JPH05110122A - 光電変換装置及びその製造方法 - Google Patents
光電変換装置及びその製造方法Info
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- JPH05110122A JPH05110122A JP3268027A JP26802791A JPH05110122A JP H05110122 A JPH05110122 A JP H05110122A JP 3268027 A JP3268027 A JP 3268027A JP 26802791 A JP26802791 A JP 26802791A JP H05110122 A JPH05110122 A JP H05110122A
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- substrate
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 太陽電池をはじめ大型化した光電変換装置
を、薄型化した半導体基板を使用しても、該基板の変形
や特性低下等がなく、又、低コストの裏面電極の構造で
ある。 【構成】 p型シリコン単結晶基板10の受光面側にn
+層1を形成し、次に、基板10全面にシリコン酸化膜
2の形成と、受光面側の反射防止膜3と表面電極4を作
製する。続いて基板10裏面に、アルミペーストをドッ
ト状に多数互に分離させて印刷した上燒成してp+領域
6と裏面電極5を作製し、該電極5をアルミシート7で
接続する。以上で作製した電極5は互に分離しているの
で、基板10と熱膨張係数の差があっても、作製したセ
ル12が、該熱膨張係数の差によって変形することはな
くなる。
を、薄型化した半導体基板を使用しても、該基板の変形
や特性低下等がなく、又、低コストの裏面電極の構造で
ある。 【構成】 p型シリコン単結晶基板10の受光面側にn
+層1を形成し、次に、基板10全面にシリコン酸化膜
2の形成と、受光面側の反射防止膜3と表面電極4を作
製する。続いて基板10裏面に、アルミペーストをドッ
ト状に多数互に分離させて印刷した上燒成してp+領域
6と裏面電極5を作製し、該電極5をアルミシート7で
接続する。以上で作製した電極5は互に分離しているの
で、基板10と熱膨張係数の差があっても、作製したセ
ル12が、該熱膨張係数の差によって変形することはな
くなる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、面積の大きい光電変換
装置を効率よく作動させる構造及び、その製造方法に関
するものである。
装置を効率よく作動させる構造及び、その製造方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来からの光電変換装置の代表的なもの
に、太陽電池がある。又、一般的な太陽電池は、厚さ
0.4mm程度のp型シリコンの単結晶基板の受光面に
する表面側に、不純物拡散でn+層を形成した後、表面
側のグリッド状電極と、裏面側の全面電極とを、金属で
形成していた。この裏面電極の形成には、アルミニウム
粉末を樹脂等と混練して作ったペースト状のインクでそ
の基板の裏面のほぼ全面に印刷した上、加熱して合金膜
にするか、又は、アルミニウムを真空蒸着するなどの方
法が用いられていた。
に、太陽電池がある。又、一般的な太陽電池は、厚さ
0.4mm程度のp型シリコンの単結晶基板の受光面に
する表面側に、不純物拡散でn+層を形成した後、表面
側のグリッド状電極と、裏面側の全面電極とを、金属で
形成していた。この裏面電極の形成には、アルミニウム
粉末を樹脂等と混練して作ったペースト状のインクでそ
の基板の裏面のほぼ全面に印刷した上、加熱して合金膜
にするか、又は、アルミニウムを真空蒸着するなどの方
法が用いられていた。
【0003】電極として、アルミニウム(Al)を主成
分とする材料が用いられているのは約700℃程度の熱
処理でAlと共晶反応したシリコンp層に、再結晶によ
るp+層が形成され、この層がバックサーフェイスフィ
ールド(BSF)の特性を持つからである。
分とする材料が用いられているのは約700℃程度の熱
処理でAlと共晶反応したシリコンp層に、再結晶によ
るp+層が形成され、この層がバックサーフェイスフィ
ールド(BSF)の特性を持つからである。
【0004】以上のようなAl裏面電極は、比較的低コ
ストで高い変換効率の太陽電池が得られるが、そのシリ
コン基板とアルミニウム・シリコン合金層では熱膨張係
数に差があり、作製した太陽電池に歪が残ることにな
る。なお、以上の裏面全体にAl電極を形成すること
は、該シリコン基板を透過した光線を裏面で反射して、
再びシリコン内に導入することで、光エネルギーの変換
効率を高くできるからである(BSF)。この裏面電極
をAl金属にするために、従来はAlの真空蒸着が必要
であり低コスト化が難しかった。
ストで高い変換効率の太陽電池が得られるが、そのシリ
コン基板とアルミニウム・シリコン合金層では熱膨張係
数に差があり、作製した太陽電池に歪が残ることにな
る。なお、以上の裏面全体にAl電極を形成すること
は、該シリコン基板を透過した光線を裏面で反射して、
再びシリコン内に導入することで、光エネルギーの変換
効率を高くできるからである(BSF)。この裏面電極
をAl金属にするために、従来はAlの真空蒸着が必要
であり低コスト化が難しかった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】太陽電池などの光電変
換装置の製造を、低コスト化するためには、シリコン基
板を従来の厚さ0.4mm程度から0.3mm以下へ
と、より薄い基板にして、しかも、その変換効率を高く
しておく必要がある。
換装置の製造を、低コスト化するためには、シリコン基
板を従来の厚さ0.4mm程度から0.3mm以下へ
と、より薄い基板にして、しかも、その変換効率を高く
しておく必要がある。
【0006】以上から、Al裏面電極を用い、シリコン
基板を薄くして行くと、作製した太陽電極の歪による変
形が大きくなり、例えば10cm角で厚さ0.25mm
のシリコン基板を用いたときの太陽電池は、その受光面
側に中央部が5〜10mmの高さになる凸形に変形し
て、セル完成のための従来の配線や耐湿構造への封止な
どが困難になる。なお、この例の太陽電池の裏面電極
を、純Alになる真空蒸着を用いると、変形はしないが
低コスト化が困難になる。
基板を薄くして行くと、作製した太陽電極の歪による変
形が大きくなり、例えば10cm角で厚さ0.25mm
のシリコン基板を用いたときの太陽電池は、その受光面
側に中央部が5〜10mmの高さになる凸形に変形し
て、セル完成のための従来の配線や耐湿構造への封止な
どが困難になる。なお、この例の太陽電池の裏面電極
を、純Alになる真空蒸着を用いると、変形はしないが
低コスト化が困難になる。
【0007】本発明は、光電変換装置の裏面電極におけ
る上述の従来の課題を解消して、太陽電池などの光電変
換装置で、その半導体基板を変形させない裏面電極の構
成とその製造方法を提供することを目的としている。
る上述の従来の課題を解消して、太陽電池などの光電変
換装置で、その半導体基板を変形させない裏面電極の構
成とその製造方法を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、第1導電型の半導体基板の受光面となる
表面側に第2導電型の半導体層が形成された光電変換装
置において、上記の半導体基板の裏面電極を例えばアル
ミニウムのシート等の板状の金属電極に略均等に分布
し、かつ互いに分離して形成された複数の小突起の先端
部で上記の半導体基板の裏面に接続されるように構成す
るように成している。
め、本発明は、第1導電型の半導体基板の受光面となる
表面側に第2導電型の半導体層が形成された光電変換装
置において、上記の半導体基板の裏面電極を例えばアル
ミニウムのシート等の板状の金属電極に略均等に分布
し、かつ互いに分離して形成された複数の小突起の先端
部で上記の半導体基板の裏面に接続されるように構成す
るように成している。
【0009】上記の半導体基板はシリコン単結晶からな
る厚さ0.3mm以下の基板を用いるのが好ましい。
る厚さ0.3mm以下の基板を用いるのが好ましい。
【0010】また本発明の光電変換装置の製造方法は、
第1導電型の半導体基板の表面に第2導電型の半導体層
を形成する工程と、上記の半導体基板の裏面に電極形成
用の小金属突起を複数分散して、この半導体基板全面に
形成する工程と、形成した全金属突起の先端部分のみに
裏面電極板を接続する工程を含むように構成している。
第1導電型の半導体基板の表面に第2導電型の半導体層
を形成する工程と、上記の半導体基板の裏面に電極形成
用の小金属突起を複数分散して、この半導体基板全面に
形成する工程と、形成した全金属突起の先端部分のみに
裏面電極板を接続する工程を含むように構成している。
【0011】上記の半導体基板の裏面に形成する電極形
成用の小金属突起は、アルミニウム金属の微粉末を樹脂
で混練したペーストのスクリーン印刷により形成するの
が好ましい。
成用の小金属突起は、アルミニウム金属の微粉末を樹脂
で混練したペーストのスクリーン印刷により形成するの
が好ましい。
【0012】
【作用】本発明で形成した裏面電極では、基板と接続し
た小さい突起状電極の接触面積が小さく、かつ、該突起
電極の上を覆う金属板の電極も設けられた構成になる。
た小さい突起状電極の接触面積が小さく、かつ、該突起
電極の上を覆う金属板の電極も設けられた構成になる。
【0013】本発明で形成した裏面電極は、基板の裏面
と接続した各突起電極の面積を小さくできるので、該電
極作製後の歪は極めて小さくでき基板を変形させること
はない。又、該突起電極の後に接続する金属板により各
突起電極の相互接続と、光の反射を行なうので該光電変
換装置の特性を低下させることはなく、又、真空蒸着法
を用いないので低コストの作製が可能になる。
と接続した各突起電極の面積を小さくできるので、該電
極作製後の歪は極めて小さくでき基板を変形させること
はない。又、該突起電極の後に接続する金属板により各
突起電極の相互接続と、光の反射を行なうので該光電変
換装置の特性を低下させることはなく、又、真空蒸着法
を用いないので低コストの作製が可能になる。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【0015】図1に示したのが本実施例のシリコン基板
10を用いた太陽電池のセル12の構造であり、図1
(A)にその断面図を示し、図1(B)に突起状に形成
した裏面電極部で切断したときの平面図を示した。
10を用いた太陽電池のセル12の構造であり、図1
(A)にその断面図を示し、図1(B)に突起状に形成
した裏面電極部で切断したときの平面図を示した。
【0016】先ず、図1(A)によって、本実施例の太
陽電池の製造工程を説明する。使用したp型シリコンの
単結晶基板(厚み0.3mm以下、例えば0.25mm
厚)の受光面にする表面のみに、約900℃での熱拡散
法でリンのドーパントをさ深さ0.5μmの深さまで高
濃度に拡散させてn+層を形成した。続いて、この基板
の表面再結合による損失を低減するため、約800℃に
した酸化雰囲気の炉内に入れて、シリコン酸化膜(Si
O2膜)2を形成した。次に受光面側に従来の方法によ
る反射防止膜3を堆積した。表面のn+層側には、スク
リーン印刷法で銀ペースト材料をグリッド状に形成した
上、約600℃で燒成した表面電極4を作製した。更
に、基板のp型面に裏面電極5を作製するため、基板1
0の裏面に、図1(B)に示したようにアルミニウムペ
ースト材料により径が0.05〜1.0mmのドット形
状に配列するよう印刷によって同時に形成し、次に、7
00℃程度にした電気炉中で燒成した。この燒成工程
で、塗布したペースト中のアルミニウムは、薄いシリコ
ン酸化膜を貫通して基板10裏面のシリコンと合金化す
ると共に拡散して基板10に、図1(A)に示したよう
な複数のp+領域6を形成した。つまり、本実施例のア
ルミニウムペーストによるドット状の印刷と燒成で、p
+領域6とAl−Si合金層電極5が同時に形成される
と共に、電極5形成部は良好なオーミック接合を形成し
ていた。
陽電池の製造工程を説明する。使用したp型シリコンの
単結晶基板(厚み0.3mm以下、例えば0.25mm
厚)の受光面にする表面のみに、約900℃での熱拡散
法でリンのドーパントをさ深さ0.5μmの深さまで高
濃度に拡散させてn+層を形成した。続いて、この基板
の表面再結合による損失を低減するため、約800℃に
した酸化雰囲気の炉内に入れて、シリコン酸化膜(Si
O2膜)2を形成した。次に受光面側に従来の方法によ
る反射防止膜3を堆積した。表面のn+層側には、スク
リーン印刷法で銀ペースト材料をグリッド状に形成した
上、約600℃で燒成した表面電極4を作製した。更
に、基板のp型面に裏面電極5を作製するため、基板1
0の裏面に、図1(B)に示したようにアルミニウムペ
ースト材料により径が0.05〜1.0mmのドット形
状に配列するよう印刷によって同時に形成し、次に、7
00℃程度にした電気炉中で燒成した。この燒成工程
で、塗布したペースト中のアルミニウムは、薄いシリコ
ン酸化膜を貫通して基板10裏面のシリコンと合金化す
ると共に拡散して基板10に、図1(A)に示したよう
な複数のp+領域6を形成した。つまり、本実施例のア
ルミニウムペーストによるドット状の印刷と燒成で、p
+領域6とAl−Si合金層電極5が同時に形成される
と共に、電極5形成部は良好なオーミック接合を形成し
ていた。
【0017】なお、本実施例で用いたアルミペースト材
料は、アルミニウムの粉末を樹脂などの共によく混練し
てペースト状にしたものである。ここでアルミニウムを
主成分にしたのは、約700℃以上の加熱でのシリコン
との共晶反応で、アルミニウムがドープされた再結晶層
によるp+層6が形成され、前記のBSFの効果による
光電変化効率の向上を図ることができるからである。
料は、アルミニウムの粉末を樹脂などの共によく混練し
てペースト状にしたものである。ここでアルミニウムを
主成分にしたのは、約700℃以上の加熱でのシリコン
との共晶反応で、アルミニウムがドープされた再結晶層
によるp+層6が形成され、前記のBSFの効果による
光電変化効率の向上を図ることができるからである。
【0018】以上の工程の次に、図2に示したように、
図1(A)の構成にしたセル12を、0.01〜0.1
mmのアルミニウム金属シート7の上に載置して電気的
な所定の配置にした後、耐候性を持たせるため、ガラス
板8とテドラフィルム11の間のEVA(エチレン・ビ
ニール・アセテート)によって真空封入した。この封止
工程により、アルミニウムシート7とセル12の間に
は、樹脂層を通しての圧着力(〜1kg/cm2)が働
くことになり、基板10の裏面のほぼ全面にわたってド
ット状に多数配置した突起状の電極5はアルミシート7
と電気的に接続された状態で保持されることになる。
図1(A)の構成にしたセル12を、0.01〜0.1
mmのアルミニウム金属シート7の上に載置して電気的
な所定の配置にした後、耐候性を持たせるため、ガラス
板8とテドラフィルム11の間のEVA(エチレン・ビ
ニール・アセテート)によって真空封入した。この封止
工程により、アルミニウムシート7とセル12の間に
は、樹脂層を通しての圧着力(〜1kg/cm2)が働
くことになり、基板10の裏面のほぼ全面にわたってド
ット状に多数配置した突起状の電極5はアルミシート7
と電気的に接続された状態で保持されることになる。
【0019】以上の本実施例によって説明した本発明の
効果は、基板の厚さを薄くし、その面積を大きくしても
裏面電極を互いに分離したドット状にした多分配列した
構成にすることで、作製した太陽電池が歪によって変形
するのを防ぎ、かつ、そのモジュール化において裏面に
貼り付けたアルミニウムシート7が電気的接続と裏面反
射の作用を行なうことになる以上のように作製した実施
例の太陽電池セル12でのドット状の裏面電極の占有率
を横軸にし、対応する特性の関連を示したのが図3であ
る。
効果は、基板の厚さを薄くし、その面積を大きくしても
裏面電極を互いに分離したドット状にした多分配列した
構成にすることで、作製した太陽電池が歪によって変形
するのを防ぎ、かつ、そのモジュール化において裏面に
貼り付けたアルミニウムシート7が電気的接続と裏面反
射の作用を行なうことになる以上のように作製した実施
例の太陽電池セル12でのドット状の裏面電極の占有率
を横軸にし、対応する特性の関連を示したのが図3であ
る。
【0020】この図3で、図3(A)の単位面積当たり
の短絡電流(JSC)と、図3(B)に示した開放電圧
(VDC)が、前記裏面電極の占有率の減少に従って、上
昇する傾向にある。これから図3(C)に示したフィル
・ファクター(F.F)が、逆に約50%以下の裏面電
極占有率で、減少の傾向になっても、図3(D)に示し
た光電変換効率(EEffi)はその占有率が20%程度に
なるまで上昇している。
の短絡電流(JSC)と、図3(B)に示した開放電圧
(VDC)が、前記裏面電極の占有率の減少に従って、上
昇する傾向にある。これから図3(C)に示したフィル
・ファクター(F.F)が、逆に約50%以下の裏面電
極占有率で、減少の傾向になっても、図3(D)に示し
た光電変換効率(EEffi)はその占有率が20%程度に
なるまで上昇している。
【0021】以上のような、図3に示した特性になる原
因として、p+領域による基板10裏面の占有率の低減
で、不純物の高濃度領域の格子歪による再結合電流を小
さくできること、又、そのドット状裏面電極以外の裏面
のパシベーション効果で、その基板裏面での再結合速度
が低くなって開放電圧が上昇すること、及び、シリコン
基板を透過した光が裏面のアルミニウムシートで効率よ
く反射することが短絡電流特性を向上させている、など
ということが考えられる。
因として、p+領域による基板10裏面の占有率の低減
で、不純物の高濃度領域の格子歪による再結合電流を小
さくできること、又、そのドット状裏面電極以外の裏面
のパシベーション効果で、その基板裏面での再結合速度
が低くなって開放電圧が上昇すること、及び、シリコン
基板を透過した光が裏面のアルミニウムシートで効率よ
く反射することが短絡電流特性を向上させている、など
ということが考えられる。
【0022】以上は、本発明を実施例によって説明した
が、本発明は実施例によって限定されるものでなく、例
えばセル裏面のドット電極を円形でなく矩形や、種々の
形状の組合せ、又は、線状などの形状にすることもでき
る。又は、裏面電極を接合したアルミニウムシートも、
シリコン基板を透過する波長の光を効率よく反射する金
属やその金属との積層板を用いることもできる。更に、
使用する半導体基板もシリコンに限定せずGaAs,Z
nSe等の化合物半導体でもよく、その状態も単結晶の
みでなく、多結晶又は非晶質からなる基板に適用しても
よい。
が、本発明は実施例によって限定されるものでなく、例
えばセル裏面のドット電極を円形でなく矩形や、種々の
形状の組合せ、又は、線状などの形状にすることもでき
る。又は、裏面電極を接合したアルミニウムシートも、
シリコン基板を透過する波長の光を効率よく反射する金
属やその金属との積層板を用いることもできる。更に、
使用する半導体基板もシリコンに限定せずGaAs,Z
nSe等の化合物半導体でもよく、その状態も単結晶の
みでなく、多結晶又は非晶質からなる基板に適用しても
よい。
【0023】
【発明の効果】本発明による光電変換素子は、従来より
薄くした半導体基板を用いても、その作製における加熱
工程による変形が極めて小さくなるので、高い光電変換
効率と信頼性をもつ面積の大きい光電変換装置を低コス
トで製造することが可能になる。
薄くした半導体基板を用いても、その作製における加熱
工程による変形が極めて小さくなるので、高い光電変換
効率と信頼性をもつ面積の大きい光電変換装置を低コス
トで製造することが可能になる。
【図1】実施例の太陽電池の構造を示した断面図であ
る。
る。
【図2】実施例の太陽電池によるモジュール化の構造を
示した断面図である。
示した断面図である。
【図3】実施例の太陽電池の裏面電極の占有率による特
性の変化を示した図である。
性の変化を示した図である。
1 n+層 2 シリコン酸化膜 3 反射防止膜 4 表面電極 5 裏面電極 6 p+領域 7 アルミシート 8 ガラス板 9 EVA(エチレン・ビニール・アセテート) 10 基板 11 テドラフィルム 12 セル(太陽電池)
Claims (4)
- 【請求項1】 第1導電型の半導体基板の受光面となる
表面側に第2導電型の半導体層が形成された光電変換装
置において、 上記半導体基板の裏面電極を、板状の金属電極に略均等
に分布し、かつ互いに分離して形成された複数の小突起
の先端部で上記半導体基板の裏面に接続されるように構
成して成ることを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項2】 請求項1の半導体基板が、シリコン単結
晶からなる厚さが0.3mm以下の基板であることを特
徴とする請求項1の光電変換装置。 - 【請求項3】 第1導電型の半導体基板の表面に第2導
電型の半導体層を形成する工程と、前記半導体基板の裏
面に電極形成用の小金属突起を複数分散して該半導体基
板全面に形成する工程と、形成した全金属突起の先端部
分のみに裏面電極板を接続する工程を含んでなることを
特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 【請求項4】 請求項3の半導体基板の裏面に形成する
電極形成用の小金属突起を、アルミニウム金属の微粉末
を樹脂で混練したペーストのスクリーン印刷により形成
してなることを特徴とする請求項3の光電変換装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3268027A JP2758749B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 光電変換装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3268027A JP2758749B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 光電変換装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05110122A true JPH05110122A (ja) | 1993-04-30 |
JP2758749B2 JP2758749B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=17452873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3268027A Expired - Fee Related JP2758749B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 光電変換装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2758749B2 (ja) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7307210B2 (en) | 2001-06-13 | 2007-12-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell and method of producing the same |
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