JP2002217427A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JP2002217427A JP2002217427A JP2001005428A JP2001005428A JP2002217427A JP 2002217427 A JP2002217427 A JP 2002217427A JP 2001005428 A JP2001005428 A JP 2001005428A JP 2001005428 A JP2001005428 A JP 2001005428A JP 2002217427 A JP2002217427 A JP 2002217427A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- conversion device
- semiconductor
- granular crystal
- lower electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Abstract
換装置を提供する。 【解決手段】 下部電極1上に多数の粒状結晶半導体2
を配設し、この粒状結晶半導体間に絶縁体4を充填し
て、この粒状結晶半導体の上部側に上部電極を形成した
光電変換装置において、前記絶縁体と上部電極を透光性
部材で形成するとともに、前記粒状結晶半導体間に反射
性部材から成る凸部3を形成した。
Description
し、特に多数の半導体粒子を用いた光電変換装置に関す
る。
を用いた光電変換素子を図5および図6に示す。
84号公報によれば、球状または棒状の複数の半導体結
晶2を、周期的な凹凸構造を持つ第1の基板14上に配
置された構造を持たせ、該第1の基板14に構成された
周期的な凹凸構造上に第1の導電層13を配置し、該第
1の導電層13に対し、上記球状または棒状の半導体結
晶2の一部を電気的に接触させ、該第1の導電層13と
接触した、球状又は棒状の半導体結晶2の一部とは異な
る部分の半導体結晶の一部に電気的に接触した第2の導
電層10を配置した太陽電池が開示されている。図5に
おいて、9は高反射膜、11はスピンオンガラスSOG
1、12はスピンオンガラスSOG2を示す。
2号公報によれば、第1のアルミニウム箔15に開口を
形成し、その開口にp形の上にn形表皮部17を持つp
形シリコン球16を結合し、球の裏側のn形表皮部17
を除去し、アルミニウム上に酸化物コーティング18を
し、球裏側のp形接面上の酸化物を除去し、第2のアル
ミニウム箔19と接合し、透明なコーティング20を表
面に設け、このコーティング20が最下点でV字状に急
激に変化する形状を有することによりp形シリコン球1
6の無い位置に入射した光をp形シリコン球16へ導き
変換効率を向上させた光電変換装置が開示されている。
示す特開2000−22184号公報の光電変換装置で
は、基板14の凹凸面に合わせて球状半導体結晶2を並
べるために、絶縁物12(例えばスピンオンガラスSO
G2)を基板14の凹凸面に沿って形成する必要があ
り、一般の印刷法では形成できないために、生産性に欠
けるという問題があった。また、基板14の凹凸一つ一
つに球状半導体結晶2を配置する構造であるため、球状
半導体結晶2を小さくするとアッセンブルが困難にな
り、原料となる半導体の使用量を少なくするために、球
状半導体結晶2を小さくすることができなくなり、低生
産性・高コストになるという問題があった。
号公報の光電変換装置では、最下点でV字状に急激に変
化する形状を持つコーティング20により変換効率を向
上させるとあるが、最下点でV字状に急激に変化する形
状を形成することは技術的に難しいため、生産性が悪
く、また長期に渡って太陽光にさらされる場合、コーテ
ィング材料20に劣化が生じ、徐々に変換効率が低下す
るという問題があった。
てなされたものであり、その目的は高効率且つ高生産性
の光電変換装置を提供することにある。
に、請求項1に係る光電変換装置によれば、下部電極上
に多数の粒状結晶半導体を配設し、この粒状結晶半導体
間に絶縁体を充填して、この粒状結晶半導体の上部側に
上部電極を形成した光電変換装置において、前記絶縁体
と上部電極を透光性部材で形成するとともに、前記粒状
結晶半導体間に反射性部材から成る凸部を形成したこと
を特徴とする。
部電極の表面部に形成することが望ましい。
部の高さが1μm以上であり、かつ前記粒状結晶半導体
の直径の1/2以下であることが望ましい。
部を成す反射性部材がアルミニウム、銅、ニッケル、鉄
及びその合金、窒化チタンであることが望ましい。
状結晶半導体を第1導電形の半導体で形成するととも
に、この粒状結晶半導体上に第2導電形の半導体層を形
成することが望ましい。
状結晶半導体上に透明誘電体保護膜が形成されているこ
とが望ましい。
基づいて詳細に説明する。図1において、下部電極1は
導電性をもつものであればよく、セラミックや樹脂等の
絶縁物質を基板として用いる場合はその表面に導電層を
形成する必要がある。
にp形を呈するB、Al、Ga等が微量元素含まれてい
るものである。半導体粒子2の形状としては多角形を持
つもの、曲面を持つもの等がある。粒径分布としては均
一、不均一を問わないが、均一の場合は粒径を揃えるた
めの工程が必要になるため、コスト的には不均一の方が
有利である。更に凸曲面を持つことによって光の光線角
度の依存性も小さい。
す。箱型の冶具に半導体粒子2の粒径より小さな穴を設
計した配列に形成し、箱形の冶具内部をポンプにより減
圧し、粒径より小さな穴に半導体粒子2を吸着させる。
基板1上へ前記冶具を搬送した後、冶具内部の圧力を上
げて半導体粒子2を基板1上へ並べる。前記配列方法に
よると、箱型冶具に形成した穴の配列を設計することで
容易に半導体粒子2を適当な配列に並べることができ
る。その他、超音波等の振動を与えて半導体粒子2を配
列する方法もある。
2の無い位置に入射した光を半導体粒子2へ導く効果を
有するものである。凸部3に入射した光は反射して半導
体粒子2へ導かれて発電に寄与することができ、高い変
換効率を実現できる。上記凸部3は図1又は図2に示す
ように、周期的又は非周期的のどちらでもよく、凸部3
の間に半導体粒子2が存在しなければならないといった
制約もない。
ことが好ましい。これは、下部電極の表面に凸部3を形
成する場合が凸部3の高さを最も高くとれ、多量の光を
半導体粒子2へ導くことができるためである。更に、下
部電極層に形成した凸部3頂点間を結ぶ曲線が湾曲した
凹形状であることが好ましい。
銅、ニッケル、鉄及びその合金、窒化チタンであること
が好ましい。更に好ましくは、アルミニウム又は銅を主
として銀、金、白金、錫、マンガン、クロム、チタン、
鉄、シリコンを加えたアルミニウム又は銅合金であるこ
とが好ましい。この理由は、高い反射率を有し、安価で
あることによる。
3の高さは1μm以上で、且つ半導体粒子2の直径の1
/2以下であることが好ましい。凸部3の頂点の高さが
1/2以上のときは、凸部3を覆うように絶縁体4を形
成する必要があるために絶縁体4が厚くなり、pn接合
面積が減少する場合や上部電極が形成しにくくなる場合
があるために好ましくない。凸部3の頂点の高さが1μ
m以下の場合は光を集める効果が小さくなるために好ま
しくない。凸部3の形成方法として、下部電極にプレス
成形して凸部3を形成する方法、粒状半導体を下部電極
に押し込んで粒状半導体間の下部電極を凸状に盛り上が
らせて形成する方法、半導体粒子よりも小さな反射性金
属粒子を散在させて加圧して下部電極に沈み込ませて形
成する方法、反射性金属粉末のペーストを印刷して焼成
して形成する方法、下部電極表面をサンドブラスト法・
RIE法・薬液によるエッチングにより凹凸を形成する
方法等がある。
反射性部材から成る上部補助電極の表面部分に形成して
もよい。
の絶縁材料で透光性を有する材料からなる。特に発電に
寄与する波長400nm〜1200nmの光の透過率が
50%以上である材料が好ましい。例えばSiO2、A
l2O3、PbO、B2O3、ZnO等を任意な成分とする
ガラススラリーを用いた絶縁物質、ポリカーボネート等
の樹脂絶縁物質等がある。
拡散法等により形成され、例えばシラン化合物の気相に
n形を呈するリン系化合物の気相を微量導入して形成す
る。なお、第2導電形半導体部4は、単結晶質、多結晶
質、微結晶質、非晶質であれば良い。第2導電形半導体
部4中の微量元素の濃度は、例えば1×1016〜10 22
atm/cm3程度であれば良い。第2導電形半導体部
4は上部電極を兼ねても良い。また、第2導電形半導体
部4と保護膜5の間に酸化錫、酸化亜鉛等の上部電極を
形成しても良い。
良く、CVD法やPVD法等によって例えば酸化珪素、
酸化セシウム、酸化アルミニウム、窒化珪素、酸化チタ
ン、SiO2−TiO2、酸化タンタル、酸化イットリウ
ム等を単一組成又は複数組成で単層又は組み合わせて第
2導電形半導体層4上に形成する。この保護層5を適当
な膜厚に合わせることにより反射防止効果を持たせると
更に好適である。
ー、バスバー等の補助電極をスクリーン印刷法や蒸着法
により任意のパターンで形成しても良い。図3に示すよ
うに補助電極を凸状に形成して補助電極に入射した光を
半導体粒子2へ導く構造とすると更に好適である。
明する。まず、下部電極1上に絶縁体層4を形成する。
下部電極1はアルミニウム・シリコン合金を用いた。下
部電極1上にアルミニウム・シリコン合金粒子を散在さ
せ、加圧して下部電極1に沈み込ませ、凸部3を形成し
た。この凸部3の平均高さを変化させた結果を表1に示
す。
の比とは、平均のシリコン粒子径に対する平均の凸部3
の高さの比率を示す。図4に示すように、凸部3を形成
しなかった比較例も同時に示す。
基板上に500μmの厚みに形成した。ガラスペースト
に用いたガラスは酸化鉛系の軟化温度440℃で波長4
00nm〜1200nmの平均透過率90%のものを使
用した。次に、その上に平均直径800μmのp形シリ
コン粒子2を配置した。このときp形シリコン粒子2を
振動を与えながらゆるやかに加圧し、先に配置した凸部
3をさけて直接下部電極1に接触するように配置させ
た。次に、加熱してガラスペーストを焼成した。次に、
前記シリコン粒子2と前記絶縁物質層4の上にn形シリ
コン層5を上部電極層も兼ねて300nm形成した。こ
の上部電極層を兼ねたn形シリコン層5の波長400n
m〜1200nmの平均透過率は92%のものを形成し
た。更に、保護膜6として窒化珪素を200nm形成し
た。
い変換効率を示す。また、凸部3の高さが1μm以下の
ときは変換効率向上効果が小さくて好ましくない。ま
た、シリコン粒子に対する凸部3の高さの比が1/2以
上のとき、絶縁体4が凸部3を覆うことができず一部絶
縁体4上に突きだし、上部電極と凸部3が接触してショ
ートするために好ましくない。絶縁体4を厚くしてショ
ートしない構造とした場合であっても、pn接合面積が
小さくなるために変換効率が低下して好ましくない。
効率を評価した結果を表2に示す。表2に示した透過率
は波長400nm〜1200nmの平均で示した。シリ
コン粒子に対する凸部3の高さの比は1/10(80μ
m)とした。
50%以上のときに好適である。平均透過率が50%以
下のときは変換効率が低下するために好ましくない。
凸部材料の反射率と変換効率を評価した結果を表3に示
す。シリコンに対する凸部3の高さの比は1/10と
し、絶縁体層4の平均透過率を95%とした。
ウム、アルミニウム・銀合金、アルミニウム・シリコン
合金、銅、ニッケル、鉄、窒化チタンであることが好適
である。凸部3の材料がアルミニウム、アルミニウム・
銀合金、アルミニウム・シリコン合金、銅、ニッケル、
鉄、窒化チタン以外であるときは変換効率が低下して好
ましくない。また、凸部3の材料の反射率は50%以上
であることが好ましい。凸部3の材料の反射率が50%
未満であるとき変換効率が低下して好ましくない。
1の表面に凸部3をプレス成形により形成した。この凸
部3の高さを変化させて変換効率を評価した結果を表4
に示す。凸部3を形成した下部電極1上に絶縁体層4を
形成した。絶縁体層4はガラスペーストを用いてこの下
部電極1上に200μmの厚みに形成した。ガラスペー
ストに用いたガラスは酸化ビスマス系の軟化温度510
℃で波長400nm〜1200nmの平均透過率85%
のものを使用した。次に、その上に平均直径500μm
のp形シリコン結晶粒子2を配置した。次に、加熱して
ガラスペーストを焼成した。次に、前記p形シリコン結
晶粒子2と前記絶縁体層4の上にn形シリコン層5を1
00nm形成し、更に酸化錫の上部電極7を100nm
形成した。このとき上部電極7の波長400nm〜12
00nmの平均透過率を83%のものを形成した。次
に、保護膜6として窒化珪素を300nm形成した。
い変換効率を示す。また、凸部3の高さが1μm以下の
ときは変換効率向上効果が小さくて好ましくない。ま
た、シリコン粒子に対する凸部3の高さの比が1/2以
上のとき、絶縁体4が凸部3を覆うことができずに一部
が絶縁体4上に突きだし、上部電極と凸部3が接触して
ショートするために好ましくない。絶縁体4を厚くして
ショートしない構造とした場合であってもpn接合面積
が小さくなるために変換効率が低下して好ましくない。
効率を評価した結果を表5に示す。表5に示した透過率
は波長400nm〜1200nmの平均で示した。シリ
コン粒子に対する凸部3の高さの比は1/5(100μ
m)とした。
0%以上のときは好適である。上部電極の透過率が50
%以下であるときは変換効率が大きく低下し好ましくな
い。
置によれば、下部電極上に多数の粒状結晶半導体を配設
し、この粒状結晶半導体間に絶縁体を充填して、この粒
状結晶半導体の上部側に上部電極を形成した光電変換装
置において、前記絶縁体と上部電極を透光性部材で形成
するとともに、前記粒状結晶半導体間に反射性部材から
成る凸部を形成したことにより、高い変換効率と高い生
産性を有する光電変換装置を実現することができる。
る。
ある。
示す断面図である。
る。
る。
Claims (6)
- 【請求項1】 下部電極上に多数の粒状結晶半導体を配
設し、この粒状結晶半導体間に絶縁体を充填して、この
粒状結晶半導体の上部側に上部電極を形成した光電変換
装置において、前記絶縁体と上部電極を透光性部材で形
成するとともに、前記粒状結晶半導体間に反射性部材か
ら成る凸部を形成したことを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項2】 前記凸部を前記下部電極の表面部に形成
したことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。 - 【請求項3】 前記凸部の高さが1μm以上で、かつ前
記粒状結晶半導体の直径の1/2以下であることを特徴
とする請求項2に記載の光電変換装置。 - 【請求項4】 前記凸部を成す反射性部材がアルミニウ
ム、銅、ニッケル、鉄及びその合金、窒化チタンである
ことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。 - 【請求項5】 前記粒状結晶半導体を第1導電形の半導
体で形成するとともに、この粒状結晶半導体上に第2導
電形の半導体層を形成したことを特徴とする請求項1に
記載の光電変換装置。 - 【請求項6】 前記粒状結晶半導体上に透明誘電体保護
膜が形成されていることを特徴とする請求項1乃至5に
記載の光電変換装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001005428A JP4570255B2 (ja) | 2001-01-12 | 2001-01-12 | 光電変換装置 |
US09/996,537 US6563041B2 (en) | 2000-11-29 | 2001-11-27 | Photoelectric conversion device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001005428A JP4570255B2 (ja) | 2001-01-12 | 2001-01-12 | 光電変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002217427A true JP2002217427A (ja) | 2002-08-02 |
JP4570255B2 JP4570255B2 (ja) | 2010-10-27 |
Family
ID=18873473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001005428A Expired - Fee Related JP4570255B2 (ja) | 2000-11-29 | 2001-01-12 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4570255B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6653552B2 (en) | 2001-02-28 | 2003-11-25 | Kyocera Corporation | Photoelectric conversion device and method of manufacturing the same |
JP2008034582A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Kyocera Corp | 光電変換装置及びその製造方法、並びに光電変換モジュール |
JP2008112821A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Kyocera Corp | 光電変換装置およびその製造方法 |
US7659955B2 (en) | 2005-12-13 | 2010-02-09 | Epson Imaging Devices Corporation | Liquid crystal device and projection display device with optical-axis-adjusting unit for optical compensator |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4454372A (en) * | 1981-04-17 | 1984-06-12 | Electric Power Research Institute, Inc. | Photovoltaic battery |
JPH0321079A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 多結晶太陽電池 |
JPH03228379A (ja) * | 1990-02-02 | 1991-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池用基板 |
JPH0536997A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
JPH06163953A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子及びその製造方法 |
JPH07202244A (ja) * | 1994-01-07 | 1995-08-04 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池 |
JPH07221336A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-08-18 | Tonen Corp | 太陽電池モジュール |
JPH07221335A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-08-18 | Tonen Corp | 太陽電池モジュール |
JPH07335925A (ja) * | 1994-06-03 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | 太陽電池 |
JP2000091625A (ja) * | 1998-09-08 | 2000-03-31 | Digital Wave:Kk | 半導体装置製造用基板、その製造方法、及び、光電変換装置、その製造方法 |
JP2001168369A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Joyu Nakada | 球状半導体素子を用いた発電装置および球状半導体素子を用いた発光装置 |
-
2001
- 2001-01-12 JP JP2001005428A patent/JP4570255B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4454372A (en) * | 1981-04-17 | 1984-06-12 | Electric Power Research Institute, Inc. | Photovoltaic battery |
JPH0321079A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 多結晶太陽電池 |
JPH03228379A (ja) * | 1990-02-02 | 1991-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池用基板 |
JPH0536997A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
JPH06163953A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子及びその製造方法 |
JPH07221336A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-08-18 | Tonen Corp | 太陽電池モジュール |
JPH07221335A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-08-18 | Tonen Corp | 太陽電池モジュール |
JPH07202244A (ja) * | 1994-01-07 | 1995-08-04 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池 |
JPH07335925A (ja) * | 1994-06-03 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | 太陽電池 |
JP2000091625A (ja) * | 1998-09-08 | 2000-03-31 | Digital Wave:Kk | 半導体装置製造用基板、その製造方法、及び、光電変換装置、その製造方法 |
JP2001168369A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Joyu Nakada | 球状半導体素子を用いた発電装置および球状半導体素子を用いた発光装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6653552B2 (en) | 2001-02-28 | 2003-11-25 | Kyocera Corporation | Photoelectric conversion device and method of manufacturing the same |
US7659955B2 (en) | 2005-12-13 | 2010-02-09 | Epson Imaging Devices Corporation | Liquid crystal device and projection display device with optical-axis-adjusting unit for optical compensator |
JP2008034582A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Kyocera Corp | 光電変換装置及びその製造方法、並びに光電変換モジュール |
JP2008112821A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Kyocera Corp | 光電変換装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4570255B2 (ja) | 2010-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4623751A (en) | Photovoltaic device and its manufacturing method | |
US6563041B2 (en) | Photoelectric conversion device | |
US20020162585A1 (en) | Photoelectric conversion device and method of manufacturing the same | |
JP2012522403A (ja) | 光起電力電池、及び、半導体層スタックにおいて光補足を高める方法 | |
KR20070119702A (ko) | 태양 전지 | |
US7972883B2 (en) | Method of manufacturing photoelectric device | |
JP2000022184A (ja) | 球状または棒状結晶太陽電池およびその製造方法 | |
JP2016122749A (ja) | 太陽電池素子および太陽電池モジュール | |
JPH05110122A (ja) | 光電変換装置及びその製造方法 | |
CN107104161A (zh) | 具有反射器的双面晶体硅太阳能板 | |
JP4570255B2 (ja) | 光電変換装置 | |
JP2999867B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
KR20050087253A (ko) | 전사법을 이용한 태양전지 및 그 제조방법 | |
WO2015015694A1 (ja) | 光起電力装置 | |
JP2002299656A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2004235272A (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法 | |
JP2001313401A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2002261301A (ja) | 光電変換装置 | |
JPS6357952B2 (ja) | ||
JP4570235B2 (ja) | 光電変換装置 | |
JP2007208049A (ja) | 光電変換装置、その製造方法および光発電装置 | |
JP2002222976A (ja) | 光電変換装置 | |
JP4129355B2 (ja) | 光電変換装置 | |
JP4540177B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
JP4666734B2 (ja) | 光電変換装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070912 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100223 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100416 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100713 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100810 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |