JP5942298B2 - 半導体機能素子付き繊維構造体 - Google Patents
半導体機能素子付き繊維構造体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5942298B2 JP5942298B2 JP2013545672A JP2013545672A JP5942298B2 JP 5942298 B2 JP5942298 B2 JP 5942298B2 JP 2013545672 A JP2013545672 A JP 2013545672A JP 2013545672 A JP2013545672 A JP 2013545672A JP 5942298 B2 JP5942298 B2 JP 5942298B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- yarns
- semiconductor functional
- yarn
- fiber structure
- functional
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000835 fiber Substances 0.000 title claims description 271
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 238
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 145
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 59
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 59
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 55
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 22
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims description 14
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 14
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims description 13
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 12
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 9
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 9
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 claims description 5
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 claims description 5
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 claims description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- 229920006231 aramid fiber Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 47
- 239000010408 film Substances 0.000 description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 12
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 11
- 238000009941 weaving Methods 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 8
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 8
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 230000029553 photosynthesis Effects 0.000 description 4
- 238000010672 photosynthesis Methods 0.000 description 4
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 3
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005084 Strontium aluminate Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- FNWBQFMGIFLWII-UHFFFAOYSA-N strontium aluminate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Sr+2].[Sr+2] FNWBQFMGIFLWII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- VYXSBFYARXAAKO-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-[3-(ethylamino)-6-ethylimino-2,7-dimethylxanthen-9-yl]benzoate;hydron;chloride Chemical compound [Cl-].C1=2C=C(C)C(NCC)=CC=2OC2=CC(=[NH+]CC)C(C)=CC2=C1C1=CC=CC=C1C(=O)OCC VYXSBFYARXAAKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000009940 knitting Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- D—TEXTILES; PAPER
- D03—WEAVING
- D03D—WOVEN FABRICS; METHODS OF WEAVING; LOOMS
- D03D1/00—Woven fabrics designed to make specified articles
- D03D1/0076—Photovoltaic fabrics
-
- D—TEXTILES; PAPER
- D03—WEAVING
- D03D—WOVEN FABRICS; METHODS OF WEAVING; LOOMS
- D03D15/00—Woven fabrics characterised by the material, structure or properties of the fibres, filaments, yarns, threads or other warp or weft elements used
- D03D15/20—Woven fabrics characterised by the material, structure or properties of the fibres, filaments, yarns, threads or other warp or weft elements used characterised by the material of the fibres or filaments constituting the yarns or threads
- D03D15/283—Woven fabrics characterised by the material, structure or properties of the fibres, filaments, yarns, threads or other warp or weft elements used characterised by the material of the fibres or filaments constituting the yarns or threads synthetic polymer-based, e.g. polyamide or polyester fibres
-
- D—TEXTILES; PAPER
- D03—WEAVING
- D03D—WOVEN FABRICS; METHODS OF WEAVING; LOOMS
- D03D15/00—Woven fabrics characterised by the material, structure or properties of the fibres, filaments, yarns, threads or other warp or weft elements used
- D03D15/20—Woven fabrics characterised by the material, structure or properties of the fibres, filaments, yarns, threads or other warp or weft elements used characterised by the material of the fibres or filaments constituting the yarns or threads
- D03D15/242—Woven fabrics characterised by the material, structure or properties of the fibres, filaments, yarns, threads or other warp or weft elements used characterised by the material of the fibres or filaments constituting the yarns or threads inorganic, e.g. basalt
- D03D15/25—Metal
-
- D—TEXTILES; PAPER
- D03—WEAVING
- D03D—WOVEN FABRICS; METHODS OF WEAVING; LOOMS
- D03D15/00—Woven fabrics characterised by the material, structure or properties of the fibres, filaments, yarns, threads or other warp or weft elements used
- D03D15/50—Woven fabrics characterised by the material, structure or properties of the fibres, filaments, yarns, threads or other warp or weft elements used characterised by the properties of the yarns or threads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/035281—Shape of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/044—PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
- H01L31/0508—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- D—TEXTILES; PAPER
- D10—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBLASSES OF SECTION D, RELATING TO TEXTILES
- D10B—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBLASSES OF SECTION D, RELATING TO TEXTILES
- D10B2401/00—Physical properties
- D10B2401/16—Physical properties antistatic; conductive
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V33/00—Structural combinations of lighting devices with other articles, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Textile Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Woven Fabrics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
(a)前記半導体機能素子の正負の電極のうち一方の電極が磁性を有する電極に構成され、他方の電極が非磁性の電極に構成されている。
(b)前記複数の糸は、第1糸群とこの第1糸群と交差する第2糸群とを備え、前記第1糸群は複数の半導体機能素子付き機能糸を備えると共に、前記第2糸群は複数の絶縁糸を備えている。
(h)前記シート材の合成樹脂材に、受光した光の波長を変換する波長変換材料を添加する。
(k)前記1対の導電線は、受光した光の波長を変換する波長変換材料を含む芯材の表面に1又は複数の金属細線をコイル状にカバーリングした導電線で構成される。
(m)前記絶縁糸は、受光した光の波長を変換する波長変換材料を含む線材からなる。
(n)前記半導体機能素子付き繊維構造体は、少なくとも下層に繊維構造体を設けた多層構造に構成されている。
図1〜図9に示すように、機能糸4は、粒状の複数の半導体機能素子5と、これら複数の半導体機能素子5を並列接続する可撓性のある1対の導電線11(11a,11b)とを備えている。複数の半導体機能素子5は、両端に正負の電極25,26を有する複数の球状太陽電池セル13(図7参照)と、この球状太陽電池セル13とは異なる種類の両端に正負の電極35,36を有する複数の球状バイパスダイオード14(図8参照)とを含むものである。尚、複数の半導体機能素子5は、1対の導電線11の間に導電線11の長さ方向に半導体機能素子5の直径の1.5倍以上且つ3倍以下のピッチで配置されている。
図4,図7に示すように、球状太陽電池セル13(以下、太陽電池セル13という)は、直径1.0mm〜2.0mm(本実施例では、直径1.2mm)程度の球状のp型シリコン単結晶21を用いて製造される。このp型シリコン単結晶21の表面の一部に平坦面22が形成され、この平坦面22とその近傍部を除く球面の大部分にn型不純物が拡散されてn型拡散層23が形成され、n型拡散層23の表面から1μm程度の位置に球面状のpn接合24が形成されている。平坦面22のp型表面(太陽電池セル13の一端)に、アルミ添加の銀合金からなる正電極25(アノード電極)がスポット状に低抵抗接続され、p型シリコン単結晶21の中心を挟んで正電極25の反対側のn型拡散層23の表面(太陽電池セル13の他端)に、アンチモン添加の銀合金からなる負電極26(カソード電極)がスポット状に低抵抗接続されている。この正負の電極25,26以外のp型シリコン単結晶21とn型拡散層23の全表面に、透明なSiO2膜からなる反射防止膜27が形成されている。
図5,図8に示すように、球状バイパスダイオード14(以下、バイパスダイオード14という)は、直径1.0mm〜2.0mm(本実施例では、直径1.2mm)程度の球状のn型シリコン単結晶31を用いて製造される。このn型シリコン単結晶31の表面の一部に平坦面32が形成され、この平坦面32を除くn型シリコン単結晶31の表面の約半分にp型不純物が拡散されて、20μm程度の厚さのp型拡散層33が形成されている。平坦面32のn型表面に、負電極36がスポット状に低抵抗接続されている。p型拡散層33の表面の大部分にこのp型拡散層33と低抵抗接触する金属被膜37が形成されて、n型シリコン単結晶31の中心を挟んで負電極36と反対側に位置するように、金属被膜37の頂面に正電極35がスポット状に低抵抗接続されている。金属被膜37と平坦面32以外のn型シリコン単結晶31の表面が、シリコン酸化膜からなる絶縁膜38で被覆されている。
図9に示すように、1対の導電線11は、複数本のガラス繊維の束からなる芯材41(例えば、直径0.3mm程度)の表面に、錫メッキした直径0.05mmの金属細線42(例えば、銅の細線)を2本コイル状にカバーリングすることで構成されている。
図5,図6に示すように、導電接合材16は、例えば、導電性エポキシ樹脂(エポキシ樹脂に銀粉を混入したもの)からなる。1対の導電線11間に太陽電池セル13とバイパスダイオード14とを固定する場合、導電性エポキシ樹脂を導電線11と太陽電池セル13の正負の電極25,26又はバイパスダイオード14の正負の電極35,36との接触部に塗布し、導電性エポキシ樹脂を加熱して乾燥させて硬化させて、太陽電池セル13とバイパスダイオード14とを1対の導電線11に固定する。
図10に示すように、絶縁糸6は、複数本のポリエステル繊維の束ねた線又は縒り線(例えば、直径0.1mm程度)で構成されている。絶縁糸6に透明なポリエステル繊維を採用する場合、入射光はポリエステル繊維を通って入射側とは反対側に透過するが、同時に入射光を散乱させることができ、太陽電池セル13の表面全体に光が回り込む確率を高めることができ、依って、太陽電池セル13の受光効率が増して出力増加に寄与する。
図1〜図3に示すように、複数の太陽電池セル13は、行方向(横方向)に延びる機能糸4を単位として複数行に配列されると共に、列方向(縦方向)に隣接する機能糸4の導電線11同士が接触している。行方向の複数の太陽電池セル13は、1対の導電線11を介して電気的に並列接続されると共に、列方向の複数の太陽電池セル13は、隣接する導電線11同士の接触を介して直列接続されている。
図11は、複数行複数列のマトリックス状に配設された複数の太陽電池セル13と複数行1列又は複数列に配設された複数のバイパスダイオード14を有する素子付き繊維構造体1の等価回路図である。ここでは、素子付き繊維構造体1に、例えば、6行5列に配設された複数の太陽電池セル13が組み込まれた場合を例にして説明する。
図12に示すように、製造装置50は、上流側から下流側に向って材料を移動させながら、複数の絶縁糸6を縦糸とし、複数の機能糸4を横糸として素子付き繊維構造体1(素子付き織網基材)を製造することができる。製造装置50は、最上流側の供給側案内ローラ51と、綜絖機構53と、シャトル機構54と、筬機構55と、最下流側の引き出し機構56等を備えている。尚、複数の横糸により第1糸群2が構成され、複数の縦糸により第2糸群3が構成される。
図12に示すように、供給側案内ローラ51は、製造装置50の機枠に回転可能に支持され、ローラ駆動機構(図示略)により回転駆動される。この供給側案内ローラ51は、縦糸供給源(図示略)から供給される複数の絶縁糸6を、方向変換しつつ整列状態にして綜絖機構53の方に案内するものである。複数の絶縁糸6は、第1,第2絶縁糸6a,6bを単位として供給側案内ローラ51にその軸方向に所定の間隔を空けて配置されている。
図12に示すように、綜絖機構53は、第1,第2綜絖部材53a,53bと、これら第1,第2綜絖部材53a,53bを相対的に上下往復移動させるための往復駆動部材53cとで構成されている。この綜絖機構53は、第1群縦糸53Aと第2群縦糸53Bとを上下に移動させて、第1,第2群縦糸53A,53Bの間(つまり、第1,第2絶縁糸6a,6bの間)にシャトル部材54aを通過させるための隙間を形成するものである。
図12に示すように、シャトル機構54は、機能糸4の先端部が引っ掛けられたシャトル部材54aと、このシャトル部材54aを左右方向へ往復駆動可能なシャトル駆動機構(図示略)と、シャトル部材54aに機能糸4を供給する横糸供給機構(図示略)等を備えている。
図12に示すように、筬機構55は、横方向に長い鉛直向きの板状部材55aと、この板状部材55aを所定ストロークだけ前後移動させる筬駆動機構(図示略)を有し、この板状部材55aには、複数の縦長のスリット55bが等間隔に形成されている。筬機構55は、シャトル機構54で供給された機能糸4を下流側へ押圧するように筬打ちし、機能糸4を絶縁糸6に対して直交状態に整列させると共に下流側の機能糸4に密着させるものである。複数のスリット55bには、1組の第1,第2絶縁糸6a,6bが夫々挿通している。
図12に示すように、引き出し機構56は、素子付き繊維構造体1を巻き取る巻取りローラ56aと、巻取りローラ56aの方向へ素子付き繊維構造体1を案内する案内ローラ56b等を有し、製造装置50の最下流側に配設されている。巻取りローラ56aは、製造装置50の図示外の機枠に回転駆動可能に支持され、綜絖機構53やシャトル機構54等の他の機構と連動して、引出し駆動機構(図示略)により、素子付き繊維構造体1を間欠的に1ピッチずつ引き出しながら巻取りローラ56aで巻き取る。
この製造方法は、図12の製造装置50により、第1,第2絶縁糸6a,6bを含む複数の縦糸と、複数の半導体機能素子5(太陽電池セル13とバイパスダイオード14)を有する機能糸4を含む複数の横糸とで織られた素子付き繊維構造体1(素子付き織網基材)を製造するための方法である。尚、機能糸4を、受光機能又は発光機能を備えた可撓性のある糸材として予め一体的に製作する工程が、第1工程である。
そして、最終的に引き出し機構56により、素子付き繊維構造体1を間欠的に1ピッチずつ巻き取りながら収容する。
この素子付き繊維構造体1によれば、可撓性と通気性に優れ且つ軽量な素子付き繊維構造体1を実現することができる。安価に量産可能な素子付き繊維構造体1を実現することができる。物体の表面に貼り付けるのに適した薄い素子付き繊維構造体1を実現することができる。この素子付き繊維構造体1は、可撓性、軽量、薄型、フレキシブル、シースルー、採光性がある中間材的製品であり、用途に応じて種々の製品に仕上げることが出来る。
図13,図14に示すように、この変更形態にかかる素子付き繊維構造体1Aは、第1糸群2の複数の糸(機能糸4)とこの第1糸群2と交差する第2糸群3の複数の糸(絶縁糸6)とで織られ且つ複数の半導体機能素子5が組み込まれ、その全表面を可撓性と光透過性のある薄膜状の絶縁性保護膜8で被覆されている。
第1の機能糸4Aの複数の半導体機能素子5が、受光機能を有する球状の太陽電池セル13とバイパスダイオード14を含み、第2の機能糸4Bの半導体機能素子5が、発光機能を有する発光ダイオード61とバイパスダイオード62を含むが、第1の機能糸4Aは、実施例1の機能糸4と同様の構成であるので、以下では説明を省略して、第2の機能糸4Bについてのみ説明する。
図21,図22に示すように、発光ダイオード61は、n型層66とp型層67とから平面状のpn接合68が形成されたLEDチップ65を有するが、これらn型層66とp型層67の半導体材料と特性は特に限定しない。このn型層66の下端部には、薄膜状のカソード電極69が低抵抗接続され、p型層67の上端部にアノード電極71がスポット状に低抵抗接続されている。LEDチップ65の下側には、厚さ3.0mm、幅4.0mm程度のセラミックベース72が設けられている。セラミックベース72の上面右端部と右側部には正電極73が形成され、この正電極73の反対側の上面左端部と左側部には負電極74が形成されている。LEDチップ65のカソード電極69は負電極74に固着され接続され、アノード電極71はリード線76を介して正電極73に接続されている。セラミックベース72の上側は透明なエポキシ樹脂により半球状の高さ2.0mm程度の保護カバー77で覆われている。この発光ダイオード61は、保護カバー77を通って半球方向に光を放射する。
図17,図18に示すように、素子付き繊維構造体1Bは、合成樹脂製の1対のシート材45A,45Bにより素子付き繊維構造体1Bの上下両面を挟んで加圧加熱成形されることによりシート状に成形されている。
図23は、複数の第1の機能糸4Aと1つの第2の機能糸4Bを有する素子付き繊維構造体1Bの等価回路図である。第1の機能糸4Aと第2の機能糸4Bとは電気的に独立して夫々設けられている。第1の機能糸4Aは、約0.6Vの光起電力を発生し、第2の機能糸4Bは、順方向に電圧を印加し、電流が流れた場合に発光する。機能糸4A,4B同士の直列接続や並列接続は、素子付き繊維構造体1Bの内部又は外部で接続端子を介して行うことができ、必要な出力電圧・出力電流に応じて適宜設定することが出来る。
図24に示すように、製造装置50Cは、上流側から下流側に向けて、供給側案内ローラ51と、案内板52と、綜絖機構53と、シャトル機構54と、筬機構55と引き出し機構56と、加熱加圧機構58とを備えているが、実施例1に加熱加圧機構58を追加した以外は、実施例1と同様なので実施例1と同様の構成要素に同じ符号を付して説明を省略し、加熱加圧機構58のみについて説明する。尚、シャトル機構54は、実施例1では、第1の機能糸4Aのみ供給する構成なっているが、本実施例では、第1の機能糸4Aに加えて第2の機能糸4Bと絶縁糸6cも供給可能である。
この製造方法は、図24の製造装置50Cにより、第1,第2絶縁糸6a,6bを含む複数の縦糸と、第1の機能糸4Aと第2の機能糸4Bと絶縁糸6cを含む複数の横糸とで織られ、且つ上下両面が合成樹脂製の1対のシート材45A,45Bで覆われた素子付き繊維構造体1Bを製造するための方法である。
図26に示すように、第1の機能糸4Dは、基本的に実施例1の機能糸4(実施例2の第1の機能糸4A)と同様の構成を有すると共に、複数の太陽電池セル13とバイパスダイオード14と1対の導電線11(11a,11b)の全表面を被覆した可撓性と光透過性のある薄膜状の絶縁性保護膜80aを備えている。
図30に示すように、素子付き繊維構造体1Fは、複数の糸で構成された繊維構造体であって複数の半導体機能素子5が組み込まれた素子付き繊維構造体である。この複数の糸は、複数の機能糸4とポリエステル繊維からなる複数の絶縁糸6gとを備えている。素子付き繊維構造体1Fは、縦方向に延びる鎖状の複数の絶縁線6g(鎖糸)から基本編地90を構成し、この基本編地90に対して横方向に延びる複数の横挿入糸91が挿入され編まれている。これら複数の横挿入糸91の一部又は全部に機能糸4が使用されている。
図31に示すように、素子付き繊維構造体1Gは、複数の機能糸4とポリエステル繊維からなる複数の絶縁糸6h,6i,6jとを備えた複数の糸から構成されている。素子付き繊維構造体1Gは、縦方向に延びる鎖状の複数の絶縁糸6h(鎖糸)と、この鎖糸と交錯する複数の絶縁糸6i,6j(挿入糸)とから基本編地92を構成し、この基本編地92に対して縦方向に延びる複数の縦挿入糸93が挿入され編まれている。この複数の縦挿入糸93の一部又は全部に機能糸4が使用されている。
[1]前記第1糸群2,2B〜2Eの複数の糸を横糸とし、第2糸群3,3B〜3Eの複数の糸を縦糸として説明しているが、特にこの構成に限定する必要はなく、上記とは逆に、第1糸群2,2B〜2Eの複数の糸を縦糸とし、第2糸群3,3B〜3Eの複数の糸を横糸として素子付き繊維構造体1,1A〜1Eを構成するようにしても良い。
尚、上述の波長変換材料は、可撓性のない透明な合成樹脂材(ガラス製のプレート等)に素子付き繊維構造体が埋設状に設けられている場合にも適用可能である。
尚、上記の[8]で説明した波長変換材料を導電線や絶縁糸に添加する方法、[9]〜[12]で説明した散乱材料、波長変換材料や蓄光材料を合成樹脂材に添加する方法は、実施例1〜5に記載している全ての導電線と絶縁糸と合成樹脂材に適用可能である。
2,2B〜2E 第1糸群
3,3B〜3E 第2糸群
4 半導体機能素子付き機能糸
4A,4D 第1の半導体機能素子付き機能糸
4B,4E 第2の半導体機能素子付き機能糸
5 半導体機能素子
5A 素子配列組
6,6c〜6i 絶縁糸
6a,6b 第1,第2絶縁糸
8,80a,80b 絶縁性保護膜
11,11a,11b 導電線
18,18A 隙間
13 球状太陽電池セル
14 球状バイパスダイオード
20,20A 偏平部分
25,26 正負の電極
35,36 正負の電極
41 芯材
42 金属細線
45A,45B 合成樹脂製の1対のシート材
50,50A,50B 製造装置
61 発光ダイオード
62 バイパスダイオード
81 下層繊維構造体
82 上層素子付き繊維構造体
Claims (16)
- 複数の糸で構成された繊維構造体であって複数の半導体機能素子が組み込まれた半導体機能素子付き繊維構造体において、
前記複数の糸は、複数の絶縁糸と、受光機能又は発光機能を備えた可撓性のある糸材として予め一体的に構成した状態で組み込まれる複数の半導体機能素子付き機能糸とを有し、
前記半導体機能素子付き機能糸は、
両端に正負の電極を有する粒状の複数の半導体機能素子と、これら複数の半導体機能素子を並列接続する可撓性のある連続的に延びる1対の導電線とを備え、
平行状態に配置された前記1対の導電線の間に前記複数の半導体機能素子が前記導電線の長さ方向に前記半導体機能素子の直径の1.5倍以上且つ3倍以下のピッチで配置され、前記複数の半導体機能素子の正電極が一方の導電線に電気的に接続されると共に前記複数の半導体機能素子の負電極が他方の導電線に電気的に接続され、隣接する前記半導体機能素子同士間に、前記導電線の長さ方向に前記半導体機能素子の直径の0.5倍以上且つ2倍以下の隙間を形成することで、前記導電線の直径に近い厚さを有する偏平部分を形成したことを特徴とする半導体機能素子付き繊維構造体。 - 前記半導体機能素子の正負の電極のうち一方の電極が磁性を有する電極に構成され、他方の電極が非磁性の電極に構成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体機能素子付き繊維構造体。
- 前記複数の糸は、第1糸群とこの第1糸群と交差する第2糸群とを備え、
前記第1糸群は複数の半導体機能素子付き機能糸を備えると共に、前記第2糸群は複数の絶縁糸を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体機能素子付き繊維構造体。 - 前記第1糸群が複数の半導体機能素子付き機能糸で構成され、
前記複数の半導体機能素子付き機能糸は、前記半導体機能素子の正負の電極を結ぶ導電方向を第2糸群の長さ方向に揃えた状態に配設されると共に隣接する半導体機能素子付き機能糸の導電線同士が電気的に接続されたことを特徴とする請求項3に記載の半導体機能素子付き繊維構造体。 - 前記第1糸群が複数の半導体機能素子付き機能糸と複数の絶縁糸とから構成され、
前記複数の半導体機能素子付き機能糸は、前記半導体機能素子の正負の電極を結ぶ導電方向を前記第2糸群の長さ方向に揃えた状態に配設され、
隣接する半導体機能素子付き機能糸の間に1又は複数の前記絶縁糸を配設したことを特徴とする請求項3に記載の半導体機能素子付き繊維構造体。 - 前記第1糸群は、1又は複数の第1の半導体機能素子付き機能糸と、1又は複数の第2の半導体機能素子付き機能糸とから構成され、
前記第1の半導体機能素子付き機能糸の半導体機能素子が、受光機能を有する球状の半導体機能素子であり、
前記第2の半導体機能素子付き機能糸の半導体機能素子が、発光機能を有する半導体機能素子であることを特徴とする請求項3に記載の半導体機能素子付き繊維構造体。 - 前記第2糸群は、前記第1糸群の長さ方向に接触状に隣接する第1,第2絶縁糸であって前記第1糸群の複数の半導体機能素子付き機能糸の表面と裏面とに交互に接触するジグザグ状態に織られた第1,第2絶縁糸を備えたことを特徴とする請求項3〜6の何れか1項に記載の半導体機能素子付き繊維構造体。
- 前記半導体機能素子付き繊維構造体の少なくとも片面に、光透過性のある合成樹脂製のシート材を設けたことを特徴とする請求項1に記載の半導体機能素子付き繊維構造体。
- 前記シート材の合成樹脂材に、受光した光の波長を変換する波長変換材料を添加したことを特徴とする請求項8に記載の半導体機能素子付き繊維構造体。
- 前記半導体機能素子付き機能糸の全表面を可撓性と光透過性のある薄膜状の絶縁性保護膜で被覆され、この絶縁性保護膜は、パラキシリレン樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂のうちから選択される何れか1つの合成樹脂製の被膜からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体機能素子付き繊維構造体。
- 前記1対の導電線は、ガラス繊維、炭素繊維、ポリエステル繊維、アラミド繊維、ポリエチレン繊維、液晶ポリマー繊維のうちから選択される何れか1又は複数種類の繊維の束又は撚線の表面に1又は複数の金属細線をコイル状にカバーリングした導電線で構成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体機能素子付き繊維構造体。
- 前記1対の導電線は、受光した光の波長を変換する波長変換材料を含む芯材の表面に1又は複数の金属細線をコイル状にカバーリングした導電線で構成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体機能素子付き繊維構造体。
- 前記絶縁糸として、単芯のガラスファイバー、又は、ガラス繊維、ポリエステル繊維、ポリイミド繊維等の合成繊維、天然繊維のうちから選択される何れか1つの線材からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体機能素子付き繊維構造体。
- 前記絶縁糸は、受光した光の波長を変換する波長変換材料を含む線材からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体機能素子付き繊維構造体。
- 前記半導体機能素子付き繊維構造体は、少なくとも下層に繊維構造体を設けた多層構造に構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体機能素子付き繊維構造体。
- 複数の糸で構成された繊維構造体であって複数の半導体機能素子が組み込まれた半導体機能素子付き繊維構造体において、
前記複数の糸は、第1糸群とこの第1糸群と交差する第2糸群とを備え、
前記第1糸群は、受光機能又は発光機能を備えた可撓性のある糸材として予め一体的に構成した状態で組み込まれる複数の半導体機能素子付き機能糸から構成される共に、前記第2糸群は、複数の絶縁糸から構成され、
前記各半導体機能素子付き機能糸は、両端に正負の電極を有する粒状の複数の半導体機能素子と、これら複数の半導体機能素子を並列接続する可撓性のある連続的に延びる1対の導電線とを備え、平行状態に配置された前記1対の導電線の間に前記複数の半導体機能素子が導電線の長さ方向に設定間隔おきに配置され、前記複数の半導体機能素子の正電極が一方の導電線に電気的に接続されると共に前記複数の半導体機能素子の負電極が他方の導電線に電気的に接続され、
前記複数の半導体機能素子付き機能糸は、前記半導体機能素子の正負の電極を結ぶ導電方向を第2糸群の長さ方向に揃えた状態に配設されると共に隣接する半導体機能素子付き機能糸が電気的に接続され、
前記第2糸群の複数の絶縁糸は、前記第1糸群の複数の半導体機能素子付き機能糸の隣接する半導体機能素子間の偏平部分の表面と裏面とを挟み込むように織られたことを特徴とする半導体機能素子付き繊維構造体。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2011/076810 WO2013076794A1 (ja) | 2011-11-21 | 2011-11-21 | 半導体機能素子付き繊維構造体とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013076794A1 JPWO2013076794A1 (ja) | 2015-04-27 |
JP5942298B2 true JP5942298B2 (ja) | 2016-06-29 |
Family
ID=48469276
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013545672A Active JP5942298B2 (ja) | 2011-11-21 | 2011-11-21 | 半導体機能素子付き繊維構造体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5942298B2 (ja) |
TW (1) | TW201322421A (ja) |
WO (1) | WO2013076794A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10443160B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-10-15 | Honeywell International Inc. | Breathable light weight unidirectional laminates |
JP6186580B2 (ja) * | 2014-03-19 | 2017-08-30 | スフェラーパワー株式会社 | 半導体機能素子付き機能糸 |
JP6518908B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2019-05-29 | 日本毛織株式会社 | 液体検知布 |
JP6582187B2 (ja) * | 2015-03-12 | 2019-10-02 | 松文産業株式会社 | 半導体素子付き繊維構造体 |
KR101731540B1 (ko) * | 2015-12-28 | 2017-05-02 | (재)한국나노기술원 | 섬유를 포함하는 태양전지 제조방법 |
CN110730834B (zh) * | 2017-06-13 | 2022-05-10 | 霍尼韦尔国际公司 | 可透气的轻质单向层压体 |
JP6401369B1 (ja) * | 2017-10-23 | 2018-10-10 | 櫻護謨株式会社 | 電源を備えた送水ホース及び媒介ユニット |
DE102018130368A1 (de) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauteil, trägerrolle mit solchen optoelektronischen halbleiterbauteilen und textilgewebe |
JP7232538B2 (ja) * | 2018-12-21 | 2023-03-03 | 住江織物株式会社 | 光発電部付き織物 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5728149A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-15 | Teijin Ltd | Polyacrylate structure capable of converting wavelength of light |
JPS6068507A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-19 | 日清紡績株式会社 | 導電線とその製造方法 |
US7592276B2 (en) * | 2002-05-10 | 2009-09-22 | Sarnoff Corporation | Woven electronic textile, yarn and article |
CN1771608A (zh) * | 2003-10-24 | 2006-05-10 | 京半导体股份有限公司 | 受光或发光模块板及其制造方法 |
JP2006313871A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-11-16 | Clean Venture 21:Kk | 電子部品の位置決め方法、ならびに、電子部品およびその製造方法 |
JP5384529B2 (ja) * | 2008-02-14 | 2014-01-08 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 発光システム、電極装置及び光源 |
JP2011106035A (ja) * | 2009-11-12 | 2011-06-02 | Teijin Fibers Ltd | 有機機能性材料及びそれを用いた製品 |
JP2011210891A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 波長変換型太陽電池封止シート、及び太陽電池モジュール |
-
2011
- 2011-11-21 JP JP2013545672A patent/JP5942298B2/ja active Active
- 2011-11-21 WO PCT/JP2011/076810 patent/WO2013076794A1/ja active Application Filing
-
2012
- 2012-03-14 TW TW101108710A patent/TW201322421A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201322421A (zh) | 2013-06-01 |
WO2013076794A1 (ja) | 2013-05-30 |
JPWO2013076794A1 (ja) | 2015-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5942298B2 (ja) | 半導体機能素子付き繊維構造体 | |
AU2011294612B2 (en) | Woven mesh substrate with semiconductors, and method and device for manufacturing same | |
EP3278370B1 (en) | Electrically contacting and interconnecting photovoltaic cells | |
CN1650057A (zh) | 复数层编织电子纺织品、物品和方法 | |
US11473221B2 (en) | Textile component and method for producing a textile component | |
JP2006165149A (ja) | 光起電力素子、光起電力素子集合体、光起電力素子モジュール、及び、それらの製造方法 | |
US20090211620A1 (en) | Conformal solar power material | |
JP4642662B2 (ja) | 光起電力素子 | |
KR101366119B1 (ko) | 솔라 패널 | |
JP6676658B2 (ja) | 導電性三軸織物構造体及びこれを利用した電子デバイス付き三軸織物構造 | |
JP5716197B2 (ja) | 半導体機能素子付き機能糸とその製造方法 | |
JP5430767B2 (ja) | 半導体素子付き織網基材、その製造方法及びその製造装置 | |
Satharasinghe | Development of solar energy harvesting textiles | |
CN114038321B (zh) | 显示器 | |
JP2006165148A (ja) | 光起電力素子、光起電力素子集合体、光起電力素子モジュール、及び、それらの製造方法 | |
JP6582187B2 (ja) | 半導体素子付き繊維構造体 | |
KR20180080951A (ko) | 고효율 태양전지 | |
CN106273748A (zh) | 提升导旋光性抗腐蚀织物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150513 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150929 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160502 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5942298 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |