JPH01293632A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01293632A JPH01293632A JP12657388A JP12657388A JPH01293632A JP H01293632 A JPH01293632 A JP H01293632A JP 12657388 A JP12657388 A JP 12657388A JP 12657388 A JP12657388 A JP 12657388A JP H01293632 A JPH01293632 A JP H01293632A
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Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に多層配線を有する半導
体装置に関する。
体装置に関する。
半導体装置の高集積化に伴い、多層配線構造が広く採用
されているが、コンタクト部における配線の断線、層間
絶縁膜の絶縁性、配線と層間絶縁膜との反応による配線
の腐食など信顆性に関する問題は依然として残っている
。
されているが、コンタクト部における配線の断線、層間
絶縁膜の絶縁性、配線と層間絶縁膜との反応による配線
の腐食など信顆性に関する問題は依然として残っている
。
第2図は従来の半導体装置の一例の断面図である。
シリコン基板11にフィールド酸化膜12を形成し、第
1の配線13をAJで形成し、基板全面にシリコン酸化
膜14を被着して絶縁する。更にその上にリン珪酸ガラ
ス(以下PSGと記す)膜15を被着し、その表面をシ
リコン酸化膜17で覆った後、第2の配線をAfIで形
成する。
1の配線13をAJで形成し、基板全面にシリコン酸化
膜14を被着して絶縁する。更にその上にリン珪酸ガラ
ス(以下PSGと記す)膜15を被着し、その表面をシ
リコン酸化膜17で覆った後、第2の配線をAfIで形
成する。
第1の配線15と第2の配線18との間の層間絶縁膜が
シリコン酸化膜14、PSG膜■5、シリコン酸化膜1
7の三層構造にしているのは以下に示す理由による。
シリコン酸化膜14、PSG膜■5、シリコン酸化膜1
7の三層構造にしているのは以下に示す理由による。
PSG膜15はパッシベーション性が優れている反面、
吸湿性が大きいという性質を有するため、過剰の水分を
吸収し、リン酸等を生じ易い。
吸湿性が大きいという性質を有するため、過剰の水分を
吸収し、リン酸等を生じ易い。
樹脂封止型半導体装置では、樹脂封止界面から水分が侵
入してPSG膜1膜上5応してリン酸を生じ、このリン
酸がAJ配線と反応してAf!配線を腐食させ、信頼性
を低下させるという問題を生ずる。従って、樹脂封止界
面から水分が侵入してもPSG膜に達しないように、P
SG膜1膜上5リコン酸化膜14と17とでサンドイッ
チ型に挟んで覆うのである。
入してPSG膜1膜上5応してリン酸を生じ、このリン
酸がAJ配線と反応してAf!配線を腐食させ、信頼性
を低下させるという問題を生ずる。従って、樹脂封止界
面から水分が侵入してもPSG膜に達しないように、P
SG膜1膜上5リコン酸化膜14と17とでサンドイッ
チ型に挟んで覆うのである。
しかし、上述した従来の半導体装置は以下に示すような
欠点がある。
欠点がある。
一般的には、半導体装置の製造過程において、各々の構
成要素の寸法や加工の程度を反映した凹凸が半導体基板
表面に形成される。このような凹凸は半導体装置の製造
上好ましくなく、次工程以後の加工を困難にする。特に
、層間絶縁膜の表面形状が著しく悪い場合、次工程の金
属配線工程において金属配線の断線を引起す、これは半
導体装置の微細化が進めば進むほど著しくなる。
成要素の寸法や加工の程度を反映した凹凸が半導体基板
表面に形成される。このような凹凸は半導体装置の製造
上好ましくなく、次工程以後の加工を困難にする。特に
、層間絶縁膜の表面形状が著しく悪い場合、次工程の金
属配線工程において金属配線の断線を引起す、これは半
導体装置の微細化が進めば進むほど著しくなる。
前述した従来の半導体装置においても例外でなく、微細
な配線構造においては、PSG膜のカバレッジが悪く、
第1の配線13の側面部で第2の配線18の膜厚が著し
く薄くなる。その為、製造上の良品率の低下および半導
体装置の信頼性の低下を引起すという問題がある。
な配線構造においては、PSG膜のカバレッジが悪く、
第1の配線13の側面部で第2の配線18の膜厚が著し
く薄くなる。その為、製造上の良品率の低下および半導
体装置の信頼性の低下を引起すという問題がある。
本発明は、素子が形成されている半導体基板の一生面に
複数の配線と該配線の間を絶縁する複数の層間絶縁膜が
設けられている半導体装置において、前記層間絶縁膜が
第1のシリコン酸化膜と該第1のシリコン酸化膜上に形
成されたリン含有珪酸ガラス膜と該リン含有珪酸ガラス
膜上に形成されたホウ素含有珪酸ガラス膜と該ホウ素含
有珪酸ガラス膜上に形成された第2のシリコン酸化膜を
含むことにより構成される。
複数の配線と該配線の間を絶縁する複数の層間絶縁膜が
設けられている半導体装置において、前記層間絶縁膜が
第1のシリコン酸化膜と該第1のシリコン酸化膜上に形
成されたリン含有珪酸ガラス膜と該リン含有珪酸ガラス
膜上に形成されたホウ素含有珪酸ガラス膜と該ホウ素含
有珪酸ガラス膜上に形成された第2のシリコン酸化膜を
含むことにより構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例の断面図である。
この実施例においては、AJで作られた第1の配線13
と第2の配線18との間の層間絶縁膜が、シリコン酸化
膜14、PSG膜1膜上5ウ珪酸ガラス(以下BSGと
いう)膜16、シリコン酸化膜17の四層から成ってい
る。つまり、第2図に示した層間絶縁膜にBSG膜16
を追加している。それ以外は第2図に示した従来例と同
じである。
と第2の配線18との間の層間絶縁膜が、シリコン酸化
膜14、PSG膜1膜上5ウ珪酸ガラス(以下BSGと
いう)膜16、シリコン酸化膜17の四層から成ってい
る。つまり、第2図に示した層間絶縁膜にBSG膜16
を追加している。それ以外は第2図に示した従来例と同
じである。
PSG膜1膜上5ッシベーション効果を有している反面
、カバレッジが悪いことを前述したが、本実施例におい
てはPSG膜1膜上5厚を0.2μm程度にすることに
よりパッシベーション性を保持し、且つカバレッジの悪
化を防いでいる。このPSG膜1膜上5上SG膜16を
シラン(SiH4)、ジボラン(B2H6)、酸素及び
窒素を用いて常圧気相成長法により形成する。このガス
系を用いて堆積されるBSG膜16はカバレッジがよい
ことが知られている。さらにシラン、酸素及び窒素を用
いて堆積されるシリコン酸化膜17も良好なカバレッジ
を有しているため、第2の配線を行なう前に表面凹凸形
状は前述した従来法と比較して格段に改善される。・そ
の結果、第1の配線13の側面部における第2の配線の
膜厚は、従来法に比較して大幅に厚くなり、歩留向上心
頼性の向上をもならすという効果が得られる。
、カバレッジが悪いことを前述したが、本実施例におい
てはPSG膜1膜上5厚を0.2μm程度にすることに
よりパッシベーション性を保持し、且つカバレッジの悪
化を防いでいる。このPSG膜1膜上5上SG膜16を
シラン(SiH4)、ジボラン(B2H6)、酸素及び
窒素を用いて常圧気相成長法により形成する。このガス
系を用いて堆積されるBSG膜16はカバレッジがよい
ことが知られている。さらにシラン、酸素及び窒素を用
いて堆積されるシリコン酸化膜17も良好なカバレッジ
を有しているため、第2の配線を行なう前に表面凹凸形
状は前述した従来法と比較して格段に改善される。・そ
の結果、第1の配線13の側面部における第2の配線の
膜厚は、従来法に比較して大幅に厚くなり、歩留向上心
頼性の向上をもならすという効果が得られる。
上記実施例では、層間絶縁膜としてシリコン酸化W!A
14、PSG膜1膜上5SG膜16、シリコン酸化膜1
7の四層構造を示したが、PSG膜1膜上5りにホウリ
ン珪酸ガラス(以下BPSGという)膜を用いてもよい
。BPSG膜は、例えば、シラン、ジボラン、ホスフィ
ン、酸素、窒素を用いて常圧気相成長法により堆積させ
る。
14、PSG膜1膜上5SG膜16、シリコン酸化膜1
7の四層構造を示したが、PSG膜1膜上5りにホウリ
ン珪酸ガラス(以下BPSGという)膜を用いてもよい
。BPSG膜は、例えば、シラン、ジボラン、ホスフィ
ン、酸素、窒素を用いて常圧気相成長法により堆積させ
る。
BPSG膜はジボラン添加の効果によりPSG膜を用い
る場合と比較して同様のパッシベーション性を保持し、
かつカバレッジが改善されるという効果を有している。
る場合と比較して同様のパッシベーション性を保持し、
かつカバレッジが改善されるという効果を有している。
その結果、−層の歩留り向上、信頼性の向上をもたらす
という効果があ得られる。
という効果があ得られる。
以上説明したように、本発明ではPSG膜またはBPS
G膜とBSG膜とをシリコン酸化膜で挟むことで従来通
りAJ配線の腐食を回避することができ、絶縁性、パッ
シベーション性を全く損うことがなく、更に、PSG膜
よりもカバレッジのよいBSG膜を併用することで表面
形状が良好になり、従来よりも構造上酸しい条件でも金
属配線の断線を防ぐことができ、信頼性の高い半導体装
置を得ることができる効果が得られる。
G膜とBSG膜とをシリコン酸化膜で挟むことで従来通
りAJ配線の腐食を回避することができ、絶縁性、パッ
シベーション性を全く損うことがなく、更に、PSG膜
よりもカバレッジのよいBSG膜を併用することで表面
形状が良好になり、従来よりも構造上酸しい条件でも金
属配線の断線を防ぐことができ、信頼性の高い半導体装
置を得ることができる効果が得られる。
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は従来の半
導体装置の一例の断面図である。
導体装置の一例の断面図である。
11・・・シリコン基板、12・・・フィールド酸化膜
、13・・・第1の配線、14・・・シリコン酸化膜、
15・・・PSG膜、16・・・BSG膜、17・・・
シリコン酸化膜、18・・・第2の配線。
、13・・・第1の配線、14・・・シリコン酸化膜、
15・・・PSG膜、16・・・BSG膜、17・・・
シリコン酸化膜、18・・・第2の配線。
Claims (1)
- 素子が形成されている半導体基板の一主面に複数の配
線と該配線の間を絶縁する複数の層間絶縁膜が設けられ
ている半導体装置において、前記層間絶縁膜が第1のシ
リコン酸化膜と該第1のシリコン酸化膜上に形成された
リン含有珪酸ガラス膜と該リン含有珪酸ガラス膜上に形
成されたホウ素含有珪酸ガラス膜と該ホウ素含有珪酸ガ
ラス膜上に形成された第2のシリコン酸化膜を含むこと
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12657388A JPH01293632A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12657388A JPH01293632A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01293632A true JPH01293632A (ja) | 1989-11-27 |
Family
ID=14938509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12657388A Pending JPH01293632A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01293632A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100254471B1 (ko) * | 1992-12-31 | 2000-05-01 | 김영환 | 금속배선층간 절연막 평탄화방법 |
EP1008175A1 (en) * | 1995-09-29 | 2000-06-14 | Intel Corporation | Capped interlayer dielectric for chemical mechanical polishing |
US6169026B1 (en) | 1995-11-20 | 2001-01-02 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for planarization of semiconductor device including pumping out dopants from planarization layer separately from flowing said layer |
EP1073108A1 (en) * | 1999-07-27 | 2001-01-31 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition process for dielectric material |
US6441467B2 (en) * | 1997-04-24 | 2002-08-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having active element connected to an electrode metal pad via a barrier metal layer and interlayer insulating film |
US20140027915A1 (en) * | 2012-07-24 | 2014-01-30 | Infineon Technologies Ag | Production of adhesion structures in dielectric layers using photoprocess technology and devices incorporating adhesion structures |
-
1988
- 1988-05-23 JP JP12657388A patent/JPH01293632A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100254471B1 (ko) * | 1992-12-31 | 2000-05-01 | 김영환 | 금속배선층간 절연막 평탄화방법 |
EP1008175A1 (en) * | 1995-09-29 | 2000-06-14 | Intel Corporation | Capped interlayer dielectric for chemical mechanical polishing |
EP1008175A4 (en) * | 1995-09-29 | 2000-10-18 | Intel Corp | COATED DIELECTRIC INTERMEDIATE LAYER FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING |
US6169026B1 (en) | 1995-11-20 | 2001-01-02 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for planarization of semiconductor device including pumping out dopants from planarization layer separately from flowing said layer |
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US20140027915A1 (en) * | 2012-07-24 | 2014-01-30 | Infineon Technologies Ag | Production of adhesion structures in dielectric layers using photoprocess technology and devices incorporating adhesion structures |
US10217644B2 (en) * | 2012-07-24 | 2019-02-26 | Infineon Technologies Ag | Production of adhesion structures in dielectric layers using photoprocess technology and devices incorporating adhesion structures |
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