分子レベルで狭い間隙にも浸透するため素子付き織網基材1の全表面に均一に被膜を形成することができる。パリレンの屈折率は約1.64であり、太陽電池セル3の表面に被覆することによって、光が空気から直接入射する場合に較べて反射を防止する効果と電気的絶縁性を高める効果がある。水蒸気やガスの透過防止や耐薬品性、耐放射線性に優れた効果も期待できるなど、太陽電池セル3、複数の絶縁線21や複数の導電線22及び第1,第2導電接合材4,5の劣化防止の効果を期待できる。但し、絶縁性保護膜6は、シランカップリング剤の被膜或いはパリレンによる被膜以外の光透過性と可撓性を有する合成樹脂材料(例えば、シリコン樹脂の被膜)で構成しても良い。
[10]その他、当業者であれば、本発明の趣旨を逸脱することなく、前記実施例の種々の変更を付加した形態で実施可能で本発明はそのような変更形態を包含するものである。
 本発明に係る半導体素子付き織網基材は、可撓性、採光性(又はシースルー)があり薄型で軽量な太陽電池パネルや発光パネルに適用可能なものであり、織物材だけでなく窓ガラスや建物の壁面に組み込んで意匠性に優れる太陽電池パネルを実現可能である。
1  半導体素子付き織網基材
1A 半導体素子付き織網基材
2  織網基材
3  球状太陽電池セル(受光機能付き球状半導体素子)
4  第1導電接合材
5  第2導電接合材
6  絶縁性保護膜
21 絶縁線
21a 第1群縦糸
21b 第2群縦糸
22 導電線
24 マチ部分
25 第1織布部
26 第2織布部
31 正極(第2電極)
32 負極(第1電極)
40 合成樹脂シート材
41 EVAシート
42 合成樹脂フィルム層
50,50A 半導体素子付き織網基材の製造装置
51 供給側案内ローラ
53 綜絖機構
54 シャトル機構
55 筬機構
56 塗布機構
56a 第1回転ドラム
56b デスペンサー
57 第1塗布機構
58 第2塗布機構
59 半導体素子供給機構
59a 第2回転ドラム
59b エアピンセット
61 加熱機構
62 保護膜被覆機構
63 引き出し機構
65 加熱加圧機構
70 球状発光ダイオードセル(発光機能付き球状半導体素子)

Claims (16)

  1.  複数の絶縁線を縦糸とし複数の導電線を横糸とするメッシュ状の織網基材に、受光又は発光機能を有し且つ各々が第1,第2電極を有する複数の球状半導体素子を組み込んだ半導体素子付き織網基材を製造する製造方法において、
     定間隔おきに平行に配置した複数の縦糸を含む第1群縦糸と、この第1群縦糸と平行且つ交互に位置する複数の縦糸を含む第2群縦糸とを綜絖機構により上下に移動させて、第1,第2群縦糸の間に隙間を形成する第1工程と、
     前記第1,第2群縦糸の間の隙間にシャトル機構により横糸を供給し、その横糸を筬機構により筬打ちする第2工程と、
     前記第2工程で筬打ちされた横糸のうち、複数の球状半導体素子を接続する複数部位に第1導電接合材を塗布する第3工程と、
     前記第3工程で第1導電接合材が塗布された複数部位に対応する複数の球状半導体素子を組み込んで、前記複数部位に複数の第1電極を夫々接続する第4工程と、
     前記第4工程で組み込んだ複数の球状半導体素子の複数の第2電極に第2導電接合材を塗布する第5工程と、
     を備え、前記第1工程から第5工程を複数回繰り返すことを特徴とする半導体素子付き織網基材の製造方法。
  2.  前記第4工程、又は第4,第5工程の間において、前記半導体素子付き織網基材を所定長さ引き出す第6工程を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子付き織網基材の製造方法。
  3.  前記第5工程の後に、第1,第2導電接合材を加熱する第7工程を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子付き織網基材の製造方法。
  4.  前記第7工程の後に、前記半導体素子付き織網基材の上下両面を可撓性と光透過性のある絶縁性保護膜で被覆する第8工程を備えたことを特徴とする請求項3に記載の半導体素子付き織網基材の製造方法。
  5.  前記第7工程の後に、前記半導体素子付き織網基材の上下両面に可撓性と光透過性のある合成樹脂シート材を重ねて加熱加圧することにより半導体素子付き織網基材モジュールとする第9工程を備えたことを特徴とする請求項3に記載の半導体素子付き織網基材の製造方法。
  6.  複数の絶縁線を縦糸とし複数の導電線を横糸とするメッシュ状の織網基材に、受光又は発光機能を有し且つ各々が第1,第2電極を有する複数の球状半導体素子を組み込んだ半導体素子付き織網基材を製造する製造装置において、
     縦糸供給源から供給される複数の縦糸を整列状態に案内する供給側案内ローラと、
     定間隔おきに平行に配置した複数の縦糸を含む第1群縦糸と、この第1群縦糸と平行且つ交互に位置する複数の縦糸を含む第2群縦糸とを上下に移動させて、第1,第2群縦糸の間に隙間を形成する綜絖機構と、
     前記綜絖機構により形成された第1,第2群縦糸の間の隙間に横糸を供給するシャトル機構およびこのシャトル機構で供給された横糸を筬打ちする筬機構と、
     前記筬打ちされた横糸のうち、複数の球状半導体素子を接続する複数部位に第1導電接合材を塗布する第1塗布機構と、
     前記第1導電接合材が塗布された複数部位に対応する複数の球状半導体素子を組み込んで、前記複数部位に複数の第1電極を夫々接続する半導体素子供給機構と、
     前記半導体素子供給機構で組み込んだ複数の球状半導体素子の複数の第2電極に第2導電接合材を塗布する第2塗布機構と、
     前記半導体素子付き織網基材を所定長さずつ引き出す引き出し機構と、
     を備えたことを特徴とする半導体素子付き織網基材の製造装置。
  7.  前記第1,第2塗布機構は共通の塗布機構で構成され、
     この共通の塗布機構は、第1回転ドラムと、この第1回転ドラムの外周面に軸心方向に定間隔おきに固定されたL形の複数のデスペンサーであって、先端部に導電接合材を吸着して分配可能な複数のデスペンサーとを備えたことを特徴とする請求項6に記載の半導体素子付き織網基材の製造装置。
  8.  前記半導体素子供給機構は、内部に負圧が導入される第2回転ドラムと、この第2回転ドラムの外周面に軸心方向に定間隔おきに固定されたL形のパイプ材からなる複数のエアピンセットとを備えたことを特徴とする請求項6に記載の半導体素子付き織網基材の製造装置。
  9.  前記第1,第2導電接合材を加熱して乾燥させる加熱機構を設けたことを特徴とする請求項8に記載の半導体素子付き織網基材の製造装置。
  10.  前記半導体素子付き織網基材の上下両面を可撓性と光透過性のある絶縁性保護膜で被覆する保護膜被覆機構を備えたことを特徴とする請求項6に記載の半導体素子付き織網基材の製造装置。
  11.  前記半導体素子付き織網基材の上下両面に可撓性と光透過性のある合成樹脂シート材を重ねた状態で加熱加圧することにより半導体素子付き織網基材シートにする加熱加圧機構を備えたことを特徴とする請求項6に記載の半導体素子付き織網基材の製造装置。
  12.  受光又は発光機能を有する複数の球状半導体素子を組み込んだ半導体素子付き織網基材において、
     複数の絶縁線を縦糸とし複数の導電線を横糸とするメッシュ状の織網基材と、
     各々が受光又は発光機能と第1,第2電極を有する複数の球状半導体素子であって、前記第1,第2電極で規定される導電方向を揃えた状態で、前記織網基材の複数の網目に組み込まれる複数の球状半導体素子と、
     前記複数の球状半導体素子における、複数の第1電極を複数の横糸に夫々電気的に接続する第1導電接合材および複数の第2電極を複数の横糸に夫々電気的に接続する第2導電接合材とを備えたことを特徴とする半導体素子付き織網基材。
  13.  前記織網基材の縦糸の長さ方向の両端側部分には、前記メッシュより密に配置した複数の横糸と複数の縦糸とで織布状に形成した所定幅の第1織布部が形成され、
     前記織網基材の横糸の長さ方向の両端側部分には、前記メッシュより密に配置した複数の縦糸と複数の横糸とで織布状に形成した所定幅の第2織布部が形成されたことを特徴とする請求項12に記載の半導体素子付き織網基材。
  14.  前記織網基材と複数の球状半導体素子の上下の両面を、可撓性と光透過性のある絶縁性保護膜で被覆したことを特徴とする請求項12に記載の半導体素子付き織網基材。
  15.  前記織網基材と複数の球状半導体素子を可撓性と光透過性のある合成樹脂シート材の中に埋設状態に封止し、前記合成樹脂シート材の上下両面に可撓性と光透過性のある合成樹脂フィルム層を形成したことを特徴とする請求項12に記載の半導体素子付き織網基材。
  16.  前記縦糸が、ガラス繊維、炭素繊維、合成樹脂繊維のうちの何れか1種類の繊維の束で構成され、横糸がガラス繊維、炭素繊維、合成樹脂繊維のうちの何れか1種類の繊維の束の表面に金属細線をコイル状にカバーリングした導電線で構成されたことを特徴とする請求項12に記載の半導体素子付き織網基材。
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