JPS62181436A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS62181436A JPS62181436A JP2218386A JP2218386A JPS62181436A JP S62181436 A JPS62181436 A JP S62181436A JP 2218386 A JP2218386 A JP 2218386A JP 2218386 A JP2218386 A JP 2218386A JP S62181436 A JPS62181436 A JP S62181436A
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- JP
- Japan
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- protecting film
- internal stress
- grooves
- film
- protecting
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- Pending
Links
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 10
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置、特に高信頼性の表面保護膜を有
する半導体装置に関する。
する半導体装置に関する。
（従来の技術）
半導体集積回路の表面保護膜としては、ＣＶＤ法で形成
された二酸化シリコン膜が多く用いられてきた。しかし
近年、半導体集積回路の微細化。
された二酸化シリコン膜が多く用いられてきた。しかし
近年、半導体集積回路の微細化。
大規模化が進むにつれて、耐湿性、耐不純物イオン性に
より優れた表面保護膜が必要となってきた。
より優れた表面保護膜が必要となってきた。
第２図に示すプラズマＣＶＤ法により形成された窒化シ
リコン膜は、耐湿性、耐不純物イオン性にすぐれ、また
、クラックが発生しにくいため、表面保護膜として広く
用いられるようになってきた。
リコン膜は、耐湿性、耐不純物イオン性にすぐれ、また
、クラックが発生しにくいため、表面保護膜として広く
用いられるようになってきた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、日経マイクロデバイス１９８５年９号５
０ページに記されているように、プラズマＣＶＤ法によ
り形成された窒化シリコン膜は、極めて大きな圧縮性の
内部応力を有するため、この膜によって被覆された半導
体集積回路のアルミ配線に断線が生じるという問題が存
在することが最近明らかになった。
０ページに記されているように、プラズマＣＶＤ法によ
り形成された窒化シリコン膜は、極めて大きな圧縮性の
内部応力を有するため、この膜によって被覆された半導
体集積回路のアルミ配線に断線が生じるという問題が存
在することが最近明らかになった。
本発明は、前記のような大きな圧縮性内部応力を有する
保護膜に起因する、下層のアルミ配線層の断線事故を防
止するようにした半導体装置を提供するものである。
保護膜に起因する、下層のアルミ配線層の断線事故を防
止するようにした半導体装置を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するために、表面に適当な間隔で複数の
溝を有し、圧縮性の内部応力を有する第１の保護膜と、
前記溝を埋めるように第１の保護膜に積層され、引張性
の内部応力を有する第２の保護１１体とからなる表面保
護膜で半導体装置を被覆する。
溝を有し、圧縮性の内部応力を有する第１の保護膜と、
前記溝を埋めるように第１の保護膜に積層され、引張性
の内部応力を有する第２の保護１１体とからなる表面保
護膜で半導体装置を被覆する。
（作 用）
第１の保護膜の圧縮性の内部応力は、保護膜自体の変形
により緩和させることができる。第１の保護膜に適当な
間隔で複数の溝を形成すると、溝側面において保護膜の
内部応力は零となり、溝に囲まれた領域内においても保
護膜内の内部応力は。
により緩和させることができる。第１の保護膜に適当な
間隔で複数の溝を形成すると、溝側面において保護膜の
内部応力は零となり、溝に囲まれた領域内においても保
護膜内の内部応力は。
溝を形成しない場合に比へて著しく小さくなる。
従って保護膜の内部応力によって、下層のアルミ配線が
断線する確立は極めて小さくなる。第２の保護膜は溝を
形成した部分において保護膜が薄くなり、耐湿性、耐イ
オン性が低下するのを防止するために設けられる。第２
の保護膜に引張性の内部応力を有する膜を用いる理由は
、第１の保護膜の内部応力緩和をより完全にするためで
ある。
断線する確立は極めて小さくなる。第２の保護膜は溝を
形成した部分において保護膜が薄くなり、耐湿性、耐イ
オン性が低下するのを防止するために設けられる。第２
の保護膜に引張性の内部応力を有する膜を用いる理由は
、第１の保護膜の内部応力緩和をより完全にするためで
ある。
（実施例）
第１図を用いて本発明の一実施例を述べる。通常の半導
体集積回路製造方法により、下層の回路部５およびアル
ミ配線１を形成した後、その上部に第１の保護膜として
、プラズマＤＶＤ法により圧縮性内部応力を有する膜厚
８００ｎｍの窒化シリコン膜２を形成する。窒化シリコ
ン膜２の表面には、幅約１μｍ、深さ約６００ｎｍ 、
溝間隔約１０μｍの複数の溝４を形成する。次に窒化シ
リコン膜２の表面に第２の保護膜として、常圧ＣＶＤ法
により引張性の内部応力を有する、膜厚６００ｎｍの酸
化シリコン膜３を形成する。
体集積回路製造方法により、下層の回路部５およびアル
ミ配線１を形成した後、その上部に第１の保護膜として
、プラズマＤＶＤ法により圧縮性内部応力を有する膜厚
８００ｎｍの窒化シリコン膜２を形成する。窒化シリコ
ン膜２の表面には、幅約１μｍ、深さ約６００ｎｍ 、
溝間隔約１０μｍの複数の溝４を形成する。次に窒化シ
リコン膜２の表面に第２の保護膜として、常圧ＣＶＤ法
により引張性の内部応力を有する、膜厚６００ｎｍの酸
化シリコン膜３を形成する。
（発明の効果）
本発明によれば、耐湿性、耐不純物イオン性。
耐クラツク性に優れたプラズマＣＶ Ｄ 法による窒化
シリコン膜の特徴を生かし、しかも窒化シリコン膜の圧
縮性内部応力に起因するアルミ配線断線事故の発生率を
低下させることができ、半導体装置の信頼性を高めるこ
とができる。
シリコン膜の特徴を生かし、しかも窒化シリコン膜の圧
縮性内部応力に起因するアルミ配線断線事故の発生率を
低下させることができ、半導体装置の信頼性を高めるこ
とができる。
第１図は１本発明の一実施例の半導体装置の断面図、第
２図は、従来例の断面図である。 １・・・アルミ配線、 ２・・・圧縮性内部応力を有
する窒化シリコン膜、 ３・・・引張性内部応力を有す
る酸化シリコン膜、 ４・・・窒化シリコン膜表面に形
成された溝、 ５・・・下層の回路部。 特許出願人 松下電子工業株式会社 （“−−−１−Ｌ−゛ 第１図 ｂ 、、、Ｆ肩のし１晒罎ｐ
２図は、従来例の断面図である。 １・・・アルミ配線、 ２・・・圧縮性内部応力を有
する窒化シリコン膜、 ３・・・引張性内部応力を有す
る酸化シリコン膜、 ４・・・窒化シリコン膜表面に形
成された溝、 ５・・・下層の回路部。 特許出願人 松下電子工業株式会社 （“−−−１−Ｌ−゛ 第１図 ｂ 、、、Ｆ肩のし１晒罎ｐ
Claims (1)
- 表面に複数の溝を有し、圧縮性の内部応力を有する第１
の保護膜と、前記第１の保護膜の表面に積層され、引張
性の内部応力を有する第２の保護膜とからなる表面保護
膜で被覆されてなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2218386A JPS62181436A (ja) | 1986-02-05 | 1986-02-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2218386A JPS62181436A (ja) | 1986-02-05 | 1986-02-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62181436A true JPS62181436A (ja) | 1987-08-08 |
Family
ID=12075677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2218386A Pending JPS62181436A (ja) | 1986-02-05 | 1986-02-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62181436A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0453787A2 (en) * | 1990-03-23 | 1991-10-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an insulating film |
| EP0856886A1 (en) * | 1997-01-31 | 1998-08-05 | STMicroelectronics S.r.l. | Process for forming an edge structure to seal integrated electronic devices, and corresponding device |
| JP2008300678A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法、及び半導体素子 |
-
1986
- 1986-02-05 JP JP2218386A patent/JPS62181436A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0453787A2 (en) * | 1990-03-23 | 1991-10-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an insulating film |
| US5296745A (en) * | 1990-03-23 | 1994-03-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having a moisture barrier around periphery of device |
| EP0856886A1 (en) * | 1997-01-31 | 1998-08-05 | STMicroelectronics S.r.l. | Process for forming an edge structure to seal integrated electronic devices, and corresponding device |
| JP2008300678A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法、及び半導体素子 |
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