JPH05347212A - 薄膜電子部品及びその製造方法 - Google Patents
薄膜電子部品及びその製造方法Info
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- JPH05347212A JPH05347212A JP17913692A JP17913692A JPH05347212A JP H05347212 A JPH05347212 A JP H05347212A JP 17913692 A JP17913692 A JP 17913692A JP 17913692 A JP17913692 A JP 17913692A JP H05347212 A JPH05347212 A JP H05347212A
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- Japan
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- thin film
- copper
- nichrome
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 導電性を確保するための主導体薄膜として安
価で導電性の良い銅薄膜を採用した場合の問題点を、銅
薄膜の上下に別金属の薄膜を設けることで解決し、安価
で信頼性の高い薄膜導電層を基板上に形成可能とする。 【構成】 絶縁基板１０又は絶縁膜上にクロム薄膜１
１、銅薄膜１２、ニクロム薄膜１３の順に積層して薄膜
導電層を形成した構成であり、クロム薄膜１１で基板１
０への付着性を改善し、ニクロム薄膜１３で絶縁膜を設
けたときの銅薄膜１２の酸化等を防止している。
価で導電性の良い銅薄膜を採用した場合の問題点を、銅
薄膜の上下に別金属の薄膜を設けることで解決し、安価
で信頼性の高い薄膜導電層を基板上に形成可能とする。 【構成】 絶縁基板１０又は絶縁膜上にクロム薄膜１
１、銅薄膜１２、ニクロム薄膜１３の順に積層して薄膜
導電層を形成した構成であり、クロム薄膜１１で基板１
０への付着性を改善し、ニクロム薄膜１３で絶縁膜を設
けたときの銅薄膜１２の酸化等を防止している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜コイル、薄膜コン
デンサ、薄膜抵抗等の薄膜電子部品及びその製造方法に
関する。
デンサ、薄膜抵抗等の薄膜電子部品及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、特開平３−２０１４１７号及び特
開平３−２４０２１０号等で、高周波コイルの導体を蒸
着、スパッタ、イオンプレーティング等の薄膜技術で形
成することが提案されている。
開平３−２４０２１０号等で、高周波コイルの導体を蒸
着、スパッタ、イオンプレーティング等の薄膜技術で形
成することが提案されている。
【０００３】図１１は、薄膜電子部品の１例として薄膜
チップコイルを構成した場合を示す。この図において、
１はセラミック、ガラス、又はこれらの複合材料等の絶
縁基板であり、この上に引き出し導電層２、ポリイミド
等の塗布型有機絶縁樹脂である層間絶縁層３、渦巻き状
コイル部分及び端部電極部分を有する導電層４、層間絶
縁層５、導電層４と同様のパターンの導電層６、及び保
護膜７が順次積層し形成されている。そして、最後に、
端子電極８がめっき等で形成される。
チップコイルを構成した場合を示す。この図において、
１はセラミック、ガラス、又はこれらの複合材料等の絶
縁基板であり、この上に引き出し導電層２、ポリイミド
等の塗布型有機絶縁樹脂である層間絶縁層３、渦巻き状
コイル部分及び端部電極部分を有する導電層４、層間絶
縁層５、導電層４と同様のパターンの導電層６、及び保
護膜７が順次積層し形成されている。そして、最後に、
端子電極８がめっき等で形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】さて、高周波コイル等
の導電層を、蒸着、スパッタ、イオンプレーティング等
の薄膜技術による導体薄膜で構成する場合、導体薄膜と
して導電性の良好な、銀、銅等を用いることが考慮され
るが、銀、銅はセラミック、ガラス、又はこれらの複合
材料等の絶縁基板に対する密着性に問題があり、さらに
銀は高価であり、銅は層間絶縁に用いるポリイミド等の
塗布型有機絶縁膜により酸化され易い問題もある。
の導電層を、蒸着、スパッタ、イオンプレーティング等
の薄膜技術による導体薄膜で構成する場合、導体薄膜と
して導電性の良好な、銀、銅等を用いることが考慮され
るが、銀、銅はセラミック、ガラス、又はこれらの複合
材料等の絶縁基板に対する密着性に問題があり、さらに
銀は高価であり、銅は層間絶縁に用いるポリイミド等の
塗布型有機絶縁膜により酸化され易い問題もある。
【０００５】本発明は、上記の点に鑑み、導電性を確保
するための主導体薄膜として安価で導電性の良い銅薄膜
を採用し、銅薄膜の絶縁基板への付着性の問題や銅薄膜
の酸化の問題は銅薄膜の上下に別金属の薄膜を設けるこ
とで解決し、信頼性が高く安価な薄膜電子部品及びその
製造方法を提供することを目的とする。
するための主導体薄膜として安価で導電性の良い銅薄膜
を採用し、銅薄膜の絶縁基板への付着性の問題や銅薄膜
の酸化の問題は銅薄膜の上下に別金属の薄膜を設けるこ
とで解決し、信頼性が高く安価な薄膜電子部品及びその
製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の薄膜電子部品は、絶縁基板又は絶縁膜上に
クロム薄膜、銅薄膜、ニクロム薄膜の順に積層して薄膜
導電層を形成した構成としている。
に、本発明の薄膜電子部品は、絶縁基板又は絶縁膜上に
クロム薄膜、銅薄膜、ニクロム薄膜の順に積層して薄膜
導電層を形成した構成としている。
【０００７】また、本発明の薄膜電子部品の製造方法
は、絶縁基板又は絶縁膜上にクロム薄膜、銅薄膜、ニク
ロム薄膜の順に薄膜技術で積層した後、ニクロム薄膜、
銅薄膜、クロム薄膜の順に異なるエッチング剤を用いて
所定のパターン形状にエッチングして薄膜導電層を形成
する工程を備えている。
は、絶縁基板又は絶縁膜上にクロム薄膜、銅薄膜、ニク
ロム薄膜の順に薄膜技術で積層した後、ニクロム薄膜、
銅薄膜、クロム薄膜の順に異なるエッチング剤を用いて
所定のパターン形状にエッチングして薄膜導電層を形成
する工程を備えている。
【０００８】
【作用】本発明では、薄膜導電層の導電性を確保するた
めの主導体薄膜として銅薄膜を用いると共に、セラミッ
ク、ガラス、又はこれらの複合材料等の絶縁基板に対す
る銅薄膜の付着性の悪さは、銅薄膜の下地としてクロム
薄膜を絶縁基板上に薄膜技術で形成しておくことで解決
している。また、銅薄膜上に層間絶縁又は保護コートと
してポリイミド等の塗布型有機絶縁膜を設ける場合の銅
薄膜の酸化や塗布型有機絶縁膜の変質の問題は、銅が拡
散しにくいニクロム薄膜を銅薄膜上に薄膜技術で形成す
ることで解決している。さらに、銅薄膜をクロム薄膜や
ニクロム薄膜に比して厚く形成した場合、エッチング剤
で銅薄膜をエッチングする時間が長くなり、銅薄膜の厚
み方向と同じように幅方向もエッチングされて幅が狭く
なる結果、先にエッチングした上層のニクロム薄膜より
も中間層の銅薄膜の幅が狭くなる問題が発生するが、こ
の問題は、下層のクロム薄膜をエッチングした後に、上
層のニクロム薄膜を再度エッチングして銅薄膜の幅に揃
えることで解消できる。
めの主導体薄膜として銅薄膜を用いると共に、セラミッ
ク、ガラス、又はこれらの複合材料等の絶縁基板に対す
る銅薄膜の付着性の悪さは、銅薄膜の下地としてクロム
薄膜を絶縁基板上に薄膜技術で形成しておくことで解決
している。また、銅薄膜上に層間絶縁又は保護コートと
してポリイミド等の塗布型有機絶縁膜を設ける場合の銅
薄膜の酸化や塗布型有機絶縁膜の変質の問題は、銅が拡
散しにくいニクロム薄膜を銅薄膜上に薄膜技術で形成す
ることで解決している。さらに、銅薄膜をクロム薄膜や
ニクロム薄膜に比して厚く形成した場合、エッチング剤
で銅薄膜をエッチングする時間が長くなり、銅薄膜の厚
み方向と同じように幅方向もエッチングされて幅が狭く
なる結果、先にエッチングした上層のニクロム薄膜より
も中間層の銅薄膜の幅が狭くなる問題が発生するが、こ
の問題は、下層のクロム薄膜をエッチングした後に、上
層のニクロム薄膜を再度エッチングして銅薄膜の幅に揃
えることで解消できる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明に係る薄膜電子部品及びその製
造方法の実施例を図面に従って説明する。
造方法の実施例を図面に従って説明する。
【００１０】図１乃至図７において本発明の第１実施例
を説明する。まず、図１に示すように、セラミック、ガ
ラス、又はこれらの複合材料等の絶縁基板１０上にセラ
ミックやガラスに対して密着性（付着性）の良好なクロ
ム（Ｃr）薄膜１１を蒸着、スパッタ、イオンプレーテ
ィング等の薄膜技術で形成し、その上に導電性を確保す
るために充分厚く銅（Ｃu）薄膜１２を同様の薄膜技術
で形成し、さらにその上に銅の酸化及び拡散防止のため
のニクロム（Ｎi−Ｃr）薄膜１３を形成する。ここで、
クロム薄膜１１の膜厚は５０〜２０００Å、銅薄膜１２
の膜厚は数千〜数万Å、ニクロム薄膜１３の膜厚は５０
〜２０００Å程度である。また、ニクロム薄膜は、ニッ
ケルが８０重量％でクロムが２０重量％の組成のもので
ある。
を説明する。まず、図１に示すように、セラミック、ガ
ラス、又はこれらの複合材料等の絶縁基板１０上にセラ
ミックやガラスに対して密着性（付着性）の良好なクロ
ム（Ｃr）薄膜１１を蒸着、スパッタ、イオンプレーテ
ィング等の薄膜技術で形成し、その上に導電性を確保す
るために充分厚く銅（Ｃu）薄膜１２を同様の薄膜技術
で形成し、さらにその上に銅の酸化及び拡散防止のため
のニクロム（Ｎi−Ｃr）薄膜１３を形成する。ここで、
クロム薄膜１１の膜厚は５０〜２０００Å、銅薄膜１２
の膜厚は数千〜数万Å、ニクロム薄膜１３の膜厚は５０
〜２０００Å程度である。また、ニクロム薄膜は、ニッ
ケルが８０重量％でクロムが２０重量％の組成のもので
ある。
【００１１】次いで、図２に示すように、ホトリソグラ
フ技術により所定のパターンでレジスト１５を上層のニ
クロム薄膜１３上に形成する。すなわち、ニクロム薄膜
上の全面にレジストを塗布した後に露光、現像処理する
ことで所定のパターンのレジスト１５を残す。
フ技術により所定のパターンでレジスト１５を上層のニ
クロム薄膜１３上に形成する。すなわち、ニクロム薄膜
上の全面にレジストを塗布した後に露光、現像処理する
ことで所定のパターンのレジスト１５を残す。
【００１２】それから、ニクロムを溶融除去可能なエッ
チング剤（エッチング液）で図３の如く上層のニクロム
薄膜１３をエッチング処理してレジスト１５で被覆され
ている以外の部分を除去する。
チング剤（エッチング液）で図３の如く上層のニクロム
薄膜１３をエッチング処理してレジスト１５で被覆され
ている以外の部分を除去する。
【００１３】上層のニクロム薄膜１３のエッチング処理
後、図４のように、銅を溶融除去可能なエッチング剤
（エッチング液）で中間層の銅薄膜１２をエッチング処
理する。その際、銅薄膜１２は厚みが大きく、エッチン
グ時間が長くなるため、銅薄膜の厚さ方向のみならず幅
方向もエッチングされてしまうことが図４から判る（ニ
クロム薄膜１３が銅薄膜１２よりも幅が大きくオーバー
ハングしている。）。
後、図４のように、銅を溶融除去可能なエッチング剤
（エッチング液）で中間層の銅薄膜１２をエッチング処
理する。その際、銅薄膜１２は厚みが大きく、エッチン
グ時間が長くなるため、銅薄膜の厚さ方向のみならず幅
方向もエッチングされてしまうことが図４から判る（ニ
クロム薄膜１３が銅薄膜１２よりも幅が大きくオーバー
ハングしている。）。
【００１４】その後、クロムを溶融除去可能なエッチン
グ剤（エッチング液）で下層のクロム薄膜１１を図５の
ようにエッチング処理する。
グ剤（エッチング液）で下層のクロム薄膜１１を図５の
ようにエッチング処理する。
【００１５】図５の状態では、上層のニクロム薄膜１３
が銅薄膜１２よりも幅広となっているため、ニクロムを
溶融除去可能なエッチング剤（エッチング液）でニクロ
ム薄膜１３を再度エッチング処理して図６の如くニクロ
ム薄膜１３のオーバーハングをなくして銅薄膜１２と同
程度の幅とする。
が銅薄膜１２よりも幅広となっているため、ニクロムを
溶融除去可能なエッチング剤（エッチング液）でニクロ
ム薄膜１３を再度エッチング処理して図６の如くニクロ
ム薄膜１３のオーバーハングをなくして銅薄膜１２と同
程度の幅とする。
【００１６】このとき、仮に上層のニクロム薄膜の代わ
りにクロム薄膜（下層と同じ）が採用されている場合に
は、上層のオーバーハング除去時に下層のクロム薄膜１
１まで除去されてしまうため、オーバーハング除去がで
きない問題が発生するが、下層のクロム薄膜１１と異な
るエッチング剤を使用可能なニクロム薄膜１３で上層を
構成することで上層のオーバーハング除去を効果的に実
行できる。この結果、後工程のポリイミド等の塗布型有
機絶縁樹脂による層間絶縁層の形成時に、オーバーハン
グ部分に気泡が溜まったりする問題を除去できる。
りにクロム薄膜（下層と同じ）が採用されている場合に
は、上層のオーバーハング除去時に下層のクロム薄膜１
１まで除去されてしまうため、オーバーハング除去がで
きない問題が発生するが、下層のクロム薄膜１１と異な
るエッチング剤を使用可能なニクロム薄膜１３で上層を
構成することで上層のオーバーハング除去を効果的に実
行できる。この結果、後工程のポリイミド等の塗布型有
機絶縁樹脂による層間絶縁層の形成時に、オーバーハン
グ部分に気泡が溜まったりする問題を除去できる。
【００１７】その後、図７のように、レジスト１５を剥
離液で剥離、除去する。
離液で剥離、除去する。
【００１８】図１乃至図７の工程により、絶縁基板１０
に対する密着性が良好で、層間絶縁層による酸化、変質
の不具合のない信頼性の高い安価な薄膜導電層２０が得
られる。また、銅薄膜１２の厚みが大きい場合に発生す
る上層のニクロム薄膜１３のオーバーハングを除去する
ことができ、信頼性のより一層の向上を図り得る。
に対する密着性が良好で、層間絶縁層による酸化、変質
の不具合のない信頼性の高い安価な薄膜導電層２０が得
られる。また、銅薄膜１２の厚みが大きい場合に発生す
る上層のニクロム薄膜１３のオーバーハングを除去する
ことができ、信頼性のより一層の向上を図り得る。
【００１９】図８乃至図１０は本発明の第２実施例であ
って、上記第１実施例に示した薄膜導電層と、これと同
様の積層構造を持つ薄膜導電層とを層間絶縁層のコンタ
クトホールを介して接続する場合を示す。
って、上記第１実施例に示した薄膜導電層と、これと同
様の積層構造を持つ薄膜導電層とを層間絶縁層のコンタ
クトホールを介して接続する場合を示す。
【００２０】まず、図８のように、絶縁基板１０上に第
１実施例と同様に薄膜技術で順次積層して形成されたク
ロム薄膜１１、銅薄膜１２及びニクロム薄膜１３の３層
からなる第１の薄膜導電層２０上にポリイミド等の塗布
型有機絶縁樹脂による層間絶縁層２１を形成する。この
場合、層間絶縁層２１のコンタクトホール２２の形成は
ホトリソグラフ技術によって行うことができる。
１実施例と同様に薄膜技術で順次積層して形成されたク
ロム薄膜１１、銅薄膜１２及びニクロム薄膜１３の３層
からなる第１の薄膜導電層２０上にポリイミド等の塗布
型有機絶縁樹脂による層間絶縁層２１を形成する。この
場合、層間絶縁層２１のコンタクトホール２２の形成は
ホトリソグラフ技術によって行うことができる。
【００２１】次に、ニクロムを溶融除去可能なエッチン
グ剤（エッチング液）でニクロム薄膜１３をエッチング
処理して図９の如くコンタクトホール２２に面したニク
ロム薄膜部分を除去する。
グ剤（エッチング液）でニクロム薄膜１３をエッチング
処理して図９の如くコンタクトホール２２に面したニク
ロム薄膜部分を除去する。
【００２２】それから、層間絶縁層２１上に（コンタク
トホール２２上も含めて）、上述の第１実施例の場合と
同様にして薄膜技術にてクロム薄膜１１、銅薄膜１２及
びニクロム薄膜１３の３層からなる第２の薄膜導電層２
３を形成する。
トホール２２上も含めて）、上述の第１実施例の場合と
同様にして薄膜技術にてクロム薄膜１１、銅薄膜１２及
びニクロム薄膜１３の３層からなる第２の薄膜導電層２
３を形成する。
【００２３】図８乃至図１０に示した第２実施例の構成
とすれば、コンタクトホール２２のニクロム薄膜１３が
除去されているため、コンタクトホール２２では第１の
薄膜導電層２０の銅薄膜１２に第２の薄膜導電層２３の
クロム薄膜１１が接合するため、クロムが銅中に拡散す
るととにクロム中に銅が拡散する相互拡散現象が生じ、
接合部分の抵抗を小さくすることができる。
とすれば、コンタクトホール２２のニクロム薄膜１３が
除去されているため、コンタクトホール２２では第１の
薄膜導電層２０の銅薄膜１２に第２の薄膜導電層２３の
クロム薄膜１１が接合するため、クロムが銅中に拡散す
るととにクロム中に銅が拡散する相互拡散現象が生じ、
接合部分の抵抗を小さくすることができる。
【００２４】なお、上記の第１及び第２実施例の構成
は、薄膜コイル、薄膜コンデンサ、薄膜抵抗等の薄膜電
子部品に採用できる。
は、薄膜コイル、薄膜コンデンサ、薄膜抵抗等の薄膜電
子部品に採用できる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
導電性を確保するための主導体薄膜として安価で導電性
の良い銅薄膜を採用し、銅薄膜の絶縁基板への付着性の
問題は銅薄膜の下層にクロム薄膜を、銅薄膜の酸化の問
題は銅薄膜の上にニクロム薄膜を薄膜技術で設けること
で解決し、信頼性が高く安価な薄膜導電層を有する薄膜
電子部品を得ることができる。
導電性を確保するための主導体薄膜として安価で導電性
の良い銅薄膜を採用し、銅薄膜の絶縁基板への付着性の
問題は銅薄膜の下層にクロム薄膜を、銅薄膜の酸化の問
題は銅薄膜の上にニクロム薄膜を薄膜技術で設けること
で解決し、信頼性が高く安価な薄膜導電層を有する薄膜
電子部品を得ることができる。
【図１】本発明に係る薄膜電子部品及びその製造方法の
第１実施例を説明するもので、クロム薄膜、銅薄膜、ニ
クロム薄膜の順に絶縁基板上に形成する工程を示す断面
図である。
第１実施例を説明するもので、クロム薄膜、銅薄膜、ニ
クロム薄膜の順に絶縁基板上に形成する工程を示す断面
図である。
【図２】上層のニクロム薄膜上にレジストを設ける工程
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】上層のニクロム薄膜をエッチング処理する工程
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】中間層の銅薄膜をエッチング処理する工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図５】下層のクロム薄膜をエッチング処理する工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図６】上層のニクロム薄膜を再度エッチング処理する
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図７】レジストを除去する工程を示す断面図である。
【図８】本発明の第２実施例であって第１の薄膜導電層
上にコンタクトホールを有する層間絶縁層を設ける工程
を示す断面図である。
上にコンタクトホールを有する層間絶縁層を設ける工程
を示す断面図である。
【図９】コンタクトホールに面するニクロム薄膜をエッ
チング処理する工程を示す断面図である。
チング処理する工程を示す断面図である。
【図１０】層間絶縁層上に第２の薄膜導電層を形成する
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図１１】薄膜電子部品の１例として薄膜チップコイル
を示す断面構造図である。
を示す断面構造図である。
１，１０ 絶縁基板 １１ クロム薄膜 １２ 銅薄膜 １３ ニクロム薄膜 ２０，２３ 薄膜導電層 ２１ 層間絶縁層 ２２ コンタクトホール
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁基板又は絶縁膜上にクロム薄膜、銅
薄膜、ニクロム薄膜の順に積層して薄膜導電層を形成し
たことを特徴とする薄膜電子部品。 - 【請求項２】 絶縁基板又は絶縁膜上にクロム薄膜、銅
薄膜、ニクロム薄膜の順に積層して形成した第１の薄膜
導電層と、第１の薄膜導電層を被覆する如く形成された
絶縁層上にクロム薄膜、銅薄膜、ニクロム薄膜の順に積
層して形成した第２の薄膜導電層とを少なくとも備え、
前記第１及び第２の薄膜導電層の接続部分では前記第１
の薄膜導電層のニクロム薄膜が除去され、当該第１の薄
膜導電層の銅薄膜上に前記第２の薄膜導電層のクロム薄
膜が接合されていることを特徴とする薄膜電子部品。 - 【請求項３】 絶縁基板又は絶縁膜上にクロム薄膜、銅
薄膜、ニクロム薄膜の順に薄膜技術で積層した後、ニク
ロム薄膜、銅薄膜、クロム薄膜の順に異なるエッチング
剤を用いて所定のパターン形状にエッチングして薄膜導
電層を形成することを特徴とする薄膜電子部品の製造方
法。 - 【請求項４】 前記クロム薄膜のエッチング後に、前記
銅薄膜の幅よりも突出した前記ニクロム薄膜部分をエッ
チング剤を用いてエッチングして前記銅薄膜と同程度の
幅に揃える工程を備える請求項３記載の薄膜電子部品の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17913692A JP3144596B2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 薄膜電子部品及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17913692A JP3144596B2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 薄膜電子部品及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347212A true JPH05347212A (ja) | 1993-12-27 |
| JP3144596B2 JP3144596B2 (ja) | 2001-03-12 |
Family
ID=16060613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17913692A Expired - Fee Related JP3144596B2 (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | 薄膜電子部品及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3144596B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005159222A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Tdk Corp | 薄膜コモンモードフィルタ及び薄膜コモンモードフィルタアレイ |
| JP2005159223A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Tdk Corp | 薄膜コモンモードフィルタ及び薄膜コモンモードフィルタアレイ |
| US7207096B2 (en) * | 2004-01-22 | 2007-04-24 | International Business Machines Corporation | Method of manufacturing high performance copper inductors with bond pads |
-
1992
- 1992-06-12 JP JP17913692A patent/JP3144596B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005159222A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Tdk Corp | 薄膜コモンモードフィルタ及び薄膜コモンモードフィルタアレイ |
| JP2005159223A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Tdk Corp | 薄膜コモンモードフィルタ及び薄膜コモンモードフィルタアレイ |
| US7207096B2 (en) * | 2004-01-22 | 2007-04-24 | International Business Machines Corporation | Method of manufacturing high performance copper inductors with bond pads |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3144596B2 (ja) | 2001-03-12 |
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