JPH04348569A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPH04348569A JPH04348569A JP3121122A JP12112291A JPH04348569A JP H04348569 A JPH04348569 A JP H04348569A JP 3121122 A JP3121122 A JP 3121122A JP 12112291 A JP12112291 A JP 12112291A JP H04348569 A JPH04348569 A JP H04348569A
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Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽電池の製造方法に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】単結晶や多結晶シリコン基板を用いた太
陽電池は、特開昭５８−２２０４７７号公報等により既
に知られており、表面にｎ型層が形成されたｐ型シリコ
ンウエハと、上記ｎ型層上に部分的に、例えば格子状に
形成された金属電極と、上記金属電極の形成部以外のｎ
型層表面を被覆する反射防止膜とを備えている。
陽電池は、特開昭５８−２２０４７７号公報等により既
に知られており、表面にｎ型層が形成されたｐ型シリコ
ンウエハと、上記ｎ型層上に部分的に、例えば格子状に
形成された金属電極と、上記金属電極の形成部以外のｎ
型層表面を被覆する反射防止膜とを備えている。
【０００３】このような太陽電池においては、通常、反
射防止膜の電気抵抗が非常に高いため、金属電極を形成
後に反射防止膜を形成している。
射防止膜の電気抵抗が非常に高いため、金属電極を形成
後に反射防止膜を形成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、金属電極の形
成後に反射防止膜を形成するには、金属電極表面をマス
クにて被覆しておく、あるいは、金属電極の表面を含ん
で反射防止膜を形成した後、金属電極の表面の反射防止
膜をエッチング処理により除去する等の複雑な処理が必
要となり、作業性がよくない。
成後に反射防止膜を形成するには、金属電極表面をマス
クにて被覆しておく、あるいは、金属電極の表面を含ん
で反射防止膜を形成した後、金属電極の表面の反射防止
膜をエッチング処理により除去する等の複雑な処理が必
要となり、作業性がよくない。
【０００５】また、金属電極の形成後、この表面には、
リード線との接続の容易性、耐候性及び信頼性の向上の
ために、通常半田層が被覆形成されるが、反射防止膜の
形成に際して半田層の溶融温度である約１８０℃を越え
ることは許されず、反射防止膜の材料及び形成条件に制
約が生じ、十分な特性の反射防止膜を形成することがで
きない。
リード線との接続の容易性、耐候性及び信頼性の向上の
ために、通常半田層が被覆形成されるが、反射防止膜の
形成に際して半田層の溶融温度である約１８０℃を越え
ることは許されず、反射防止膜の材料及び形成条件に制
約が生じ、十分な特性の反射防止膜を形成することがで
きない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の太陽電池の製造
方法は、一導電型の半導体基板の表面に他導電型の半導
体層を形成する工程と、この他導電型の半導体層上に部
分的に電極を形成する工程と、この電極を含んで上記他
導電型の半導体層上に反射防止膜を形成する工程と、上
記電極表面上の反射防止膜をエネルギービームの照射に
より除去する工程と、上記電極の表面に半田層を形成す
る工程と、を備えたことを特徴とする。
方法は、一導電型の半導体基板の表面に他導電型の半導
体層を形成する工程と、この他導電型の半導体層上に部
分的に電極を形成する工程と、この電極を含んで上記他
導電型の半導体層上に反射防止膜を形成する工程と、上
記電極表面上の反射防止膜をエネルギービームの照射に
より除去する工程と、上記電極の表面に半田層を形成す
る工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明によれば、金属電極膜の形成後にこれを
覆って形成された反射防止膜のうち、金属電極表面を被
う部分は、エネルギービームの照射により除去される。
覆って形成された反射防止膜のうち、金属電極表面を被
う部分は、エネルギービームの照射により除去される。
【０００８】また、半田層は、反射防止膜形成後に金属
電極表面に形成されるため、反射防止膜の形成条件に何
ら制約がない。
電極表面に形成されるため、反射防止膜の形成条件に何
ら制約がない。
【０００９】
【実施例】図１（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、本発明の
太陽電池の製造方法を工程順に示す概略的断面図である
。
太陽電池の製造方法を工程順に示す概略的断面図である
。
【００１０】まず、図１（Ａ）において、弗硝酸または
ＮａＯＨを用いて、ｐ型の単結晶または多結晶のシリコ
ンウエハ１表面のダメージ層を除去する。その後、この
シリコンウエハ１を拡散炉に導入し、シリコンウエハ１
表面に、ＰＯＣｌ３を拡散源として、ｎ型拡散層２を形
成することにより、ｐｎ接合を形成する。。この時、シ
リコンウエハ１表面以外の側面や裏面にもｎ型拡散層が
形成されるが、それらの層はエッチング除去する。
ＮａＯＨを用いて、ｐ型の単結晶または多結晶のシリコ
ンウエハ１表面のダメージ層を除去する。その後、この
シリコンウエハ１を拡散炉に導入し、シリコンウエハ１
表面に、ＰＯＣｌ３を拡散源として、ｎ型拡散層２を形
成することにより、ｐｎ接合を形成する。。この時、シ
リコンウエハ１表面以外の側面や裏面にもｎ型拡散層が
形成されるが、それらの層はエッチング除去する。
【００１１】次に、ｎ型拡散層２の表面及びシリコンウ
エハ１の裏面に、Ａｇや、Ａｇ及びＡｌの混合物を含む
導電ペーストからなる表面電極３及び裏面電極４を形成
する。表面電極３は、ｎ型拡散層２に十分の光入射がな
されるように格子状に、また裏面電極４は、シリコンウ
エハ１裏面の略全面に形成される。
エハ１の裏面に、Ａｇや、Ａｇ及びＡｌの混合物を含む
導電ペーストからなる表面電極３及び裏面電極４を形成
する。表面電極３は、ｎ型拡散層２に十分の光入射がな
されるように格子状に、また裏面電極４は、シリコンウ
エハ１裏面の略全面に形成される。
【００１２】更に、この表面電極３を含んでｎ型拡散層
２上に反射防止膜５を形成する。この反射防止膜は、Ｓ
ｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等からなる
。
２上に反射防止膜５を形成する。この反射防止膜は、Ｓ
ｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等からなる
。
【００１３】その後、図１（Ｂ）において、表面電極３
を覆う反射防止膜５上に、レーザビーム、電子ビーム等
のエネルギービームＥＢを照射し、この部分の反射防止
膜５を除去し、表面電極３の表面を露出させる。
を覆う反射防止膜５上に、レーザビーム、電子ビーム等
のエネルギービームＥＢを照射し、この部分の反射防止
膜５を除去し、表面電極３の表面を露出させる。
【００１４】最後に、図１（Ｃ）において、シリコンウ
エハ１の表裏面を半田溶液中に浸し、表面電極３及び裏
面電極４の表面に、半田層６を形成する。
エハ１の表裏面を半田溶液中に浸し、表面電極３及び裏
面電極４の表面に、半田層６を形成する。
【００１５】以上の工程により、単結晶または多結晶シ
リコン基板を用いた太陽電池が製造される。
リコン基板を用いた太陽電池が製造される。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、電極形成後に、この表
面を覆うように反射防止膜を形成した後、電極表面を覆
う反射防止膜の部分をエネルギービームの照射によって
除去するので、製造工程の簡略化がなされる。
面を覆うように反射防止膜を形成した後、電極表面を覆
う反射防止膜の部分をエネルギービームの照射によって
除去するので、製造工程の簡略化がなされる。
【００１７】また、半田層の形成を反射防止膜の形成後
に行うので、反射防止膜の形成に際して半田層の特性に
影響を受けず、従って、優れた特性の反射防止膜を形成
することができる。
に行うので、反射防止膜の形成に際して半田層の特性に
影響を受けず、従って、優れた特性の反射防止膜を形成
することができる。
【図１】本発明の太陽電池装置の製造方法を工程順に示
す断面図である。
す断面図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 一導電型の半導体基板の表面に他導電
型の半導体層を形成する工程と、この他導電型の半導体
層上に部分的に電極を形成する工程と、この電極を含ん
で上記他導電型の半導体層上に反射防止膜を形成する工
程と、上記電極表面上の反射防止膜をエネルギービーム
の照射により除去する工程と、上記電極の表面に半田層
を形成する工程と、を備えたことを特徴とする太陽電池
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3121122A JPH04348569A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3121122A JPH04348569A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04348569A true JPH04348569A (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=14803430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3121122A Pending JPH04348569A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04348569A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014189058A1 (ja) | 2013-05-21 | 2014-11-27 | 株式会社カネカ | 太陽電池、太陽電池モジュール、太陽電池の製造方法、並びに太陽電池モジュールの製造方法 |
-
1991
- 1991-05-27 JP JP3121122A patent/JPH04348569A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014189058A1 (ja) | 2013-05-21 | 2014-11-27 | 株式会社カネカ | 太陽電池、太陽電池モジュール、太陽電池の製造方法、並びに太陽電池モジュールの製造方法 |
| US9761752B2 (en) | 2013-05-21 | 2017-09-12 | Kaneka Corporation | Solar cell, solar cell module, method for manufacturing solar cell, and method for manufacturing solar cell module |
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