JPH06163953A - 光起電力素子及びその製造方法 - Google Patents
光起電力素子及びその製造方法Info
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- JPH06163953A JPH06163953A JP43A JP31841592A JPH06163953A JP H06163953 A JPH06163953 A JP H06163953A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 31841592 A JP31841592 A JP 31841592A JP H06163953 A JPH06163953 A JP H06163953A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 132
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 80
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 9
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 abstract description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 96
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/035281—Shape of the body
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
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- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体粒子に用いた光起電力素子であって、
用いる半導体粒子の形状及びサイズの精密な制御が必要
でなく、かつ簡易な工程で製造することのできる光起電
力素子を得る。 【構成】 第１の電極層である金属膜２にシリコン粒子
３を固定し、シリコン粒子３の周囲を透光性のＳｉＯ2
層４で覆い、シリコン粒子３の上方部表面にシリコン粒
子内部と逆の導電型の半導体層３ａを形成し、その上に
第２の電極層である透明導電膜５を形成する。 【効果】 第１の電極層である金属膜２の表面で反射し
た光をシリコン粒子３の側面から吸収することができ、
光電変換効率を向上することができる。
用いる半導体粒子の形状及びサイズの精密な制御が必要
でなく、かつ簡易な工程で製造することのできる光起電
力素子を得る。 【構成】 第１の電極層である金属膜２にシリコン粒子
３を固定し、シリコン粒子３の周囲を透光性のＳｉＯ2
層４で覆い、シリコン粒子３の上方部表面にシリコン粒
子内部と逆の導電型の半導体層３ａを形成し、その上に
第２の電極層である透明導電膜５を形成する。 【効果】 第１の電極層である金属膜２の表面で反射し
た光をシリコン粒子３の側面から吸収することができ、
光電変換効率を向上することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光エネルギを電気エネ
ルギに変換する光起電力素子及びその製造方法に関し、
詳細にはシリコン粒子等の半導体粒子を用いた光起電力
素子及びその製造方法に関するものである。
ルギに変換する光起電力素子及びその製造方法に関し、
詳細にはシリコン粒子等の半導体粒子を用いた光起電力
素子及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコン粒子等の半導体粒子を用いた光
起電力素子を作製する方法は、例えば、米国特許第４，
９１７，７５２号等に開示されている。この先行技術の
光起電力素子の作製方法では、まずアルミニウム箔に所
定の大きさの孔を形成し、この孔に所定の大きさのシリ
コン粒子をはめ込んでいる。このシリコン粒子の内部と
表面層は互いに逆の導電型で形成されており、ｐｎ結合
が形成されている。このシリコン粒子の下方部の表面層
を除去し、この表面層とは逆の導電型の内部の半導体層
を露出させ、これに酸化物皮膜等を被覆した後ラッピン
グして内部の半導体層と電気的に接続する電極を形成
し、この電極とアルミニウム箔からなる電極の間で光起
電力素子を構成させている。
起電力素子を作製する方法は、例えば、米国特許第４，
９１７，７５２号等に開示されている。この先行技術の
光起電力素子の作製方法では、まずアルミニウム箔に所
定の大きさの孔を形成し、この孔に所定の大きさのシリ
コン粒子をはめ込んでいる。このシリコン粒子の内部と
表面層は互いに逆の導電型で形成されており、ｐｎ結合
が形成されている。このシリコン粒子の下方部の表面層
を除去し、この表面層とは逆の導電型の内部の半導体層
を露出させ、これに酸化物皮膜等を被覆した後ラッピン
グして内部の半導体層と電気的に接続する電極を形成
し、この電極とアルミニウム箔からなる電極の間で光起
電力素子を構成させている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法によれば、アルミニウム箔に形成された所定の
大きさの孔に所定の大きさのシリコン粒子をはめ込む必
要があり、シリコン粒子の大きさ及び形状を精密に制御
する必要が生じる。また、アルミニウム箔にシリコン粒
子をはめ込んだ後、表面層を除去し内部の半導体層を露
出させなければならず、粒子径の小さなシリコン粒子を
用いる場合には非常に複雑な工程を行った。従って、高
純度なシリコン粒子として得られやすい粒径の小さなシ
リコン粒子を用いることができないという問題があっ
た。
うな方法によれば、アルミニウム箔に形成された所定の
大きさの孔に所定の大きさのシリコン粒子をはめ込む必
要があり、シリコン粒子の大きさ及び形状を精密に制御
する必要が生じる。また、アルミニウム箔にシリコン粒
子をはめ込んだ後、表面層を除去し内部の半導体層を露
出させなければならず、粒子径の小さなシリコン粒子を
用いる場合には非常に複雑な工程を行った。従って、高
純度なシリコン粒子として得られやすい粒径の小さなシ
リコン粒子を用いることができないという問題があっ
た。
【０００４】本発明の目的は、このような従来の問題点
を解消し、大きさや形状の異なる半導体粒子であっても
用いることができ、簡易な工程でかつ低コストに生産す
ることの可能な光起電力素子及びその製造方法を提供す
ることにある。
を解消し、大きさや形状の異なる半導体粒子であっても
用いることができ、簡易な工程でかつ低コストに生産す
ることの可能な光起電力素子及びその製造方法を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明の
光起電力素子は、第１の電極層と、第１の電極層上に電
気的に接続状態を保ち固定される一導電型の半導体粒子
と、半導体粒子の上方部表面以外の部分を埋め込むよう
に第１の電極層上に設けられる透光性の絶縁物層と、半
導体粒子の上方部表面の近傍にイオンドープすることに
より形成される他導電型の半導体層、または半導体粒子
の上方部表面上に直接もしくは真性半導体層を介して形
成される他導電型の半導体層と、他導電型の半導体層上
に形成される第２の電極層とを備えることを特徴として
いる。
光起電力素子は、第１の電極層と、第１の電極層上に電
気的に接続状態を保ち固定される一導電型の半導体粒子
と、半導体粒子の上方部表面以外の部分を埋め込むよう
に第１の電極層上に設けられる透光性の絶縁物層と、半
導体粒子の上方部表面の近傍にイオンドープすることに
より形成される他導電型の半導体層、または半導体粒子
の上方部表面上に直接もしくは真性半導体層を介して形
成される他導電型の半導体層と、他導電型の半導体層上
に形成される第２の電極層とを備えることを特徴として
いる。
【０００６】請求項２に記載の発明の製造方法は、第１
の電極層上に一導電型半導体粒子を点在させて配置し、
第１の電極層と電気的な接続状態を保ちながら第１の電
極層上に半導体粒子を固定する工程と、半導体粒子を被
覆して埋め込むように第１の電極層上に透光性の絶縁物
層を形成する工程と、半導体粒子の上方部表面が露出す
るように絶縁物層を部分的に除去する工程と、半導体粒
子の上方部表面の近傍にイオンドープすることにより他
導電型の半導体層を形成するか、あるいは半導体粒子の
上方部表面上に直接もしくは真性半導体層を介して他導
電型の半導体層を形成する工程と、他導電型の半導体層
上に第２の電極層を形成する工程とを備えることを特徴
としている。
の電極層上に一導電型半導体粒子を点在させて配置し、
第１の電極層と電気的な接続状態を保ちながら第１の電
極層上に半導体粒子を固定する工程と、半導体粒子を被
覆して埋め込むように第１の電極層上に透光性の絶縁物
層を形成する工程と、半導体粒子の上方部表面が露出す
るように絶縁物層を部分的に除去する工程と、半導体粒
子の上方部表面の近傍にイオンドープすることにより他
導電型の半導体層を形成するか、あるいは半導体粒子の
上方部表面上に直接もしくは真性半導体層を介して他導
電型の半導体層を形成する工程と、他導電型の半導体層
上に第２の電極層を形成する工程とを備えることを特徴
としている。
【０００７】請求項１及び２に記載の発明において用い
られる半導体粒子の材質としては、光起電力素子を構成
し得る半導体であれば特に限定されるものではなく、シ
リコン、ゲルマニウムまたはＧａＡｓ等の化合物半導体
を用いることができる。粒子の抵抗率は０．１〜１００
Ω・ｃｍが好ましくは、さらに好ましくは０．５〜５０
Ω・ｃｍである。また粒子径は１００Å〜１００μｍが
好ましく、さらに好ましくは５００Å〜１０μｍであ
る。
られる半導体粒子の材質としては、光起電力素子を構成
し得る半導体であれば特に限定されるものではなく、シ
リコン、ゲルマニウムまたはＧａＡｓ等の化合物半導体
を用いることができる。粒子の抵抗率は０．１〜１００
Ω・ｃｍが好ましくは、さらに好ましくは０．５〜５０
Ω・ｃｍである。また粒子径は１００Å〜１００μｍが
好ましく、さらに好ましくは５００Å〜１０μｍであ
る。
【０００８】このような半導体粒子は、予め不純物をド
ーピングする等によりｎ型またはｐ型の半導体に形成し
ておく。このような半導体粒子を固定する第１の電極層
は、基板として金属等の導電性材料を用いる場合には、
導電性基板の表面を第１の電極層として用いることがで
きる。またセラミック等の絶縁基板を用いる場合には、
基板上に金属等の導電膜を形成し、これを第１の電極層
として用いる。このような絶縁基板としては、Ａｌ2 Ｏ
3 、ＡｌＮ、Ｙ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＺｒＯ2 等のセラミッ
クや石英等を用いることができる。
ーピングする等によりｎ型またはｐ型の半導体に形成し
ておく。このような半導体粒子を固定する第１の電極層
は、基板として金属等の導電性材料を用いる場合には、
導電性基板の表面を第１の電極層として用いることがで
きる。またセラミック等の絶縁基板を用いる場合には、
基板上に金属等の導電膜を形成し、これを第１の電極層
として用いる。このような絶縁基板としては、Ａｌ2 Ｏ
3 、ＡｌＮ、Ｙ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＺｒＯ2 等のセラミッ
クや石英等を用いることができる。
【０００９】第１の電極層に対する半導体粒子の固定
は、半導体粒子表面と第１の電極層との間の合金化や、
あるいは半導体粒子を第１の電極層上に溶射する等の方
法によって固定することができる。
は、半導体粒子表面と第１の電極層との間の合金化や、
あるいは半導体粒子を第１の電極層上に溶射する等の方
法によって固定することができる。
【００１０】半導体粒子がシリコンまたはゲルマニウム
の場合、このような半導体粒子と合金化する金属を第１
の電極層として用いることが好ましく、例えば、Ｔｉ、
Ｍｏ、Ｎｉ、及びＰｔ等を用いることができる。このよ
うな金属の層の上に載置したシリコンまたはゲルマニウ
ムの半導体粒子をその界面で合金化するには、６５０℃
以上に加熱することが好ましく、さらに好ましくは７０
０〜１０００℃の温度に加熱する。また加熱時間は０．
５時間以上が好ましく、さらに好ましくは１〜１０時間
である。
の場合、このような半導体粒子と合金化する金属を第１
の電極層として用いることが好ましく、例えば、Ｔｉ、
Ｍｏ、Ｎｉ、及びＰｔ等を用いることができる。このよ
うな金属の層の上に載置したシリコンまたはゲルマニウ
ムの半導体粒子をその界面で合金化するには、６５０℃
以上に加熱することが好ましく、さらに好ましくは７０
０〜１０００℃の温度に加熱する。また加熱時間は０．
５時間以上が好ましく、さらに好ましくは１〜１０時間
である。
【００１１】半導体粒子がｎ型ＧａＡｓである場合に
は、Ｎｉ上にＡｕＧｅを積層した構造の第１の電極層上
で合金化することができる。合金化の際の加熱温度は３
００〜６００℃が好ましく、さらに好ましくは４００〜
５５０℃である。加熱及び冷却の際の昇降温の速度は５
℃／秒以上が好ましい。また加熱時間は３０秒〜２０分
間が好ましく、さらに好ましくは１〜１０分間である。
は、Ｎｉ上にＡｕＧｅを積層した構造の第１の電極層上
で合金化することができる。合金化の際の加熱温度は３
００〜６００℃が好ましく、さらに好ましくは４００〜
５５０℃である。加熱及び冷却の際の昇降温の速度は５
℃／秒以上が好ましい。また加熱時間は３０秒〜２０分
間が好ましく、さらに好ましくは１〜１０分間である。
【００１２】半導体粒子がｐ型ＧａＡｓである場合に
は、ＡｕＺｎまたはＡｇＺｎの合金膜を第１の電極層と
することにより合金化することができる。この場合、合
金化の際の加熱温度は２００〜６００℃が好ましく、さ
らに好ましくは３００〜５００℃である。加熱及び冷却
の際の昇降温の速度は５℃／秒以上が好ましい。また加
熱時間は３０秒〜２０分間が好ましく、さらに好ましく
は１〜１０分間である。
は、ＡｕＺｎまたはＡｇＺｎの合金膜を第１の電極層と
することにより合金化することができる。この場合、合
金化の際の加熱温度は２００〜６００℃が好ましく、さ
らに好ましくは３００〜５００℃である。加熱及び冷却
の際の昇降温の速度は５℃／秒以上が好ましい。また加
熱時間は３０秒〜２０分間が好ましく、さらに好ましく
は１〜１０分間である。
【００１３】基板上に金属または合金膜を形成して第１
の電極層とする場合には、膜厚は１００Å〜１０μｍが
好ましく、さらに好ましく１０００Å〜１μｍである。
半導体粒子としてシリコンやゲルマニウム等を用いる場
合、これらの半導体粒子を溶射して第１の電極層上に吹
き付け、第１の電極層上に固定してもよい。溶射は、熱
プラズマにより半導体粒子を溶融し、溶融した半導体粒
子を吹き付ける方法であり、プラズマの条件としては５
〜１００ｋＷが好ましく、さらに好ましくは１０〜５０
ｋＷである。またこの際の基板、すなわち第１の電極層
の温度は、室温〜１０００℃であることが好ましく、さ
らに好ましくは１００〜８００℃の温度である。
の電極層とする場合には、膜厚は１００Å〜１０μｍが
好ましく、さらに好ましく１０００Å〜１μｍである。
半導体粒子としてシリコンやゲルマニウム等を用いる場
合、これらの半導体粒子を溶射して第１の電極層上に吹
き付け、第１の電極層上に固定してもよい。溶射は、熱
プラズマにより半導体粒子を溶融し、溶融した半導体粒
子を吹き付ける方法であり、プラズマの条件としては５
〜１００ｋＷが好ましく、さらに好ましくは１０〜５０
ｋＷである。またこの際の基板、すなわち第１の電極層
の温度は、室温〜１０００℃であることが好ましく、さ
らに好ましくは１００〜８００℃の温度である。
【００１４】請求項１及び２の発明において、半導体粒
子を埋め込む透光性の絶縁物層の材質としては、ＳｉＯ
2 等の酸化物及びＳｉ3 Ｎ4 等の窒化物を用いることが
できる。このような絶縁物層は、例えばＣＶＤ等によっ
て形成したり、あるいはスピンコート材の塗布によって
形成することができる。
子を埋め込む透光性の絶縁物層の材質としては、ＳｉＯ
2 等の酸化物及びＳｉ3 Ｎ4 等の窒化物を用いることが
できる。このような絶縁物層は、例えばＣＶＤ等によっ
て形成したり、あるいはスピンコート材の塗布によって
形成することができる。
【００１５】請求項２に記載の発明において絶縁物層を
部分的に除去する方法としては、エッチングやラッピン
グにより除去する方法を採用することができる。エッチ
ングとしてはドライエッチングやウエットエッチングを
用いることができ、ウエットエッチングでは、例えばＨ
Ｆ等を用いることができる。またラッピングを用いる場
合には、絶縁物層と共に半導体粒子の上方部を除去して
表面を平滑化してもよい。
部分的に除去する方法としては、エッチングやラッピン
グにより除去する方法を採用することができる。エッチ
ングとしてはドライエッチングやウエットエッチングを
用いることができ、ウエットエッチングでは、例えばＨ
Ｆ等を用いることができる。またラッピングを用いる場
合には、絶縁物層と共に半導体粒子の上方部を除去して
表面を平滑化してもよい。
【００１６】請求項１及び２の発明において半導体粒子
の上方部表面の近傍にイオンドープする方法としては、
熱拡散による方法やイオン注入等の方法を用いることが
できる。熱拡散法によりｎ+ 型の半導体層を形成する場
合には、ＰＯＣｌ3 を、例えば９００℃１０分間の条件
で加熱して拡散させることができる。またイオン注入の
場合は、Ｐ+ イオンを例えば２８０ｋｅｖで注入し、例
えば、ドーズ量を３×１０14ｃｍ-2とし、８００℃３０
分間の条件でアニールすることで形成できる。
の上方部表面の近傍にイオンドープする方法としては、
熱拡散による方法やイオン注入等の方法を用いることが
できる。熱拡散法によりｎ+ 型の半導体層を形成する場
合には、ＰＯＣｌ3 を、例えば９００℃１０分間の条件
で加熱して拡散させることができる。またイオン注入の
場合は、Ｐ+ イオンを例えば２８０ｋｅｖで注入し、例
えば、ドーズ量を３×１０14ｃｍ-2とし、８００℃３０
分間の条件でアニールすることで形成できる。
【００１７】また他導電型の半導体層は、半導体粒子の
上方部表面上に直接もしくは真性半導体層を介して形成
させてもよい。このような半導体層の形成条件の一例と
しては、基板温度を２００℃、ＲＦ０．０１Ｗ／ｃ
ｍ2 、０．１Ｔｏｒｒの条件を挙げることができる。ｐ
型半導体層を形成する場合には、Ｂ2 Ｈ6 をＳｉＨ4 に
対し０．１％混合し、ｎ型半導体層を形成する場合に
は、ＰＨ3 をＳｉＨ4 に対し１％混合する例を挙げるこ
とができる。これらの半導体層は、例えば、１０Å〜１
０００Åの厚みで形成することができる。
上方部表面上に直接もしくは真性半導体層を介して形成
させてもよい。このような半導体層の形成条件の一例と
しては、基板温度を２００℃、ＲＦ０．０１Ｗ／ｃ
ｍ2 、０．１Ｔｏｒｒの条件を挙げることができる。ｐ
型半導体層を形成する場合には、Ｂ2 Ｈ6 をＳｉＨ4 に
対し０．１％混合し、ｎ型半導体層を形成する場合に
は、ＰＨ3 をＳｉＨ4 に対し１％混合する例を挙げるこ
とができる。これらの半導体層は、例えば、１０Å〜１
０００Åの厚みで形成することができる。
【００１８】請求項１及び２の発明において他導電型の
半導体層上に形成する第２の電極層としては、通常光起
電力素子の電極として用いるものを用いることができ、
例えば透明導電膜として用いられるような酸化インジウ
ム錫等の薄膜を形成することができる。また、必要に応
じ透明導電層の上に表面電極を形成してもよい。
半導体層上に形成する第２の電極層としては、通常光起
電力素子の電極として用いるものを用いることができ、
例えば透明導電膜として用いられるような酸化インジウ
ム錫等の薄膜を形成することができる。また、必要に応
じ透明導電層の上に表面電極を形成してもよい。
【００１９】
【作用】請求項１に記載の発明の光起電力素子では、第
１の電極層上に半導体粒子を固定し、この半導体粒子の
上方部表面以外の部分を埋め込むように透光性の絶縁物
層が設けられている。従来の半導体粒子を用いた光起電
力素子のように金属箔の孔に半導体粒子をはめ込むもの
ではないため、粒子の形状やサイズにばらつきのある半
導体粒子であっても用いることができる。
１の電極層上に半導体粒子を固定し、この半導体粒子の
上方部表面以外の部分を埋め込むように透光性の絶縁物
層が設けられている。従来の半導体粒子を用いた光起電
力素子のように金属箔の孔に半導体粒子をはめ込むもの
ではないため、粒子の形状やサイズにばらつきのある半
導体粒子であっても用いることができる。
【００２０】また第１の電極層上に透光性の絶縁物層を
設けているため、第１の電極層の表面で反射した光を半
導体粒子の側面から吸収することができ、従来の半導体
粒子を用いた光起電力装置よりも高い光電変換効率を得
ることができる。また、上述のように請求項１及び２に
記載の発明では、粒径の小さな半導体粒子を用いること
ができるので、高純度の半導体粒子を使用することがで
き、低コスト化を図ることができる。
設けているため、第１の電極層の表面で反射した光を半
導体粒子の側面から吸収することができ、従来の半導体
粒子を用いた光起電力装置よりも高い光電変換効率を得
ることができる。また、上述のように請求項１及び２に
記載の発明では、粒径の小さな半導体粒子を用いること
ができるので、高純度の半導体粒子を使用することがで
き、低コスト化を図ることができる。
【００２１】
【実施例】図１は、請求項１に記載の発明に従う光起電
力素子の一実施例を示す断面図である。図１を参照し
て、絶縁性の基板１上には、金属膜２が設けられてい
る。金属膜２上には、シリコン粒子３が配置されてお
り、シリコン粒子３を金属膜２との接触部分においてシ
リサイド化することによりシリコン粒子３が金属膜２に
固定されている。金属膜２の上には、シリコン粒子３の
上方部表面を除き埋め込むようにＳｉＯ2 層４が設けら
れている。シリコン粒子３は、ボロン（Ｂ）をドープす
ることによりｐ+ 型の半導体に形成されているが、上方
部表面には、ＰＯＣｌ3 を熱拡散することによりｎ+ 型
の半導体層３ａが形成されている。このｎ+型半導体層
３ａを覆うように、透明導電膜５が形成されている。こ
の透明導電膜５上には、所定間隔を隔ててアルミニウム
からなる表面電極６が設けられている。
力素子の一実施例を示す断面図である。図１を参照し
て、絶縁性の基板１上には、金属膜２が設けられてい
る。金属膜２上には、シリコン粒子３が配置されてお
り、シリコン粒子３を金属膜２との接触部分においてシ
リサイド化することによりシリコン粒子３が金属膜２に
固定されている。金属膜２の上には、シリコン粒子３の
上方部表面を除き埋め込むようにＳｉＯ2 層４が設けら
れている。シリコン粒子３は、ボロン（Ｂ）をドープす
ることによりｐ+ 型の半導体に形成されているが、上方
部表面には、ＰＯＣｌ3 を熱拡散することによりｎ+ 型
の半導体層３ａが形成されている。このｎ+型半導体層
３ａを覆うように、透明導電膜５が形成されている。こ
の透明導電膜５上には、所定間隔を隔ててアルミニウム
からなる表面電極６が設けられている。
【００２２】図１に示す光起電力素子は、以上のよう
に、金属膜２を第１の電極層とし、透明導電膜５を第２
の電極層とした光起電力素子として構成されている。図
１に矢印で示すように、半導体粒子３の周囲のＳｉＯ2
層４は透光性を有しており、パッシベーション層として
も働く。図１に矢印で示すように、このＳｉＯ2 層４を
透過し金属膜２の表面で反射された光の一部は、シリコ
ン粒子３の側面からシリコン粒子３の内部に吸収され
る。このような光閉じ込め効果により、より多くの光量
を吸収して電気エネルギに変換することができ、光電変
換効率の高い光起電力素子とすることができる。
に、金属膜２を第１の電極層とし、透明導電膜５を第２
の電極層とした光起電力素子として構成されている。図
１に矢印で示すように、半導体粒子３の周囲のＳｉＯ2
層４は透光性を有しており、パッシベーション層として
も働く。図１に矢印で示すように、このＳｉＯ2 層４を
透過し金属膜２の表面で反射された光の一部は、シリコ
ン粒子３の側面からシリコン粒子３の内部に吸収され
る。このような光閉じ込め効果により、より多くの光量
を吸収して電気エネルギに変換することができ、光電変
換効率の高い光起電力素子とすることができる。
【００２３】次に、図１に示す光起電力素子を製造する
工程について説明する。図２を参照して、基板１上に金
属膜２を形成する。図３を参照して、このようにして形
成した金属膜２の上にシリコン粒子３を点在して配置さ
せる。このようなシリコン粒子３を金属膜２に押圧しな
がら加熱し、シリコン粒子３の金属膜２との接触面をシ
リサイド化することによって金属膜２に固定する。シリ
コン粒子３を押圧する圧力としては、１０ｇ／ｃｍ2 〜
１ｋｇ／ｃｍ2 が好ましい。
工程について説明する。図２を参照して、基板１上に金
属膜２を形成する。図３を参照して、このようにして形
成した金属膜２の上にシリコン粒子３を点在して配置さ
せる。このようなシリコン粒子３を金属膜２に押圧しな
がら加熱し、シリコン粒子３の金属膜２との接触面をシ
リサイド化することによって金属膜２に固定する。シリ
コン粒子３を押圧する圧力としては、１０ｇ／ｃｍ2 〜
１ｋｇ／ｃｍ2 が好ましい。
【００２４】図４を参照して、固定したシリコン粒子３
の表面を覆うように、ＳｉＯ2 層４を形成する。このＳ
ｉＯ2 層４は、例えばＣＶＤ法により形成することがで
きる。ＣＶＤ法の条件としては、ガス流量比Ｎ2 Ｏ／Ｓ
ｉＨ4 を１０〜１００、好ましくは２０〜９０とし、全
流量を０．５〜１０リットル／分、好ましくは１〜７リ
ットル／分として形成することができる。基板温度とし
ては１００〜４００℃が好ましく、さらに好ましくは２
００〜３５０℃である。パワーは１〜４０Ｗが好まし
く、さらに好ましくは１０〜３０Ｗである。
の表面を覆うように、ＳｉＯ2 層４を形成する。このＳ
ｉＯ2 層４は、例えばＣＶＤ法により形成することがで
きる。ＣＶＤ法の条件としては、ガス流量比Ｎ2 Ｏ／Ｓ
ｉＨ4 を１０〜１００、好ましくは２０〜９０とし、全
流量を０．５〜１０リットル／分、好ましくは１〜７リ
ットル／分として形成することができる。基板温度とし
ては１００〜４００℃が好ましく、さらに好ましくは２
００〜３５０℃である。パワーは１〜４０Ｗが好まし
く、さらに好ましくは１０〜３０Ｗである。
【００２５】ＳｉＯ2 層４は、スピンコート材の塗布に
より形成してもよい。このようなスピンコート材として
は、東京応化工業社製、商品名ＯＣＤ Ｔｙｐｅ−２ま
たは７等を挙げることができる。このようなスピンコー
ト材は、基板を１０ｋｒｐｍ以下の回転速度で回転して
おき、スピンコート材を滴下し、滴下後１〜２０秒間回
転して表面に塗布する。また塗布は、ディッピングによ
り行ってもよい。塗布後、４００〜１０００℃程度で１
０分以上加熱してベーキングすることにより皮膜を形成
することができる。このような塗布と乾燥の工程を複数
回繰り返して皮膜の厚みを厚くすることができる。
より形成してもよい。このようなスピンコート材として
は、東京応化工業社製、商品名ＯＣＤ Ｔｙｐｅ−２ま
たは７等を挙げることができる。このようなスピンコー
ト材は、基板を１０ｋｒｐｍ以下の回転速度で回転して
おき、スピンコート材を滴下し、滴下後１〜２０秒間回
転して表面に塗布する。また塗布は、ディッピングによ
り行ってもよい。塗布後、４００〜１０００℃程度で１
０分以上加熱してベーキングすることにより皮膜を形成
することができる。このような塗布と乾燥の工程を複数
回繰り返して皮膜の厚みを厚くすることができる。
【００２６】以上のようにして形成したＳｉＯ2 層４を
例えばエッチングすることにより部分的に除去し、図５
に示すようにシリコン粒子３の上方部表面を露出させ
る。このようなエッチングとしては、例えばＨＦによる
ウエットエッチングを採用することができる。エッチン
グ液として例えば、５０％ＨＦを１％に希釈した水溶液
を用い、これを表面に接触させることによりエッチング
することができる。
例えばエッチングすることにより部分的に除去し、図５
に示すようにシリコン粒子３の上方部表面を露出させ
る。このようなエッチングとしては、例えばＨＦによる
ウエットエッチングを採用することができる。エッチン
グ液として例えば、５０％ＨＦを１％に希釈した水溶液
を用い、これを表面に接触させることによりエッチング
することができる。
【００２７】図５に示すようにシリコン粒子３の上方部
表面を露出させた後、シリコン粒子３の上方部表面に熱
拡散法やイオン注入法によりｎ+ 型半導体層３ａを形成
する。この状態を示したのが図６である。このｎ+ 型半
導体層３ａの上に透明電極膜を設け、さらに透明電極膜
上に表面電極を設けることにより、図１に示すような光
起電力素子とすることができる。
表面を露出させた後、シリコン粒子３の上方部表面に熱
拡散法やイオン注入法によりｎ+ 型半導体層３ａを形成
する。この状態を示したのが図６である。このｎ+ 型半
導体層３ａの上に透明電極膜を設け、さらに透明電極膜
上に表面電極を設けることにより、図１に示すような光
起電力素子とすることができる。
【００２８】上記実施例では図５に示す状態のシリコン
粒子３の上方部表面にイオンドープすることにより他導
電型の半導体層を形成しているが、図７に示すようにシ
リコン粒子３の表面上にプラズマＣＶＤやスパッタリン
グ等の方法により他導電型の半導体薄膜を形成させても
よい。図７を参照して、シリコン粒子３の表面上には半
導体薄膜７が設けられており、半導体薄膜７は真性半導
体層７ａと他導電型の半導体層７ｂから構成されてい
る。図７に示す他導電型の半導体層７ｂの上に図１に示
す実施例と同様に、透明導電膜を設け、さらにこの上に
表面電極を設けて、光起電力素子とすることができる。
粒子３の上方部表面にイオンドープすることにより他導
電型の半導体層を形成しているが、図７に示すようにシ
リコン粒子３の表面上にプラズマＣＶＤやスパッタリン
グ等の方法により他導電型の半導体薄膜を形成させても
よい。図７を参照して、シリコン粒子３の表面上には半
導体薄膜７が設けられており、半導体薄膜７は真性半導
体層７ａと他導電型の半導体層７ｂから構成されてい
る。図７に示す他導電型の半導体層７ｂの上に図１に示
す実施例と同様に、透明導電膜を設け、さらにこの上に
表面電極を設けて、光起電力素子とすることができる。
【００２９】上記実施例では、ＳｉＯ2 層をエッチング
により部分的に除去したが、図８に示すようにラッピン
グによって除去してもよい。図８を参照して、ラッピン
グ後の表面には、シリコン粒子３の平滑な表面３ｂとＳ
ｉＯ2 層４の平滑な表面４ａが形成されている。図８に
示す状態では、さらにシリコン粒子３の表面にイオンド
ープにより他導電型の半導体層３ｂが形成されている。
により部分的に除去したが、図８に示すようにラッピン
グによって除去してもよい。図８を参照して、ラッピン
グ後の表面には、シリコン粒子３の平滑な表面３ｂとＳ
ｉＯ2 層４の平滑な表面４ａが形成されている。図８に
示す状態では、さらにシリコン粒子３の表面にイオンド
ープにより他導電型の半導体層３ｂが形成されている。
【００３０】図９では、ラッピングにより除去した表面
上にイオンドープではなく、ＣＶＤあるいはスパッタリ
ング等の方法により半導体薄膜８を形成している。この
半導体薄膜８は、真性半導体層８ａとその上に形成され
た他導電型の半導体層８ｂから構成されている。他導電
型の半導体層８ｂ上に、透明導電膜を設け、さらにその
上に表面電極を設けることにより、図１に示す実施例と
同様に、光起電力素子とすることができる。
上にイオンドープではなく、ＣＶＤあるいはスパッタリ
ング等の方法により半導体薄膜８を形成している。この
半導体薄膜８は、真性半導体層８ａとその上に形成され
た他導電型の半導体層８ｂから構成されている。他導電
型の半導体層８ｂ上に、透明導電膜を設け、さらにその
上に表面電極を設けることにより、図１に示す実施例と
同様に、光起電力素子とすることができる。
【００３１】図１０は、請求項１に記載の発明に従うさ
らに他の実施例を示す断面図である。図１０を参照し
て、基板１１上に形成された金属膜１２上には、半導体
粒子１３が固定されており、この半導体粒子１３の周囲
にはＳｉＯ2 層１４が設けられている。半導体粒子１３
の上方部表面には、イオンドープにより半導体粒子１３
の内部に対し他導電型である半導体層１３ａが形成され
ている。この他導電型半導体層１３ａの上には透明導電
膜１５が形成されている。この実施例においては、透明
導電膜の一方端が隣接する光起電力素子の金属膜２２と
電気的に接続されていおり、隣接する素子同士で直列に
接合されている。
らに他の実施例を示す断面図である。図１０を参照し
て、基板１１上に形成された金属膜１２上には、半導体
粒子１３が固定されており、この半導体粒子１３の周囲
にはＳｉＯ2 層１４が設けられている。半導体粒子１３
の上方部表面には、イオンドープにより半導体粒子１３
の内部に対し他導電型である半導体層１３ａが形成され
ている。この他導電型半導体層１３ａの上には透明導電
膜１５が形成されている。この実施例においては、透明
導電膜の一方端が隣接する光起電力素子の金属膜２２と
電気的に接続されていおり、隣接する素子同士で直列に
接合されている。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に記載の
発明に従う光起電力素子では、第１の電極層の表面で反
射した光を半導体粒子の側面から吸収することのできる
光閉じ込め効果を有しており、従来の半導体粒子を用い
た光起電力素子よりも高い光電変換効率の光起電力素子
とすることができる。
発明に従う光起電力素子では、第１の電極層の表面で反
射した光を半導体粒子の側面から吸収することのできる
光閉じ込め効果を有しており、従来の半導体粒子を用い
た光起電力素子よりも高い光電変換効率の光起電力素子
とすることができる。
【００３３】また、請求項１及び２に記載の発明に従え
ば、粒子の形状やサイズのばらついた半導体粒子を用い
ることができ、また簡易な工程で製造することができる
ので、従来よりも低コストで光起電力素子を製造するこ
とが可能である。
ば、粒子の形状やサイズのばらついた半導体粒子を用い
ることができ、また簡易な工程で製造することができる
ので、従来よりも低コストで光起電力素子を製造するこ
とが可能である。
【００３４】さらに、従来の光起電力素子よりも小さな
半導体粒子を使用することができるので、より高純度な
半導体粒子を用いることができ、光電変換特性の高い光
起電力素子が得られると共に、より低コストで光起電力
素子を製造することができる。
半導体粒子を使用することができるので、より高純度な
半導体粒子を用いることができ、光電変換特性の高い光
起電力素子が得られると共に、より低コストで光起電力
素子を製造することができる。
【図１】請求項１に記載の発明に従う光起電力素子の一
実施例を示す断面図。
実施例を示す断面図。
【図２】基板上に金属膜を形成した状態を示す断面図。
【図３】金属膜に半導体粒子を固定した状態を示す断面
図。
図。
【図４】半導体粒子上に透光性の絶縁物層を被覆した状
態を示す断面図。
態を示す断面図。
【図５】透光性の絶縁物層をエッチングにより除去した
状態を示す断面図。
状態を示す断面図。
【図６】半導体粒子の上方部表面にイオンドープし他導
電型の半導体粒子を形成した状態を示す断面図。
電型の半導体粒子を形成した状態を示す断面図。
【図７】半導体粒子の上方部表面の他導電型半導体層上
に半導体薄膜を形成した状態を示す断面図。
に半導体薄膜を形成した状態を示す断面図。
【図８】透光性の絶縁物層を半導体粒子と共にラッピン
グして平滑な表面を形成した後、半導体粒子の上方部表
面にイオンドープした状態を示す断面図。
グして平滑な表面を形成した後、半導体粒子の上方部表
面にイオンドープした状態を示す断面図。
【図９】透光性の絶縁物層と半導体粒子の上方部をラッ
ピングした後、その上に他導電型半導体薄膜を形成した
状態を示す断面図。
ピングした後、その上に他導電型半導体薄膜を形成した
状態を示す断面図。
【図１０】請求項１に記載の発明に従うさらに他の実施
例を示す断面図。
例を示す断面図。
１…基板 ２…金属膜 ３…シリコン粒子 ３ａ…他導電型の半導体層 ４…ＳｉＯ2 層 ５…透明導電膜 ６…表面電極 ７，８…半導体薄膜 １１…基板 １２…金属膜 １３…シリコン粒子 １３ａ…他導電型の半導体層 １４…ＳｉＯ2 層 １５…透明導電膜 ２２…隣接する光起電力素子の金属膜
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の電極層と；前記第１の電極層上に
電気的に接続状態を保ち固定される一導電型の半導体粒
子と；前記半導体粒子の上方部表面以外の部分を埋め込
むように前記第１の電極層上に設けられる透光性の絶縁
物層と；前記半導体粒子の上方部表面の近傍にイオンド
ープすることにより形成される他導電型の半導体層、ま
たは前記半導体粒子の上方部表面上に直接もしくは真性
半導体層を介して形成される他導電型の半導体層と；前
記他導電型の半導体層上に形成される第２の電極層とを
備える、光起電力素子。 - 【請求項２】 第１の電極層上に一導電型半導体粒子を
点在させて配置し、第１の電極層と電気的な接続状態を
保ちながら第１の電極層上に半導体粒子を固定する工程
と；前記半導体粒子を被覆して埋め込むように前記第１
の電極層上に透光性の絶縁物層を形成する工程と；前記
半導体粒子の上方部表面が露出するように前記絶縁物層
を部分的に除去する工程と；前記半導体粒子の上方部表
面の近傍にイオンドープすることにより他導電型の半導
体層を形成するか、あるいは前記半導体粒子の上方部表
面上に直接もしくは真性半導体層を介して他導電型の半
導体層を形成する工程と、 前記他導電型の半導体層上に第２の電極層を形成する工
程とを備える、光起電力素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06163953A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 光起電力素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06163953A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 光起電力素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163953A true JPH06163953A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18098901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP43A Pending JPH06163953A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 光起電力素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163953A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043602A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Kyocera Corp | 光電変換装置およびその製造方法 |
| JP2002076387A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JP2002164552A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-07 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JP2002217427A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-08-02 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JP2002222976A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JP2002261301A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JP2005243872A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Kyocera Corp | 光電変換装置およびその製造方法 |
| AT518892A4 (de) * | 2017-02-07 | 2018-02-15 | Joanneum Res Forschungsgmbh | Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikbauteils und Photovoltaikbaustein |
-
1992
- 1992-11-27 JP JP43A patent/JPH06163953A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043602A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Kyocera Corp | 光電変換装置およびその製造方法 |
| JP2002076387A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JP4666734B2 (ja) * | 2000-08-28 | 2011-04-06 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
| JP2002164552A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-07 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JP2002217427A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-08-02 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JP4570255B2 (ja) * | 2001-01-12 | 2010-10-27 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
| JP2002222976A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JP2002261301A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JP2005243872A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Kyocera Corp | 光電変換装置およびその製造方法 |
| AT518892A4 (de) * | 2017-02-07 | 2018-02-15 | Joanneum Res Forschungsgmbh | Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikbauteils und Photovoltaikbaustein |
| AT518892B1 (de) * | 2017-02-07 | 2018-02-15 | Joanneum Res Forschungsgmbh | Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikbauteils und Photovoltaikbaustein |
| EP3358628A1 (de) * | 2017-02-07 | 2018-08-08 | Joanneum Research Forschungsgesellschaft mbH | Verfahren zur herstellung eines photovoltaikbauteils und photovoltaikbaustein |
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