JPH0520914B2 - - Google Patents

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JPH0520914B2
JPH0520914B2 JP62503286A JP50328687A JPH0520914B2 JP H0520914 B2 JPH0520914 B2 JP H0520914B2 JP 62503286 A JP62503286 A JP 62503286A JP 50328687 A JP50328687 A JP 50328687A JP H0520914 B2 JPH0520914 B2 JP H0520914B2
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Spectrolab Inc
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    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Description

請求の範囲 １ 太陽セルの背面コンタクトの下側に不純物ド
ープ領域を形成する方法において、 ほぼ平行な主表面および主背面を有する半導体
材料のｐ型ウエハを形成し、 主表面と主背面との間にn+−ｐ接合を形成す
るように前記ウエハの主表面からウエハ内にn+
層を形成し、 ほぼ平行な主表面と主背面との間の前記n+−
ｐ接合と主背面との間にp+−ｐ接合を形成する
ように前記ウエハの主背面からウエハ内にp+層
を形成してp+−ｐ接合とn+−ｐ接合との間に挟
まれたｐ型層領域を形成し、 前記主背面にほぼ平行な露出主面を有する非導
電層を前記主背面上に付着させ、 予め定められたパターンでアルニウムを含む金
属ペーストを前記非導電層の露出主面上に付着さ
せ、 ウエハおよび金属ペーストを予め定められた温
度まで加熱して金属ペースト中のアルミニウムを
前記非導電層との接触によつて酸化させて金属ペ
ーストの下に位置する前記非導電層の部分を減少
させ、ペースト中の酸化されずに残つた金属によ
り加熱温度、加熱時間、および使用されるアルミ
ニウムを含む金属ペーストの量により定められた
深さまで金属ペーストの下に位置する前記p+層
およびｐ型層の一部を溶融させて合金領域を形成
し、 ウエハを冷却してウエハの主背面からウエハ中
に予め定められた深さまで延在する前記アルミニ
ウムを含む金属ペーストのパターンにしたがつた
パターンのp+型の不純物ドープ領域を形成する
ことを特徴とする不純物ドープ領域の形成方法。
２ 前記金属ペーストは、直径約2.0乃至10マイ
クロメータの金属微粒子から成る請求項１記載の
方法。
３ 前記ウエハおよび金属ペーストは、約680℃
乃至約1000℃の温度になるまで加熱される請求項
１記載の方法。
４ 前記ウエハの主背面下で形成された前記p+
層は、約0.05乃至0.3ミクロンの厚さである請求
項１記載の方法。
５ 前記p+層は、前記ウエハの主背面下から約
３乃至約15マイクロメータの深さまで延在する請
求項１記載の方法。
６ 前記非導電層は、酸化物である請求項１記載
の方法。
７ 前記非導電層は、シリコン酸化物である請求
項６記載の方法。
８ 前記非導電層は、シリコン窒化物である請求
項１記載の方法。
９ 前記アルミニウムを含む金属ペーストの前記
付着は、この金属ペーストを前記非導電層の露出
主面上に予め定められたパターンでスクリーン印
刷することによつて行われる請求項１記載の方
法。
１０ 太陽セルの背面コンタクトの下側に不純物
ドープ領域を形成する方法において、 ほぼ平行な主表面および主背面を有するシリコ
ンのｐ型ウエハを形成し、 主表面と主背面との間にn+−ｐ接合を形成す
るように前記ウエハの主表面からウエハ内にn+
層を形成し、 前記ウエハを予め定められた期間ｐ型不純物の
存在下に予め定められた温度に維持して主背面か
らウエハ内にp+層を形成すると共にこのp+層と
前記n+層との間に挟まれたｐ型層領域を形成し、 前記主背面にほぼ平行な露出主面を有する非導
電層を前記主背面上に付着させ、 溶媒中にアルミニウムを含む金属微粒子を懸濁
させた金属ペーストを前記非導電層の露出主面上
に予め定められたパターンでスクリーン印刷し、 ウエハおよびアルミニウムを含む金属ペースト
を予め定められた温度に加熱して金属ペーストの
アルミニウムを前記非導電層との接触によつて酸
化させ金属ペーストパターンの下に位置する前記
非導電層の部分を減少させ、ペースト中の酸化さ
れずに残つた金属により加熱温度、加熱時間、お
よび使用されるアルミニウムを含む金属ペースト
の量により定められた深さまで金属ペーストの下
に位置する前記p+層およびｐ型層の一部を溶融
させて合金領域を形成し、 ウエハを冷却してウエハの主背面から前記ｐ型
層領域中に予め定められた深さまで延在する前記
金属ペーストのパターンにしたがつたパターンの
p+の不純物ドープ領域を形成し、 上記工程中に形成された酸化物および過剰な金
属を除去して前記非導電層の露出主面から前記
p+型の不純物ドープ領域まで延在する開口を有
する非導電層を残し、 導電材料を前記非導電層の露出主面に付着させ
てこの導電材料を前記p+型不純物ドープ領域に
電気的に接続させることを特徴とする不純物ドー
プ領域の形成方法。
１１ 前記金属ペーストは、直径約2.0乃至10マ
イクロメータの金属微粒子から成る請求項１０記
載の方法。
１２ 前記ウエハおよび金属ペーストは約680℃
乃至約1000℃の温度まで加熱される請求項１０記
載の方法。
１３ 主背面下で形成された前記p+層は、約0.05
乃至0.3ミクロンの厚さである請求項１０記載の
方法。
１４ 前記p+型不純物ドープ領域は、ウエハの
主背面から約３乃至約15マイクロメータの深さま
で前記ウエハ中に延在する請求項１２記載の方
法。
１５ 前記非導電層は酸化物である請求項１０記
載の方法。
１６ 前記非導電層はシリコン酸化物である請求
項１５記載の方法。
１７ 前記非導電層はシリコン窒化物である請求
項１０記載の方法。
１８ 前記アルミニウムを含む金属ペーストの予
め定められたパターンは、非導電層の露出主面の
１％以下を被覆する点状形状である請求項１０記
載の方法。
１９ 前記アルミニウムを含む金属ペーストの予
め定められたパターンは、線状形状である請求項
１０記載の方法。
［発明の技術分野］ 本発明は一般に太陽セル、特に保護層を太陽セ
ルウエハ背面に設ける方法および保護層を通して
のセルの背面における選択領域に濃密ドーピング
を適用する方法に関する。
［関連技術］ 従来の太陽セルは、ｎ型とｐ型のドープ不純物
領域の相互に結合しているｎ−ｐ接合と、受光主
面（エミツタ）および主背面（バルク）とを有す
る半導体材料から成る。光エネルギーがセルの受
光表面上に当ると、電子およびそれと対応するホ
ールがエミツタとバルクの両方において形成され
る。主にｎ−ｐ接合存在のために電子はセルの主
面の１つに導入され、ホールは別の主面へ向い、
光電流密度を生じる。典型的なｎ−ｐ接合太陽セ
ルにおいて、電子はセルの受光表面に、ホールは
背面に移動する。電気コンタクトは、一方のコン
タクトに電子を別のコンタクトにホールを収集す
るために太陽セル半導体材料の表面および背面に
結合される。目的は再結合する前にできる限り多
くの電子およびホールを収集し、最も高い光電流
密度を得ることである。
しかしながら主背面の方向に導びかれた電子の
一部分は背面近くで再結合し、したがつて光電流
密度に寄与しない。背面におけるこのキヤリアの
再結合を減じるために背面フイールドセルが開発
された。このセルでは太陽セルの背面中にp+不
純物ドープ層が拡散される。しかし効果的に背面
再結合を減じるためにはこの層が厚くなければな
らない。背面キヤリア再結合を減じるために使用
される他の技術は、バツクコンタクトを不動態化
するために薄い酸化層をセルの背面に設けるもの
である。キヤリアは、この酸化層を通つて後の電
子コンタクトに達しなくてはならない。
米国特許第4395583号明細書において、不動態
化された背面セルと背面フイールドセルとを結合
する太陽セルが示されている。太陽セルの背面
は、ｐ型の層中に拡散されたp+層を設けられて
いる。p+層の選択された領域はエツチングされ
て除去され、酸化層は露出されたp+層のエツチ
ングされない区域の表面領域を残しながらこれら
の選択された領域に設けられている。金属はこれ
らの露出p+領域に結合するように背面上に設置
されている。しかしながらエツチングが必要なた
めにかなりコスト高となり、その製造方法は複雑
になる。さらに背面キヤリア再結合により熱成長
酸化物のような高品質の酸化層は薄いp+層のた
めに0.3マイクロメータ以下に制限されてしまう。
［発明の要約］ 本発明の目的は、背面フイールド効果および不
動態効果を有する太陽セル製造の信頼でき、費用
効果性のある方法を提供することである。
さらに本発明の目的は、改善された背面再結合
特性を有する太陽セルを製造する方法を提供する
ことである。
本発明による太陽セルの背面コタクトの下側に
不純物ドープ領域を形成する方法は、ほぼ平行な
主表面および主背面を有する半導体材料のｐ型ウ
エハを形成し、主表面と主背面との間にn+−ｐ
接合を形成するように前記ウエハの主表面からウ
エハ内にn+層を形成し、ほぼ平行な主表面と主
背面との間の前記n+−ｐ接合と主背面との間に
p+−ｐ接合を形成するようにウエハの主背面か
らウエハ内にp+層を形成してp+−ｐ接合とn+−
ｐ接合とを間に挟まれたｐ型層領域を形成し、主
背面にほぼ平行な露出主面を有する非導電層を前
記主背面上に付着させ、予め定められたパターン
でアルニウムを含む金属ペーストを非導電層の露
出主面上に付着させ、ウエハおよび金属ペースト
を予め定められた温度まで加熱して金属ペースト
中のアルミニウムを前記非導電層との接触によつ
て酸化させて金属ペーストの下の位置する前記非
導電層の部分を減少させ、ペースト中の酸化され
ずに残つた金属により加熱温度、加熱時間、およ
び使用されるアルミニウムを含む金属ペーストの
量により定められた深さまで金属ペーストの下に
位置する前記p+層およびｐ型層の一部を溶融さ
せて合金領域を形成し、ウエハを冷却してウエハ
の背面からウエハ中に予め定められた深さまで延
在する前記アルミニウムを含む金属ペーストのパ
ターンにしがつたパターンのp+型の不純物ドー
プ領域を形成することを特徴とする。
過剰なアルミニウムまたは酸化物は背面から除
去され、非導電層の露出表面からp+型の不純物
ドープ領域まで延在する開口を有する非導電層を
形成し、この非導電層の露出表面に導電材料を付
着させてこの導電材料をp+不純物ドープ領域に
電気的に接続させて電気接続が形成される。
本発明のその他の目的、効果性および特徴は、
添付図面と以下の詳細な本発明の好ましい実施例
の説明から容易に明らかになる。
【図面の簡単な説明】
第１ａ乃至第１ｈ図は、本発明による低背面再
結合太陽セルを製造するための好ましい製造工程
であり、 第２ａおよび第２ｂ図は、第１ｄ図に示された
段階における太陽セル背面の平面図であり、 第３ａ図および第３ｂ図は、第１ｈ図により示
された段階において設けられた金属被覆を有する
太陽セル背面の平面図である。
［好ましい実施例］ 大きな特質を有する第１ａ図を参照すると、例
えば本質的に平行な主表面１１および主背面１２
をそれぞれ備えたシリコンのような半導体材料の
ウエハ１０が示されている。ウエハ１０は最初に
一定のｐ型の導電性を有するのに十分な濃度の不
純物を含んでいる。
第１ｂ図において、一定の浅い位置のn+−ｐ
接合１３をn+層１４とｐ型層１５との間に形成
するためにウエハ１０の主表面１１中に拡散され
たｎ型不純物が示されている。表面１１中に拡散
されたｎ型不純物は、例えばリンでもよい。太陽
装置を製造するためにウエハ１０においてn+−
ｐ接合１３を形成するｎ型不純物を拡散する処理
技術はよく知られており、例えばここで参照され
ている文献（“Semicondutors and Semimetals”
Vol.11、Solar Cells、1975年）に示されている。
第１ｃ図に示されているように、薄いp+層１
８はウエハの主背面１２中に拡散される。この薄
いp+層１８は前記のようにn+−ｐ接合１３が形
成される前または後に形成されてよい。p+層１
８はホウ素、アルミニウムまたはガリウムのよう
などのｐ型ドーパントによつて製造されることが
でき、ドーパントを供給する方法は液体、固体ま
たは気体状の供給源を使用する電子ビームまたは
加熱蒸発により可能である。ドーパントまたはイ
オンビーム源を使用して注入されることができ
る。ｐ型ドーパントはレーザ、赤外線源または加
熱源を使用して加熱により背面中に拡散されるこ
とができる。コスト効果的で信頼できる薄いp+
層１８の製造方法は、ここに参照されている文献
（Low Alpha、Boron BSF Solar Cell”17th
IEEE Photovoltaic Specialists Conference138
（1984））において明かにされている。0.05乃至
0.3ミクロンの薄いp+層１８が望ましい。
第１ｄ図においてウエハ１０の主背面１２上に
付着された非導電層２０が示されており、これに
より後の段階で薄いp+層から金属被覆を保護す
る。この非導電層２０はシリコン酸化物またはシ
リコン窒化物またはその他低品質酸化物を使用し
て形成されてよく、0.05乃至0.3ミクロンの厚さ
でよい。例えば文献（“Thin Film Processes”、
1978年）のように非導電層を設ける周知の方法は
複数ある。（後に供給される）金属被覆から薄い
p+層１８を不動態化する好ましい方法は、例え
ば約0.05乃至0.3ミクロンの厚さの層２０を約400
℃乃至約600℃の温度で形成するためにシリコン
酸化物の低圧化学気化物質を主背面１２上に付着
する方法である。
第１ｅ図において非導電層２０の露出面２１に
スキージ（sqeegee）を使用してパターン化され
たスクリーンを通して供給された金属ペースト２
５が示されている。金属ペースト２５のパターン
は第２ａ図において示された点５０の形状および
第２ｂ図において示された線５１の形状か、また
は直列抵抗を増加することなく背面金属の接触領
域を減少させるその他の予め定められたパターン
でもよい。点５０または線５１は、表面再結合速
度を低下させるために露出面２１の１％以下を被
覆するとよい。金属ペーストは、媒体中に浮遊す
る直径約2.0乃至10マイクロメータの高いアルミ
ニウム微粒子から構成されてよい。約68％のアル
ミニウムパウダー、約29％の媒体および約３％の
ブチルカルビトールアセテートの組成が優れた金
属印刷ペーストを提供することが明らかになつ
た。金属ペーストの粘度はブルカルビトールアセ
テートの量を増減することによつて変化できる。
また約44.3％のアルフアテルピノール、約44.3％
のブチルカルビトールアセテート、約9.9％のエ
チルセルローズおよび約1.5％のチクサトールST
の媒体組成は優れた結果をもたらすことが分つ
た。添加の後、金属ペースト２５は例えば約150
℃乃至約400℃でオーブン中で乾燥される。
それから金属ペースト２５およびウエハ１０
は、一般に約680℃から約1000℃に及び高温で加
熱される。媒体中を浮遊するアルミニウム微粒子
から構成された金属ペーストを使用して、例示の
ようにアルミニウム微粒子はこの高温で容積に対
する面積の比が高いために急速に酸化され、金属
ペーストパターン２５の下の非導電層２０の一部
分を減少させる。その結果生じた酸化物は面の方
向に移動し、一方残りのアルニウム粒子はp+層
１８に溶け出す。この残留アルミニウム金属は
p+層１８中に溶け出し、p+層の部分と合金し、
ｐ型の層１５中に突出して、約３乃至15マイクロ
メータの距離までｐ型の層１５の選択された区域
中に溶け出して合金する。それからウエハ１０は
冷却され、アルミニウムおよび半導体材料は、第
１ｆ図に示されるようにウエハ中において高ドー
プp+領域３０を形成するように合金される。第
１ａ図乃至第１ｈ図は実際のスケールでは示され
ていない。
アルミニウムおよび酸化物３５の過剰な付着物
は、50％の塩化水素溶液の中でウエハを煮沸する
ことによつて、合金されていない酸化層２０に影
響を及ぼすことなく除去される。第１ｇ図はこの
段階における装置を示し、高ドープp+領域３０
の上方の層２０においてそれらの露出面領域４０
および開口３６を有するこれら領域３０を示して
いる。
第１ｈ図はセルの背面２１に設けられた金属被
覆４５を示す。金属を設ける前に、その背面は清
掃される。一般的にアルミニウム、チタン、パラ
ジウムおよび銀はセルコンタクトを形成するため
に背面２１上で蒸着される。コンタクトは、第３
ａ図に示されるようにセルの背面全体５５または
第３ｂ図に示されるグリツド製造５６のようなセ
ルの特定部分だけを被覆することができる。金属
被覆４５の部分は、非導電層２０における開口を
通る表面区域４０でp+ドープ不純物領域３０と
電気的な接触をする。金属金属被覆は、高ドープ
p+表面区域４０とのオームコンタクトを形成す
るために加熱処理される。金属被覆はまたセルの
前面にも設けられる。
完成した製品は、高い効率および定背面再結合
速度を具備した太陽セルとなり、これは安価な材
料により確実で簡単化された集積処理シーケンス
で製造されることができる。
本発明は特定の１実施例を図示および説明して
いる。しかしながら本発明の関連分野における技
術者に明らかな種々の変更および修正は、本発明
の技術的範囲から逸脱することなく行われるもの
である。
JP62503286A 1986-06-16 1987-05-11 低背面再結合太陽電池製造用ドライブスルードーピング方法 Granted JPS63503497A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US875,028 1986-06-16
US06/875,028 US4703553A (en) 1986-06-16 1986-06-16 Drive through doping process for manufacturing low back surface recombination solar cells

Publications (2)

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JPS63503497A JPS63503497A (ja) 1988-12-15
JPH0520914B2 true JPH0520914B2 (ja) 1993-03-22

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ID=25365075

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62503286A Granted JPS63503497A (ja) 1986-06-16 1987-05-11 低背面再結合太陽電池製造用ドライブスルードーピング方法

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US (1) US4703553A (ja)
EP (1) EP0270603A1 (ja)
JP (1) JPS63503497A (ja)
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Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62234379A (ja) * 1986-04-04 1987-10-14 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 半導体装置
DE3815512C2 (de) * 1988-05-06 1994-07-28 Deutsche Aerospace Solarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5011565A (en) * 1989-12-06 1991-04-30 Mobil Solar Energy Corporation Dotted contact solar cell and method of making same
NL9000972A (nl) * 1990-04-24 1991-11-18 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een silicium lichaam met een n-type toplaag en een daaraan grenzende, hoger gedoteerde n-type basislaag.
US5215599A (en) * 1991-05-03 1993-06-01 Electric Power Research Institute Advanced solar cell
US5538564A (en) * 1994-03-18 1996-07-23 Regents Of The University Of California Three dimensional amorphous silicon/microcrystalline silicon solar cells
CA2232857C (en) * 1995-10-05 2003-05-13 Jalal Salami Structure and fabrication process for self-aligned locally deep-diffused emitter (salde) solar cell
AUPP437598A0 (en) * 1998-06-29 1998-07-23 Unisearch Limited A self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell
US8664030B2 (en) 1999-03-30 2014-03-04 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US6552405B2 (en) * 2000-07-27 2003-04-22 Kyocera Corporation Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
DE10239845C1 (de) 2002-08-29 2003-12-24 Day4 Energy Inc Elektrode für fotovoltaische Zellen, fotovoltaische Zelle und fotovoltaischer Modul
JP4549655B2 (ja) * 2003-11-18 2010-09-22 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 機能性塗料
US7790574B2 (en) 2004-12-20 2010-09-07 Georgia Tech Research Corporation Boron diffusion in silicon devices
FR2881879B1 (fr) * 2005-02-08 2007-03-09 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation de contacts metal/semi-conducteur a travers un dielectrique.
EP1763086A1 (en) * 2005-09-09 2007-03-14 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Photovoltaic cell with thick silicon oxide and silicon nitride passivation and fabrication method
US20070144577A1 (en) * 2005-12-23 2007-06-28 Rubin George L Solar cell with physically separated distributed electrical contacts
US8076570B2 (en) * 2006-03-20 2011-12-13 Ferro Corporation Aluminum-boron solar cell contacts
US8575474B2 (en) * 2006-03-20 2013-11-05 Heracus Precious Metals North America Conshohocken LLC Solar cell contacts containing aluminum and at least one of boron, titanium, nickel, tin, silver, gallium, zinc, indium and copper
US9006563B2 (en) 2006-04-13 2015-04-14 Solannex, Inc. Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9236512B2 (en) 2006-04-13 2016-01-12 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8822810B2 (en) 2006-04-13 2014-09-02 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US9865758B2 (en) 2006-04-13 2018-01-09 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8729385B2 (en) 2006-04-13 2014-05-20 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US8884155B2 (en) 2006-04-13 2014-11-11 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US20080092944A1 (en) * 2006-10-16 2008-04-24 Leonid Rubin Semiconductor structure and process for forming ohmic connections to a semiconductor structure
EP2122691A4 (en) 2007-02-16 2011-02-16 Nanogram Corp SOLAR CELL STRUCTURES, PV MODULES AND CORRESPONDING METHODS
US7993700B2 (en) * 2007-03-01 2011-08-09 Applied Materials, Inc. Silicon nitride passivation for a solar cell
DE102007012277A1 (de) 2007-03-08 2008-09-11 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle sowie damit hergestellte Solarzelle
CN101663711B (zh) * 2007-04-25 2013-02-27 费罗公司 含银和镍或银和镍合金的厚膜导体配方及由其制成的太阳能电池
US20100275982A1 (en) * 2007-09-04 2010-11-04 Malcolm Abbott Group iv nanoparticle junctions and devices therefrom
WO2009094564A2 (en) * 2008-01-24 2009-07-30 Applied Materials, Inc. Point contacts for polysilicon emitter solar cell
US20090250108A1 (en) * 2008-04-02 2009-10-08 Applied Materials, Inc. Silicon carbide for crystalline silicon solar cell surface passivation
DE102008017312B4 (de) * 2008-04-04 2012-11-22 Universität Stuttgart Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle
DE102008028104A1 (de) * 2008-06-13 2009-12-24 Deutsche Cell Gmbh Metallisierungsverfahren für Solarzellen
AU2008359970A1 (en) 2008-07-28 2010-02-04 Day4 Energy Inc. Crystalline silicon PV cell with selective emitter produced with low temperature precision etch back and passivation process
TWI423462B (zh) * 2008-10-22 2014-01-11 Ind Tech Res Inst 矽晶太陽電池之背面電極製造方法
GB0820684D0 (en) * 2008-11-12 2008-12-17 Silicon Cpv Plc Photovoltaic solar cells
DE102008037613A1 (de) * 2008-11-28 2010-06-02 Schott Solar Ag Verfahren zur Herstellung eines Metallkontakts
US8207443B2 (en) * 2009-01-27 2012-06-26 Applied Materials, Inc. Point contacts for polysilicon emitter solar cell
US20100294349A1 (en) * 2009-05-20 2010-11-25 Uma Srinivasan Back contact solar cells with effective and efficient designs and corresponding patterning processes
US20100294352A1 (en) * 2009-05-20 2010-11-25 Uma Srinivasan Metal patterning for electrically conductive structures based on alloy formation
DE102009038141A1 (de) * 2009-08-13 2011-02-17 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur Herstellung einer Emitter-Elektrode auf eine kristalline Siliziumsolarzelle und entsprechende Siliziumsolarzelle
US8614115B2 (en) * 2009-10-30 2013-12-24 International Business Machines Corporation Photovoltaic solar cell device manufacture
DE102009044823A1 (de) * 2009-12-08 2011-06-09 Q-Cells Se Verfahren zur Herstellung von Solarzellen und Verfahren zur Herstellung von Solarmodulen
FR2953999B1 (fr) * 2009-12-14 2012-01-20 Total Sa Cellule photovoltaique heterojonction a contact arriere
EP2339648A1 (en) * 2009-12-23 2011-06-29 Applied Materials, Inc. Enhanced passivation layer for wafer based solar cells, method and system for manufacturing thereof
US8852994B2 (en) 2010-05-24 2014-10-07 Masimo Semiconductor, Inc. Method of fabricating bifacial tandem solar cells
WO2011157420A2 (de) * 2010-06-18 2011-12-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur herstellung einer metallischen kontaktstruktur einer photovoltaischen solarzelle
DE102010024307A1 (de) * 2010-06-18 2011-12-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer metallischen Kontaktstruktur einer photovoltaischen Solarzelle
US9461186B2 (en) 2010-07-15 2016-10-04 First Solar, Inc. Back contact for a photovoltaic module
US8912083B2 (en) 2011-01-31 2014-12-16 Nanogram Corporation Silicon substrates with doped surface contacts formed from doped silicon inks and corresponding processes
DE102011075352A1 (de) * 2011-05-05 2012-11-08 Solarworld Innovations Gmbh Verfahren zum Rückseitenkontaktieren einer Silizium-Solarzelle und Silizium-Solarzelle mit einer solchen Rückseitenkontaktierung
CN102891189B (zh) * 2011-07-22 2015-07-01 茂迪股份有限公司 具有连续背电场层的太阳能电池及其制造方法
DE202012004369U1 (de) * 2012-04-30 2012-05-14 Solarworld Innovations Gmbh Photovoltaikmodul
DE102012216580A1 (de) * 2012-09-17 2014-05-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Erzeugen mindestens eines Dotierkanals in einer Halbleiterschicht und photovoltaische Solarzelle, umfassend mindestens einen Dotierkanal
CN103117312A (zh) * 2013-02-25 2013-05-22 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法
TW201503393A (zh) * 2013-07-15 2015-01-16 Motech Ind Inc 太陽能電池、其模組及其製造方法
GB2531097A (en) * 2014-05-31 2016-04-13 Gm Global Tech Operations Llc Method for treating plate
DE102017105465A1 (de) * 2017-03-15 2018-09-20 Hanwha Q Cells Gmbh Solarzellenherstellungsverfahren

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3903427A (en) * 1973-12-28 1975-09-02 Hughes Aircraft Co Solar cell connections
US3988167A (en) * 1975-03-07 1976-10-26 Rca Corporation Solar cell device having improved efficiency
US3990097A (en) * 1975-09-18 1976-11-02 Solarex Corporation Silicon solar energy cell having improved back contact and method forming same
US4106047A (en) * 1977-03-28 1978-08-08 Joseph Lindmayer Solar cell with discontinuous junction
US4165241A (en) * 1977-06-08 1979-08-21 Atlantic Richfield Company Solar cell with improved printed contact and method of making the same
US4163678A (en) * 1978-06-30 1979-08-07 Nasa Solar cell with improved N-region contact and method of forming the same
US4234352A (en) * 1978-07-26 1980-11-18 Electric Power Research Institute, Inc. Thermophotovoltaic converter and cell for use therein
US4253881A (en) * 1978-10-23 1981-03-03 Rudolf Hezel Solar cells composed of semiconductive materials
US4278831A (en) * 1979-04-27 1981-07-14 The Boeing Company Process for fabricating solar cells and the product produced thereby
US4395583A (en) * 1980-04-30 1983-07-26 Communications Satellite Corporation Optimized back contact for solar cells
FR2505556B1 (fr) * 1981-05-11 1986-07-25 Labo Electronique Physique Procede de fabrication de cellules solaires en silicium et cellules solaires ainsi obtenues
JPS58157175A (ja) * 1982-03-15 1983-09-19 Hitachi Ltd 太陽電池素子
JPS5932179A (ja) * 1982-08-18 1984-02-21 Hoxan Corp 太陽電池の製造方法
US4602120A (en) * 1983-11-25 1986-07-22 Atlantic Richfield Company Solar cell manufacture

Also Published As

Publication number Publication date
EP0270603A1 (en) 1988-06-15
US4703553A (en) 1987-11-03
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WO1987007766A1 (en) 1987-12-17

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