JPH0321079A - 多結晶太陽電池 - Google Patents
多結晶太陽電池Info
- Publication number
- JPH0321079A JPH0321079A JP1156365A JP15636589A JPH0321079A JP H0321079 A JPH0321079 A JP H0321079A JP 1156365 A JP1156365 A JP 1156365A JP 15636589 A JP15636589 A JP 15636589A JP H0321079 A JPH0321079 A JP H0321079A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- crystal grains
- grains
- conductivity type
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/035281—Shape of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体結晶粒を用いた多結晶太陽電池に関し
、特にその製造方法を簡略化できる構造を有する多結晶
太陽電池に関するものである。
、特にその製造方法を簡略化できる構造を有する多結晶
太陽電池に関するものである。
第９図は例えば米国特許Ｎｏ． ３ ９ ９ ８ ６
５ ９号のＳｈｅｅｔ ２ ｏｆ ２に示された太陽電
池の構造である。
５ ９号のＳｈｅｅｔ ２ ｏｆ ２に示された太陽電
池の構造である。
図において、９はｐｎ接合を有する半導体粒、６，１０
はそれぞれ上，下部電極、３は絶縁（体）層、１１は透
明絶縁層である。
はそれぞれ上，下部電極、３は絶縁（体）層、１１は透
明絶縁層である。
第１０図はｐｎ接令を有する半導体粒９の構造で、１２
はｎ型半導体、１３はｐ型半導体である。
はｎ型半導体、１３はｐ型半導体である。
第１１図は半導体粒９を絶縁体３上に配置した状態を示
す。
す。
次に本従来例の作製方法について説明する。
従来の太陽電池は上記のような構或であるため、第１０
図のようにまず、ｎ型半導体粒１２をＣｖＤ法で形成し
、その表面にｐ型半導体層１３を均一に或膜する。次に
これを絶縁体基板３上に第１１図のように配置し、固定
する。このときには配置するための適当な治具設備を使
用する。この設備の例は、例えば米国特許４２７０２６
３号のＦＩＧ１２． ＦＩＧ１３に見られる。また、ｎ
型半導体１２から電極を取り出すために、その表面に威
膜されているｐ型半導体１３の微小領域を正確にエッチ
ングする工程を経る。次にｐ，ｎ型半導体９から上下部
電極を取り出すため、およびそれらの短絡を防ぐために
それぞれ第９図のような構或で上部電極６．下部電極１
０，絶縁層３を形戒する。このときには、粒内部から電
極を取り出すために、これら電極層．絶縁層の或膜時に
非常な高精度の位置決めを行なう。
図のようにまず、ｎ型半導体粒１２をＣｖＤ法で形成し
、その表面にｐ型半導体層１３を均一に或膜する。次に
これを絶縁体基板３上に第１１図のように配置し、固定
する。このときには配置するための適当な治具設備を使
用する。この設備の例は、例えば米国特許４２７０２６
３号のＦＩＧ１２． ＦＩＧ１３に見られる。また、ｎ
型半導体１２から電極を取り出すために、その表面に威
膜されているｐ型半導体１３の微小領域を正確にエッチ
ングする工程を経る。次にｐ，ｎ型半導体９から上下部
電極を取り出すため、およびそれらの短絡を防ぐために
それぞれ第９図のような構或で上部電極６．下部電極１
０，絶縁層３を形戒する。このときには、粒内部から電
極を取り出すために、これら電極層．絶縁層の或膜時に
非常な高精度の位置決めを行なう。
太陽電池の動作は従来のｐｎ接合を有する太陽電池と全
く同じである。
く同じである。
従来の多結晶太陽電池は以上のように構成されているの
で、１つの粒自体にｐｎ接合を形成し、これから短絡す
ることなく各電極を取り出す工程が非常に複雑で困難で
ある。さらに、この半導体粒を基板に規則正しく配列す
るための治具が必要である。またこの配列方法は発電し
うる半導体粒間にすき間が生じないように密に並べる必
要があり、さもないと発電有効面積が小さくなり、これ
を防ぐためには専用の装置を要する等の問題点があった
。
で、１つの粒自体にｐｎ接合を形成し、これから短絡す
ることなく各電極を取り出す工程が非常に複雑で困難で
ある。さらに、この半導体粒を基板に規則正しく配列す
るための治具が必要である。またこの配列方法は発電し
うる半導体粒間にすき間が生じないように密に並べる必
要があり、さもないと発電有効面積が小さくなり、これ
を防ぐためには専用の装置を要する等の問題点があった
。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、簡単な工程で製造できるとともに、特別な配列
装置が不要で、大面積化が容易な多結晶太陽電池を得る
ことを目的とする。
もので、簡単な工程で製造できるとともに、特別な配列
装置が不要で、大面積化が容易な多結晶太陽電池を得る
ことを目的とする。
この発明に係る多結晶太陽電池は、導電性基板上に敷き
つめられた粒径１ｍｍ以下の第１導電型の半導体結晶粒
と、該半導体結晶粒上に該結晶粒とｐｎ接合を形或する
ように設けられた第２導電型の半導体層とを備えたもの
である。
つめられた粒径１ｍｍ以下の第１導電型の半導体結晶粒
と、該半導体結晶粒上に該結晶粒とｐｎ接合を形或する
ように設けられた第２導電型の半導体層とを備えたもの
である。
この発明においては、導電性基板上に粒径１ｍｍ以下の
第１導電型の半導体結晶粒を敷きつめ固着し、該半導体
結晶粒上に該結晶粒とｐｎ接合を形或するように第２導
電型の半導体層を形成した構戒としたから、特別な配列
装置を用いることなく簡単な工程で製造でき、大面積化
が容易な多結晶太陽電池を提供できる。
第１導電型の半導体結晶粒を敷きつめ固着し、該半導体
結晶粒上に該結晶粒とｐｎ接合を形或するように第２導
電型の半導体層を形成した構戒としたから、特別な配列
装置を用いることなく簡単な工程で製造でき、大面積化
が容易な多結晶太陽電池を提供できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第ｌ図はこの発明の一実施例による多結晶太陽電池の構
造を示す概略図であり、図において、１は金属基板、２
はこれに埋め込まれたＳｉ粒、３は絶縁膜、４は微結晶
膜でＳｉ粒とｐｎあるいはｎｐ接合を形或する。５は透
明導電膜（ＴＣＯ膜）、６は上部電極である。なお、下
部電極は金属基板１がこれを兼ねている。
造を示す概略図であり、図において、１は金属基板、２
はこれに埋め込まれたＳｉ粒、３は絶縁膜、４は微結晶
膜でＳｉ粒とｐｎあるいはｎｐ接合を形或する。５は透
明導電膜（ＴＣＯ膜）、６は上部電極である。なお、下
部電極は金属基板１がこれを兼ねている。
第２図〜第８図は上記多結晶太陽電池の作製プロセスを
示す。これら図において、第１図と同一符号は同一又は
相当部分であり、７はＳｉ粒を基板に埋め込むためのロ
ーラ、８はＳｔ粒と基板を加熱するためのヒータである
。
示す。これら図において、第１図と同一符号は同一又は
相当部分であり、７はＳｉ粒を基板に埋め込むためのロ
ーラ、８はＳｔ粒と基板を加熱するためのヒータである
。
次に本実施例のポリシリコン太陽電池の作製方法につい
て説明する。
て説明する。
第１図は、金属基板上１にＳｔ粒２を敷きつめた様子を
示す。このとき、Ｓｔ粒は予め弗硝酸で、自然酸化膜を
除去したものである。なお、以下に示す工程はすべて真
空あるいは窒素雰囲気中で行う。ここで用いるＳｔ粒の
径は１０００μｍ以下で高濃度のｐ又はｎ型ドーピング
のものである。
示す。このとき、Ｓｔ粒は予め弗硝酸で、自然酸化膜を
除去したものである。なお、以下に示す工程はすべて真
空あるいは窒素雰囲気中で行う。ここで用いるＳｔ粒の
径は１０００μｍ以下で高濃度のｐ又はｎ型ドーピング
のものである。
金属基板としては、ＡＩ！．，Ｓｎ，Ｆｅ等の金属から
なる単元素及び合金を用いる。Ｓｉ粒の敷きつめ方は任
意であるが、第２図に示すように極力すき間のないよう
に敷きつめた方が望ましい。
なる単元素及び合金を用いる。Ｓｉ粒の敷きつめ方は任
意であるが、第２図に示すように極力すき間のないよう
に敷きつめた方が望ましい。
第３図は、ローラフによってＳｔ粒２を基板１に埋め込
む方法を示す。この工程に加えて第４図に示す加熱プロ
セスにより、金属に対するＳｔの溶解度が約５〜１０％
となる温度にまで上げ、共晶合金を形成し、Ｓｉ粒を金
属基板に固定する。
む方法を示す。この工程に加えて第４図に示す加熱プロ
セスにより、金属に対するＳｔの溶解度が約５〜１０％
となる温度にまで上げ、共晶合金を形成し、Ｓｉ粒を金
属基板に固定する。
この第３図又は第４図のプロセスは必要に応じて併用し
ても、あるいはどちらか一方を用いてもよい。
ても、あるいはどちらか一方を用いてもよい。
次の工程として、Ｓｔ粒の上から絶縁膜３を形戒する。
これにより、Ｓｔ粒同士の間隙をパッシベートする。次
に表面を研磨あるいはライトエッチし、Ｓｔ粒の上面の
絶縁膜を除去する。この工程の終了後の形状を第５図に
示す。
に表面を研磨あるいはライトエッチし、Ｓｔ粒の上面の
絶縁膜を除去する。この工程の終了後の形状を第５図に
示す。
次にＳｔ粒がｐ型（ｎ型）の場合にはｎ型（ｐ型）の微
結晶Ｓｔ膜４をプラズマＣＶＤ法により戒膜する。この
工程の終了後の形状を第６図に示す。
結晶Ｓｔ膜４をプラズマＣＶＤ法により戒膜する。この
工程の終了後の形状を第６図に示す。
次に、第７図に示すように透明導電膜５を形成し、その
上に第８図に示すように上部電極６を形成して太陽電池
が完戒する。
上に第８図に示すように上部電極６を形成して太陽電池
が完戒する。
以上のように構成したポリシリコン太陽電池における動
作原理は従来のｐｎ （ｎｐ）接合の太陽電池と全く同
じである。
作原理は従来のｐｎ （ｎｐ）接合の太陽電池と全く同
じである。
なお、上記実施例においては半導体結晶粒をＳｉとした
が、Ｓｔに限ることなく、ＧａＡｓ，ＣｄＴｅ，ＣｄＳ
等のＥｇａｐｔ （光学バンドギ＋ ップ）が０．５〜
２．ＯｅＶにある半導体であればよい。
が、Ｓｔに限ることなく、ＧａＡｓ，ＣｄＴｅ，ＣｄＳ
等のＥｇａｐｔ （光学バンドギ＋ ップ）が０．５〜
２．ＯｅＶにある半導体であればよい。
また、上記実施例においては、金属基板を用いた例を示
したが、金属メッシュを用いてもよい。
したが、金属メッシュを用いてもよい。
このとき、メッシュのサイズは半導体結晶粒径の５０％
未満のものを使用する。また、これに代わるものとして
、ディンプル付の金属基板を用いてもよい。
未満のものを使用する。また、これに代わるものとして
、ディンプル付の金属基板を用いてもよい。
また上記実施例においては、絶縁膜をＳｉＮ及びＳｔ○
２としたが、これに代わるものとしてシリコンラダーを
塗布し、焼威し形成してもよい。
２としたが、これに代わるものとしてシリコンラダーを
塗布し、焼威し形成してもよい。
以上のように、この発明によれば多結晶太陽電池におい
て、粒径１ｍｍ以下の半導体結晶粒を基板上に敷きつめ
、その上に接合を作るための半導体層を形成した構或と
したので、従来のような半導体粒の形戒方法及びこれら
の相互接続時の工程の複雑困難さを伴うことなく、容易
に製造でき、かつ大面積化が容易な太陽電池を得ること
ができる効果がある。
て、粒径１ｍｍ以下の半導体結晶粒を基板上に敷きつめ
、その上に接合を作るための半導体層を形成した構或と
したので、従来のような半導体粒の形戒方法及びこれら
の相互接続時の工程の複雑困難さを伴うことなく、容易
に製造でき、かつ大面積化が容易な太陽電池を得ること
ができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例による多結晶太陽電池を示す
図、第２図ないし第８図は本発明の一実施例の作戒工程
を示す図、第９図は従来の太陽電池の構造例を示す図、
第１０図は従来の太陽電池を構戒する半導体粒の構造図
、第１１図は従来の太陽電池の平面図である。 図において、１は金属基板、２はＳｉ粒、３は絶縁膜、
４は微結晶膜、５は透明導電（ＴＣ○）膜、６は上部電
極、７はローラ、８はヒータ、９は従来の太陽電池の半
導体粒、１０は電極、１１は透明絶縁層、１２はｎ型半
導体、１３はｐ型半導体である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。 第１図
図、第２図ないし第８図は本発明の一実施例の作戒工程
を示す図、第９図は従来の太陽電池の構造例を示す図、
第１０図は従来の太陽電池を構戒する半導体粒の構造図
、第１１図は従来の太陽電池の平面図である。 図において、１は金属基板、２はＳｉ粒、３は絶縁膜、
４は微結晶膜、５は透明導電（ＴＣ○）膜、６は上部電
極、７はローラ、８はヒータ、９は従来の太陽電池の半
導体粒、１０は電極、１１は透明絶縁層、１２はｎ型半
導体、１３はｐ型半導体である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。 第１図
Claims (1)
- （１）半導体結晶粒を用いて構成した多結晶太陽電池で
あって、 導電性基板と、 該導電性基板上に敷きつめられ固着された第１導電型の
半導体結晶粒と、 上記導電性基板の該半導体結晶粒の間隙上に設けられた
絶縁体層と、 上記半導体結晶粒及び絶縁体層上に設けられ、上記半導
体結晶粒との間でｐｎ接合を形成する第２導電型の半導
体層とを備えたことを特徴とする多結晶太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1156365A JPH0321079A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 多結晶太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1156365A JPH0321079A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 多結晶太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0321079A true JPH0321079A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15626162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1156365A Pending JPH0321079A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 多結晶太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0321079A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0548126A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Sharp Corp | 光電変換素子およびその製造方法 |
| EP0993050A2 (en) * | 1998-09-08 | 2000-04-12 | Digital Wave Inc. | Substrate for producing semiconductor device, method for producing the substrate, photoelectric conversion device and method for producing the photoelectric conversion device |
| JP2002076387A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JP2002217427A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-08-02 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP1156365A patent/JPH0321079A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0548126A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Sharp Corp | 光電変換素子およびその製造方法 |
| EP0993050A2 (en) * | 1998-09-08 | 2000-04-12 | Digital Wave Inc. | Substrate for producing semiconductor device, method for producing the substrate, photoelectric conversion device and method for producing the photoelectric conversion device |
| EP0993050A3 (en) * | 1998-09-08 | 2000-05-10 | Digital Wave Inc. | Substrate for producing semiconductor device, method for producing the substrate, photoelectric conversion device and method for producing the photoelectric conversion device |
| JP2002076387A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JP4666734B2 (ja) * | 2000-08-28 | 2011-04-06 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
| JP2002217427A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-08-02 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JP4570255B2 (ja) * | 2001-01-12 | 2010-10-27 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5053083A (en) | Bilevel contact solar cells | |
| JP3169497B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| US4927770A (en) | Method of fabricating back surface point contact solar cells | |
| JPH0520914B2 (ja) | ||
| JP2008519438A (ja) | バックコンタクト太陽電池 | |
| KR19990063990A (ko) | 부분적으로 깊게 확산된 에미터가 있는 자가조정식(salde) 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
| JP2005310830A (ja) | 太陽電池および太陽電池の製造方法 | |
| US3423651A (en) | Microcircuit with complementary dielectrically isolated mesa-type active elements | |
| TW200937645A (en) | Solar module with solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation | |
| US8518724B2 (en) | Method to form a device by constructing a support element on a thin semiconductor lamina | |
| US8101451B1 (en) | Method to form a device including an annealed lamina and having amorphous silicon on opposing faces | |
| JP3992126B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| CN110212057A (zh) | 一种p型钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法 | |
| TW201532298A (zh) | 使用自對準植入體及覆蓋體之太陽能電池射極區之製備 | |
| TW419833B (en) | Manufacturing method of solar cell | |
| TW201440235A (zh) | 具有加強射極層之背接面太陽能電池 | |
| JPH0321079A (ja) | 多結晶太陽電池 | |
| JP5022743B2 (ja) | 光電変換素子 | |
| TW200849627A (en) | Photovoltaic cell with shallow emitter | |
| JP2001313401A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS62209871A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| CN116487413B (zh) | 一种低放大倍数变化率的功率晶体管及其制作方法 | |
| JPH0945945A (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法 | |
| KR102098705B1 (ko) | P형 및 n형 공존 웨이퍼 제조방법, 이에 의해 제조된 p형 및 n형 공존 웨이퍼, p형 및 n형 공존 웨이퍼를 이용한 태양전지 제조방법 및 이에 의해 제조된 태양전지 | |
| JPS59125668A (ja) | 光起電力装置 |