JPH0122984B2 - - Google Patents
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- JPH0122984B2 JPH0122984B2 JP57167915A JP16791582A JPH0122984B2 JP H0122984 B2 JPH0122984 B2 JP H0122984B2 JP 57167915 A JP57167915 A JP 57167915A JP 16791582 A JP16791582 A JP 16791582A JP H0122984 B2 JPH0122984 B2 JP H0122984B2
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- JP
- Japan
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- wiring
- wiring layer
- layer
- insulating film
- semiconductor device
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- Expired
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Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法、特に多層配線
工程における２層目以上の上層配線の膨れおよび
陥没の発生を防止する方法に関する。
工程における２層目以上の上層配線の膨れおよび
陥没の発生を防止する方法に関する。
(2) 技術の背景
多層配線技術は半導体装置の微細化および高集
積化に重要である。
積化に重要である。
第１図は２層配線構造を有する半導体装置にお
いて、２層目配線の形成工程後の当該装置の一部
断面図で、同図を参照すると、例えばシリコン半
導体基板１上に第１層目のアルミニウム（Al）
配線層３ａを蒸着形成した後、絶縁膜（例えば二
酸化シリコン膜）２を成長し、次いでスルーホー
ル４を窓開けして２層目のアルミニウム配線層３
ｂを蒸着形成する。
いて、２層目配線の形成工程後の当該装置の一部
断面図で、同図を参照すると、例えばシリコン半
導体基板１上に第１層目のアルミニウム（Al）
配線層３ａを蒸着形成した後、絶縁膜（例えば二
酸化シリコン膜）２を成長し、次いでスルーホー
ル４を窓開けして２層目のアルミニウム配線層３
ｂを蒸着形成する。
第１層配線層３ａと第２層配線層３ｂとはスル
ーホール４を介して接続し、また該第２層配線３
ｂ上には後述する如く燐シリケートガラス
（PSG）のカバー膜５を形成する。
ーホール４を介して接続し、また該第２層配線３
ｂ上には後述する如く燐シリケートガラス
（PSG）のカバー膜５を形成する。
(3) 従来技術と問題点
第２図は従来技術を説明するための多層（２
層）配線構造を有する半導体装置の部分断面図
で、同図において第１図と同じ部分は同じ符号を
付して示す。
層）配線構造を有する半導体装置の部分断面図
で、同図において第１図と同じ部分は同じ符号を
付して示す。
同図を参照すると、第１図に示す第２層目配線
３ｂを形成した後、その上にPSGカバー膜を成
長する。当該PSGカバー膜の成長は化学気相成
長（CVD）法により温度約425℃の条件下で行
う。
３ｂを形成した後、その上にPSGカバー膜を成
長する。当該PSGカバー膜の成長は化学気相成
長（CVD）法により温度約425℃の条件下で行
う。
しかし、該PSG膜５の成長を行うと、第２図
に示す如く第２層配線層に膨れおよび陥没が発生
し、その結果表面に凹凸形状ができることが経験
された。この表面の凹凸形状は製品の外観を損な
うだけでなく、その起伏の大きさが膜厚の半分以
上になると亀裂が生じ、また樹脂封止型のプラス
チツクパツケージにおいても、封止時の樹脂成形
圧力により亀裂が生じる問題がある。
に示す如く第２層配線層に膨れおよび陥没が発生
し、その結果表面に凹凸形状ができることが経験
された。この表面の凹凸形状は製品の外観を損な
うだけでなく、その起伏の大きさが膜厚の半分以
上になると亀裂が生じ、また樹脂封止型のプラス
チツクパツケージにおいても、封止時の樹脂成形
圧力により亀裂が生じる問題がある。
上述の如くカバー膜に亀裂が生じると、当該亀
裂から不純物や水分などが混入し（耐湿性が悪く
なる）、半導体装置の信頼性低下の原因となり、
また樹脂封止型のパツケージには上述した如く亀
裂が発生するため使用できず、当該半導体装置の
使用範囲が限定される問題が生じる。
裂から不純物や水分などが混入し（耐湿性が悪く
なる）、半導体装置の信頼性低下の原因となり、
また樹脂封止型のパツケージには上述した如く亀
裂が発生するため使用できず、当該半導体装置の
使用範囲が限定される問題が生じる。
ところで、上述の表面凹凸形状の発生原因は、
第２層目配線３ｂの下に塗布されている図示せぬ
厚さ300Åの液体酸化膜と呼ばれる珪酸とアルコ
ールとの混合液にあると考えられる。当該液体酸
化膜は絶縁膜２上の図示せぬ厚さ1μmのPSG膜上
に塗布され、スルーホールのテーパ形成に対して
効果があるが、この液体酸化膜はPSGカバー膜
５の成長時の温度（425℃）により何らかの変化
を起し、その結果第２配線層３ｂの表面に凹凸が
発生するものと理解される。
第２層目配線３ｂの下に塗布されている図示せぬ
厚さ300Åの液体酸化膜と呼ばれる珪酸とアルコ
ールとの混合液にあると考えられる。当該液体酸
化膜は絶縁膜２上の図示せぬ厚さ1μmのPSG膜上
に塗布され、スルーホールのテーパ形成に対して
効果があるが、この液体酸化膜はPSGカバー膜
５の成長時の温度（425℃）により何らかの変化
を起し、その結果第２配線層３ｂの表面に凹凸が
発生するものと理解される。
そこで、第２配線層３ｂの表面凹凸形状をなく
し、半導体装置の信頼性を向上させることが要望
されている。
し、半導体装置の信頼性を向上させることが要望
されている。
(4) 発明の目的
本発明は上記従来の問題点に鑑み、多層配線構
造の上層配線表面における膨れおよび陥没防止方
法の提供を目的とする。
造の上層配線表面における膨れおよび陥没防止方
法の提供を目的とする。
(5) 発明の構成
そしてこの目的は本発明の方法によれば、多層
配線構造を有する半導体装置の製造方法におい
て、上層配線層形成後当該配線の表面層をエツチ
ング除去し、しかる後絶縁膜を形成する工程を含
むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供
することによつて達成される。
配線構造を有する半導体装置の製造方法におい
て、上層配線層形成後当該配線の表面層をエツチ
ング除去し、しかる後絶縁膜を形成する工程を含
むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供
することによつて達成される。
(6) 発明の実施例
以下、添付図面を参照して２層配線を例に本発
明実施例を説明する。
明実施例を説明する。
第３図は本発明実施例を説明するための半導体
装置要部の断面図で、同図を参照すると、従来技
術と同様にして例えばシリコン半導体基板３１上
に第１層目のアルミニウム配線層３３ａ、絶縁膜
３２ａおよびスルーホール、更に第２層目の配線
層３３ｂを形成する（第１図参照）。
装置要部の断面図で、同図を参照すると、従来技
術と同様にして例えばシリコン半導体基板３１上
に第１層目のアルミニウム配線層３３ａ、絶縁膜
３２ａおよびスルーホール、更に第２層目の配線
層３３ｂを形成する（第１図参照）。
次に上述した如く第１図に示す状態で例えば逆
スパツタリングエツチングにより上記第２層目配
線層３３ｂの表面を100から200Åの厚さにわたつ
てエツチング除去する。当該エツチングは第２層
配線層３３ｂの表面の不純物を取り除きかつ清浄
な純粋アルミニウム面を形成するに効果がある。
また逆スパツタリングエツチングはアルミニウム
配線層蒸着形成を行うスパツタリング装置によつ
て行うことができるため、処理の簡略化に有効で
ある。なお、例えばバレル型エツチング装置など
のドライエツチング装置を使用しても本発明の効
果を何ら損なうものではない。
スパツタリングエツチングにより上記第２層目配
線層３３ｂの表面を100から200Åの厚さにわたつ
てエツチング除去する。当該エツチングは第２層
配線層３３ｂの表面の不純物を取り除きかつ清浄
な純粋アルミニウム面を形成するに効果がある。
また逆スパツタリングエツチングはアルミニウム
配線層蒸着形成を行うスパツタリング装置によつ
て行うことができるため、処理の簡略化に有効で
ある。なお、例えばバレル型エツチング装置など
のドライエツチング装置を使用しても本発明の効
果を何ら損なうものではない。
上記第２配線層３３ｂの表面をエツチング除去
した後は、従来技術と同様に温度約425℃の下で
CVD法によりPSGカバー膜３４を成長する。こ
のとき本願の発明者は同図に示す如く、第２層配
線層３３ｂの表面に素子特性劣化に係わるような
凹凸形状が形成されないことを確認した。
した後は、従来技術と同様に温度約425℃の下で
CVD法によりPSGカバー膜３４を成長する。こ
のとき本願の発明者は同図に示す如く、第２層配
線層３３ｂの表面に素子特性劣化に係わるような
凹凸形状が形成されないことを確認した。
かくして多層配線構造における配線層の膨れお
よび陥没が防止され、表面が平担化された半導体
装置が提供される。
よび陥没が防止され、表面が平担化された半導体
装置が提供される。
なお、本発明の方法は２層配線構造の半導体装
置に限るものでなく、２層以上の多層配線にも有
効で、アルミニウム配線層の断線防止などに効果
がある。
置に限るものでなく、２層以上の多層配線にも有
効で、アルミニウム配線層の断線防止などに効果
がある。
(7) 発明の効果
以上、詳細に説明した如く、本発明の方法によ
れば、多層配線構造において配線層の膨れおよび
陥没がなく表面カバー膜が平坦化された半導体装
置を提供することができるため、素子形状向上の
ほか表面カバー膜の亀裂による耐湿性の低下を防
止でき、またプラスチツクパツケージによるパツ
ケージ化での上記亀裂の問題を解決できるため、
半導体装置の信頼性向上に効果大である。
れば、多層配線構造において配線層の膨れおよび
陥没がなく表面カバー膜が平坦化された半導体装
置を提供することができるため、素子形状向上の
ほか表面カバー膜の亀裂による耐湿性の低下を防
止でき、またプラスチツクパツケージによるパツ
ケージ化での上記亀裂の問題を解決できるため、
半導体装置の信頼性向上に効果大である。
第１図および第２図は従来技術を説明するため
の２層配線構造の半導体装置要部の断面図、第３
図は本発明の実施例を説明するための上記半導体
装置要部の断面図である。 １，３１……半導体基板、２，３２……絶縁
膜、３ａ，３３ａ……第１層配線層、３ｂ，３３
ｂ……第２層配線層、４……スルーホール、５，
３４……PSGカバー膜。
の２層配線構造の半導体装置要部の断面図、第３
図は本発明の実施例を説明するための上記半導体
装置要部の断面図である。 １，３１……半導体基板、２，３２……絶縁
膜、３ａ，３３ａ……第１層配線層、３ｂ，３３
ｂ……第２層配線層、４……スルーホール、５，
３４……PSGカバー膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 多層配線構造を有する半導体装置の製造方法
において、 下層配線上に層間絶縁膜を形成する工程と、 該層間絶縁膜上に、珪酸とアルコールを含む混
合液を塗布して平坦化絶縁膜を形成する工程と、 該平坦化絶縁膜の表面に配線層を形成した後、
当該配線層の表面層全面をエツチング除去する工
程と、 該配線層上に気相成長によつて絶縁膜を形成す
る工程とを含んでなることを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16791582A JPS5957458A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16791582A JPS5957458A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5957458A JPS5957458A (ja) | 1984-04-03 |
| JPH0122984B2 true JPH0122984B2 (ja) | 1989-04-28 |
Family
ID=15858404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16791582A Granted JPS5957458A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5957458A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1231887B (it) * | 1987-10-09 | 1992-01-15 | Sgs Microelettronica Spa | Procedimento per la produzione di circuiti integrati monolitici |
| JP2003081557A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Toshiba Elevator Co Ltd | ガバナロープの振れ止め装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51108588A (en) * | 1975-03-19 | 1976-09-25 | Denki Onkyo Co Ltd | Jikiteikokokasoshi |
| JPS56144557A (en) * | 1980-04-10 | 1981-11-10 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP16791582A patent/JPS5957458A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51108588A (en) * | 1975-03-19 | 1976-09-25 | Denki Onkyo Co Ltd | Jikiteikokokasoshi |
| JPS56144557A (en) * | 1980-04-10 | 1981-11-10 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5957458A (ja) | 1984-04-03 |
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