JP5716197B2 - 半導体機能素子付き機能糸とその製造方法 - Google Patents

半導体機能素子付き機能糸とその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5716197B2
JP5716197B2 JP2013539482A JP2013539482A JP5716197B2 JP 5716197 B2 JP5716197 B2 JP 5716197B2 JP 2013539482 A JP2013539482 A JP 2013539482A JP 2013539482 A JP2013539482 A JP 2013539482A JP 5716197 B2 JP5716197 B2 JP 5716197B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor functional
semiconductor
yarn
functional element
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013539482A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2013057830A1 (ja
Inventor
中田 仗祐
仗祐 中田
聡一郎 井本
聡一郎 井本
郁夫 稲川
郁夫 稲川
英稔 中村
英稔 中村
敦士 増田
敦士 増田
哲彦 村上
哲彦 村上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SPHELAR POWER CORPORATION
Fukui Prefecture
Original Assignee
SPHELAR POWER CORPORATION
Fukui Prefecture
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SPHELAR POWER CORPORATION, Fukui Prefecture filed Critical SPHELAR POWER CORPORATION
Publication of JPWO2013057830A1 publication Critical patent/JPWO2013057830A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5716197B2 publication Critical patent/JP5716197B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • DTEXTILES; PAPER
    • D02YARNS; MECHANICAL FINISHING OF YARNS OR ROPES; WARPING OR BEAMING
    • D02GCRIMPING OR CURLING FIBRES, FILAMENTS, THREADS, OR YARNS; YARNS OR THREADS
    • D02G3/00Yarns or threads, e.g. fancy yarns; Processes or apparatus for the production thereof, not otherwise provided for
    • D02G3/44Yarns or threads characterised by the purpose for which they are designed
    • D02G3/441Yarns or threads with antistatic, conductive or radiation-shielding properties
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/035281Shape of the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529Shape of the potential jump barrier or surface barrier
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0508Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0512Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module made of a particular material or composition of materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1876Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
    • H01L31/188Apparatus specially adapted for automatic interconnection of solar cells in a module
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Textile Engineering (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Yarns And Mechanical Finishing Of Yarns Or Ropes (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Woven Fabrics (AREA)

Description

【技術分野】
【0001】
本発明は半導体機能素子付き機能糸とその製造方法に関し、特に複数の半導体機能素子を1対の導電線によって電気的に並列接続して可撓性のある紐状に構成した半導体素子付き機能糸を利用可能にする技術に関する。
【背景技術】
【0002】
従来から、複数の半導体機能素子(太陽電池セル、発光ダイオード等)を有する受光機能又は発光機能等を有する紐状の機能糸を縦糸又は横糸とし、複数の導電性線材や絶縁性線材を横糸又は縦糸として織り込んだメッシュ状の半導体機能素子付き織網基材が提案されている。
【0003】
特許文献1には、両端に正負の電極を有する複数の粒状の半導体機能素子を、1対の導電性線材の間に挟持して電気的に並列接続し、これら半導体機能素子と導電性線材を可撓性のある透明合成樹脂に埋め込んで断面円形の半導体機能素子付き機能紐が開示されている。
【0004】
特許文献2には、複数の半導体機能素子を実装した機能糸を縦糸として、導電性線材又は絶縁性線材を横糸として織り込まれた電気的な織布又は織物が開示されている。この特許文献2には、複数種類の機能糸が開示されているが、その中の一つを具体的に説明すると、この機能糸は、細長い帯状の基板を有し、その基板上に複数の発光ダイオードと、これら発光ダイオードに夫々設けられた短い信号線と、この信号線と導電性線材(横糸)とを電気的に接続する接触部と、前記複数の発光ダイオードを互いに接続する共通の導電線等から構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】WO2004/001858号公報
【特許文献2】特表2005−524783号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
ところで、特許文献1においては、前記の機能紐を製造するために、所定の金型内に機能糸をセットし透明合成樹脂を充填し成形することにより機能紐を製造している。しかし、金型を用いて成形により製造する方法では、長い機能紐を連続的に安価に量産するのは困難である。
【0007】
また、特許文献1の機能紐は可撓性を有するけれども、透明合成樹脂によって隣接する半導体機能素子間が埋め込まれ且つ半導体機能素子の径方向外側が厚く覆われるので、織網基材や生地の製織に適用するには柔軟性が欠けるうえ、機能紐が太く重くなるので、織網基材や生地に製織して、種々の物体の表面に貼り付けるような場合、この機能紐の太さと重さが障害となる。特許文献1の機能紐は、大量の透明合成樹脂を必要とするので、製造コストが高価になる。この機能紐を用いて織網基材や生地を製織しても、半導体機能素子同士間に合成樹脂が埋め込まれているので、通気性のない織網基材や生地になってしまう。
【0008】
特許文献2の機能糸は、帯状の基板上に複数の発光ダイオードを配置した3次元的な立体構造となるので、著しく柔軟性に欠ける。従って、織網基材や生地に織り込む等の通常の機能糸としての機能を発揮しにくくなるという問題がある。特に、帯状の基板に複数の素子や接触部を作り込む構造であるため、複雑な構造の機能糸となり高コストとなってしまう。
【0009】
本発明の目的は、低コストで量産に適した半導体機能素子付き機能糸の製造方法を提供すること、可撓性と通気性のある軽量な半導体機能素子付き機能糸を提供すること、連続的に製造可能な半導体機能素子付き機能糸を提供すること、種々の物体の表面に装着可能な織網基材の製造に適した半導体機能素子付き機能糸を提供すること、等である。
【課題を解決するための手段】
【0010】
請求項1の半導体素子付き機能糸を製造する製造方法は、両端に正負の電極を有する粒状の複数の半導体機能素子と、これら複数の半導体機能素子を並列接続する可撓性のある1対の導電線とを備えた半導体機能素子付き機能糸を製造する製造方法において、導電線供給源から前記1対の導電線をアッセンブリ・ステージに供給し、このアッセンブリ・ステージにおいて、前記1対の導電線を前記複数の半導体機能素子を正負の電極を介して挟持可能な平行状態に配置する第1工程と、前記複数の半導体機能素子を各対の正負の電極を結ぶ導電方向を揃えた状態に整列させて半導体機能素子供給源から前記アッセンブリ・ステージに1又は複数個ずつ供給する第2工程と、前記アッセンブリ・ステージにおいて、前記1対の導電線と前記正負の電極とが接触した部分にペースト状の導電接合材を塗布する第3工程と、前記アッセンブリ・ステージの下流側において、前記複数の半導体機能素子が取り付けられた前記1対の導電線を巻き取り手段で巻き取る第4工程とを備えたことを特徴としている。
【0011】
請求項6の半導体素子付き機能糸は、両端に正負の電極を有する粒状の複数の半導体機能素子と、これら複数の半導体機能素子を並列接続する可撓性のある1対の第1,第2導電線とを備えた半導体機能素子付き機能糸において、前記1対の第1,第2導電線が所定の間隔をあけて平行状態に配置され、前記複数の半導体機能素子が前記第1,第2導電線の間に導電線の長さ方向に前記半導体機能素子の直径の1.5倍以上且つ3倍以下のピッチで配置され、前記複数の半導体機能素子の正電極が第1導電線に電気的に接続されると共に前記複数の半導体機能素子の負電極が第2導電線に電気的に接続され、隣接する前記半導体機能素子同士間に、前記第1,第2導電線の長さ方向に前記半導体機能素子の直径の0.5倍以上且つ2倍以下の隙間を形成することで、前記第1,第2導電線の直径に近い厚さを有する偏平部分を形成したことを特徴としている。
【発明の効果】
【0012】
請求項1の発明によれば、少ない工程数で能率的に安定的に半導体機能素子付き機能糸を連続的に安価に量産することができる。可撓性と通気性に優れ且つ軽量な半導体機能素子付き機能糸を製造することができる。半導体機能素子の配置間隔を自由に設定可能な半導体機能素子付き機能糸を製造することができる。
【0013】
請求項6の発明によれば、可撓性と通気性に優れ且つ軽量な半導体機能素子付き機能糸を実現することができる。半導体機能素子の配置間隔を自由に設定可能な半導体機能素子付き機能糸を実現することができる。安価に量産可能な半導体機能素子付き機能糸を実現することができる。物体の表面に貼り付けるのに適した薄い織網基材の製造に適した半導体機能素子付き機能糸を実現することができる。
【0014】
請求項1の構成に加えて、次のような種々の構成を採用してもよい。
(a)前記第3工程で塗布された前記導電接合材を加熱して硬化させる加熱工程を設ける。
(b)前記第3工程の後に、前記半導体機能素子付き機能糸の表面を可撓性と光透過性のある絶縁性保護膜で被覆する被覆工程を設ける。
(c)前記第2工程において、前記半導体機能素子の電気的特性の検査を行う。
(d)前記第2工程において、設定数の第1の半導体機能素子を供給する毎に、第1の半導体機能素子とは異なる種類の1又は複数の第2の半導体機能素子を供給する。
【0015】
請求項6の構成に加えて、次のような種々の構成を採用してもよい。
(e)前記半導体機能素子の正負の電極のうち一方の電極が磁性を有する電極に構成され、他方の電極が非磁性の電極に構成される。
(f)前記正電極は前記半導体機能素子の一端に低抵抗接続され且つ前記負電極は前記半導体機能素子の前記正電極と反対側の他端に低抵抗接続され、前記第1導電線は前記正電極の外面に接続され且つ前記第2導電線は前記負電極の外面に接続される。
【0016】
(g)前記第1,第2導電線は、ガラス繊維、炭素繊維、ポリエステル繊維、アラミド繊維、ポリエチレン繊維、液晶ポリマー繊維のうちから選択される何れか1又は複数種類の繊維の束又は撚線の表面に1又は複数の金属細線をコイル状にカバーリングした導電線で構成される。
(h)前記第1,第2導電線は、金属製繊維の束又は撚線で構成される。
【0017】
)前記複数の半導体機能素子と前記1対の導電線の全表面を可撓性と光透過性のある薄膜状の絶縁性保護膜で被覆する。
)前記絶縁性保護膜は、パラキシリレン樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂のうちから選択される何れか1つの合成樹脂製の被膜からなる。
【0018】
)前記複数の半導体機能素子は、複数の第1の半導体機能素子と、第1の半導体機能素子とは異なる種類の複数の第2の半導体機能素子とを含み、前記予め設定された設定数の第1の半導体機能素子の列の一端側に1又は複数の第2の半導体機能素子を配置した素子配列組が第1,第2導電線の長さ方向に複数組繰り返し形成される。
【0019】
)前記第1の半導体機能素子が受光機能を有する球状の半導体機能素子であり、前記第2の半導体機能素子が第1の半導体機能素子に対して逆並列接続されたバイパスダイオードである。
)前記第1の半導体機能素子が発光機能を有する発光ダイオードであり、前記第2の半導体機能素子が第1の半導体機能素子に対して逆並列接続されたバイパスダイオードである。
【0020】
)前記複数の半導体機能素子の全ては、受光機能を有する球状の半導体機能素子で構成される。
)前記複数の半導体機能素子の全ては、発光機能を有する発光ダイオードで構成される。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1に係る半導体機能素子付き機能糸の正面図である。
【図2】図1の部分拡大断面図である。
【図3】図2の側面図である。
【図4】球状太陽電池セルの断面図である。
【図5】球状バイパスダイオードの断面図である。
【図6】導電線の部分拡大斜視図である。
【図7】半導体機能素子付き機能糸の製造装置の概念図である。
【図8】実施例2に係る半導体機能素子付き機能糸の部分拡大正面図である。
【図9】図8の側面図である。
【図10】発光ダイオードの平面図である。
【図11】発光ダイオードの断面図である。
【図12】部分的変更形態にかかる半導体機能素子付き機能糸の部分拡大断面図である。
【図13】図12の側面図である。
【図14】部分的変更形態にかかる半導体機能素子付き機能糸の部分拡大断面図である。
【図15】図14の側面図である。
【図16】部分変更形態に係る製造装置の部分概念図である。
【発明を実施するための形態】
【0022】
以下、本発明を実施するための形態について実施例に基づいて説明する。
【実施例1】
【0023】
先ず、半導体機能素子付き機能糸1について説明する。
図1〜図6に示すように、半導体機能素子付き機能糸1(以下、機能糸1という)は、粒状の複数の半導体機能素子2と、これら複数の半導体機能素子2を並列接続する可撓性のある1対の第1,第2導電線5,6と、複数の半導体機能素子2と1対の第1,第2導電線5,6の全表面を被覆した可撓性と光透過性のある薄膜状の絶縁性保護膜7とを備えている。尚、複数の半導体機能素子2は、第1,第2導電線5,6の間に導電線の長さ方向に半導体機能素子2の直径の1.5倍以上且つ3倍以下のピッチで配置されている。
【0024】
複数の半導体機能素子2は、両端に正負の電極15,16を有する複数の球状太陽電池セル3(第1の半導体機能素子に相当する)(図4参照)と、この球状太陽電池セル3とは異なる種類の両端に正負の電極25,26を有する複数の球状バイパスダイオード4(第2の半導体機能素子に相当する)(図5参照)とを含むものである。
【0025】
機能糸1には、予め設定された設定数(例えば、19個)の球状太陽電池セル3の列の一端側に1つ又は複数のバイパスダイオード4を配置した素子配列組2Aが、第1,第2導電線5,6の長さ方向に複数組繰り返し形成されている。隣接する球状太陽電池セル3同士間と、球状太陽電池セル3と球状バイパスダイオード4との間は、設定間隔(例えば、太陽電池セル3の直径と同程度の間隔)が空けられている。機能糸1には、前記設定間隔により、隣接する半導体機能素子2同士間に絶縁性保護膜7に被覆されない複数の隙間9が形成され、この複数の隙間9により通気性が向上する。隣接する半導体機能素子2同士間に、第1,第2導電線5,6の長さ方向に設定間隔の隙間9を形成することで、第1,第2導電線5,6の直径に近い偏平部分10が形成されている。尚、図1に示す機能糸1においては、全体のほんの一部の素子配列組2Aを図示しているに過ぎない。
【0026】
図1〜図3に示すように、1対の第1,第2導電線5,6は、所定の間隔(太陽電池セル3の直径と同じ1.2mm程度)をあけて平行状態に配置されている。この第1,第2導電線5,6の間に、複数の素子配列組2Aが導電線5,6の長さ方向に直列的に配置されている。複数の球状太陽電池セル3の負電極16の外面と複数の球状バイパスダイオード4の正電極25の外面が、第1導電線5に導電接合材8を介して夫々電気的に接続され、複数の球状太陽電池セル3の正電極15の外面と複数の球状バイパスダイオード4の負電極26の外面が、第2導電線6に導電接合材8を介し夫々電気的に接続されている。
【0027】
この機能糸1は、後述する製造装置40と製造方法により、長い糸状に連続的に製造することが可能である。半導体機能素子2の大きさ、隣接する半導体機能素子2間の間隔、素子配列組2Aにおける球状太陽電池セル3の数と球状バイパスダイオード4の数、第1,第2導電線5,6の太さ等は、仕様に応じて適宜設定可能である。尚、隣接する半導体機能素子2間の設定間隔は、半導体機能素子2の幅(直径)0.5倍以上且つ2倍以下の間隔であることが望ましい。この設定間隔にすることで、機能糸1の光透過性と可撓性を確保することができ、また、製織時にこの機能糸1と交差する縦糸又は横糸の配設スペースを設けることができる。
【0028】
次に、球状太陽電池セル3について説明する。
図4に示すように、球状太陽電池セル3(以下、太陽電池セル3という)は、直径1.0mm〜2.0mm(本実施例では、直径1.2mm)程度の球状のp型シリコン単結晶11を用いて製造される。このp型シリコン単結晶11の表面の一部に平坦面12が形成され、この平坦面12とその近傍部を除く球面の大部分にn型不純物が拡散されてn型拡散層13が形成され、n型拡散層13の表面から1μm程度の位置に球面状のpn接合14が形成されている。平坦面12のp型表面(太陽電池セル3の一端)に、アルミ添加の銀合金からなる正電極15(アノード電極)がスポット状に低抵抗接続され、p型シリコン単結晶11の中心を挟んで正電極15の反対側のn型表面(太陽電池セル3の他端)に、アンチモン添加の銀合金からなる負電極16(カソード電極)がスポット状に低抵抗接続されている。この正負の電極15,16以外のp型シリコン単結晶11とn型拡散層13の全表面に、透明なSiO膜からなる反射防止膜17が形成されている。
【0029】
この太陽電池セル3は、正負の電極15,16を結ぶ軸線方向を除く全方向からの光を受光することができる。このため、直射光の入射方向が変動しても受光することができ、反射光も含めてあらゆる方向の光を受光することができ、太陽電池セル3の周辺に入って来る光の利用効率を最大化できる。
【0030】
次に、球状バイパスダイオード4について説明する。
図5に示すように、球状バイパスダイオード4(以下、バイパスダイオード4という)は、直径1.0mm〜2.0mm(本実施例では、直径1.2mm)程度の球状のn型シリコン単結晶21を用いて製造される。このn型シリコン単結晶21の表面の一部に平坦面22が形成され、この平坦面22を除くn型シリコン単結晶21の表面の約半分にp型不純物が拡散されて、20μm程度の厚さのp型拡散層23が形成されている。平坦面22のn型表面に、負電極26がスポット状に低抵抗接続されている。p型拡散層23の表面の大部分にこのp型拡散層23と低抵抗接触する金属被膜27が形成されて、n型シリコン単結晶21の中心を挟んで負電極26と反対側に位置するように、金属被膜27の頂面に正電極25がスポット状に低抵抗接続されている。金属被膜27と平坦面22以外のn型シリコン単結晶21の表面が、シリコン酸化膜からなる絶縁膜28で被覆されている。
【0031】
このバイパスダイオード4は、上述した各素子配列組2Aにおいて、設定数(19個)の太陽電池セル3に対して逆並列接続されるため、複数の太陽電池セル3に過度な逆電圧が印加された場合に電流をバイパスする機能を有し、複数の太陽電池セル3が過熱されて破損するのを防止することができる。
【0032】
次に、1対の第1,第2導電線5,6について説明する。
図6に示すように、第1,第2導電線5,6は、複数本のガラス繊維(例えば、直径0.3mm程度)の束からなる芯材31の表面に、錫メッキした直径0.05mmの金属細線32(例えば、銅の細線)を2本コイル状にカバーリングすることで構成されている。
【0033】
2本の金属細線32は、互いに交差するよう右巻きと左巻きに巻き付けられている。導電線5,6は、2本の金属細線32をコイル状に巻き付けた構造であるので、どの方向にも折曲可能で且つ折曲を繰り返しても高い耐久性を有する。2本の金属細線32の交差構造により、互いに電気的に接触する複数の接触箇所が小間隔で形成されるため、金属細線32の実際の長さよりも格段に短い導電経路を形成する。さらに、2本の金属細線32のうち一方の金属細線32が断線しても、第1,第2導電線5,6の導電性が確保され、機能糸1の機能が損なわれることはない。
【0034】
次に、導電接合材8について説明する。
図2,図3に示すように、導電接合材8は、例えば、導電性エポキシ樹脂(エポキシ樹脂に銀粉を混入したもの)からなる。1対の第1,第2導電線5,6間に太陽電池セル3とバイパスダイオード4とを固定する場合、導電性エポキシ樹脂を導電線5,6と太陽電池セル3の正負の電極15,16又はバイパスダイオード4の正負の電極25,26との接触部に塗布し、導電性エポキシ樹脂を加熱して乾燥させて硬化させて、太陽電池セル3とバイパスダイオード4とを1対の第1,第2導電線5,6に固定する。
【0035】
次に、絶縁性保護膜7について説明する。
図2,図3に示すように、絶縁性保護膜7は、例えば、パラキシリレン樹脂の被膜(所謂、パリレン)から形成されている。絶縁性保護膜7は、複数の太陽電池セル3と複数のバイパスダイオード4と第1,第2導電線5,6の全表面を、例えば厚さ25μm程度に被覆するように形成される。
【0036】
この機能糸1によれば、光の入射方向に関係なく、光が機能糸1に入射し、この光が極性を揃えて配置された複数の太陽電池セル3に照射されると、太陽電池セル3に形成されたほぼ球面状のpn接合14で光が受光され、太陽電池セル3の光起電力発生機能(受光機能)によって電気エネルギに変換される。その電気エネルギは、pn接合14の両極に接続されて太陽電池セル3の中心を挟んで対向する正負の電極15,16を介して第1,第2導電線5,6を通って外部へ出力される。機能糸1は、光を受光すると約0.6Vの出力電圧を出力する。機能糸1の出力電流の大きさは、太陽電池セル3の数に比例する。
【0037】
次に、機能糸1を製造する製造装置40について説明する。
図7に示すように、製造装置40は、最上流側の半導体機能素子供給源41と、半導体機能素子間欠供給機構42と、導電線供給源43と、アッセンブリ・ステージ44と、導電接合材塗布機構45と、加熱機構46と、被覆機構47と、最下流側の巻き取り機構48とを備え、上流側から下流側に向って材料を移動させながら、連続的に機能糸1を製造するものである。尚、図7に図示する製造装置40は、模式的な構造を示したに過ぎなく、特にこの構造に限定するものではない。
【0038】
次に、半導体機能素子供給源41について説明する。
図7に示すように、半導体機能素子供給源41(以下、素子供給源41という)は、太陽電池セル3を供給するセル供給部41Aと、バイパスダイオード4を供給するダイオード供給部41Bと、太陽電池セル3を図4に図示の姿勢に整列させると共にバイパスダイオード4を図5に示す姿勢に整列させる整列機構51と、この整列機構51から供給される複数の半導体機能素子2をアッセンブリ・ステージ44の方へ移動させる振動フィーダ52とを備えている。セル供給部41Aとダイオード供給部41Bは振動機能を夫々有し、振動作用を利用して太陽電池セル3やバイパスダイオード4を整列機構51のゲート手段へ1個ずつ夫々案内する。
【0039】
整列機構51は、19個の球状太陽電池セル3を供給する毎に、1個のバイパスダイオード4を供給するゲート手段と、最下部の出口近傍に位置する半導体機能素子2を撮像するカメラ手段と、このカメラ手段で撮像した半導体機能素子2の姿勢を判別して半導体機能素子2を前記の所期の姿勢に姿勢変換させる回転手段とを有する。
複数の半導体機能素子2は、姿勢変換後に振動フィーダ52上に整列された状態で供給され、振動フィーダ52によりその下流端まで搬送される。
【0040】
振動フィーダ52は、複数の半導体機能素子2を相互に接触した直列状態にして下流側に案内するレール溝を備えている。振動フィーダ52は上流側から下流側に向けて僅かに下方へ傾斜状に配設されているので、素子供給源41から順次供給された半導体機能素子2は、レール溝内を下流側に向って滑りながら移動する。
【0041】
図7に示すように、振動フィーダ52の途中部に、半導体機能素子2を1個ずつ検査可能な検査装置53が設けられている。この検査装置53は、1対の検査針53aを備え、この1対の検査針53aを振動フィーダ52上の半導体機能素子2の正負の電極(太陽電池セル3の場合は正負の電極15,16、バイパスダイオード4の場合は正負の電極25,26)に夫々当接して電気的特性等の検査を行うと共に、半導体機能素子2の姿勢を所期の姿勢となるように微調節する。尚、半導体機能素子2の大多数は、欠陥のない良品であるため、球状太陽電池セル3の数に対するバイパスダイオード4の数の比率は、概ね19:1に維持され、不良品が発生した場合にその比率が崩れる場合がある。
尚、素子供給源41に半導体機能素子2を供給する前に、半導体機能素子2の検査が実行される場合は、上記の検査装置53は省略可能である。
【0042】
次に、半導体機能素子間欠供給機構42について説明する。
図7に示すように、半導体機能素子間欠供給機構42(以下、間欠供給機構42という)は、振動フィーダ52の下流端とアッセンブリ・ステージ44との間に設けられている。間欠供給機構42は、ガイドレール42aと、このガイドレール42aに沿って移動可能なキャリッジ42bと、このキャリッジ42bに支持された真空ピンセット手段42cとを有する。
【0043】
アッセンブリ・ステージ44における半導体機能素子2間の間隔を一定とする所定の時間間隔で、振動フィーダ52の下流端の半導体機能素子2を、その姿勢を維持したまま、1対のプーリ43b間に供給し、第1,第2導電線5,6の間に挟持させる。その状態で、半導体機能素子2の正負の電極(太陽電池セル3の場合は正負の電極15,16、バイパスダイオード4の場合は正負の電極25,26)が対応する第1,第2導電線5,6に接触状態になる。
【0044】
真空ピンセット手段42cには負圧が導入されており、半導体機能素子2を吸着する際には負圧を導入し、半導体機能素子2の吸着を解除する際には負圧を解除するようになっている。
【0045】
次に、アッセンブリ・ステージ44について説明する。
図7に示すように、アッセンブリ・ステージ44は、上流側から下流側に向って1対の導電線5,6と複数の半導体機能素子2(太陽電池セル3とバイパスダイオード4)とを移動させながら、最終形態の機能糸1を製造するためのステージであり、素子供給源41から間欠供給機構42により供給された半導体機能素子2を1対の導電線5,6間に保持しながら下流側へ案内する保持案内部材(図示略)が設けられている。
【0046】
次に、導電線供給源43について説明する。
図7に示すように、導電線供給源43は、製造装置40の機枠に回転可能に支持された1対の供給リール43aと、1対のプーリ43bとを有している。1対の供給リール43aは、アッセンブリ・ステージ44の最上流側で且つアッセンブリ・ステージ44の上下に夫々配設されている。この導電線供給源43から、1対の導電線5,6がアッセンブリ・ステージ44に対して上下方向から供給され、1対のプーリ43bにより水平状態に方向変換されて、半導体機能素子2を挟持する所定間隔あけた状態で下流側へ供給され、巻き取り機構48で間欠的に巻き取られる。尚、1対の導電線5,6の先端部は、後述する巻き取り機構48に固定され、この巻き取り機構48に連動して1対の導電線5,6は一定速度にて間欠的に引き出される。
【0047】
次に、導電接合材塗布機構45について説明する。
図7に示すように、導電接合材塗布機構45(以下、塗布機構45という)は、1対のプーリ43bの下流側に設けられ、アッセンブリ・ステージ44の上下に配設された1対の塗布用ノズル45aを有する。この1対の塗布用ノズル45aは、上下方向に離隔した退避位置と、導電接合材8を塗布可能な接近位置とに切り換え可能である。塗布対象の太陽電池セル3が所定の位置に移動してくると、1対の導電線5,6と正負の電極15,16とが接触した部分に、1対の塗布用ノズル45aから導電性エポキシ樹脂からなる導電接合材8を吐出し、この導電接合材8を介して、第1導電線5と負電極16との間及び第2導電線6と正電極15との間を電気的に接続する。
【0048】
次に、加熱機構46について説明する。
加熱機構46は、塗布機構45の下流側に設けられている。加熱機構46は、アッセンブリ・ステージ44の上下に配設された1対の本体部材46aと、この1対の本体部材46aに夫々固定された1対の赤外線照射部46bとを有する。この加熱機構46は、太陽電池セル3と1対の導電線5,6との接触部に塗布した導電接合材8に対して、赤外線を局部的に照射することで、導電接合材8を加熱して乾燥させ、短時間に硬化させて強固な機械的電気的な接続を行う。尚、赤外線に代えて温風を照射するようにしても良い。
【0049】
次に、保護膜被覆機構47について説明する。
図7に示すように、保護膜被覆機構47は、加熱機構46の下流側に設けられている。保護膜被覆機構47は、トンネル状の通過孔を有し、この通過孔を機能糸1が通過する間に、パラキシレン系ポリマーであるパリレンを使って公知の化学蒸着法により、通過する1対の導電線5,6と太陽電池セル3の全表面、つまり、機能糸1の全表面を可撓性と光透過性のある絶縁性保護膜7で被覆する。
【0050】
次に、巻き取り機構48について説明する。
図7に示すように、巻き取り機構48(巻き取り手段に相当する)は、製造装置40の最下流側に配設されている。巻き取り機構48は、回転軸が縦向きの巻き取りローラ48aと、この巻き取りローラ48aを回転駆動する回転駆動部(図示略)とを有している。この巻き取りローラ48aは、製造装置40の図示外の機枠に回転駆動可能に支持されている。巻き取りローラ48aは、素子移動機構42や塗布機構45など他の機構と連動して、機能糸1を間欠的に1ピッチずつ引き出しながら巻き取る。
【0051】
前記の製造装置40を制御する制御ユニット49が設けられ、この制御ユニット49により、素子供給源41、間欠供給機構42、導電線供給源43、導電接合材塗布機構45、過熱機構46、保護膜被覆機構47、巻き取り機構48が制御される。
【0052】
次に、機能糸1を製造する製造方法について説明する。
図7に示す製造装置40により、粒状の複数の半導体機能素子2(太陽電池セル3とバイパスダイオード4)と、これら複数の半導体機能素子2を並列接続する可撓性のある1対の第1,第2導電線5,6とを備えた機能糸1を製造するための製造方法である。
以下の説明では、太陽電池セル3を中心にして説明するが、バイパスダイオード4について同様である。
【0053】
先ず、第1工程において、導電線供給源43から1対の第1,第2導電線5,6を上下方向からアッセンブリ・ステージ44に供給する。このアッセンブリ・ステージ44において、1対のプーリ43bにより、1対の導電線5,6は複数の太陽電池セル3を正負の電極15,16を介して挟持可能な平行状態に方向変換される。尚、導電線供給源43から1対の導電線5,6をアッセンブリ・ステージ44に供給するとき、間欠供給機構42と連動させて1対の導電線5,6を間欠的な送り動作で供給する。この送り出し動作は、制御ユニット49により巻き取り機構48の巻き取り速度を制御することで制御される。
【0054】
次に、第2工程において、整列機構51に複数の太陽電池セル3を供給し、整列機構51により、太陽電池セル3を各対の正負の電極15,16を結ぶ導電方向を上下に向くように揃えた状態(太陽電池セル3の平坦面12を下側にした状態)に整列させて振動フィーダ52に供給する。振動フィーダ52に供給された太陽電池セル3は、振動フィーダ52のレール溝に沿って下流側に順次移動する。振動フィーダ52を移動中に検査装置53によって太陽電池セル3の電気的特性の検査を1個ずつ行う。そして、この素子供給源41から、間欠供給機構42の真空ピンセット手段42bにより、太陽電池セル3をアッセンブリ・ステージ44に1個ずつ供給する。尚、アッセンブリ・ステージ44に供給する太陽電池セル3の数は1個ずつに限定せず1度に複数個供給するようにしても良い。
【0055】
次に、第3工程において、アッセンブリ・ステージ44では第2工程で供給された太陽電池セル3が塗布機構45の位置に達すると、塗布機構45の1対の塗布用ノズル45aを離隔位置から接近位置に切り換え、この1対の塗布用ノズル45aにより、1対の導電線5,6と太陽電池セル3の正負の電極15,16とが接触した部分にペースト状の導電接合材8を夫々塗布する。尚、塗布された後は、太陽電池セル3が下流側に移動中に導電接合材8が半乾燥状態になるので、太陽電池セル3が1対の導電線5,6に仮固定される。
【0056】
次に、第4工程において、第3工程で導電接合材8が塗布された太陽電池セル3が加熱機構46の位置に達すると、加熱機構46の1対の赤外線照射部46bが、塗布された導電接合材8に対して局部的に赤外線を照射して加熱して乾燥させることで、短時間に硬化させて強固な機械的電気的な接続を行う。尚、この工程が加熱工程に相当する。
【0057】
次に、第5工程において、保護膜被覆機構47のトンネル状の通過孔内を1対の導電線5,6と太陽電池セル3が通過する間に、パラキシレン系ポリマーであるパリレンを使って公知の化学蒸着法により、機能糸1(1対の導電線5,6と太陽電池セル3)の全表面を可撓性と光透過性のある絶縁性保護膜7で被覆する。尚、この程が被覆工程に相当する。
【0058】
次に、第6工程において、アッセンブリ・ステージ44の下流側において、複数の太陽電池セル3が取り付けられた1対の導電線5,6、つまり、機能糸1を巻き取り機構48の巻き取りローラ48aで間欠的に1ピッチずつ巻き取りながら収容する。尚、機能糸1を連続的に巻き取りながら収容するように制御装置40を制御するようにしても良い。
【0059】
この第6工程において、巻き取り機構48により間欠的に1ピッチずつ巻き取りながら機能糸1を収納可能なので、アッセンブリ・ステージ44において機能糸1の連続形成が可能となり、量産性を向上させることができる。また、巻き取り機構48の巻き取りローラ48a単位で搬送可能なので、流通性を向上させることができる。尚、この工程が請求項1の第4工程に相当する。
【0060】
次に、本発明の機能糸1とその製造方法の効果について説明する。
図7に示す製造装置40による機能糸1の製造方法において、少ない工程数で能率的に安定的に機能糸1を連続的に安価に量産することができる。可撓性と通気性に優れ且つ軽量な機能糸1を製造することができる。半導体機能素子2(太陽電池セル3とバイパスダイオード4)の配置間隔を自由に設定可能な機能糸1を製造することができる。
【0061】
また、可撓性と通気性に優れ且つ軽量な機能糸1を実現することができる。半導体機能素子2の配置間隔を自由に設定可能な機能糸1を実現することができる。安価に量産可能な機能糸1を実現することができる。機能糸1の厚さ(幅と直交する方向)が小さいので、物体の表面に貼り付けるのに適した薄い織網基材を製造することができる。
【0062】
さらに、この機能糸1を織網基材や生地の長さ方向の縦糸にも幅方向の横糸にも、サイズに左右されずに適用することができ、平織、綾織、朱子織等の複雑な織り方にも適用することができる。この機能糸1は、軽量で可撓性のある紐状の中間材的製品であり、受光機能を備えた織網基材や生地、太陽電池パネル等用途に応じて種々の物体に適用することできる。
【実施例2】
【0063】
本実施例では、実施例1の機能糸1を部分的に変更した機能糸1Aと、この機能糸1Aを製造する為の製造装置40を部分的に変更した製造装置について説明するが、実施例1と同様の構成要素には同様の参照符号を付して説明は省略し、異なる構成要素についてのみ説明する。
【0064】
先ず、機能糸1Aについて説明する。
図8,図9に示すように、機能糸1Aは、粒状の複数の半導体機能素子2と、これら複数の半導体機能素子2を並列接続する可撓性のある1対の第1,第2導電線5,6と、複数の半導体機能素子2と1対の第1,第2導電線5,6の全表面を被覆した可撓性と光透過性のある薄膜状の絶縁性保護膜7とを備えている。複数の半導体機能素子2は、両端に正負の電極73,74を有する複数の発光ダイオード61(第1の半導体機能素子に相当する)(図10,図11参照)と、この発光ダイオード61とは異なる種類の両端に正負の電極78,79を有する複数のバイパスダイオード62(第2の半導体機能素子に相当する)とを含むものである。
【0065】
機能糸1Aには、予め設定された設定数(例えば、19個)の発光ダイオード61の列の一端側に1つ又は複数のバイパスダイオード62を配置した素子配列組が、第1,第2導電線5,6の長さ方向に複数組繰り返し形成されている。隣接する発光ダイオード61同士間や発光ダイオード61とバイパスダイオード62との間は、設定間隔(例えば、発光ダイオード61の幅と同程度の長さ)が空けられている。機能糸1Aには、前記設定間隔により、隣接する半導体機能素子2同士間に絶縁性保護膜7に被覆されない複数の隙間9Aが形成され、この複数の隙間9Aにより通気性が向上する。隣接する半導体機能素子2同士間に、第1,第2導電線5,6の長さ方向に設定間隔の隙間9Aを形成することで、第1,第2導電線5,6の直径に近い偏平部分10Aが形成されている。尚、図8に示す機能糸1Aにおいては、全体のほんの一部を図示しているに過ぎない。
【0066】
図8,図9に示すように、1対の第1,第2導電線5,6は、所定の間隔(発光ダイオード61のセラミックベース72の幅と同程度の長さ)をあけて平行状態に配置されている。この第1,第2導電線5,6の間に、複数の素子配列組が導電線5,6の長さ方向に直列的に配置されている。複数の発光ダイオード61の正電極73の外面と複数のバイパスダイオード62の負電極79の外面が、第1導電線5に導電接合材8を介して夫々電気的に接続され、複数の発光ダイオード61の負電極74の外面と複数のバイパスダイオード62の正電極78の外面が、第2導電線6に導電接合材8を介し夫々電気的に接続されている。
【0067】
この機能糸1Aは、長い糸状に連続的に製造することが可能である。半導体機能素子2の大きさ、隣接する半導体機能素子2間の間隔、素子配列組における発光ダイオード61の数とバイパスダイード62の数、第1,第2導電線5,6の太さ等は、仕様に応じて適宜設定して製造可能である。
【0068】
次に、発光ダイオード61について説明する。
図10,図11に示すように、発光ダイオード61は、n型層66とp型層67とから平面状のpn接合68が形成されたLEDチップ65を有するが、これらn型層66とp型層67の半導体材料と特性は特に限定しない。このn型層66の下端部には、薄膜状のカソード電極69が低抵抗接続され、p型層67の上端部にアノード電極71がスポット状に低抵抗接続されている。LEDチップ65の下側には、厚さ3.0mm、幅4.0mm程度のセラミックベース72が設けられている。セラミックベース72の上面右端部と右側部には正電極73が形成され、この正電極73の反対側の上面左部と左側部には負電極74が形成されている。LEDチップ65のカソード電極69は負電極74に固着され接続され、アノード電極71はリード線76を介して正電極73に接続されている。セラミックベース72の上側は透明なエポキシ樹脂により半球状の高さ2.0mm程度の保護カバー77に覆われている。この発光ダイオード61は、保護カバー77を通って半球方向に光を放射する。
【0069】
図8に示すバイパスダイオード62は、発光ダイオード61と同様の外形に形成されているが、その機能面においては、前記実施例1のバイパスダイオード4と同様に、各素子配列組において、設定数の発光ダイオード61に対して逆並列接続されることにより、複数の発光ダイオード61に過度な逆電圧が印加された場合に電流をバイパスする機能を有し、複数の発光ダイオード61が過熱されて破損するのを防止することができる。
【0070】
次に、機能糸1Aの製造装置と製造方法について説明する。
機能糸1Aの製造装置は、基本的に実施例1の図7に示す製造装置40と同じ各種機構を有するものであるが、製造装置40では上流側の検査装置53から下流側の巻き取り機構48までが機能糸1の製造に適した鉛直面状に配設されているのに対して、機能糸1Aの製造装置では、検査装置53から巻き取り機構48までが実施例1と比較して90度回転した水平面状に配設されている。
【0071】
つまり、機能糸1Aにおいては、半導体機能素子2(発光ダイオード61とバイパスダイオード62)が半球状の構造であるため、この半導体機能素子2の配置の安定性を考慮すると、素子供給源41は、半導体機能素子2の半球部が上方に向くように揃えた状態で供給することが望ましい。このため、機能糸1Aの製造装置においては、素子供給源41が半導体機能素子2を図11に示す姿勢に整列させ且つ各対の正負の電極(発光ダイオード61の場合は電極73,74、バイパスダイード62の場合は電極78,79)を結ぶ導電方向を水平方向(図7の紙面手前側から奥側方向)に揃えた状態で供給し、導電線供給源43が1対の導電線5,6を左右方向から供給して、塗布機構45が左右方向から1対の導電線5,6と半導体機能素子2との接触部に導電接合材8を塗布して、最終的に機能糸1Aが製造される。実施例1と本実施例とでは、製造装置40の各種機構の配設状態が異なるだけで、製造方法に関して実施例1と同様である。
【0072】
この機能糸1Aを織網基材や生地の長さ方向の縦糸にも幅方向の横糸にも、サイズに左右されずに適用することができ、平織、綾織、朱子織等の複雑な織り方にも適用することができる。この機能糸1Aは、軽量で可撓性のある紐状の中間材的製品であり、発光機能を備えた織網基材や生地、発光パネル等用途に応じて種々の物体に適用することできる。その他の作用及び効果は、実施例1とほぼ同様であるので説明は省略する。
【0073】
次に、前記実施例1,2を部分的に変更する例について説明する。
[1]前記実施例1の太陽電池セル3において、球状のn型シリコン結晶にp型の拡散層を形成することでpn接合を形成しても良い。
【0074】
[2]前記実施例1,2の第1,第2導電線5,6の金属細線の本数は、2本に限定する必要はなく、2本以上の複数の金属細線でコイル状にカバーリングしても良い。金属細線は錫メッキされているが、錫メッキに代えて銀メッキにしても良いし、金属細線を金属単体で構成しても良い。
また、導電線5,6は、ガラス繊維に代えて、炭素繊維、ポリエステル繊維、アラミド繊維、ポリエチレン繊維、液晶ポリマー繊維のうちから選択される何れか1又は複数種類の繊維の束又は撚線の表面に1又は複数の金属細線をコイル状にカバーリングした導電線5,6で構成されても良い。導電線5,6の芯材は、上記の繊維以外にも、織物や生地(所謂テキスタイル)を構成可能な一般的な合成繊維、天然繊維、これらの複合繊維のうちから選択される何れかの束又は撚線から構成しても良い。さらに、導電線5,6は、金属製繊維の束又は撚線で構成しても良い。上記の種々の繊維の束又は撚線からなる芯材の表面に金属メッキを施して、金属細線を省略した金属メッキ繊維から構成される導電線を採用しても良い。
【0075】
[3]前記実施例1,2の絶縁性保護膜7において、パラキシリレン樹脂の被膜(パリレン)に代えて、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂のうちから選択される何れか1つの合成樹脂製の被膜から形成しても良いし、これら以外の光透過性と可撓性を有する合成樹脂材料で形成しても良い。
【0076】
[4]前記実施例1,2の導電接合材8として導電性エポキシ樹脂を使用しているが、これらに限定する必要はなく、錫や銀等の半田ペーストや、これ以外でも種々のペースト状で導電性を有するものを採用しても良い。
【0077】
[5]前記実施例1,2の機能糸1,1Aにおいて、意匠性、物理的特性改善のため固有色又は着色した球状の又は半球状の石、ガラス、セラミック、合成樹脂で製造した球状体又は半球状体を複数の太陽電池セル3や複数の発光ダイオード61に混在させるようにしても良い。
【0078】
[6]前記実施例1,2において、素子配列組2Aの太陽電池セル3とバイパスダイオード4(又は発光ダイオード61とバイパスダイード62)との比率は19:1に限定する必要はなく、太陽電池セル3の数を増やして39:1等の種々の比率に設定することができる。
【0079】
[7]前記実施例1,2において、素子配列組2Aはバイパスダイード4,62を含む構成であるが、特にこの構成に限定する必要はなく、バイパスダイード4,62を省略して、複数の半導体機能素子2の全てを、太陽電池セル3又は発光ダイオード61で構成しても良い。この場合、前記製造装置40の素子供給源41は、バイパスダイオード4を供給する素子供給源41Bを省略することができ、素子供給源41を簡単な構造にすることができる。
【0080】
[8]前記実施例1,2において、機能糸1,1Aは、複数の半導体機能素子2と1対の第1,第2導電線5,6の全表面を被覆した可撓性と光透過性のある薄膜状の絶縁性保護膜7を備えているが、必ずしも絶縁性保護膜7は必要ではなく、絶縁性保護膜7を省略しても良い。具体的には、実施例1の機能糸1の絶縁性保護膜7を省略して、図12,図13に示す機能糸1Bを採用しても良いし、実施例2の機能糸1Aの絶縁性保護膜7を省略して、図14,図15に示す機能糸1Cを採用しても良い。
尚、機能糸1Bにおいては、実施例1の機能糸1と同じ構成要素には同じ符号を付して説明は省略し、機能糸1Cにおいても同様に、実施例2の機能糸1Aと同じ構成要素には同じ符号を付して説明は省略する。
【0081】
[9]前記実施例1の半導体機能素子2(太陽電池セル3、バイパスダイオード4)において、正負の電極(太陽電池セル3の正負の電極15,16、バイパスダイオード4の正負の電極25,26)のうち一方の電極が磁性を有する電極に構成され、他方の電極が非磁性の電極に構成された、つまり、一方の電極を磁力で吸着可能にした太陽電池セル3A、バイパスダイオード4Aを採用しても良い。
【0082】
つまり、半導体機能素子2の製造段階で正負の電極を形成するときに、アルミ添加又はアンチモン添加の銀合金(非磁性導電材)が使用されるが、この銀合金に対して、Fe,Co,Ni等の粉末状の磁性材料を予め含有させて、正負の電極のうちの一方の電極が磁性を有するように形成する(他方の電極は非磁性導電材から構成される)。前記磁性を有する電極は磁力が吸着可能であるので、特に磁界の方向が所定の方向に揃うように磁化処理しなくても良い。但し、磁力で吸着する際の吸着力を強める為に、磁性を有する電極の磁界の方向が、正負の電極を結ぶ方向に揃うように磁化処理することが望ましい。
【0083】
尚、球状の太陽電池セル3Aとバイパスダイオード4Aについて説明したが、実施例2の発光ダイオード61とバイパスダイード62についても同様に、正負の電極73,74又は正負の電極78,79のうち一方の電極が磁性を有し、他方の電極が非磁性であっても良い。非磁性導電材として銀合金を使用するとしているが、特にこの材料に限定する必要はなく、公知の導電性を有するものが適用可能であり、磁性材料も上記のもの以外にも公知のものが適用可能である。
【0084】
[10]上記の[9]の一方の電極が磁性を有する半導体機能素子2(太陽電池セル3A、バイパスダイオード4A)を使用して機能糸1を製造する場合、実施例1の製造装置40の素子供給源41に代えて、電極の磁性を利用して半導体機能素子2Aを所定の姿勢に整列可能な整列機構51Aを備えた素子供給源81を採用しても良い。尚、以下の説明では、太陽電池セル3Aの正電極15が磁性を有し(負電極16は非磁性の電極である)、バイパスダイオード4Aの負電極26が磁性を有している(正電極25は非磁性の電極である)場合について説明する
【0085】
具体的に、図16に示すように、素子供給源81は、太陽電池セル3Aを供給するセル供給部41Aと、バイパスダイオード4Aを供給するダイオード供給部41Bと、太陽電池セル3Aを図4に図示の姿勢に整列させると共にバイパスダイオード4Aを図5に示す姿勢に整列させる整列機構51Aと、この整列機構51Aから供給される複数の半導体機能素子2Aをアッセンブリ・ステージ44の方へ移動させる振動フィーダ52とを備えている。
【0086】
整列機構51Aは、19個の球状太陽電池セル3Aを供給する毎に、1個のバイパスダイオード4Aを供給するゲート手段と、最下部の出口近傍に位置する半導体機能素子2Aを、磁力を利用して磁性を有する電極側を下方に引き付けて前記の所期の姿勢に変換して整列させる磁力発生部82と、この磁力発生部82で整列された半導体機能素子2Aを振動フィーダ52側に押動して移動させる押動部83とを有する。この構成によれば、前記整列機構51のカメラ手段や回転手段と比較して、半導体機能素子2を容易に前記所期の姿勢に変換させて整列させることができる。これ以外の構成は、製造装置40と同様であるので説明は省略する。
【0087】
尚、上記の説明とは逆に、太陽電池セル3Aの負電極16が磁性を有すると共に、バイパスダイオード4Aの正電極25が磁性を有しても良い。また、上記の説明では、球状の太陽電池セル3Aとバイパスダイオード4Aの場合についてのみ説明したが、半球状の発光ダイオード61とバイパスダイード62についても同様で、発光ダイオード61の正電極73が磁性を有すると共に、バイパスダイード62の負電極79が磁性を有しても良いし、発光ダイオード61の負電極74が磁性を有すると共にバイパスダイード62の正電極78が磁性を有しても良く、一方の電極に磁性を付加して、機能糸1Aの製造段階で前記電極の磁性を利用して所期の姿勢に整列させても良い。
【0088】
[11]前記実施例1,2の半導体機能素子2に、太陽電池セル3、発光ダイオード61、バイパスダイオード4,62を採用しているが、特にこれら素子に限定する必要はなく、フォトダイオード、圧力や音等を検知可能な各種検知センサ、通電により発熱する熱抵抗器等の各種半導体機能素子を採用して機能糸を製造可能である。例えば、半導体機能素子2として熱抵抗器を採用して機能糸を製造した場合、この熱抵抗器付き機能糸を衣服などに適応することでヒート機能を備えた衣服を実現することができる。
【0089】
[12]その他、当業者であれば、本発明の趣旨を逸脱することなく、前記実施例の種々の変更を付加した形態で実施可能で本発明はそのような変更形態を包含するものである。
【産業上の利用可能性】
【0090】
本発明に係る半導体機能素子付き機能糸は、可撓性、通気性があり、薄型で軽量な織網基材や生地に適用可能なものであり、織網基材や生地だけでなく窓ガラスや建物の壁面に組み込んで意匠性に優れる太陽電池パネルや照明パネル等を実現可能であり、車両のボディに装着して意匠性を向上させることも可能である。
【符号の説明】
【0091】
1,1A〜1C 半導体機能素子付き機能糸
2 半導体機能素子
2A 素子配列組
3,3A 球状太陽電池セル
4,4A 球状バイパスダイオード
5 第1導電線
6 第2導電線
7 絶縁性保護膜
8 導電接合材
9,9A 隙間
10,10A 偏平部分
15,25 正電極
16,26 負電極
40 製造装置
41 半導体機能素子供給源
43 導電線供給源
44 アッセンブリ・ステージ
45 導電接合材塗布機構
46 加熱機構
47 被覆機構
48 巻き取り機構(巻き取り手段)
53 検査装置
61 発光ダイオード

Claims (17)

  1. 両端に正負の電極を有する粒状の複数の半導体機能素子と、これら複数の半導体機能素子を並列接続する可撓性のある1対の導電線とを備えた半導体機能素子付き機能糸を製造する製造方法において、
    導電線供給源から前記1対の導電線をアッセンブリ・ステージに供給し、このアッセンブリ・ステージにおいて、前記1対の導電線を前記複数の半導体機能素子を正負の電極を介して挟持可能な平行状態に配置する第1工程と、
    前記複数の半導体機能素子を各対の正負の電極を結ぶ導電方向を揃えた状態に整列させて半導体機能素子供給源から前記アッセンブリ・ステージに1又は複数個ずつ供給する第2工程と、
    前記アッセンブリ・ステージにおいて、前記1対の導電線と前記正負の電極とが接触した部分にペースト状の導電接合材を塗布する第3工程と、
    前記アッセンブリ・ステージの下流側において、前記複数の半導体機能素子が取り付けられた前記1対の導電線を巻き取り手段で巻き取る第4工程と、
    を備えたことを特徴とする半導体機能素子付き機能糸の製造方法。
  2. 前記第3工程で塗布された前記導電接合材を加熱して硬化させる加熱工程を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体機能素子付き機能糸の製造方法。
  3. 前記第3工程の後に、前記半導体機能素子付き機能糸の表面を可撓性と光透過性のある絶縁性保護膜で被覆する被覆工程を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体機能素子付き機能糸の製造方法。
  4. 前記第2工程において、前記半導体機能素子の電気的特性の検査を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体機能素子付き機能糸の製造方法。
  5. 前記第2工程において、設定数の第1の半導体機能素子を供給する毎に、第1の半導体機能素子とは異なる種類の1又は複数の第2の半導体機能素子を供給することを特徴とする請求項1に記載の半導体機能素子付き機能糸の製造方法。
  6. 両端に正負の電極を有する粒状の複数の半導体機能素子と、これら複数の半導体機能素子を並列接続する可撓性のある1対の第1,第2導電線とを備えた半導体機能素子付き機能糸において、
    前記1対の第1,第2導電線が所定の間隔をあけて平行状態に配置され、
    前記複数の半導体機能素子が前記第1,第2導電線の間に導電線の長さ方向に前記半導体機能素子の直径の1.5倍以上且つ3倍以下のピッチで配置され、前記複数の半導体機能素子の正電極が第1導電線に電気的に接続されると共に前記複数の半導体機能素子の負電極が第2導電線に電気的に接続され、
    隣接する前記半導体機能素子同士間に、前記第1,第2導電線の長さ方向に前記半導体機能素子の直径の0.5倍以上且つ2倍以下の隙間を形成することで、前記第1,第2導電線の直径に近い厚さを有する偏平部分を形成したことを特徴とする半導体機能素子付き機能糸。
  7. 前記半導体機能素子の正負の電極のうち一方の電極が磁性を有する電極に構成され、他方の電極が非磁性の電極に構成されたことを特徴とする請求項6に記載の半導体機能素子付き機能糸。
  8. 前記正電極は前記半導体機能素子の一端に低抵抗接続され且つ前記負電極は前記半導体機能素子の前記正電極と反対側の他端に低抵抗接続され、
    前記第1導電線は前記正電極の外面に接続され且つ前記第2導電線は前記負電極の外面に接続されていることを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体機能素子付き機能糸。
  9. 前記第1,第2導電線は、ガラス繊維、炭素繊維、ポリエステル繊維、アラミド繊維、ポリエチレン繊維、液晶ポリマー繊維のうちから選択される何れか1又は複数種類の繊維の束又は撚線の表面に1又は複数の金属細線をコイル状にカバーリングした導電線で構成されたことを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体機能素子付き機能糸。
  10. 前記第1,第2導電線は、金属製繊維の束又は撚線で構成されたことを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体機能素子付き機能糸。
  11. 前記複数の半導体機能素子と前記1対の導電線の全表面を可撓性と光透過性のある薄膜状の絶縁性保護膜で被覆したことを特徴とする請求項6に記載の半導体機能素子付き機能糸。
  12. 前記絶縁性保護膜は、パラキシリレン樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂のうちから選択される何れか1つの合成樹脂製の被膜からなることを特徴とする請求項11に記載の半導体機能素子付き機能糸。
  13. 前記複数の半導体機能素子は、複数の第1の半導体機能素子と、第1の半導体機能素子とは異なる種類の複数の第2の半導体機能素子とを含み、
    前記予め設定された設定数の第1の半導体機能素子の列の一端側に1又は複数の第2の半導体機能素子を配置した素子配列組が第1,第2導電線の長さ方向に複数組繰り返し形成されることを特徴とする請求項6に記載の半導体機能素子付き機能糸。
  14. 前記第1の半導体機能素子が受光機能を有する球状の半導体機能素子であり、前記第2の半導体機能素子が第1の半導体機能素子に対して逆並列接続されたバイパスダイオードであることを特徴とする請求項13に記載の半導体機能素子付き機能糸。
  15. 前記第1の半導体機能素子が発光機能を有する発光ダイオードであり、前記第2の半導体機能素子が第1の半導体機能素子に対して逆並列接続されたバイパスダイオードであることを特徴とする請求項13に記載の半導体機能素子付き機能糸。
  16. 前記複数の半導体機能素子の全ては、受光機能を有する球状の半導体機能素子で構成されたことを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体機能素子付き機能糸。
  17. 前記複数の半導体機能素子の全ては、発光機能を有する発光ダイオードで構成されたことを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体機能素子付き機能糸。
JP2013539482A 2011-10-21 2011-10-21 半導体機能素子付き機能糸とその製造方法 Active JP5716197B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2011/074296 WO2013057830A1 (ja) 2011-10-21 2011-10-21 半導体機能素子付き機能糸とその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2013057830A1 JPWO2013057830A1 (ja) 2015-04-02
JP5716197B2 true JP5716197B2 (ja) 2015-05-13

Family

ID=48140507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013539482A Active JP5716197B2 (ja) 2011-10-21 2011-10-21 半導体機能素子付き機能糸とその製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5716197B2 (ja)
TW (1) TW201318044A (ja)
WO (1) WO2013057830A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109563653A (zh) * 2016-08-04 2019-04-02 株式会社村田制作所 电子功能构件、使用了该电子功能构件的织物制品以及电子功能构件的制造方法
NL2018395B1 (en) * 2017-02-20 2018-09-21 Eurotron B V Apparatus, assembly method and assembly line
EP3640384A4 (en) * 2017-05-26 2021-01-20 Okamoto Corporation TEXTILE PRODUCT AND ITS PRODUCTION PROCESS

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1553638B1 (en) * 2002-06-21 2008-12-10 Kyosemi Corporation Light receiving or light emitting device and its production method
JP2006313871A (ja) * 2004-10-29 2006-11-16 Clean Venture 21:Kk 電子部品の位置決め方法、ならびに、電子部品およびその製造方法
JP2007314925A (ja) * 2006-04-27 2007-12-06 Hideo Hirose 電子繊維又は電子糸及びこれを用いた繊維製品
AU2007356610B2 (en) * 2007-07-18 2011-11-24 Sphelar Power Corporation Solar cell
JP5180307B2 (ja) * 2008-08-08 2013-04-10 京セミ株式会社 採光型太陽電池モジュール
JP2011018683A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Mitsubishi Electric Corp 薄膜太陽電池およびその製造方法
JP5352795B2 (ja) * 2009-09-29 2013-11-27 福井県 e−テキスタイル用導電糸を用いた織編物

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2013057830A1 (ja) 2015-04-02
WO2013057830A1 (ja) 2013-04-25
TW201318044A (zh) 2013-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101445351B1 (ko) 반도체 소자가 부착된 망형 직조 기재, 그 제조방법 및 그 제조장치
JP5942298B2 (ja) 半導体機能素子付き繊維構造体
US9313884B2 (en) Electrode substrate and planar optoelectronic device
JP5716197B2 (ja) 半導体機能素子付き機能糸とその製造方法
US7109528B2 (en) Light receiving or emitting semiconductor apparatus
EP3463816A1 (en) Filaments for fused deposition modeling including an electronic component
US8356640B1 (en) Apparatuses and methods for fabricating wire current collectors and interconnects for solar cells
JP6388569B2 (ja) ナノファイバー熱電発電モジュール、その製造方法及びナノファイバー製造電気紡糸装置
EP3278370B1 (en) Electrically contacting and interconnecting photovoltaic cells
KR101650497B1 (ko) 정렬된 나노섬유 제조장치
CN103972322B (zh) 光敏电阻
KR20180011965A (ko) 롤투롤 방식의 투명 나노섬유 제조장치 및 투명 나노섬유 제조용 시트
CN112993124A (zh) 一种光电芯片集成纤维的制作方法及其纤维制品
JP5430767B2 (ja) 半導体素子付き織網基材、その製造方法及びその製造装置
KR102325086B1 (ko) 열전 효율이 높은 신축성 열전소자 및 그 제조방법
Satharasinghe Development of solar energy harvesting textiles
KR102504439B1 (ko) 투명전극 제조 장치
JP2012109415A (ja) 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法
KR100990079B1 (ko) 태양광 모듈 매트릭스의 제조 시스템 및 그 방법
KR20180080951A (ko) 고효율 태양전지
KR20160009222A (ko) 태빙장치
KR20180132248A (ko) 나노섬유의 탄화 수축 시 결합력을 강화시키는 프레임을 이용한 메쉬 나노구조체 필름 제조 장치
KR20180132246A (ko) 탄소 금속 하이브리드 메쉬 나노구조체 필름의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150113

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150206

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5716197

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250