JP2940724B2 - 光電変換素子及び光起電力装置 - Google Patents
光電変換素子及び光起電力装置Info
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- JP2940724B2 JP2940724B2 JP3157129A JP15712991A JP2940724B2 JP 2940724 B2 JP2940724 B2 JP 2940724B2 JP 3157129 A JP3157129 A JP 3157129A JP 15712991 A JP15712991 A JP 15712991A JP 2940724 B2 JP2940724 B2 JP 2940724B2
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光照射を受けることに
より起電力を発生する光電変換素子及び光起電力装置に
関する。
より起電力を発生する光電変換素子及び光起電力装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】光照射を受けると起電力を発生する光起
電力装置の受光面電極膜は、光電変換作用をなす半導体
光活性層への光照射を招くべく透光性であることが好ま
しい。従来、透光性を呈すべく受光面電極はインジュー
ム（Ｉｎ）やスズ（Ｓｎ）の酸化物であるＩｎ2Ｏ3、Ｓ
ｎＯ2、ＩＴＯ等に代表される透光性導電酸化物（以
下、ＴＣＯと称する）により形成されている。このＴＣ
Ｏからなる電極にあっては、そのシート抵抗は約３０〜
５０Ωであり、同じ膜厚のアルミニウム等の金属材料に
比べて３桁以上も高いため、この電極における電力損失
（抵抗損失）が発生し、集電効率を低下させる原因とな
っていた。
電力装置の受光面電極膜は、光電変換作用をなす半導体
光活性層への光照射を招くべく透光性であることが好ま
しい。従来、透光性を呈すべく受光面電極はインジュー
ム（Ｉｎ）やスズ（Ｓｎ）の酸化物であるＩｎ2Ｏ3、Ｓ
ｎＯ2、ＩＴＯ等に代表される透光性導電酸化物（以
下、ＴＣＯと称する）により形成されている。このＴＣ
Ｏからなる電極にあっては、そのシート抵抗は約３０〜
５０Ωであり、同じ膜厚のアルミニウム等の金属材料に
比べて３桁以上も高いため、この電極における電力損失
（抵抗損失）が発生し、集電効率を低下させる原因とな
っていた。
【０００３】そこで、本願出願人は、受光面電極膜とし
て高抵抗なＴＣＯを用いるにも係わらず、受光面電極膜
による抵抗損失を減じる構造として、特開昭61-20371号
公報、及び実開昭61-86955号公報を出願している。この
光起電力装置は、光入射側から見て、受光面電極膜、光
活性層を含む半導体膜、第１背面電極膜、絶縁膜及び受
光面電極膜より低抵抗な第２背面電極膜を重畳し、上記
第２背面電極膜が、受光領域の複数箇所において、内周
が上記絶縁膜により囲繞されたコンタクトホールを貫通
して受光面電極膜に到達することにより、上記第２背面
電極膜及び上記受光面電極膜を電気的に結合したもので
ある。
て高抵抗なＴＣＯを用いるにも係わらず、受光面電極膜
による抵抗損失を減じる構造として、特開昭61-20371号
公報、及び実開昭61-86955号公報を出願している。この
光起電力装置は、光入射側から見て、受光面電極膜、光
活性層を含む半導体膜、第１背面電極膜、絶縁膜及び受
光面電極膜より低抵抗な第２背面電極膜を重畳し、上記
第２背面電極膜が、受光領域の複数箇所において、内周
が上記絶縁膜により囲繞されたコンタクトホールを貫通
して受光面電極膜に到達することにより、上記第２背面
電極膜及び上記受光面電極膜を電気的に結合したもので
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構造の
光起電力装置において、第１背面電極膜と第２背面電極
膜との間の絶縁を行う絶縁膜としては、酸化シリコン、
窒化シリコン等の無機材料またはポリイミド等の有機材
料が用いられている。しかし、無機材料を用いて、ピン
ホールのない良好な絶縁特性を有する絶縁膜を形成せん
とする場合、高温のもとで形成する必要があり、その場
合、半導体膜が既に形成されていると、その半導体膜に
悪影響を与え、光起電力装置の出力の低下を招いてしま
う。一方、有機材料を用いた場合も、ピンホールのない
均一な膜を形成することが困難である。
光起電力装置において、第１背面電極膜と第２背面電極
膜との間の絶縁を行う絶縁膜としては、酸化シリコン、
窒化シリコン等の無機材料またはポリイミド等の有機材
料が用いられている。しかし、無機材料を用いて、ピン
ホールのない良好な絶縁特性を有する絶縁膜を形成せん
とする場合、高温のもとで形成する必要があり、その場
合、半導体膜が既に形成されていると、その半導体膜に
悪影響を与え、光起電力装置の出力の低下を招いてしま
う。一方、有機材料を用いた場合も、ピンホールのない
均一な膜を形成することが困難である。
【０００５】そこで、本発明は、ピンホールのない良好
な膜を用いて、第１背面電極膜と第２背面電極との間の
電気的絶縁をより確実に達成しようとするものである。
な膜を用いて、第１背面電極膜と第２背面電極との間の
電気的絶縁をより確実に達成しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の光電変換素子
は、透光性受光面電極膜、光活性層を含む第１半導体
膜、第１背面電極膜、第２半導体膜、第２背面電極膜を
重畳し、受光領域内の複数の接続箇所において上記第２
背面電極膜と受光面電極膜とを電気的に結合したことを
特徴とする。
は、透光性受光面電極膜、光活性層を含む第１半導体
膜、第１背面電極膜、第２半導体膜、第２背面電極膜を
重畳し、受光領域内の複数の接続箇所において上記第２
背面電極膜と受光面電極膜とを電気的に結合したことを
特徴とする。
【０００７】また、本発明の光起電力装置は、上記構造
の光電変換素子の複数を、互いに隣接する光電変換素子
の一方の第１背面電極膜と他方の第２背面電極膜とでも
って、第１半導体膜に対して背面側にて結合することに
より電気的に直列接続したことを特徴とする。
の光電変換素子の複数を、互いに隣接する光電変換素子
の一方の第１背面電極膜と他方の第２背面電極膜とでも
って、第１半導体膜に対して背面側にて結合することに
より電気的に直列接続したことを特徴とする。
【０００８】
【作用】第１背面電極膜と第２背面電極膜との間に電気
的絶縁は、第１半導体膜と同等または低温で形成するこ
とができる第２半導体膜にて行うので、この第２半導体
膜の形成に当り、第１半導体膜が熱的悪影響を受けるこ
とがない。
的絶縁は、第１半導体膜と同等または低温で形成するこ
とができる第２半導体膜にて行うので、この第２半導体
膜の形成に当り、第１半導体膜が熱的悪影響を受けるこ
とがない。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の光起電力装置の第１実施例の
要部を光入射方向に対して背面側斜め方向から臨んだ一
部断面斜視図であり、光入射側から見てＴＣＯ等の透光
性受光面電極膜１、膜面に平行なｐｉｎ接合、ｐｎ接合
等の半導体接合を少なくとも１つ備えた光活性層を含む
アモルファスシリコン等を主体とする第１半導体膜２、
オーミック金属の第１背面電極膜３、膜厚２０００〜８
０００Åのｉ型（真性または実質的に真性）のアモルフ
ァスシリコンからなる第２半導体膜４、及び受光面電極
膜１に比べて低抵抗な金属からなる第２背面電極膜５を
重畳し、第２背面電極膜５が、受光領域内の複数箇所に
おいて、第２半導体膜４、第１背面電極膜３及び第１半
導体膜２を貫通すると共に内周が第２半導体膜４により
囲繞された円形のコンタクトホール６を貫通して受光面
電極膜１に到達することにより、受光面電極膜１と電気
的に結合した複数の単位光電変換素子ＳＣ1、ＳＣ2、Ｓ
Ｃ3・・・を、各単位光電変換素子ＳＣ1、ＳＣ2、ＳＣ3・・・
の受光面電極膜１が分離間隔ｄを隔てた状態で支持体か
つ受光面保護体となるガラス等の透光性絶縁基板７上に
設けている。
要部を光入射方向に対して背面側斜め方向から臨んだ一
部断面斜視図であり、光入射側から見てＴＣＯ等の透光
性受光面電極膜１、膜面に平行なｐｉｎ接合、ｐｎ接合
等の半導体接合を少なくとも１つ備えた光活性層を含む
アモルファスシリコン等を主体とする第１半導体膜２、
オーミック金属の第１背面電極膜３、膜厚２０００〜８
０００Åのｉ型（真性または実質的に真性）のアモルフ
ァスシリコンからなる第２半導体膜４、及び受光面電極
膜１に比べて低抵抗な金属からなる第２背面電極膜５を
重畳し、第２背面電極膜５が、受光領域内の複数箇所に
おいて、第２半導体膜４、第１背面電極膜３及び第１半
導体膜２を貫通すると共に内周が第２半導体膜４により
囲繞された円形のコンタクトホール６を貫通して受光面
電極膜１に到達することにより、受光面電極膜１と電気
的に結合した複数の単位光電変換素子ＳＣ1、ＳＣ2、Ｓ
Ｃ3・・・を、各単位光電変換素子ＳＣ1、ＳＣ2、ＳＣ3・・・
の受光面電極膜１が分離間隔ｄを隔てた状態で支持体か
つ受光面保護体となるガラス等の透光性絶縁基板７上に
設けている。
【００１０】そして、各単位光電変換素子ＳＣ1、Ｓ
Ｃ2、ＳＣ3・・・の隣接する素子の受光面電極膜１と第１
背面電極膜３とを各光電変換素子ＳＣ1、ＳＣ2、ＳＣ3・
・・の隣接間隔部において直接重畳することなく、第１半
導体膜２の背面側において第２半導体膜４側から、例え
ばレーザビームの照射あるいはエッチングを行うことに
より開孔した部分の第１背面電極膜３に、隣接素子の第
２背面電極膜５が延在し埋設することによって、互いに
隣接する単位光電変換素子ＳＣ1、ＳＣ2、ＳＣ3・・・は電
気的に直列接続されている。従って、光入射側から光起
電力装置を臨んだとき、受光領域において光電変換動作
に寄与するに至らない無効面積は、実質的に受光面電極
膜１を各素子毎に分離するための分離間隔部が占める面
積だけとなり、直列接続のために有効面積が減少するこ
とがない。特に分離間隔ｄは、各素子の電気的分離に必
要なだけの長さを備えておけばよいだけであるために、
極めて微小間隔とすることができ、レーザビームの照射
によれば、１００μｍ以下とすることができる。また本
実施例によれば、分離間隔ｄに第２半導体膜４を充填し
ているので、受光面電極膜１をレーザビームを利用して
極めて近接させて設けたとしても、両者の電気的分離は
確実に行える。
Ｃ2、ＳＣ3・・・の隣接する素子の受光面電極膜１と第１
背面電極膜３とを各光電変換素子ＳＣ1、ＳＣ2、ＳＣ3・
・・の隣接間隔部において直接重畳することなく、第１半
導体膜２の背面側において第２半導体膜４側から、例え
ばレーザビームの照射あるいはエッチングを行うことに
より開孔した部分の第１背面電極膜３に、隣接素子の第
２背面電極膜５が延在し埋設することによって、互いに
隣接する単位光電変換素子ＳＣ1、ＳＣ2、ＳＣ3・・・は電
気的に直列接続されている。従って、光入射側から光起
電力装置を臨んだとき、受光領域において光電変換動作
に寄与するに至らない無効面積は、実質的に受光面電極
膜１を各素子毎に分離するための分離間隔部が占める面
積だけとなり、直列接続のために有効面積が減少するこ
とがない。特に分離間隔ｄは、各素子の電気的分離に必
要なだけの長さを備えておけばよいだけであるために、
極めて微小間隔とすることができ、レーザビームの照射
によれば、１００μｍ以下とすることができる。また本
実施例によれば、分離間隔ｄに第２半導体膜４を充填し
ているので、受光面電極膜１をレーザビームを利用して
極めて近接させて設けたとしても、両者の電気的分離は
確実に行える。
【００１１】以上のように、本発明によれば、第２半導
体膜４は、第１半導体膜２と同様の半導体膜、即ちｉ型
のアモルファスシリコンから構成しているので、第１半
導体膜２と同じ条件で形成することができる。従って、
第２半導体膜４の形成時において、第１半導体膜２が熱
的悪影響を受けることがない。
体膜４は、第１半導体膜２と同様の半導体膜、即ちｉ型
のアモルファスシリコンから構成しているので、第１半
導体膜２と同じ条件で形成することができる。従って、
第２半導体膜４の形成時において、第１半導体膜２が熱
的悪影響を受けることがない。
【００１２】また、第２半導体膜４は、第１背面電極膜
３及び第２背面電極膜５により挾まれ、遮光された状態
にあるので、これら背面電極膜３、５の電気的絶縁を十
分に成すことができる。
３及び第２背面電極膜５により挾まれ、遮光された状態
にあるので、これら背面電極膜３、５の電気的絶縁を十
分に成すことができる。
【００１３】図２は本発明の光電変換素子、及び本発明
の第２半導体膜４に代えてポリイミドからなる絶縁膜を
用いた従来例の光電変換素子の電流−電圧特性を示す特
性図であり、実線が本発明を、破線が従来例を示してい
る。
の第２半導体膜４に代えてポリイミドからなる絶縁膜を
用いた従来例の光電変換素子の電流−電圧特性を示す特
性図であり、実線が本発明を、破線が従来例を示してい
る。
【００１４】また、下記の表１は、本発明及び上述の従
来例の光電変換素子における開放電圧（Ｖoc）、短絡電
流（Ｉsc）、曲線因子（ＦＦ）及び最大出力（Ｐmax）
の各特性を示している。
来例の光電変換素子における開放電圧（Ｖoc）、短絡電
流（Ｉsc）、曲線因子（ＦＦ）及び最大出力（Ｐmax）
の各特性を示している。
【００１５】
【表１】
【００１６】図２及び表１から明らかなように、本発明
によれば、第１背面電極膜と第２背面電極膜との絶縁が
良好に行え、光起電力装置の出力を向上させることがで
きることが分かる。
によれば、第１背面電極膜と第２背面電極膜との絶縁が
良好に行え、光起電力装置の出力を向上させることがで
きることが分かる。
【００１７】図３は本発明の光起電力装置の第２実施例
の要部を光入射方向に対して背面側斜め方向から臨んだ
一部断面斜視図である。
の要部を光入射方向に対して背面側斜め方向から臨んだ
一部断面斜視図である。
【００１８】この実施例にあっては、先の実施例と比較
して、光入射方向が逆転した点に特徴がある。即ち、表
面にホーローや封孔処理したアルミナ膜等の絶縁膜７２
を配置したステンレス鋼、アルミニウム板等の金属板７
１からなる絶縁基板７０を用意し、まず各単位光電変換
素子ＳＣ1、ＳＣ2、ＳＣ3・・・毎に金属の第２背面電極膜
５を分割配置し、次いで第２半導体膜４、第１背面電極
膜３、少なくとも一つの半導体接合を備える光活性層を
含む第１半導体膜２、ＴＣＯ等の透光性受光面電極膜１
を積層する。この時、第２半導体膜４は各素子ＳＣ1、
ＳＣ2、ＳＣ3・・・毎に分割され、露出した第２背面電極
膜５に隣の素子の第１背面電極膜３が結合している。第
１半導体膜２、第１背面電極膜３及び第２半導体膜４に
は第１実施例と同様に受光領域内で複数個所、第２背面
電極膜５に達するコンタクトホール６が穿たれており、
コンタクトホール６の内壁は第２半導体膜４により覆わ
れている。そして、このコンタクトホール６を受光面電
極膜１が埋設することによって、受光面電極膜１と第２
背面電極膜５とが電気的に結合されると共に、各単位光
電変換素子ＳＣ1、ＳＣ2、ＳＣ3・・・が第１半導体膜２の
背面において電気的に直列接続される。
して、光入射方向が逆転した点に特徴がある。即ち、表
面にホーローや封孔処理したアルミナ膜等の絶縁膜７２
を配置したステンレス鋼、アルミニウム板等の金属板７
１からなる絶縁基板７０を用意し、まず各単位光電変換
素子ＳＣ1、ＳＣ2、ＳＣ3・・・毎に金属の第２背面電極膜
５を分割配置し、次いで第２半導体膜４、第１背面電極
膜３、少なくとも一つの半導体接合を備える光活性層を
含む第１半導体膜２、ＴＣＯ等の透光性受光面電極膜１
を積層する。この時、第２半導体膜４は各素子ＳＣ1、
ＳＣ2、ＳＣ3・・・毎に分割され、露出した第２背面電極
膜５に隣の素子の第１背面電極膜３が結合している。第
１半導体膜２、第１背面電極膜３及び第２半導体膜４に
は第１実施例と同様に受光領域内で複数個所、第２背面
電極膜５に達するコンタクトホール６が穿たれており、
コンタクトホール６の内壁は第２半導体膜４により覆わ
れている。そして、このコンタクトホール６を受光面電
極膜１が埋設することによって、受光面電極膜１と第２
背面電極膜５とが電気的に結合されると共に、各単位光
電変換素子ＳＣ1、ＳＣ2、ＳＣ3・・・が第１半導体膜２の
背面において電気的に直列接続される。
【００１９】なお、各コンタクトホール６は上述のよう
な円形に限らず、正方形等任意の形状とすることができ
る。
な円形に限らず、正方形等任意の形状とすることができ
る。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、透光性受光面電極膜、
光活性層を含む第１半導体膜、第１背面電極膜、第２半
導体膜び第２背面電極膜を重畳し、受光領域内の複数の
接続箇所において上記第２背面電極膜と受光面電極膜と
を電気的に結合しているので、第１半導体膜に悪影響を
与えることなく、ピンホールのない良好な膜を用いて、
第１背面電極膜と第２背面電極との間の電気的絶縁をよ
り確実に達成することができ、その結果、装置の出力特
性を向上することができる。
光活性層を含む第１半導体膜、第１背面電極膜、第２半
導体膜び第２背面電極膜を重畳し、受光領域内の複数の
接続箇所において上記第２背面電極膜と受光面電極膜と
を電気的に結合しているので、第１半導体膜に悪影響を
与えることなく、ピンホールのない良好な膜を用いて、
第１背面電極膜と第２背面電極との間の電気的絶縁をよ
り確実に達成することができ、その結果、装置の出力特
性を向上することができる。
【図１】本発明の第１実施例の要部を示す一部断面斜視
図である。
図である。
【図２】本発明と従来例の電流−電圧特性を示す特性図
である。
である。
【図３】本発明の第２実施例の要部を示す一部断面斜視
図である。
図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−127585（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−260665（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−260663（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−1181（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/04
Claims (4)
- 【請求項１】 透光性受光面電極膜、光活性層を含む第
１半導体膜、第１背面電極膜、第２半導体膜、第２背面
電極膜を重畳し、受光領域内の複数の接続箇所において
上記第２背面電極膜と上記受光面電極膜とを電気的に結
合したことを特徴とする光電変換素子。 - 【請求項２】 上記第２半導体膜はｉ型（真性または実
質的に真性）の非晶質シリコンからなることを特徴とす
る請求項１記載の光電変換素子。 - 【請求項３】 透光性受光面電極膜、光活性層を含む第
１半導体膜、第１背面電極膜、第２半導体膜、第２背面
電極膜を重畳し、受光領域内の複数の接続箇所において
上記第２背面電極膜と上記受光面電極膜とを電気的に結
合した光電変換素子の複数を、互いに隣接する光電変換
素子の一方の第１背面電極膜と他方の第２背面電極膜と
でもって、上記第１半導体膜に対して背面側にて結合す
ることにより電気的に直列接続したことを特徴とする光
起電力装置。 - 【請求項４】 上記第２半導体膜はｉ型（真性または実
質的に真性）の非晶質シリコンからなることを特徴とす
る請求項３記載の光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3157129A JP2940724B2 (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 光電変換素子及び光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3157129A JP2940724B2 (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 光電変換素子及び光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH057013A JPH057013A (ja) | 1993-01-14 |
| JP2940724B2 true JP2940724B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=15642843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3157129A Expired - Fee Related JP2940724B2 (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 光電変換素子及び光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2940724B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004103959A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP3157129A patent/JP2940724B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH057013A (ja) | 1993-01-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |