JPS62128128A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62128128A JPS62128128A JP26730585A JP26730585A JPS62128128A JP S62128128 A JPS62128128 A JP S62128128A JP 26730585 A JP26730585 A JP 26730585A JP 26730585 A JP26730585 A JP 26730585A JP S62128128 A JPS62128128 A JP S62128128A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- nitride film
- plasma nitride
- wiring layer
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に表面保護膜を改善して
半導体装置の信顛性の向上を図った半導体装置に関する
。
半導体装置の信顛性の向上を図った半導体装置に関する
。
半導体装置に形成する表面保護膜は、半導体基板に形成
した素子の拡散層や配線を保護するために設けられてお
り、半導体装置の信頼性を向上するためにはこの保護膜
に′耐湿性、耐アルカリ性。
した素子の拡散層や配線を保護するために設けられてお
り、半導体装置の信頼性を向上するためにはこの保護膜
に′耐湿性、耐アルカリ性。
機械的強度及び良好な段差被着形状等が要求される。し
かしながら、これらの要求を全て満足させる保護膜を得
ることは困難であり、このため、これまでの半導体装置
では、これらの要求を可及的に満足するものとして、リ
ンの含有量が比較的少ないリン珪酸ガラス（ＰＳＧ）膜
やプラズマ窒化膜（Ｐ−３ｉＮ）を保護膜として使用し
てきている。
かしながら、これらの要求を全て満足させる保護膜を得
ることは困難であり、このため、これまでの半導体装置
では、これらの要求を可及的に満足するものとして、リ
ンの含有量が比較的少ないリン珪酸ガラス（ＰＳＧ）膜
やプラズマ窒化膜（Ｐ−３ｉＮ）を保護膜として使用し
てきている。
上述した従来の半導体装置に使用する保護膜の中、リン
珪酸ガラス膜では含有するリンが水分と反応すると酸を
形成して下地のアルミニウム配線を溶かすため、表面保
護膜として使用する場合にはリン含有量の少ないものが
使用される。しかしながら、リン含有量が少ないリン珪
酸ガラスは機械的な強度が弱く、しかも耐湿性も十分な
ものとはいえない。また、成長温度が４００℃以上にも
なるため、下地アルミニウム配線にヒロックを生じさせ
るおそれもある。
珪酸ガラス膜では含有するリンが水分と反応すると酸を
形成して下地のアルミニウム配線を溶かすため、表面保
護膜として使用する場合にはリン含有量の少ないものが
使用される。しかしながら、リン含有量が少ないリン珪
酸ガラスは機械的な強度が弱く、しかも耐湿性も十分な
ものとはいえない。また、成長温度が４００℃以上にも
なるため、下地アルミニウム配線にヒロックを生じさせ
るおそれもある。
一方、プラズマ窒化膜は３００℃以下の温度で成長でき
、しかも耐湿性に優れた非常に強固な膜であるが、膜形
成時に半導体基板や配線がプラズマに晒されるためにプ
ラズマ損傷が生じるおそれがある。また、リン珪酸ガラ
スに比較して応力が大きいため、その歪が半導体基板や
配線に悪影響を与えることも心配される。
、しかも耐湿性に優れた非常に強固な膜であるが、膜形
成時に半導体基板や配線がプラズマに晒されるためにプ
ラズマ損傷が生じるおそれがある。また、リン珪酸ガラ
スに比較して応力が大きいため、その歪が半導体基板や
配線に悪影響を与えることも心配される。
本発明の半導体装置は、表面保護膜におけるヒロック、
耐湿性及び応力等の問題を解消して半導体装置の信頼性
の向上を図るものである。
耐湿性及び応力等の問題を解消して半導体装置の信頼性
の向上を図るものである。
本発明の半導体装置は、表面保護膜を下から順に薄いプ
ラズマ窒化膜、リン珪酸ガラス膜及びプラズマ窒化膜を
積層形成してなる３層構造に構成している。
ラズマ窒化膜、リン珪酸ガラス膜及びプラズマ窒化膜を
積層形成してなる３層構造に構成している。
次に、本発明を図°面を参照して説明する。
図は本発明の一実施例の断面図であり、特に半導体装置
の要部のみを示す図である。この半導体装置は、半導体
基板１の表面に酸化膜等からなる絶縁膜２を形成し、こ
の上にアルミニウム配線３を所定のパターンに形成して
いる。そして、このｖＡ縁膜２及びアルミニウム配′ｌ
ａ３上に表面保護膜４を被着形成している。
の要部のみを示す図である。この半導体装置は、半導体
基板１の表面に酸化膜等からなる絶縁膜２を形成し、こ
の上にアルミニウム配線３を所定のパターンに形成して
いる。そして、このｖＡ縁膜２及びアルミニウム配′ｌ
ａ３上に表面保護膜４を被着形成している。
この表面保護膜４は、３層構造に構成しており、最下層
は前記絶縁膜２とアルミニウム配線３上に直接形成した
１０００Å以下の薄いプラズマ窒化膜５で構成している
。そして、この上にリン含有量が３〜６ＩＩｌｏｌノ％
のリン珪酸ガラス膜６を０．５〜１．０μｍの厚さに成
長し、更にこの上にプラズマ窒化膜７を０．３〜１．０
μｍの厚さに成長して表面保護膜４を全体として３層構
造の膜としている。
は前記絶縁膜２とアルミニウム配線３上に直接形成した
１０００Å以下の薄いプラズマ窒化膜５で構成している
。そして、この上にリン含有量が３〜６ＩＩｌｏｌノ％
のリン珪酸ガラス膜６を０．５〜１．０μｍの厚さに成
長し、更にこの上にプラズマ窒化膜７を０．３〜１．０
μｍの厚さに成長して表面保護膜４を全体として３層構
造の膜としている。
したがって、この３層構造の表面保護膜４によれば、最
下層のプラズマ窒化膜５は非常に強固な膜質であるため
、アルミニウム配線３を上側から押さえつけ、その上層
に形成するリン珪酸ガラス膜６の成長時の温度が４００
℃以上とされた場合にもアルミニウム配線３でのヒロッ
ク発生を抑制することができる。また、このプラズマ窒
化膜５は極めて薄く形成しているので、成長時間は数分
で良く、半導体基板１やアルミニウム配線３等のプラズ
マによる損傷を防止する。
下層のプラズマ窒化膜５は非常に強固な膜質であるため
、アルミニウム配線３を上側から押さえつけ、その上層
に形成するリン珪酸ガラス膜６の成長時の温度が４００
℃以上とされた場合にもアルミニウム配線３でのヒロッ
ク発生を抑制することができる。また、このプラズマ窒
化膜５は極めて薄く形成しているので、成長時間は数分
で良く、半導体基板１やアルミニウム配線３等のプラズ
マによる損傷を防止する。
また、リン珪酸ガラス膜６はこの下側に存在する前記プ
ラズマ窒化膜５の応力を吸収してこれを緩和し、応力に
より半導体基板１やアルミニウム配線３への悪影響を抑
制する。また、その段差被着形状によってアルミニウム
配線３等の段差を緩和し上面での平坦性を良好なものと
する。
ラズマ窒化膜５の応力を吸収してこれを緩和し、応力に
より半導体基板１やアルミニウム配線３への悪影響を抑
制する。また、その段差被着形状によってアルミニウム
配線３等の段差を緩和し上面での平坦性を良好なものと
する。
更に、最上層のプラズマ窒化膜７はその緻密な膜質によ
って耐湿性及び耐アルカリ性を向上し、かつ強固な性質
によって下側の前記リン珪酸ガラス膜６を外力から保護
することができる。勿論、このプラズマ窒化膜７を厚く
形成しても、半導体基板１やアルミニウム配線３はリン
珪酸ガラス膜６によって被覆されてプラズマに晒される
ことはないので、プラズマによるこれらの損傷を防止で
きる。
って耐湿性及び耐アルカリ性を向上し、かつ強固な性質
によって下側の前記リン珪酸ガラス膜６を外力から保護
することができる。勿論、このプラズマ窒化膜７を厚く
形成しても、半導体基板１やアルミニウム配線３はリン
珪酸ガラス膜６によって被覆されてプラズマに晒される
ことはないので、プラズマによるこれらの損傷を防止で
きる。
ここで、前記したプラズマ窒化膜５．７やリン珪酸ガラ
ス膜６の夫々の膜厚並びにリン珪酸ガラス膜６のリン含
有量等は一例に過ぎず、これらの値は適宜に変更できる
ことは言うまでもない。
ス膜６の夫々の膜厚並びにリン珪酸ガラス膜６のリン含
有量等は一例に過ぎず、これらの値は適宜に変更できる
ことは言うまでもない。
以上説明したように本発明は、表面保護膜を薄いプラズ
マ窒化膜、リン珪酸ガラス膜及びプラズマ窒化膜を積層
形成した３層構造に構成しているので、最下層の薄いプ
ラズマ窒化膜でアルミニウム配線のヒロックを防止し、
その上層のリン珪酸ガラス膜で下層の薄いプラズマ窒化
膜の応力を緩和し、最上層のプラズマ窒化膜で耐湿性及
び機械的強度の向上を図ることができ、表面保護膜を改
善して半導体装置の信頬性の向上を達成することができ
る。
マ窒化膜、リン珪酸ガラス膜及びプラズマ窒化膜を積層
形成した３層構造に構成しているので、最下層の薄いプ
ラズマ窒化膜でアルミニウム配線のヒロックを防止し、
その上層のリン珪酸ガラス膜で下層の薄いプラズマ窒化
膜の応力を緩和し、最上層のプラズマ窒化膜で耐湿性及
び機械的強度の向上を図ることができ、表面保護膜を改
善して半導体装置の信頬性の向上を達成することができ
る。
図は本発明の一実施例の断面図である。
１・・・半導体基板、２・・・絶縁膜、３・・・アルミ
ニウム配線、４・・・表面保護膜、５・・・薄いプラズ
マ窒化膜、６・・・リン珪酸ガラス、７・・・プラズマ
窒化膜。 図
ニウム配線、４・・・表面保護膜、５・・・薄いプラズ
マ窒化膜、６・・・リン珪酸ガラス、７・・・プラズマ
窒化膜。 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板及びその表面上に形成した配線等を被覆
してこれらを保護する表面保護膜を有する半導体装置に
おいて、前記表面保護膜を下から順に薄いプラズマ窒化
膜、リン珪酸ガラス膜及びプラズマ窒化膜を積層形成し
て３層構造に構成したことを特徴とする半導体装置。 ２、薄いプラズマ窒化膜を１０００Å以下の膜厚に、リ
ン珪酸ガラス膜を０．５〜１．０μｍの膜厚に、更に上
側のプラズマ窒化膜を０．３〜１．０μｍの膜厚に夫々
形成してなる特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26730585A JPS62128128A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26730585A JPS62128128A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128128A true JPS62128128A (ja) | 1987-06-10 |
Family
ID=17442980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26730585A Pending JPS62128128A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128128A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5523616A (en) * | 1993-10-29 | 1996-06-04 | Nec Corporation | Semiconductor device having laminated tight and coarse insulating layers |
| USRE39932E1 (en) | 1996-09-10 | 2007-12-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor interconnect formed over an insulation and having moisture resistant material |
| US8367541B2 (en) | 2005-03-30 | 2013-02-05 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device suitable for a ferroelectric memory and manufacturing method of the same |
| CN106206753A (zh) * | 2015-06-01 | 2016-12-07 | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 | 包括半导体结构的半导体器件及该半导体器件的制造方法 |
-
1985
- 1985-11-29 JP JP26730585A patent/JPS62128128A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5523616A (en) * | 1993-10-29 | 1996-06-04 | Nec Corporation | Semiconductor device having laminated tight and coarse insulating layers |
| USRE39932E1 (en) | 1996-09-10 | 2007-12-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor interconnect formed over an insulation and having moisture resistant material |
| USRE41980E1 (en) | 1996-09-10 | 2010-12-07 | Panasonic Corporation | Semiconductor interconnect formed over an insulation and having moisture resistant material |
| US8367541B2 (en) | 2005-03-30 | 2013-02-05 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device suitable for a ferroelectric memory and manufacturing method of the same |
| CN106206753A (zh) * | 2015-06-01 | 2016-12-07 | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 | 包括半导体结构的半导体器件及该半导体器件的制造方法 |
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