JP5023268B2 - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents
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Description
1半導体の電極を相互に電気的に接続する第1導電体層が取り付けられる。
すなわち、本発明は、光電変換素子をその第2半導体層を電気的かつ物理的に導電性の支持体に接続した組立体を構成した後、支持体の裏面に、電気絶縁層および光電変換素子の第1半導体に電気的に接続された導電体層を形成する方法を改良するものである。
な製造方法を提供することである。
(a)球状の第1半導体およびその表面を被覆する第2半導体層からなり、前記第2半導体層が前記第1半導体の一部を露出させる開口部を有する複数のほぼ球状の光電変換素子、(b)前記光電変換素子を1個ずつ配置するための複数の孔を有する導電性の支持体であって、前記光電変換素子の第2半導体層を前記孔の縁部に電気的かつ物理的に接続し、かつ前記第1半導体の露出部を裏面側に臨ませている支持体、(c)前記支持体の裏面側に接合されている電気絶縁層、並びに(d)前記電気絶縁層の裏面に接合され、前記電気絶縁層の孔をとおして前記第1半導体と電気的に接続された金属シート、を具備する光電変換装置の製造方法であって、
(1)前記支持体の裏面に前記電気絶縁層を形成するための、半硬化状態の電気絶縁性シートを貼り付ける工程、
(2)前記電気絶縁性シートに金属シートを貼り付ける工程、
(3)前記電気絶縁性シートおよび金属シートにそれぞれ相互に連通し、かつ前記第1半導体が露出する孔を形成する工程、
(4)前記電気絶縁性シートおよび金属シートの孔に導電性ペーストを充填する工程、(5)前記導電性ペーストを固化することにより、前記金属シートと前記素子の第1半導体とを電気的に接続する工程、並びに
(6)前記電気絶縁性シートを硬化させて、前記支持体と前記金属シートとを一体に結合した電気絶縁層を形成する工程、
を含むことを特徴とする。
この電気的な接続も本発明の特徴の1つである。すなわち、電気絶縁性シートおよび金属シートにそれぞれ相互に連通し、かつ素子の第1半導体が露出する孔が準備される。ついで、電気絶縁性シートおよび金属シートの孔に導電性ペーストを充填し、この導電性ペーストを固化する。
また、金属シートは、孔を有しているから、導電性ペーストを固化する際の熱処理時に導電性ペーストから発生する気化成分が電気絶縁性シートと金属シートとの間に介在し、第1半導体と金属シート間の接合が不十分となったり、電気的な導通が不安定になったりするおそれはない。
(a)球状の第1半導体およびその全表面を被覆する第2半導体層からなる複数のほぼ球状の光電変換素子、並びに、前記光電変換素子を1個ずつ配置するための複数の孔を有する導電性の支持体からなり、前記光電変換素子がその第2半導体層が前記孔の縁部に電気的かつ物理的に接続され、かつ光電変換素子の一部が前記支持体の裏面側に臨んでいる組立体を準備する工程、
(b)前記支持体の裏面側に露出している第2半導体層の少なくとも一部を除去することにより、前記第1半導体の一部を露出させる開口部を形成する工程、
(c)前記支持体の裏面に半硬化状態の電気絶縁性シートを貼り付ける工程、
(d)前記電気絶縁性シートに、前記第1半導体の露出部の少なくとも一部を露出させる孔を形成する工程、
(e)前記電気絶縁性シートの上に、前記電気絶縁性シートの前記孔と対応する位置に孔を有する金属シートを張り合わせる工程、
(f)前記金属シートおよび電気絶縁性シートの孔に、導電性ペーストを充填する工程、(g)前記導電性ペーストを固化することにより、前記金属シートと前記素子の第1半導体とを電気的に接続する工程、並びに
(h)前記電気絶縁性シートを硬化させる工程、
を含むことを特徴とする。
(a)球状の第1半導体およびその全表面を被覆する第2半導体層からなる複数のほぼ球状の光電変換素子、並びに、前記光電変換素子を1個ずつ配置するための複数の孔を有する導電性の支持体からなり、前記光電変換素子がその第2半導体層が前記孔の縁部に電気的かつ物理的に接続され、かつ光電変換素子の一部が前記支持体の裏面側に臨んでいる組立体を準備する工程、
(b)前記支持体の裏面に半硬化状態の電気絶縁性シートを貼り付ける工程、
(c)前記電気絶縁性シートに、前記光電変換素子の一部を露出させる孔を形成する工程、
(d)前記電気絶縁性シートの孔に露出している第2半導体層の少なくとも一部を除去することにより、前記第1半導体の一部を露出させる開口部を形成する工程、
(e)前記電気絶縁性シートの上に、前記電気絶縁性シートの前記孔と対応する位置に孔を有する金属シートを張り合わせる工程、
(f)前記金属シートおよび電気絶縁性シートの孔に、導電性ペーストを充填する工程、(g)前記導電性ペーストを固化することにより、前記金属シートと前記素子の第1半導体とを電気的に接続する工程、並びに
(h)前記電気絶縁性シートを硬化させる工程、
を含むことを特徴とする。
(a)球状の第1半導体およびその表面を被覆する第2半導体層からなり、前記第2半導体層が前記第1半導体を露出させる開口部を有する複数のほぼ球状の光電変換素子、並びに、前記光電変換素子を1個ずつ配置するため複数の孔を有する導電性の支持体からなり、前記光電変換素子がその第2半導体層が前記孔の縁部に電気的かつ物理的に接続され、かつ前記第1半導体の露出部が前記支持体の裏面側に臨んでいる組立体を準備する工程、(b)前記支持体の裏面に半硬化状態の電気絶縁性シートを貼り付ける工程、
(c)前記電気絶縁性シートに、前記第1半導体の露出部の少なくとも一部を露出させる孔を形成する工程、
(d)前記電気絶縁性シートの上に、前記電気絶縁性シートの前記孔と対応する位置に孔を有する金属シートを張り合わせる工程、
(e)前記金属シートおよび電気絶縁性シートの孔に、導電性ペーストを充填する工程、(f)前記導電性ペーストを固化することにより、前記金属シートと前記素子の第1半導体とを電気的に接続する工程、並びに
(h)前記電気絶縁性シートを硬化させる工程、
を含むことを特徴とする。
(a)球状の第1半導体およびその表面を被覆する第2半導体層からなり、前記第2半導体層が前記第1半導体を露出させる開口部を有する複数のほぼ球状の光電変換素子、前記第1半導体の露出部に形成された電極、並びに、前記光電変換素子を1個ずつ配置するための複数の孔を有する導電性の支持体からなり、前記光電変換素子がその第2半導体層が前記孔の縁部に電気的かつ物理的に接続され、かつ前記電極を有する第1半導体の露出部が前記支持体の裏面側に臨んでいる組立体を準備する工程、
(b)前記支持体の裏面に半硬化状態の電気絶縁性シートを貼り付ける工程、
(c)前記電気絶縁性シートに前記電極の少なくとも一部を露出させる孔を形成する工程、
(d)前記電気絶縁性シートの上に、前記電気絶縁性シートの前記孔と対応する位置に孔を有する金属シートを張り合わせる工程、
(e)前記金属シートおよび電気絶縁性シートの孔に、導電性ペーストを充填する工程、(f)前記導電性ペーストを固化することにより、前記金属シートと前記素子の電極とを電気的に接続する工程、並びに
(h)前記電気絶縁性シートを硬化させる工程、
を含むことを特徴とする。
まず、第1の態様の素子は、球状の第1半導体の全表面が第2半導体層で被覆されている。
球状の第1半導体は、例えば、極微量のホウ素を含むp型多結晶Si塊を坩堝内に供給し、不活性ガス雰囲気中で溶融させ、この融液を坩堝底部の微小なノズル孔から滴下させ、その液滴を自然落下中に冷却して固化させることにより、作製することができる。この第1半導体は、多結晶または単結晶のp型半導体である。通常は、その表面を研磨し、さらにエッチングなどにより表面層の約50μmを除去した後、球状の第1半導体として用いる。
光電変換装置の透明導電膜用として検討されてきた。これらの膜は、400〜1000nmと比較的厚いので、Si半導体の表面に形成した場合には12.3%程度の非常に高い反射率を示す。そのため反射防止膜としての機能を十分に果たすことができない。
この導電性接着剤を支持体の凹部の孔の周縁部に塗着する。その塗着方法としては、たとえば転写法がある。支持体の孔に先端部が嵌合するような球面状の転写ピンを、均一な厚さの導電性接着剤層に押しつけて転写ピンの先端に導電性接着剤を付着させ、これを支持体の孔に向けて押しつけることにより、導電性接着剤を支持体の孔の周縁部に、リング状に塗着することができる。
この電気絶縁性シートは、熱硬化性樹脂シ−トまたは熱硬化性樹脂を主体とするシートで、熱硬化性樹脂が半硬化状態(B−状態)にあるものをいう。これらのシートは一般的にプリプレグと呼ばれ、後者のシートには、基材の樹脂シートの両面に半硬化状態の熱硬化性樹脂層を形成したシート、半硬化状態の熱硬化性樹脂に補強用繊維を混合したシート、基材の織布や不織布などに半硬化状態の熱硬化性樹脂を含浸したシートなどがある。
半硬化状態の電気絶縁性シートを支持体に貼り付けるときの温度T1は材料によって異なるが、硬化温度を超えず、樹脂に適度な柔軟性と粘着性が付与される温度、通常は70〜150℃の温度範囲から選ばれる。電気絶縁層に金属シートを張り合わせるときの温度も上記と同様に選択すればよい。半硬化状態の電気絶縁性シートを最終的に硬化させるときの熱処理温度T2は、前記の温度T1より高く、通常は120〜200℃の温度範囲から選ばれる。この熱処理によって半硬化状態の電気絶縁性シートは硬化状態(C−状態)となり、支持体と金属シートとを一体に結合した電気絶縁層が形成される。熱処理温度が200℃を超えると、支持体の凹部内面にAgの反射鏡層が形成されている場合に、その表面が変色することがある。
まず、支持体に固定される光電変換素子の第2半導体層と支持体とを接続する導電性接着剤は、Ag、Al、Cu、Niなどの導電材、バインダー、およびバインダーの溶媒ないし分散媒を含む。バインダーにエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を用いる樹脂型導電性ペースト、またはバインダーに低融点ガラスフリットを用いるガラスフリット型導電性ペーストが好ましい。
光電変換素子の第1半導体の露出部に電極を形成するための導電性ペーストは、樹脂型導電性ペースト、ガラスフリット型導電性ペーストのいずれにおいても、第1半導体がp型の場合はAl、第1半導体がn型の場合はリンもしくはリン化合物を含むものが好ましい。
また、第1半導体を直接に金属シートと接続する導電性ペーストは、前記の電極を形成する導電性ペーストを用いるのが好ましい。第1半導体の電極と金属シートとを接続する導電性ペーストは、特に制限されない。
《参考の形態1》
工程(1)
第1の態様の素子を導電性接着剤により支持体の孔の部分に固定する。この組立体30Aを図4(1)に示す。球状の第1半導体1およびその全表面を被覆する第2半導体層2からなる複数のほぼ球状の光電変換素子10A、並びに、前記光電変換素子を1個ずつ配置するための複数の孔22を有する導電性の支持体20からなり、前記光電変換素子がその第2半導体層が前記孔の縁部に、導電性接着剤24により、電気的かつ物理的に接続され、かつ光電変換素子の一部が前記支持体の裏面側に臨んでいる組立体30Aを準備する。
本工程では、組立体30Aの支持体20の裏面側に位置する部位の光電変換素子の第2半導体層2の少なくとも一部を除去して、第1半導体を露出させる。
具体的には、エッチング、もしくはサンドブラスト、ブラッシングなどの機械的な研磨、またはこれらの手法を併用する方法などにより、第2半導体層(厚さ1μm未満)を含む素子の表面層(厚さ約1〜3μm)を除去する。
質的な損傷を与えることなく、支持体の裏面側の素子の表面層を除去することができる。
前記の工程(2)により第1半導体の一部に露出部3を形成した後、本工程では、支持体の裏面に半硬化状態の電気絶縁性シート40を貼り付ける。
図10に、電気絶縁性シートを支持体の裏面に貼り付ける装置の要部の構成を示す。この装置は、上型60、下型61、および中型68を具備している。上型60は、中央に透孔62を有している。上型60には、熱盤64および緩衝材のゴムシート66がセットされている。下型61は、中央に透孔63を有している。下型61には、熱盤65および緩衝材のゴムシート67がセットされている。このゴムシート67を覆うように、ダイヤフラム69が設けられている。ダイヤフラム69の周縁部は、下型61上に、中型68により固定されている。
矢印のように、空気を吸引するとともに、上型60と下型61とを近づけながら、ダイヤフラムを上方へ加圧し、同時に熱盤64および65を加熱する。この加熱により半硬化状態の電気絶縁性シート40に適度の粘着性が付与され、電気絶縁性シート40は、支持体20の裏面に貼り付けられる。
上記の電気絶縁性シート40の貼り付け操作が終了した後に、セパレータ層43を剥がし、次工程に供する。図4(3)に支持体20の裏面に電気絶縁性シート40を貼り付けた状態を示す。
本工程では、電気絶縁性シート40に、光電変換素子10の第1半導体の露出部3の少なくとも一部を露出させる孔41を形成する(図4(4))。この孔は後の工程で各素子の電極を相互に接続するための導電路となる。
上記の孔を形成するには、レーザ照射により被照射部の電気絶縁性シートの樹脂を分解させて除去する方法が好ましい。
レーザ光照射には例えば50WのYAGレーザを用い、照射時間約0.01秒で、直径約100〜150μmの被照射領域の電気絶縁性シートを除去できる。
本工程では、前工程(4)で形成された孔41の内部の第1半導体の露出部3に電極6を形成する(図4(5))。電極を形成するには、第1半導体の露出面に塗布した導電性ペーストにレーザを照射する方法が好ましい。
本工程では、電気絶縁性シート40の孔41内に形成した電極6を、孔41を導電路として相互に電気的に接続する第1導電体層を形成する。
まず、図4(6)のように電気絶縁性シート40の孔41に導電性ペーストを充填して電極6の表面に導電性ペースト46を塗布する。次いで、この状態の支持体を、図10の装置にセットする。本工程では、支持体20に裏面に貼り付けられ、半硬化状態が維持されている電気絶縁性シート40に金属シート45を軽く圧着して仮止めする。次に、これを、金属シート側を下にしてダイヤフラムの上にのせる。
この変形例は、図4(1)の支持体の裏面に、電気絶縁性シート40を貼り付け、次いで、電気絶縁性シート40に孔41を開ける。次に、この孔内に露出している第2半導体層を除去する。
第2半導体層を除去する方法としてはエッチング法が適している。その理由は、支持体の裏面に接合した電気絶縁性シートによって、支持体表面へのエッチング液の接触が防止され、支持体が侵食されなくなることにある。エッチング液には、例えば、フッ酸と硝酸の混合液を用い、支持体の裏面側のみにエッチング液を約20秒間接触させた後、水洗、乾燥する。これにより、図4(4)と同様に、電気絶縁性シート40の孔41の内部に、第1半導体1の露出部が形成される。この後の工程は、上記と同様である。
本参考の形態では、第2の態様の素子10Bを用いる。まず、素子10Bを支持体20に取り付けた組立体30Bを準備する(図5(1))。
次に、支持体20の裏面に電気絶縁性シート40を貼り付ける(図5(2))。次いで、絶縁性シート40に孔41を開け(図5(3))、孔41内に、導電性ペーストを塗布し、レーザを照射することにより、第1半導体1の露出部に電極6を形成する(図5(4))。孔41内の電極6上に、導電性ペースト46を充填し(図5(5))、金属シート45を接合し、熱処理を施す。こうして図5(6)に示すように、素子10の第1半導体1の電極6が金属シート45に電気的に接続され、かつ金属シート45が熱硬化した絶縁性シート40により支持体20の裏面に一体に接合された光電変換装置が得られる。
本参考の形態は、出発となる組立体30Bの素子10が、既に第1半導体の露出部が形成されている他は、参考の形態1と同様に実施される。
本参考の形態では、第3の態様の素子10Cを用いる。まず、素子10Cを支持体20に取り付けた組立体30Cを準備する(図6(1))。次に、支持体20の裏面に電気絶縁性シート40を貼り付け(図6(2))、シート40に孔41を開け(図6(3))、その孔41に導電性ペースト46を充填し(図6(4))、その後、金属シート45を貼り付け、熱処理をする。これにより、図6(5)に示すように、素子10の第1半導体1の電極6が金属シート45に電気的に接続され、かつ金属シート45が熱硬化した絶縁性 シート40により支持体20の裏面に一体に接合された光電変換装置が得られる。
本参考の形態は、出発となる組立体30Cの素子10が、既に第1半導体の露出部に形成された電極6を備えている他は、参考の形態2と同様に実施される。
組立体30Aを準備し(図7(1))、支持体20の裏面に露出している第2半導体層2を除去することにより、第1半導体の露出部3を形成する(図7(2))。ここまでは、参考の形態1と同様である。次に、第1半導体の露出部3に電極6を形成(図7(3))する。
こうして素子10の第1半導体1の電極6が金属シート45に電気的に接続され、かつ金属シート45が熱硬化した絶縁性シート40により支持体20の裏面に一体に接合された光電変換装置が得られる。
本実施の形態では、参考の形態2および3の変形例を説明する。
すなわち、参考の形態2における図5(4)、および参考の形態3における図6(3)に続く工程の変形例である。図5(4)、および図6(3)に続く工程を図9に示す。
特に、アルミニウム製の金属シートを用いる場合には、その表面に酸化膜が形成され易いため、導電性ペーストと金属シートとの接合界面の電気抵抗が大きくなる場合が多い。これを防止して金属シートと第1半導体もしくは電極とを低抵抗で電気的に接続するためには、アルミニウムシートを基材として、導電性ペーストが接する部位に、導電性が良好な表面層を設けることが好ましい。この表面層は、銀、銅、ニッケル、および錫よりなる群から選ばれた少なくとも一種を含むことが好ましい。表面層はメッキ、スパッタリング又は真空蒸着などで形成することができる。
2 第2半導体層
3 第1半導体の露出部
4 第2半導体層の開口部
5 反射防止膜
6 電極
10、10A、10B、10C 光電変換素子
20 支持体
22 孔
30A、30B、30C 組立体
40 電気絶縁性シート
41 孔
44 孔
45 金属シート
46、47、48 導電性ペースト
Claims (15)
- (a)球状の第1半導体およびその表面を被覆する第2半導体層からなり、前記第2半導体層が前記第1半導体の一部を露出させる開口部を有する複数のほぼ球状の光電変換素子、(b)前記光電変換素子を1個ずつ配置するための複数の孔を有する導電性の支持体であって、前記光電変換素子の第2半導体層を前記孔の縁部に電気的かつ物理的に接続し、かつ前記第1半導体の露出部を裏面側に臨ませている支持体、(c)前記支持体の裏面側に接合されている電気絶縁層、並びに(d)前記電気絶縁層の裏面に接合され、前記電気絶縁層の孔をとおして前記第1半導体と電気的に接続された金属シート、を具備する光電変換装置の製造方法であって、
(1)前記支持体の裏面に前記電気絶縁層を形成するための、半硬化状態の電気絶縁性シートを貼り付ける工程、
(2)前記電気絶縁性シートに金属シートを貼り付ける工程、
(3)前記電気絶縁性シートおよび金属シートにそれぞれ相互に連通し、かつ前記第1半導体が露出する孔を形成する工程、
(4)前記電気絶縁性シートおよび金属シートの孔に導電性ペーストを充填する工程、
(5)前記導電性ペーストを固化することにより、前記金属シートと前記素子の第1半導体とを電気的に接続する工程、並びに
(6)前記電気絶縁性シートを硬化させて、前記支持体と前記金属シートとを一体に結合した電気絶縁層を形成する工程、
を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - (a)球状の第1半導体およびその全表面を被覆する第2半導体層からなる複数のほぼ球状の光電変換素子、並びに、前記光電変換素子を1個ずつ配置するための複数の孔を有する導電性の支持体からなり、前記光電変換素子がその第2半導体層が前記孔の縁部に電気的かつ物理的に接続され、かつ光電変換素子の一部が前記支持体の裏面側に臨んでいる組立体を準備する工程、
(b)前記支持体の裏面側に露出している第2半導体層の少なくとも一部を除去することにより、前記第1半導体の一部を露出させる開口部を形成する工程、
(c)前記支持体の裏面に半硬化状態の電気絶縁性シートを貼り付ける工程、
(d)前記電気絶縁性シートに、前記第1半導体の露出部の少なくとも一部を露出させる孔を形成する工程、
(e)前記電気絶縁性シートの上に、前記電気絶縁性シートの前記孔と対応する位置に孔を有する金属シートを張り合わせる工程、
(f)前記金属シートおよび電気絶縁性シートの孔に、導電性ペーストを充填する工程、(g)前記導電性ペーストを固化することにより、前記金属シートと前記素子の第1半導体とを電気的に接続する工程、並びに
(h)前記電気絶縁性シートを硬化させる工程、
を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - (a)球状の第1半導体およびその全表面を被覆する第2半導体層からなる複数のほぼ球状の光電変換素子、並びに、前記光電変換素子を1個ずつ配置するための複数の孔を有する導電性の支持体からなり、前記光電変換素子がその第2半導体層が前記孔の縁部に電気的かつ物理的に接続され、かつ光電変換素子の一部が前記支持体の裏面側に臨んでいる組立体を準備する工程、
(b)前記支持体の裏面に半硬化状態の電気絶縁性シートを貼り付ける工程、
(c)前記電気絶縁性シートに、前記光電変換素子の一部を露出させる孔を形成する工程、
(d)前記電気絶縁性シートの孔に露出している第2半導体層の少なくとも一部を除去することにより、前記第1半導体の一部を露出させる開口部を形成する工程、
(e)前記電気絶縁性シートの上に、前記電気絶縁性シートの前記孔と対応する位置に孔を有する金属シートを張り合わせる工程、
(f)前記金属シートおよび電気絶縁性シートの孔に、導電性ペーストを充填する工程、(g)前記導電性ペーストを固化することにより、前記金属シートと前記素子の第1半導体とを電気的に接続する工程、並びに
(h)前記電気絶縁性シートを硬化させる工程、
を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - (a)球状の第1半導体およびその表面を被覆する第2半導体層からなり、前記第2半導体層が前記第1半導体を露出させる開口部を有する複数のほぼ球状の光電変換素子、並びに、前記光電変換素子を1個ずつ配置するため複数の孔を有する導電性の支持体からな
り、前記光電変換素子がその第2半導体層が前記孔の縁部に電気的かつ物理的に接続され、かつ前記第1半導体の露出部が前記支持体の裏面側に臨んでいる組立体を準備する工程、
(b)前記支持体の裏面に半硬化状態の電気絶縁性シートを貼り付ける工程、
(c)前記電気絶縁性シートに、前記第1半導体の露出部の少なくとも一部を露出させる孔を形成する工程、
(d)前記電気絶縁性シートの上に、前記電気絶縁性シートの前記孔と対応する位置に孔を有する金属シートを張り合わせる工程、
(e)前記金属シートおよび電気絶縁性シートの孔に、導電性ペーストを充填する工程、(f)前記導電性ペーストを固化することにより、前記金属シートと前記素子の第1半導体とを電気的に接続する工程、並びに
(h)前記電気絶縁性シートを硬化させる工程、
を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - (a)球状の第1半導体およびその表面を被覆する第2半導体層からなり、前記第2半導体層が前記第1半導体を露出させる開口部を有する複数のほぼ球状の光電変換素子、前記第1半導体の露出部に形成された電極、並びに、前記光電変換素子を1個ずつ配置するための複数の孔を有する導電性の支持体からなり、前記光電変換素子がその第2半導体層が前記孔の縁部に電気的かつ物理的に接続され、かつ前記電極を有する第1半導体の露出部が前記支持体の裏面側に臨んでいる組立体を準備する工程、
(b)前記支持体の裏面に半硬化状態の電気絶縁性シートを貼り付ける工程、
(c)前記電気絶縁性シートに前記電極の少なくとも一部を露出させる孔を形成する工程、
(d)前記電気絶縁性シートの上に、前記電気絶縁性シートの前記孔と対応する位置に孔を有する金属シートを張り合わせる工程、
(e)前記金属シートおよび電気絶縁性シートの孔に、導電性ペーストを充填する工程、(f)前記導電性ペーストを固化することにより、前記金属シートと前記素子の電極とを電気的に接続する工程、並びに
(h)前記電気絶縁性シートを硬化させる工程、
を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 前記工程(3)の前に、電気絶縁性シートと金属シートを予め一体に張り合わせて前記絶縁性シート側を前記支持体の裏面に貼り付けることにより、前記工程(1)および前記工程(2)を同時に実施する請求項1に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記支持体が、前記孔を底部に有する凹部を隣接して表面に有し、前記凹部の内面に反射鏡層を有する請求項1〜6のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記光電変換素子が、その第2半導体層が導電性接着剤により前記孔の縁部に電気的かつ物理的に接続されている請求項1〜6のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記金属シートおよび電気絶縁性シートの孔に、導電性ペーストを充填する工程に先立って、前記光電変換素子の第1半導体の露出部に、導電性ペーストを塗着する工程、および前記導電性ペーストを熱処理して電極を形成する工程を含む請求項1〜6のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記半硬化状態の電気絶縁性シートが、半硬化状態の熱硬化性樹脂からなるシートである請求項1〜9のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記半硬化状態の電気絶縁性シートが、基材の樹脂シートの両面に半硬化状態の熱硬化性樹脂層を形成したシートである請求項1〜10のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記光電変換素子が、前記第2半導体層の表面を被覆する反射防止膜を有する請求項1〜11のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記光電変換素子は、その主材料がシリコンである請求項1〜12のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記支持体の裏面に半硬化状態の電気絶縁性シートを貼り付けるときの温度T1が、70〜150℃の範囲から選ばれた温度であり、前記電気絶縁性シートを硬化させるときの温度T2が、前記T1より高く、かつ120〜200℃の範囲から選ばれた温度である請求項1〜13のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記支持体および前記金属シートのそれぞれの基材がアルミニウムであり、前記金属シートの前記金属シートおよび電気絶縁層の孔に充填された導電性ペーストが接する部位に、銀、銅、ニッケル、および錫からなる群より選ばれた少なくとも一種を含む表面層を有する請求項1〜6のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
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