JPS59198795A - 回路基板 - Google Patents
回路基板Info
- Publication number
- JPS59198795A JPS59198795A JP7330283A JP7330283A JPS59198795A JP S59198795 A JPS59198795 A JP S59198795A JP 7330283 A JP7330283 A JP 7330283A JP 7330283 A JP7330283 A JP 7330283A JP S59198795 A JPS59198795 A JP S59198795A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- wiring
- circuit board
- gold
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の属する技術分野
本発明は高密度回路実装のための微細配線構造を有する
回路基板に関する。
回路基板に関する。
従来技術
ポリイミド系樹脂は耐熱性、耐薬品性９機械的強度等に
すぐれた特性を有するので、回路基板のパッシベーショ
ン材料として近年用いられるようになって来ている。ま
た、ポリイミド系樹脂は絶縁性が良いことと誘電率が低
いことから多層配線基板の配線層間絶縁材料としても用
いられるようになってきている。しかしながら、このよ
うな回路基板の配線導体は従来、主として金または、銅
が用いられていて、銅や金とその上に形成されるポリイ
ミド系樹脂との接着性が悪いために、これら配線導体と
ポリイミド系樹脂との間にしばしば剥離が起こり、回路
基板の特性や信頼性を著しく低下させるという欠点があ
る。
すぐれた特性を有するので、回路基板のパッシベーショ
ン材料として近年用いられるようになって来ている。ま
た、ポリイミド系樹脂は絶縁性が良いことと誘電率が低
いことから多層配線基板の配線層間絶縁材料としても用
いられるようになってきている。しかしながら、このよ
うな回路基板の配線導体は従来、主として金または、銅
が用いられていて、銅や金とその上に形成されるポリイ
ミド系樹脂との接着性が悪いために、これら配線導体と
ポリイミド系樹脂との間にしばしば剥離が起こり、回路
基板の特性や信頼性を著しく低下させるという欠点があ
る。
発明の目的
本発明の目的は１回路基板上に形成された金を主体とす
る配線導体とこの配線導体の上に形成されるポリイミド
系樹脂膜との接着を強化するようにした回路基板を提供
することにある。
る配線導体とこの配線導体の上に形成されるポリイミド
系樹脂膜との接着を強化するようにした回路基板を提供
することにある。
発明の構成
本発明の回路基板は、絶縁基板上もしくは、絶縁基板上
に形成された絶縁層の表面に形成された金を主体とし、
金の下層にクロムまたはチタン等の薄膜を有し、金の上
層にニブケル薄膜を有する配線導体を有することを特徴
とする。
に形成された絶縁層の表面に形成された金を主体とし、
金の下層にクロムまたはチタン等の薄膜を有し、金の上
層にニブケル薄膜を有する配線導体を有することを特徴
とする。
発明の原理と作用
本発明は、金を主体とする配線導体の上部をニブケル薄
膜で形成することにより、配線導体と。
膜で形成することにより、配線導体と。
この配線導体の上に形成されるポリイミド系樹脂との接
着性を強化するものである。
着性を強化するものである。
発明の実施例
次に本発明について図面を参照して詳細に説明する。第
１図を参照すると、本発明の第１の実施例は、絶縁基板
としてのセラミック基板１０上に厚さ５００オングスト
ロームのチタン薄膜１１と厚ｇ１０００オングストロー
ムのパラジウム薄膜１２と厚さ５ミクロンの金めつき膜
１３と厚さ１ミクロンのニッケルめっき膜１４とからな
る配線導体が所望の配線パターンに従って形成されてお
り１この配線導体をポリイミド系樹脂によるパッシベー
ション材１５が被覆されている。
１図を参照すると、本発明の第１の実施例は、絶縁基板
としてのセラミック基板１０上に厚さ５００オングスト
ロームのチタン薄膜１１と厚ｇ１０００オングストロー
ムのパラジウム薄膜１２と厚さ５ミクロンの金めつき膜
１３と厚さ１ミクロンのニッケルめっき膜１４とからな
る配線導体が所望の配線パターンに従って形成されてお
り１この配線導体をポリイミド系樹脂によるパッシベー
ション材１５が被覆されている。
本実施例による構成の配線導体とポリイミド系樹脂との
接着強度、すなわち、ニッケル膜上のポリイミド系樹脂
の接着強度は、第２図に示すような方法により、膜面に
垂直な方向の引張試験における剥離限界として表わした
場合２＃／−以上あり、これは金膜上のポリイミド系樹
脂膜の同様の試験における剥離限界が９．５ ｋｇ ／
ｒｔｕｌ以下であるのと比較して強い。
接着強度、すなわち、ニッケル膜上のポリイミド系樹脂
の接着強度は、第２図に示すような方法により、膜面に
垂直な方向の引張試験における剥離限界として表わした
場合２＃／−以上あり、これは金膜上のポリイミド系樹
脂膜の同様の試験における剥離限界が９．５ ｋｇ ／
ｒｔｕｌ以下であるのと比較して強い。
次に第２図に示した引張試験方法について説明する。
第２図を参照すると、セラミック基板２０上に被検体と
しての金属バ・ラド２１が形成されている。
しての金属バ・ラド２１が形成されている。
この例では、セラミックとの接着部が長さ５００オング
ストロームのチタン膜であって、その上に厚ｇｔｏｏｏ
オングストロームのバラジクム膜と、さらにその上に厚
さ１０ミクロンの金めつき膜が形成された１辺４ミリメ
ートルの正方形の金属バッドである。被検体のあるもの
には金めつき膜の上にさらに厚さ１ミクロンのニッケル
めツ＠ 膜力形成されている。この金属バッド２１が厚
す３０ミクロンのポリイミド膜２２で覆われ、このポリ
イミド膜２２の上に１辺４ミリメートルの金属バッド２
３が形成されている。金属バッド２３の底部はポリイミ
ドとの接着性の良いクローム薄膜でできていて、このク
ローム薄膜の膜厚は５００オングストロームある。この
金属バッド２３の残りの部分は銅めっき膜で厚さは２０
ミクロンあり、ハンダ２５によってスタッド２４と強固
に接着されているっスタッド２４には引張りワイヤ２７
の結びつけられているネジ２６がねじこまれ、このワイ
ヤ２７が垂直方向上方に毎分５ミリメートルの速度で引
張られる。被検体である金属ノ＜・ラド２１とセラミッ
ク基板２０との間およびポリイミド膜２２と金属バッド
２３との間の接着強度は通常充分に強いので、剥離は金
属バッド２１とポリイミド膜２２との間で起こる。この
剥離の起きた時点でワイヤ２７にかかっている張力が、
測定すべき剥離限界である。
ストロームのチタン膜であって、その上に厚ｇｔｏｏｏ
オングストロームのバラジクム膜と、さらにその上に厚
さ１０ミクロンの金めつき膜が形成された１辺４ミリメ
ートルの正方形の金属バッドである。被検体のあるもの
には金めつき膜の上にさらに厚さ１ミクロンのニッケル
めツ＠ 膜力形成されている。この金属バッド２１が厚
す３０ミクロンのポリイミド膜２２で覆われ、このポリ
イミド膜２２の上に１辺４ミリメートルの金属バッド２
３が形成されている。金属バッド２３の底部はポリイミ
ドとの接着性の良いクローム薄膜でできていて、このク
ローム薄膜の膜厚は５００オングストロームある。この
金属バッド２３の残りの部分は銅めっき膜で厚さは２０
ミクロンあり、ハンダ２５によってスタッド２４と強固
に接着されているっスタッド２４には引張りワイヤ２７
の結びつけられているネジ２６がねじこまれ、このワイ
ヤ２７が垂直方向上方に毎分５ミリメートルの速度で引
張られる。被検体である金属ノ＜・ラド２１とセラミッ
ク基板２０との間およびポリイミド膜２２と金属バッド
２３との間の接着強度は通常充分に強いので、剥離は金
属バッド２１とポリイミド膜２２との間で起こる。この
剥離の起きた時点でワイヤ２７にかかっている張力が、
測定すべき剥離限界である。
本発明の第２の実施例は本発明の構成による配線導体を
多層にわたって用い、層間絶縁材料としてポリイミド系
樹脂を用いた多層配線基板である。
多層にわたって用い、層間絶縁材料としてポリイミド系
樹脂を用いた多層配線基板である。
第３図を参照すると、この第２の実施例は、セラミック
基板３０上にクロム薄膜３１．パラジウム薄膜３２．金
めりさ膜３３．二・ソケルめつさ膜３４からなる第１の
配線層、この配線層を被覆するポリイミド系樹脂の第１
絶縁層３５．この第１絶縁層３５の上に形成されるクロ
ム薄膜４１．バラジクム薄膜４２．金めつき膜４３．ニ
ッケルめっき膜４４からなる第２の配線層、この第２の
配線層の上に形成されるポリイミド系樹脂の第２絶縁層
４５．この第２配線層の上に形成される他の配線層と同
様の構成すなわち、クロム薄膜５１゜パラジウム薄膜５
２．金めつき膜５３．ニッケルめっき膜５４からなる第
３配線層、およびこの第３配線層の上に覆われたポリイ
ミド系樹脂のパッシベーション材５５から構成されてい
る。
基板３０上にクロム薄膜３１．パラジウム薄膜３２．金
めりさ膜３３．二・ソケルめつさ膜３４からなる第１の
配線層、この配線層を被覆するポリイミド系樹脂の第１
絶縁層３５．この第１絶縁層３５の上に形成されるクロ
ム薄膜４１．バラジクム薄膜４２．金めつき膜４３．ニ
ッケルめっき膜４４からなる第２の配線層、この第２の
配線層の上に形成されるポリイミド系樹脂の第２絶縁層
４５．この第２配線層の上に形成される他の配線層と同
様の構成すなわち、クロム薄膜５１゜パラジウム薄膜５
２．金めつき膜５３．ニッケルめっき膜５４からなる第
３配線層、およびこの第３配線層の上に覆われたポリイ
ミド系樹脂のパッシベーション材５５から構成されてい
る。
第１の絶縁層３５の一部にあけられた穴によりこれら第
２の配線層と第１の配線層とを電気的に接続することも
可能である。
２の配線層と第１の配線層とを電気的に接続することも
可能である。
発明の効果
本発明には金配線の表面にニッケル膜を形成することに
より１この配線導体を被覆するポリイミド膜と配線導体
との接着強度を強化できるという効果がある。
より１この配線導体を被覆するポリイミド膜と配線導体
との接着強度を強化できるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示す図、第２図はポリ
イミド膜と配線導体との接着強度を測定する引張試験の
方法を示す図、および第３図は本発明の第２の実施例を
示す図である。 第１図から第３図において、１０． ２０． ３０・・
・・・・セラミック基板、１１・・・・・・チタン薄膜
、】２゜３２、 ４２． ５２・・・・・・パラジウム
薄膜、１３゜３３．４３．５３・・・・・・金めつき膜
、１４，３４゜４４．５４・−・・・・ニッケルめっき
膜、 １５． ２２゜３５．４５．５５・・・・−・
ポリイミド系樹脂、２１゜２３・・・・・・金属ハツト
、２４・・・・・・スタブ）−，２５・・・・・・半田
、２６・・・・・・ネジ、２７・・・・・・ワイヤ、３
１゜４１．５１・・・・・・クロム薄膜。
イミド膜と配線導体との接着強度を測定する引張試験の
方法を示す図、および第３図は本発明の第２の実施例を
示す図である。 第１図から第３図において、１０． ２０． ３０・・
・・・・セラミック基板、１１・・・・・・チタン薄膜
、】２゜３２、 ４２． ５２・・・・・・パラジウム
薄膜、１３゜３３．４３．５３・・・・・・金めつき膜
、１４，３４゜４４．５４・−・・・・ニッケルめっき
膜、 １５． ２２゜３５．４５．５５・・・・−・
ポリイミド系樹脂、２１゜２３・・・・・・金属ハツト
、２４・・・・・・スタブ）−，２５・・・・・・半田
、２６・・・・・・ネジ、２７・・・・・・ワイヤ、３
１゜４１．５１・・・・・・クロム薄膜。
Claims (4)
- （１）絶縁基板上および絶縁基板上に形成された絶縁層
の少なくとも一方の表面に形成された第１の金属からな
る金属薄膜と、 該金属薄膜上に形成された金の導体層と。 該導体層上に形成されたニッケル薄膜とから構成される
配線導体を含むことｔ−特徴とする回路基板。 - （２）前記第１の金属がクロムもしくはチタンである配
線導体を有することを特徴とする特許請求範囲第１項記
載の回路基板。 - （３）前記第１の金属と金の導体層との間にパラジウム
もしくはニッケルの薄膜層を有する配線導体を有するこ
とを特徴とする特許請求範囲第２項記載の回路基板。 - （４） 特許請求範囲第１項もしくは同第２項もしく
は同第３項記載の回路基板の配線導体をポリイミド系樹
脂の絶縁膜で被覆し、該絶縁膜上にさらに第２の配線導
体を形成することにより、多層化された配線導体を含む
ことを特徴とする回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7330283A JPS59198795A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7330283A JPS59198795A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59198795A true JPS59198795A (ja) | 1984-11-10 |
Family
ID=13514225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7330283A Pending JPS59198795A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59198795A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5196089A (en) * | 1990-08-28 | 1993-03-23 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Multilayer ceramic substrate for mounting of semiconductor device |
-
1983
- 1983-04-26 JP JP7330283A patent/JPS59198795A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5196089A (en) * | 1990-08-28 | 1993-03-23 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Multilayer ceramic substrate for mounting of semiconductor device |
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