JP6688244B2 - 高効率太陽電池の製造方法及び太陽電池セルの製造システム - Google Patents
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Description
また非特許文献2では図13の態様において、アルミニウム添加のp型ドープ層上に残った金属アルミニウムを一度除去し、その上をパッシベーション膜で覆うことによりエミッタ表面での欠陥密度を低減し、更に光閉じ込め効果によって長波長光の量子効率を改善した太陽電池が提案されている。また、非特許文献3ではホウ素拡散層上に酸化アルミニウムを形成した太陽電池が提案されている。
負の固定電荷を有する誘電体膜が、前記第一主表面の前記p型ドープ層形成部を除く領域の少なくとも一部を覆うように形成され、
前記誘電体膜直下にp型反転層を有し、該p型反転層が前記p型ドープ層と接するものであり、
前記ドーパントがアルミニウムを含むことを特徴とする太陽電池を提供する。
前記誘電体膜上の少なくとも一部にアルミニウムとガラスフリットとを含有する導電性材料を塗布する工程と、
前記導電性材料が塗布された前記n型結晶シリコン基板を、アルミニウムとシリコンの共融点以上の温度で熱処理することにより、前記導電性材料が前記誘電体膜をファイアスルーして前記n型結晶シリコン基板を構成するシリコンと接触し、更に前記導電性材料に含まれるアルミニウムと前記n型結晶シリコン基板を構成するシリコンが反応することによりp型ドープ層を形成する工程と
を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法を提供する。
前記誘電体膜の一部を除去して開口部を形成する工程と、
前記開口部を含む領域にアルミニウムを主成分とする導電性材料を塗布する工程と、
前記導電性材料が塗布された前記n型結晶シリコン基板を、アルミニウムとシリコンの共融点以上の温度で熱処理し、前記導電性材料の主成分であるアルミニウムと前記n型結晶シリコン基板を構成するシリコンを反応させることによりp型ドープ層を形成する工程と
を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法を提供する。
前記導電性材料が塗布された前記n型結晶シリコン基板をアルミニウムとシリコンの共融点以上の温度で熱処理し、前記導電性材料の主成分であるアルミニウムと前記n型結晶シリコン基板を構成するシリコンを反応させることによりp型ドープ層を形成する工程と、
前記熱処理後、前記n型結晶シリコン基板上に残留した前記導電性材料を除去する工程と、
前記第一主表面の前記p型ドープ層に隣接し且つ前記n型結晶シリコン基板と同じ電子密度を有する領域の少なくとも一部に負の固定電荷を有する誘電体膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法を提供する。
前記誘電体膜上の少なくとも一部にアルミニウムとガラスフリットとを含有する導電性材料を塗布する装置と、
前記導電性材料が塗布された前記n型結晶シリコン基板を、アルミニウムとシリコンの共融点以上の温度で熱処理することにより、前記導電性材料が前記誘電体膜をファイアスルーして前記n型結晶シリコン基板を構成するシリコンと接触し、更に前記導電性材料に含まれるアルミニウムと前記n型結晶シリコン基板を構成するシリコンが反応することによりp型ドープ層を形成する装置と
を含むことを特徴とする太陽電池セルの製造システムを提供する。
前記誘電体膜の一部を除去して開口部を形成する装置と、
前記開口部を含む領域にアルミニウムを主成分とする導電性材料を塗布する装置と、
前記導電性材料が塗布された前記n型結晶シリコン基板を、アルミニウムとシリコンの共融点以上の温度で熱処理し、前記導電性材料の主成分であるアルミニウムと前記n型結晶シリコン基板を構成するシリコンを反応させることによりp型ドープ層を形成する装置と
を含むことを特徴とする太陽電池セルの製造システムを提供する。
前記導電性材料が塗布された前記n型結晶シリコン基板をアルミニウムとシリコンの共融点以上の温度で熱処理し、前記導電性材料の主成分であるアルミニウムと前記n型結晶シリコン基板を構成するシリコンを反応させることによりp型ドープ層を形成する装置と、
前記熱処理後、前記n型結晶シリコン基板上に残留した前記導電性材料を除去する装置と、
前記第一主表面の前記p型ドープ層に隣接し且つ前記n型結晶シリコン基板と同じ電子密度を有する領域の少なくとも一部に負の固定電荷を有する誘電体膜を形成する装置と
を含むことを特徴とする太陽電池セルの製造システムを提供する。
厚さ180μm、比抵抗1Ω・cmの、リンドープn型アズカットシリコン基板に対し、熱濃水酸化カリウム水溶液によりスライスダメージを除去後、水酸化カリウム水溶液中に浸漬し、テクスチャ形成を行い、引き続き80℃の塩酸/過酸化水素混合溶液中で洗浄を行った。次に、該基板を2枚一組に重ね合わせて石英チューブ炉へ入れ、850℃のオキシ塩化リン雰囲気40分間で熱処理してベース層を形成した。この後、基板をフッ酸水溶液に浸漬してガラス層を除去し、純水洗浄を経て乾燥した。続いてプラズマCVD装置を用い、基板温度を400℃に保ちながらベース層形成面の反対面(裏面)をトリメチルアルミニウムと酸素を原料ガスとしたプラズマに曝し、酸化アルミニウム膜を10nm形成した。この後、基板を上記プラズマCVDの別チャンバーへ移し、基板温度を400℃に保ちながら基板裏面をモノシランとアンモニアを原料ガスとしたプラズマに曝し、パッシベーション膜となる窒化シリコン膜を90nm形成した。この後同様にして、更にベース層表面に窒化シリコン膜を90nm形成した。
実施例1で用いたものと同じテクスチャ形成後の基板を用い、リン化合物とバインダーを混合したペーストを基板の片面へ櫛形パターンに印刷塗布した。ペーストを200℃のオーブン中で乾燥させた後、2枚一組に重ね合わせて石英チューブ炉へ入れ、850℃のアルゴン雰囲気で40分間熱処理し、ベース層を形成した。この後、基板をフッ酸水溶液に浸漬してガラス層を除去し、純水洗浄を経て乾燥した。続いてプラズマCVD装置を用い、基板温度を400℃に保ちながらベース層形成面の反対面(裏面)をトリメチルアルミニウムと酸素を原料ガスとしたプラズマに曝し、酸化アルミニウム膜を10nm形成した。この後、基板を上記プラズマCVDの別チャンバーへ移し、基板温度を400℃に保ちながら基板裏面をモノシランとアンモニアを原料ガスとしたプラズマに曝し、パッシベーション膜となる窒化シリコン膜を90nm形成した。この後同様にして、更にベース層表面に窒化シリコン膜を90nm形成した。次に、スクリーン印刷により、基板の裏面にガラスフリットを含有したアルミニウムペーストを塗布面積割合が約1/30となる櫛形パターンに塗布して乾燥させた。続いてガラスフリットを含有した銀ペーストをベース層形成箇所に合わせてパッシベーション膜上にスクリーン印刷し、乾燥させた。この後、830℃の焼成を大気中で3秒間行い、p型ドープ層とエミッタ電極及びベース電極を形成した。続いて、基板裏面に厚さ2μmのアルミニウム膜を真空蒸着装置で形成し、太陽電池を得た。最後に、キセノンランプ光源式の疑似太陽光を使い、太陽電池の出力特性を測定した。
実施例1で用いたものと同じテクスチャ形成後の基板を用い、リン化合物とバインダーを混合したペーストを基板の片面へ櫛形パターンに印刷塗布した。ペーストを200℃のオーブン中で乾燥させた後、2枚一組に重ね合わせて石英チューブ炉へ入れ、850℃のアルゴン雰囲気で40分間熱処理し、ベース層を形成した。この後、基板をフッ酸水溶液に浸漬してガラス層を除去し、純水洗浄を経て乾燥した。
実施例1から3で用いたものと同じテクスチャ形成後の基板を用い、2枚一組に重ね合わせて石英チューブ炉へ入れ、1000℃の臭化ホウ素雰囲気で1時間熱処理してホウ素を基板へ拡散した。この後、基板をフッ酸水溶液に浸漬してガラス層を除去し、純水洗浄を経て乾燥した。続いてホウ素拡散面(裏面)を重ね合わせて石英チューブ炉へ入れ、850℃のオキシ塩化リン雰囲気で40分間熱処理してベース層を形成した。この後、基板をフッ酸水溶液に浸漬してガラス層を除去し、純水洗浄を経て乾燥した。これにより、基板の各主表面でドーパントが一様に拡散されたp型ドープ層とベース層を形成した。続いてプラズマCVD装置を用い、基板温度を400℃に保ちながらp型ドープ層形成面(裏面)をトリメチルアルミニウムと酸素を原料ガスとしたプラズマに曝し、酸化アルミニウム膜を10nm形成した。この後、基板を上記プラズマCVDの別チャンバーへ移し、基板温度を400℃に保ちながら基板裏面をモノシランとアンモニアを原料ガスとしたプラズマに曝し、パッシベーション膜となる窒化シリコン膜を90nm形成した。この後同様にして、更にベース層表面に窒化シリコン膜を90nm形成した。次にガラスフリットを含有した銀ペーストを誘電体膜上へ櫛形パターンにスクリーン印刷して乾燥させ、続いてパッシベーション膜上にも同様に銀ペーストをスクリーン印刷して乾燥させた。この後、830℃の焼成を大気中で3秒間行い、エミッタ電極及びベース電極を形成した。続いて、基板裏面に厚さ2μmのアルミニウム膜を真空蒸着装置で形成し、太陽電池を得た。最後に、キセノンランプ光源式の疑似太陽光を使い、太陽電池の出力特性を測定した。
実施例1から3で用いたものと同じテクスチャ形成後の基板を用い、リン化合物とバインダーを混合したペーストを基板の片面(裏面)へ櫛形パターンに印刷塗布した。ペーストを200℃のオーブン中で乾燥させた後、2枚一組に重ね合わせて石英チューブ炉へ入れ、850℃のアルゴン雰囲気で40分間熱処理し、ベース層を形成した。この後、基板をフッ酸水溶液に浸漬してガラス層を除去し、純水洗浄を経て乾燥した。続いてプラズマCVD装置を用い、基板温度を400℃に保ちながら基板裏面をトリメチルアルミニウムと酸素を原料ガスとしたプラズマに曝し、該裏面に酸化アルミニウム膜を10nm形成した。続いて、基板を上記プラズマCVDの別チャンバーへ移し、基板温度を400℃に保ちながら基板の受光面をモノシランとアンモニアを原料ガスとしたプラズマに曝し、パッシベーション膜となる窒化シリコン膜を90nm形成した。この後、ベース層上の酸化アルミニウム膜を、波長532nmのレーザー光で除去した。続いて基板温度を400℃に保ちながら基板の裏面をモノシランとアンモニアを原料ガスとしたプラズマに曝し、パッシベーション膜となる窒化シリコン膜を90nm形成した。次に、ガラスフリットを含有した銀ペーストをベース層形成箇所に合わせてスクリーン印刷し、乾燥させ、続いてスクリーン印刷により、隣り合うベース層の間にガラスフリットを含有したアルミニウムペーストを塗布面積割合が約1/25となる櫛形パターンに塗布して乾燥させた。続いて基板を830℃の大気中で3秒間焼成し、p型ドープ層とエミッタ電極及びベース電極を形成した。続いて、基板の裏面全体を覆うように厚さ2μmのアルミニウム膜を真空蒸着装置で形成し、太陽電池を得た。最後に、キセノンランプ光源式の疑似太陽光を使い、太陽電池の出力特性を測定した。
実施例1から4で用いたものと同じテクスチャ形成後の基板を用い、リン化合物とバインダーを混合したペーストを基板の片面(裏面)へ櫛形パターンに印刷塗布した。ペーストを200℃のオーブン中で乾燥させた後、2枚一組に重ね合わせて石英チューブ炉へ入れ、850℃のアルゴン雰囲気で熱処理し、ベース層を形成した。この後、基板をフッ酸水溶液に浸漬してガラス層を除去し、純水洗浄を経て乾燥した。次に、基板裏面のベース層以外の領域にアルミニウムペーストをスクリーン印刷で塗布して乾燥させてから、基板を830℃の大気中で3秒間焼成し、p型ドープ層を形成した。次にp型ドープ層上に形成されたアルミニウムの焼結体を塩酸で除去し、更に塩酸過酸化水素水混合溶液とフッ酸水溶液で洗浄して乾燥させた。
110、210、610、710、1210、1310…n型結晶シリコン基板
112、212、612、712、1212、1312…p型ドープ層
192、292、692、792…p型反転層
113、213、613、713、1213、1313…ベース層
122、222、622、722、1222、1322…エミッタ電極
123、223、623、723、1223、1323…ベース電極
144、244、644、744、1344…誘電体膜(パッシベーション膜)
145、245、645、745、754、1245、1345…パッシベーション膜
352、353、462、572…導電性材料
576…開口部
1001、1101…太陽電池モジュール
1002…タブ
1003…充填剤
1004…カバーガラス
1005…バックシート
1102…配線
1103…インバータ
1104…外部負荷回路。
Claims (2)
- n型結晶シリコン基板の第一主表面の一部に、アルミニウムを主成分とする導電性材料を塗布する工程と、
前記導電性材料が塗布された前記n型結晶シリコン基板をアルミニウムとシリコンの共融点以上の温度で熱処理し、前記導電性材料の主成分であるアルミニウムと前記n型結晶シリコン基板を構成するシリコンを反応させることによりp型ドープ層を形成する工程と、
前記熱処理後、前記n型結晶シリコン基板上に残留した前記導電性材料を除去する工程と、
前記第一主表面の前記p型ドープ層に隣接し且つ前記n型結晶シリコン基板と同じ電子密度を有する領域の少なくとも一部に負の固定電荷を有する誘電体膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - n型結晶シリコン基板の第一主表面の一部に、アルミニウムを主成分とする導電性材料を塗布する装置と、
前記導電性材料が塗布された前記n型結晶シリコン基板をアルミニウムとシリコンの共融点以上の温度で熱処理し、前記導電性材料の主成分であるアルミニウムと前記n型結晶シリコン基板を構成するシリコンを反応させることによりp型ドープ層を形成する装置と、
前記熱処理後、前記n型結晶シリコン基板上に残留した前記導電性材料を除去する装置と、
前記第一主表面の前記p型ドープ層に隣接し且つ前記n型結晶シリコン基板と同じ電子密度を有する領域の少なくとも一部に負の固定電荷を有する誘電体膜を形成する装置と
を含むことを特徴とする太陽電池セルの製造システム。
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