JP2002261301A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JP2002261301A JP2002261301A JP2001053288A JP2001053288A JP2002261301A JP 2002261301 A JP2002261301 A JP 2002261301A JP 2001053288 A JP2001053288 A JP 2001053288A JP 2001053288 A JP2001053288 A JP 2001053288A JP 2002261301 A JP2002261301 A JP 2002261301A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- substrate
- photoelectric conversion
- granular crystal
- granular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の結晶質半導体粒子を用いた光電変換装
置は低変換効率、低信頼性、低生産性であった。 【解決手段】 基板１上に多数の粒状結晶半導体２を配
設し、この粒状結晶半導体の上部側と底部に電極を形成
した光電変換装置であって、上記粒状結晶半導体２表面
を粗面とする。
置は低変換効率、低信頼性、低生産性であった。 【解決手段】 基板１上に多数の粒状結晶半導体２を配
設し、この粒状結晶半導体の上部側と底部に電極を形成
した光電変換装置であって、上記粒状結晶半導体２表面
を粗面とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光電変換装置に関
し、特に多数の半導体粒子を用いた光電変換装置に関す
る。
し、特に多数の半導体粒子を用いた光電変換装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から提案されている結晶半導体粒子
を用いた光電変換素子を図４および図５に示す。
を用いた光電変換素子を図４および図５に示す。
【０００３】図４に示すように、特開２０００−２２１
８４号公報によれば、球状または棒状の複数の半導体結
晶２を、周期的な凹凸構造を持つ第１の基板１３上に配
置された構造を持たせ、この第１の基板１３に構成され
た周期的な凹凸構造上に第１の導電層１２を配置し、こ
の第１の導電層１２に対し、上記球状または棒状の半導
体結晶２の一部を電気的に接触させ、この第１の導電層
１２と接触した、球状又は棒状の半導体結晶２の一部と
は異なる部分の半導体結晶の一部に電気的に接触した第
２の導電層９を配置した太陽電池が開示されている。図
４において、８は高反射膜、１０はスピンオンガラスＳ
ＯＧ１、１１はスピンオンガラスＳＯＧ２を示す。
８４号公報によれば、球状または棒状の複数の半導体結
晶２を、周期的な凹凸構造を持つ第１の基板１３上に配
置された構造を持たせ、この第１の基板１３に構成され
た周期的な凹凸構造上に第１の導電層１２を配置し、こ
の第１の導電層１２に対し、上記球状または棒状の半導
体結晶２の一部を電気的に接触させ、この第１の導電層
１２と接触した、球状又は棒状の半導体結晶２の一部と
は異なる部分の半導体結晶の一部に電気的に接触した第
２の導電層９を配置した太陽電池が開示されている。図
４において、８は高反射膜、１０はスピンオンガラスＳ
ＯＧ１、１１はスピンオンガラスＳＯＧ２を示す。
【０００４】図５に示すように、米国特許第５４１９７
８２号公報によれば、第１のアルミニウム箔１４に開口
を形成し、その開口にｐ形の上にｎ形表皮部１６を持つ
ｐ形シリコン球１５を結合し、球の裏側のｎ形表皮部１
６を除去し、アルミニウム上に酸化物１７をコーティン
グし、球裏側の酸化物を除去し、第２のアルミニウム箔
１８と接合し、透明なコーティング１９を表面に設け、
このコーティング１９が最下点でＶ字状に急激に変化す
る形状を有することでｐ形シリコン球１５の無い位置に
入射した光をｐ形シリコン球１５に導いて変換効率を向
上させた光電変換装置が開示されている。
８２号公報によれば、第１のアルミニウム箔１４に開口
を形成し、その開口にｐ形の上にｎ形表皮部１６を持つ
ｐ形シリコン球１５を結合し、球の裏側のｎ形表皮部１
６を除去し、アルミニウム上に酸化物１７をコーティン
グし、球裏側の酸化物を除去し、第２のアルミニウム箔
１８と接合し、透明なコーティング１９を表面に設け、
このコーティング１９が最下点でＶ字状に急激に変化す
る形状を有することでｐ形シリコン球１５の無い位置に
入射した光をｐ形シリコン球１５に導いて変換効率を向
上させた光電変換装置が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４に
示す特開２０００−２２１８４号公報の光電変換装置で
は、基板の凹凸面に合わせて球状半導体結晶２を並べる
ために、絶縁物１１（例えばスピンオンガラスＳＯＧ
２）を基板１３の凹凸面に沿って形成する必要があり、
一般の印刷法では形成できないために生産性に欠けると
いう問題点があった。また、基板１３の凹凸一つ一つに
球状半導体結晶２を配置する構造であるため、球状半導
体結晶を小さくするとアッセンブルが困難になり、原料
となる半導体の使用量を少なくするために、球状半導体
結晶を小さくすることができなくなり、低生産性・高コ
ストになるという問題点があった。
示す特開２０００−２２１８４号公報の光電変換装置で
は、基板の凹凸面に合わせて球状半導体結晶２を並べる
ために、絶縁物１１（例えばスピンオンガラスＳＯＧ
２）を基板１３の凹凸面に沿って形成する必要があり、
一般の印刷法では形成できないために生産性に欠けると
いう問題点があった。また、基板１３の凹凸一つ一つに
球状半導体結晶２を配置する構造であるため、球状半導
体結晶を小さくするとアッセンブルが困難になり、原料
となる半導体の使用量を少なくするために、球状半導体
結晶を小さくすることができなくなり、低生産性・高コ
ストになるという問題点があった。
【０００６】また、図５に示す米国特許第５４１９７８
２号公報の光電変換装置では、最下点でＶ字状に急激に
変化する形状を持つコーティング１９によって変換効率
を向上させるとあるが、最下点でＶ字状に急激に変化す
る形状を形成することは技術的に難しいために、生産性
が悪く、また長期に渡って太陽光にさらされる場合はコ
ーティング材料１９に劣化が生じて徐々に変換効率が低
下するという問題があった。
２号公報の光電変換装置では、最下点でＶ字状に急激に
変化する形状を持つコーティング１９によって変換効率
を向上させるとあるが、最下点でＶ字状に急激に変化す
る形状を形成することは技術的に難しいために、生産性
が悪く、また長期に渡って太陽光にさらされる場合はコ
ーティング材料１９に劣化が生じて徐々に変換効率が低
下するという問題があった。
【０００７】本発明はこのような従来技術の課題に鑑み
てなされたものであり、その目的は高効率且つ高信頼性
且つ高生産性の光電変換装置を提供することにある。
てなされたものであり、その目的は高効率且つ高信頼性
且つ高生産性の光電変換装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る光電変換装置によれば、基板上に多
数の粒状結晶半導体を配設し、この粒状結晶半導体の上
部側と底部側に電極を設けた光電変換装置において、前
記粒状結晶半導体表面を粗面にしたことを特徴とする。
に、請求項１に係る光電変換装置によれば、基板上に多
数の粒状結晶半導体を配設し、この粒状結晶半導体の上
部側と底部側に電極を設けた光電変換装置において、前
記粒状結晶半導体表面を粗面にしたことを特徴とする。
【０００９】上記光電変換装置では、前記粒状結晶半導
体表面の算術平均粗さが０．０１以上且つ５以下である
ことが望ましい。
体表面の算術平均粗さが０．０１以上且つ５以下である
ことが望ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて詳細に説明する。図１において、基板１は導電
性をもつものであればよく、下部電極を兼ねてもよい
が、下部電極を兼ねないときにセラミックや樹脂等の絶
縁物質を基板として用いる場合はその表面に導電層を形
成して下部電極としてもよい。
基づいて詳細に説明する。図１において、基板１は導電
性をもつものであればよく、下部電極を兼ねてもよい
が、下部電極を兼ねないときにセラミックや樹脂等の絶
縁物質を基板として用いる場合はその表面に導電層を形
成して下部電極としてもよい。
【００１１】第１導電形半導体粒子２は、Ｓｉ、Ｇｅ等
にｐ形を呈するＢ、Ａｌ、Ｇａ等又はｎ形を呈するＰ、
Ａｓ、Ｓｂ等が微量元素含まれているものである。半導
体粒子２の表面は粗面とする。半導体粒子２の表面を粗
面化することで、半導体粒子２へ入射した光が半導体粒
子２内へ入りやすくなり、更に反射した光も散乱される
ため隣接する半導体粒子２へ導かれることで変換効率が
向上し、また基板との密着性を向上させる効果がある。
半導体粒子２表面を粗面化する方法として、水酸化ナト
リウム等の薬液によるエッチング、ＣＦ4等のプラズマ
中に半導体粒子をさらすケミカルドライエッチング、サ
ンドブラスト法等がある。
にｐ形を呈するＢ、Ａｌ、Ｇａ等又はｎ形を呈するＰ、
Ａｓ、Ｓｂ等が微量元素含まれているものである。半導
体粒子２の表面は粗面とする。半導体粒子２の表面を粗
面化することで、半導体粒子２へ入射した光が半導体粒
子２内へ入りやすくなり、更に反射した光も散乱される
ため隣接する半導体粒子２へ導かれることで変換効率が
向上し、また基板との密着性を向上させる効果がある。
半導体粒子２表面を粗面化する方法として、水酸化ナト
リウム等の薬液によるエッチング、ＣＦ4等のプラズマ
中に半導体粒子をさらすケミカルドライエッチング、サ
ンドブラスト法等がある。
【００１２】半導体粒子２の表面の算術平均粗さは０．
０１以上５以下が好適である。算術平均粗さが０．０１
以下のときは光の吸収効果と散乱効果が小さいために変
換効率の向上効果が見られず、また密着性の向上も見ら
れないため好ましくない。算術平均粗さが５以上のとき
は、ｐｎ接合が均一に形成することができなかったり、
ｐｎ接合品質の低下によって変換効率が低下するため好
ましくない。更に半導体粒子２の表面の算術平均粗さが
０．０５以上１以下であるとき、変換効率向上効果が特
に大きく、より好ましい。
０１以上５以下が好適である。算術平均粗さが０．０１
以下のときは光の吸収効果と散乱効果が小さいために変
換効率の向上効果が見られず、また密着性の向上も見ら
れないため好ましくない。算術平均粗さが５以上のとき
は、ｐｎ接合が均一に形成することができなかったり、
ｐｎ接合品質の低下によって変換効率が低下するため好
ましくない。更に半導体粒子２の表面の算術平均粗さが
０．０５以上１以下であるとき、変換効率向上効果が特
に大きく、より好ましい。
【００１３】また、半導体粒子２の形状としては多角形
を持つもの、曲面を持つもの等がある。粒径分布として
は均一、不均一を問わないが、均一の場合は粒径を揃え
るための工程が必要になるため、コスト的には不均一の
場合が有利である。更に凸曲面を持つことによって光の
光線角度の依存性も小さい。
を持つもの、曲面を持つもの等がある。粒径分布として
は均一、不均一を問わないが、均一の場合は粒径を揃え
るための工程が必要になるため、コスト的には不均一の
場合が有利である。更に凸曲面を持つことによって光の
光線角度の依存性も小さい。
【００１４】半導体粒子２の配列方法の一例を次に示
す。箱型の治具に半導体粒子２の粒径より小さな穴を設
計した配列に形成し、箱形の治具内部をポンプで減圧
し、粒径より小さな穴に半導体粒子２を吸着させる。基
板１上へ前記治具を搬送した後、治具内部の圧力を上げ
て半導体粒子２を基板１上に並べる。このような配列方
法によると、箱型治具に形成した穴の配列を設計するこ
とで容易に半導体粒子２を適当な配列に並べることがで
きる。その他、超音波等の振動を与えて半導体粒子２を
配列する方法もある。
す。箱型の治具に半導体粒子２の粒径より小さな穴を設
計した配列に形成し、箱形の治具内部をポンプで減圧
し、粒径より小さな穴に半導体粒子２を吸着させる。基
板１上へ前記治具を搬送した後、治具内部の圧力を上げ
て半導体粒子２を基板１上に並べる。このような配列方
法によると、箱型治具に形成した穴の配列を設計するこ
とで容易に半導体粒子２を適当な配列に並べることがで
きる。その他、超音波等の振動を与えて半導体粒子２を
配列する方法もある。
【００１５】絶縁体４は、正極負極の分離を行うための
絶縁材料からなる。例えばＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｐｂ
Ｏ、Ｂ2Ｏ3、ＺｎＯ等を任意な成分とするガラススラリ
−を用いた絶縁物質、ポリカーボネート、エポキシ等の
樹脂絶縁物質等がある。
絶縁材料からなる。例えばＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｐｂ
Ｏ、Ｂ2Ｏ3、ＺｎＯ等を任意な成分とするガラススラリ
−を用いた絶縁物質、ポリカーボネート、エポキシ等の
樹脂絶縁物質等がある。
【００１６】第２導電形半導体部５は、気相成長法、熱
拡散法、イオン注入法、プラズマドーピング法等で形成
され、気相成長法の一例はシラン化合物の気相にｎ形を
呈するリン系化合物の気相を微量導入して形成する。な
お、第２導電形半導体部５は、単結晶質、多結晶質、微
結晶質、非晶質であればよい。第２導電形半導体部５中
の微量元素の濃度は、例えば１×１０16〜１０22ａｔｍ
／ｃｍ3程度であればよい。第２導電形半導体部５は上
部電極を兼ねてもよい。また、第２導電形半導体部５と
保護膜６の間に酸化錫、酸化亜鉛等の上部電極を形成し
てもよい。図１において、第２導電形半導体部５を気相
成長法等により第２導電形半導体層として形成し、その
上に保護膜６を形成した例を示す。また、図２におい
て、第２導電形半導体部５をイオン注入法等により半導
体粒子内に形成し、その上に上部電極として透明導電層
７を形成し、更にその上に保護膜６を形成した例を示
す。
拡散法、イオン注入法、プラズマドーピング法等で形成
され、気相成長法の一例はシラン化合物の気相にｎ形を
呈するリン系化合物の気相を微量導入して形成する。な
お、第２導電形半導体部５は、単結晶質、多結晶質、微
結晶質、非晶質であればよい。第２導電形半導体部５中
の微量元素の濃度は、例えば１×１０16〜１０22ａｔｍ
／ｃｍ3程度であればよい。第２導電形半導体部５は上
部電極を兼ねてもよい。また、第２導電形半導体部５と
保護膜６の間に酸化錫、酸化亜鉛等の上部電極を形成し
てもよい。図１において、第２導電形半導体部５を気相
成長法等により第２導電形半導体層として形成し、その
上に保護膜６を形成した例を示す。また、図２におい
て、第２導電形半導体部５をイオン注入法等により半導
体粒子内に形成し、その上に上部電極として透明導電層
７を形成し、更にその上に保護膜６を形成した例を示
す。
【００１７】保護膜６は透明誘電体の特性を持つものが
よく、ＣＶＤ法やＰＶＤ法等で例えば酸化珪素、酸化セ
シウム、酸化アルミニウム、窒化珪素、酸化チタン、Ｓ
ｉＯ 2−ＴｉＯ2、酸化タンタル、酸化イットリウム等を
単一組成又は複数組成で単層又は組み合わせて第２導電
形半導体層５上に形成する。この保護層６を適当な膜厚
に合わせることによって反射防止効果を持たせると更に
好適である。
よく、ＣＶＤ法やＰＶＤ法等で例えば酸化珪素、酸化セ
シウム、酸化アルミニウム、窒化珪素、酸化チタン、Ｓ
ｉＯ 2−ＴｉＯ2、酸化タンタル、酸化イットリウム等を
単一組成又は複数組成で単層又は組み合わせて第２導電
形半導体層５上に形成する。この保護層６を適当な膜厚
に合わせることによって反射防止効果を持たせると更に
好適である。
【００１８】また、抵抗を下げるために適宜フィンガ
ー、バスバー等の補助電極をスクリーン印刷法や蒸着法
で任意のパターンで形成してもよい。
ー、バスバー等の補助電極をスクリーン印刷法や蒸着法
で任意のパターンで形成してもよい。
【００１９】
【実施例１】次に、本発明の光電変換装置の実施例を説
明する。まず、基板１上に絶縁体層４を形成する。基板
１はアルミニウムを用いた下部電極を兼用するものとし
た。絶縁体層４はガラスペーストを用いてこの基板上に
１００μｍの厚みに形成した。ガラスペーストに用いた
ガラスは酸化燐系の軟化温度４８０℃のものを使用し
た。次に、その上に平均直径４００μｍで表面が粗面で
ある粒状ｐ形シリコン２を配置し、基板１に接触するま
で押し込んだ。この粒状ｐ形シリコン２は水酸化ナトリ
ウム溶液に浸けることで表面を粗面化した。粒状ｐ形シ
リコン表面の算術平均粗さを変化させて変換効率と密着
性を評価した結果を表１に示す。比較例として、図３に
示すような粗面化処理を行わなかった算術平均粗さ０．
００４の例も同時に評価した。算術平均粗さの評価はＪ
ＩＳに準じて行い、密着性の評価は８５℃９５％ＲＨ環
境で１０００時間後に基板１とｐ形シリコン粒子２との
間のクラックの有無で評価した。全くクラックが見られ
なかったものを○、一部で見られたものを△、クラック
が半数以上に起こっていたものを×とした。次に、加熱
してガラスペーストを焼成した。次に、前記シリコン粒
子２と前記絶縁物質層４の上にｎ形シリコン層５を上部
電極層も兼ねて４００ｎｍ形成した。更に、保護膜６と
して窒化珪素を８０ｎｍ形成した。
明する。まず、基板１上に絶縁体層４を形成する。基板
１はアルミニウムを用いた下部電極を兼用するものとし
た。絶縁体層４はガラスペーストを用いてこの基板上に
１００μｍの厚みに形成した。ガラスペーストに用いた
ガラスは酸化燐系の軟化温度４８０℃のものを使用し
た。次に、その上に平均直径４００μｍで表面が粗面で
ある粒状ｐ形シリコン２を配置し、基板１に接触するま
で押し込んだ。この粒状ｐ形シリコン２は水酸化ナトリ
ウム溶液に浸けることで表面を粗面化した。粒状ｐ形シ
リコン表面の算術平均粗さを変化させて変換効率と密着
性を評価した結果を表１に示す。比較例として、図３に
示すような粗面化処理を行わなかった算術平均粗さ０．
００４の例も同時に評価した。算術平均粗さの評価はＪ
ＩＳに準じて行い、密着性の評価は８５℃９５％ＲＨ環
境で１０００時間後に基板１とｐ形シリコン粒子２との
間のクラックの有無で評価した。全くクラックが見られ
なかったものを○、一部で見られたものを△、クラック
が半数以上に起こっていたものを×とした。次に、加熱
してガラスペーストを焼成した。次に、前記シリコン粒
子２と前記絶縁物質層４の上にｎ形シリコン層５を上部
電極層も兼ねて４００ｎｍ形成した。更に、保護膜６と
して窒化珪素を８０ｎｍ形成した。
【００２０】
【表１】
【００２１】上記結果から、粗面化した表面の方が高い
特性を示す。また、算術平均粗さが０．０１以上５以下
のときに好ましい。算術平均粗さが０．０１未満のとき
は変換効率向上効果が小さく、密着性が悪いために好ま
しくない。算術平均粗さが５より大きいとき、変換効率
が低下するために好ましくない。更に好適には算術平均
粗さが０．０５以上１以下である。
特性を示す。また、算術平均粗さが０．０１以上５以下
のときに好ましい。算術平均粗さが０．０１未満のとき
は変換効率向上効果が小さく、密着性が悪いために好ま
しくない。算術平均粗さが５より大きいとき、変換効率
が低下するために好ましくない。更に好適には算術平均
粗さが０．０５以上１以下である。
【００２２】
【実施例２】基板１をアルミニウム・クロム合金とし、
基板１上に絶縁体層４を形成した。絶縁体層４はガラス
ペーストを用いてこの基板１上に２００μｍの厚みに形
成した。ガラスペーストに用いたガラスは酸化ホウ素系
の軟化温度５６０℃のものを使用した。次に、その上に
平均直径７００μｍで表面が粗面である粒状ｐ形シリコ
ン２を配置した。このｐ形粒状シリコン２はサンドブラ
スト法で表面を粗面化した。
基板１上に絶縁体層４を形成した。絶縁体層４はガラス
ペーストを用いてこの基板１上に２００μｍの厚みに形
成した。ガラスペーストに用いたガラスは酸化ホウ素系
の軟化温度５６０℃のものを使用した。次に、その上に
平均直径７００μｍで表面が粗面である粒状ｐ形シリコ
ン２を配置した。このｐ形粒状シリコン２はサンドブラ
スト法で表面を粗面化した。
【００２３】粒状ｐ形シリコン２の表面の算術平均粗さ
を変化させ変換効率と密着性を評価した結果を表２に示
す。
を変化させ変換効率と密着性を評価した結果を表２に示
す。
【００２４】次に、加熱してガラスペーストを焼成し
た。次に、ホスフィンと水素をチャンバへ導入し、ＲＦ
電力を加えてプラズマ化し、リンを粒状ｐ形シリコン表
面へ拡散させてｎ形シリコン部を３０ｎｍ形成した。次
に、酸化錫の上部電極７を１５０ｎｍ形成した。次に、
保護膜６として窒化珪素を２００ｎｍ形成した。
た。次に、ホスフィンと水素をチャンバへ導入し、ＲＦ
電力を加えてプラズマ化し、リンを粒状ｐ形シリコン表
面へ拡散させてｎ形シリコン部を３０ｎｍ形成した。次
に、酸化錫の上部電極７を１５０ｎｍ形成した。次に、
保護膜６として窒化珪素を２００ｎｍ形成した。
【００２５】
【表２】
【００２６】上記結果から、粗面化した表面の方が高い
特性を示す。また、算術平均粗さが０．０１以上５以下
のときに好ましい。算術平均粗さが０．０１未満のとき
は変換効率向上効果が小さく、密着性が悪いために好ま
しくない。算術平均粗さが５より大きいときは、変換効
率が低下するために好ましくない。更に好適には算術平
均粗さが０．０５以上１以下である。
特性を示す。また、算術平均粗さが０．０１以上５以下
のときに好ましい。算術平均粗さが０．０１未満のとき
は変換効率向上効果が小さく、密着性が悪いために好ま
しくない。算術平均粗さが５より大きいときは、変換効
率が低下するために好ましくない。更に好適には算術平
均粗さが０．０５以上１以下である。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る光電変換装
置によれば、基板上に多数の粒状結晶半導体を配設し、
この粒状結晶半導体の上部側と底部側に電極を設けた光
電変換装置において、上記粒状結晶半導体表面を粗面に
したことにより、この粒状結晶半導体に入射した光を内
部へ入りやすくし、更に反射光も散乱されて隣接する粒
状結晶半導体へ導かれるため変換効率が向上するととも
に、基板との密着性が向上する。
置によれば、基板上に多数の粒状結晶半導体を配設し、
この粒状結晶半導体の上部側と底部側に電極を設けた光
電変換装置において、上記粒状結晶半導体表面を粗面に
したことにより、この粒状結晶半導体に入射した光を内
部へ入りやすくし、更に反射光も散乱されて隣接する粒
状結晶半導体へ導かれるため変換効率が向上するととも
に、基板との密着性が向上する。
【図１】本発明の一実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明の比較例を示す断面図である。
【図４】従来例１の光電変換素子の例を示す断面図であ
る。
る。
【図５】従来例２の光電変換素子の例を示す断面図であ
る。
る。
１・・・・基板 ２・・・・第１導電形半導体粒子 ３・・・・下部電極の粗面化した表面 ４・・・・透光性絶縁体層 ５・・・・第２導電形半導体部 ６・・・・保護層 ７・・・・透明導電層 ８・・・・高反射膜 ９・・・・ｐ電極 １０・・スピンオンガラスＳＯＧ１ １１・・スピンオンガラスＳＯＧ２ １２・・透明電極 １３・・第１の基板（透明ガラス） １４・・第１アルミニウム箔 １５・・ｐ形シリコン球 １６・・ｎ形表皮部 １７・・酸化物コーティング １８・・第２アルミニウム箔 １９・・透明コーティング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 有宗 久雄 滋賀県八日市市蛇溝町長谷野1166番地の６ 京セラ株式会社滋賀八日市工場内 Ｆターム(参考） 5F051 AA02 CB20 CB29 DA03 DA20 FA03 GA02
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に多数の粒状結晶半導体を配設
し、この粒状結晶半導体の上部側と底部側に電極を設け
た光電変換装置において、前記粒状結晶半導体表面を粗
面にしたことを特徴とする光電変換装置 - 【請求項２】 前記粒状結晶半導体表面の算術平均粗さ
が０．０１以上且つ５以下であることを特徴とする請求
項１に記載の光電変換装置
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001053288A JP2002261301A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 光電変換装置 |
| US10/082,788 US6653552B2 (en) | 2001-02-28 | 2002-02-22 | Photoelectric conversion device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001053288A JP2002261301A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002261301A true JP2002261301A (ja) | 2002-09-13 |
Family
ID=18913769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001053288A Pending JP2002261301A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002261301A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7402747B2 (en) | 2003-02-18 | 2008-07-22 | Kyocera Corporation | Photoelectric conversion device and method of manufacturing the device |
| JP2010258279A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Kyocera Corp | 光電変換セルおよび光電変換モジュール |
| JP2012234854A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Ulvac Japan Ltd | シリコン球状体用の加工電極装置及び加工方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0273671A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-13 | Fuji Electric Co Ltd | 光電変換素子の製造方法 |
| JPH0548126A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Sharp Corp | 光電変換素子およびその製造方法 |
| JPH06163953A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子及びその製造方法 |
| JPH10275921A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| WO1999010935A1 (en) * | 1997-08-27 | 1999-03-04 | Josuke Nakata | Spheric semiconductor device, method for manufacturing the same, and spheric semiconductor device material |
-
2001
- 2001-02-28 JP JP2001053288A patent/JP2002261301A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0273671A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-13 | Fuji Electric Co Ltd | 光電変換素子の製造方法 |
| JPH0548126A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Sharp Corp | 光電変換素子およびその製造方法 |
| JPH06163953A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子及びその製造方法 |
| JPH10275921A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| WO1999010935A1 (en) * | 1997-08-27 | 1999-03-04 | Josuke Nakata | Spheric semiconductor device, method for manufacturing the same, and spheric semiconductor device material |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7402747B2 (en) | 2003-02-18 | 2008-07-22 | Kyocera Corporation | Photoelectric conversion device and method of manufacturing the device |
| JP2010258279A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Kyocera Corp | 光電変換セルおよび光電変換モジュール |
| JP2012234854A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Ulvac Japan Ltd | シリコン球状体用の加工電極装置及び加工方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3722326B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| US20100282314A1 (en) | Photovoltaic cells and methods to enhance light trapping in semiconductor layer stacks | |
| WO2006137322A1 (ja) | 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法 | |
| KR20070119702A (ko) | 태양 전지 | |
| JP2009512214A (ja) | ｎ型多結晶シリコン太陽電池の製造方法 | |
| JP2012238853A (ja) | 光電変換装置、及びその作製方法 | |
| JP4340031B2 (ja) | 太陽電池用基板の粗面化方法 | |
| JPH11112011A (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
| JP4493514B2 (ja) | 光起電力モジュールおよびその製造方法 | |
| JP2003069059A (ja) | ガラス基板の粗面化方法およびそのガラス基板を用いた薄膜多結晶Ｓｉ太陽電池 | |
| JPH1140832A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| JP4467218B2 (ja) | 太陽電池用基板の粗面化法 | |
| JP2006295212A (ja) | 太陽電池の製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2002261301A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP6072904B2 (ja) | 光起電力素子及びその製造方法 | |
| JPH0566753B2 (ja) | ||
| JP4570255B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP4412872B2 (ja) | シリコン基板の粗面化法及びそれを用いた太陽電池の形成方法 | |
| JP2002222976A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2001313401A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP4570235B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH08288529A (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
| JP2000312014A (ja) | 薄膜光電変換装置 | |
| JPH0945945A (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法 | |
| JP2002329876A (ja) | 光電変換装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071119 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091228 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100126 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100325 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110201 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111108 |