JPH0155593B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0155593B2 JPH0155593B2 JP958383A JP958383A JPH0155593B2 JP H0155593 B2 JPH0155593 B2 JP H0155593B2 JP 958383 A JP958383 A JP 958383A JP 958383 A JP958383 A JP 958383A JP H0155593 B2 JPH0155593 B2 JP H0155593B2
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- JP
- Japan
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- copper
- thin film
- chromium
- substrate
- adhesion
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の属する技術分野
本発明は３層の導体配線パターンを有する高密
度な導体配線基板に関する。
度な導体配線基板に関する。
従来技術
従来、この種の導体配線パターンは、下地基板
あるいは絶縁膜表面との密着を上げるためにクロ
ムCr膜、次にこのクロムCr膜の表面に導体配線
パターンの主構成である銅Cu膜を形成したクロ
ムCr−銅Cuの２層で構成されている。従来のこ
のような２層構成では、温度、湿度の影響または
塩素Cl-などハロゲンイオンのために、クロムCr
と銅Cuとの界面で銅Cu膜の酸化や腐蝕が進み、
クロムCr−銅Cu間での密着力が劣化し品質およ
び信頼性上大きな問題となつている。
あるいは絶縁膜表面との密着を上げるためにクロ
ムCr膜、次にこのクロムCr膜の表面に導体配線
パターンの主構成である銅Cu膜を形成したクロ
ムCr−銅Cuの２層で構成されている。従来のこ
のような２層構成では、温度、湿度の影響または
塩素Cl-などハロゲンイオンのために、クロムCr
と銅Cuとの界面で銅Cu膜の酸化や腐蝕が進み、
クロムCr−銅Cu間での密着力が劣化し品質およ
び信頼性上大きな問題となつている。
発明の目的
本発明の目的は、上述の欠点を除去するように
した導体配線基板を提供することにある。
した導体配線基板を提供することにある。
発明の構成
本発明の基板は、
基板と、
この基板上に形成されクロムからなる第１の密
着層と、 この第１の密着層の表面に形成されパラジウム
からなる第２の密着層と、 この第２の密着層の表面に形成され銅からなる
導体層とを含む。
着層と、 この第１の密着層の表面に形成されパラジウム
からなる第２の密着層と、 この第２の密着層の表面に形成され銅からなる
導体層とを含む。
発明の実施例
次に本発明の一実施例を図面を参照して詳細に
説明する。第１図を参照すると、本発明の一実施
例はアルミナAl2O3などのセラミツク基板１およ
びこの基板１の表面に導体配線パターン２から構
成されている。第２図を参照すると、本発明の一
実施例はアルミナAl2O3などのセラミツク基板１
１の表面にクロムCr薄膜１２が500〜1000Åの厚
さで形成される。次にパラジウムPd薄膜１３が
500〜1000Åの厚さで形成されさらに、銅Cu薄膜
１４が10000〜50000Åの厚さで形成される。クロ
ムCr薄膜１２は下地基板１１との境界（図中Ａ）
の密着力強化のために使用される。パラジウム
Pd薄膜１３は下層クロムCr薄膜１２と上層銅Cu
薄膜１４との境界（図中Ｂ）の密着力強化のため
に使用される。そして銅Cu薄膜は電気的導体と
して使用される。本発明には、クロムCr−パラ
ジウムPd−銅Cu膜の３層構成することにより、
温湿度などの環境変化に対して密着力劣化のない
導体配線パターンが得られるという効果がある。
説明する。第１図を参照すると、本発明の一実施
例はアルミナAl2O3などのセラミツク基板１およ
びこの基板１の表面に導体配線パターン２から構
成されている。第２図を参照すると、本発明の一
実施例はアルミナAl2O3などのセラミツク基板１
１の表面にクロムCr薄膜１２が500〜1000Åの厚
さで形成される。次にパラジウムPd薄膜１３が
500〜1000Åの厚さで形成されさらに、銅Cu薄膜
１４が10000〜50000Åの厚さで形成される。クロ
ムCr薄膜１２は下地基板１１との境界（図中Ａ）
の密着力強化のために使用される。パラジウム
Pd薄膜１３は下層クロムCr薄膜１２と上層銅Cu
薄膜１４との境界（図中Ｂ）の密着力強化のため
に使用される。そして銅Cu薄膜は電気的導体と
して使用される。本発明には、クロムCr−パラ
ジウムPd−銅Cu膜の３層構成することにより、
温湿度などの環境変化に対して密着力劣化のない
導体配線パターンが得られるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す図および第２
図は第１図のＡ−A′で切断した断面図である。
第１図および第２図において、１……セラミツク
基板、２……導体配線パターン、１１……セラミ
ツク基板、１２……Cr薄膜、１３……Pd薄膜、
１４……Cu薄膜。
図は第１図のＡ−A′で切断した断面図である。
第１図および第２図において、１……セラミツク
基板、２……導体配線パターン、１１……セラミ
ツク基板、１２……Cr薄膜、１３……Pd薄膜、
１４……Cu薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板と、 この基板上に形成されクロムからなる第１の密
着層と、 この第１の密着層の表面に形成されパラジウム
からなる第２の密着層と、 この第２の密着層の表面に形成され銅からなる
導体層とを含むことを特徴とする導体配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP958383A JPS59135792A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 導体配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP958383A JPS59135792A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 導体配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59135792A JPS59135792A (ja) | 1984-08-04 |
| JPH0155593B2 true JPH0155593B2 (ja) | 1989-11-27 |
Family
ID=11724331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP958383A Granted JPS59135792A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 導体配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59135792A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012086315A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細可動構造体の製造方法および微細可動構造体 |
-
1983
- 1983-01-24 JP JP958383A patent/JPS59135792A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59135792A (ja) | 1984-08-04 |
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