JPS63122224A - 薄膜混成集積回路 - Google Patents
薄膜混成集積回路Info
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- JPS63122224A JPS63122224A JP27014586A JP27014586A JPS63122224A JP S63122224 A JPS63122224 A JP S63122224A JP 27014586 A JP27014586 A JP 27014586A JP 27014586 A JP27014586 A JP 27014586A JP S63122224 A JPS63122224 A JP S63122224A
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- JP
- Japan
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- thin film
- integrated circuit
- hybrid integrated
- wiring conductor
- peripheral parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜混成集積回路に関し、特に有機高分子膜か
らなる絶縁層上に形成された金属薄膜の配線導体を有す
る薄膜混成集積回路に関する。
らなる絶縁層上に形成された金属薄膜の配線導体を有す
る薄膜混成集積回路に関する。
電子機器の高機能化や高密度化が進むにつれて１、これ
ら電′子機器に用いられる薄膜混成集積回路も近年、益
々高密度化されつつある。この種の薄膜混成集積回路に
おいては、特に配線導体の高密度化を実現する技術とし
て、有機高分子膜を眉間絶縁層に用いる多層配線形成技
術の開発が進められている。
ら電′子機器に用いられる薄膜混成集積回路も近年、益
々高密度化されつつある。この種の薄膜混成集積回路に
おいては、特に配線導体の高密度化を実現する技術とし
て、有機高分子膜を眉間絶縁層に用いる多層配線形成技
術の開発が進められている。
又、これとは別に薄膜混成集積回路への部品実°装密度
の向上に伴う発熱の増大に対処する技術として、金属基
板上に有機高分子膜からなる絶縁層を形成した基板上に
金属薄膜の配線導体を含む薄膜回路を形成する技術の開
発も進められている。
の向上に伴う発熱の増大に対処する技術として、金属基
板上に有機高分子膜からなる絶縁層を形成した基板上に
金属薄膜の配線導体を含む薄膜回路を形成する技術の開
発も進められている。
即ち、従来のこの種の薄膜混成集積回路は、有機高分子
の眉間絶縁層上に、金属薄膜の配線導体を有する構造と
なっている。
の眉間絶縁層上に、金属薄膜の配線導体を有する構造と
なっている。
上述した従来の薄膜混成集積回路は、有機高分子膜から
なる絶縁層上に金属薄膜の配線導体を有する構造となっ
ているので、有機高分子膜と金属薄膜との密着強度は比
較的弱いため、特に、金属薄膜を配線導体として用いる
ために配線パターンを形成するとき、配線パターン周縁
部から有機高分子膜と金属薄膜との界面に水分が容易に
浸透し、その結果両者の密着強度が更に劣化し、その後
の工程で例えばリフローソルダリング法等を用いて部品
搭載を行った場合、部品接続の信頼性、ひいては１膜混
成集積回路そのものの信頼酸が低下するという欠点があ
る。
なる絶縁層上に金属薄膜の配線導体を有する構造となっ
ているので、有機高分子膜と金属薄膜との密着強度は比
較的弱いため、特に、金属薄膜を配線導体として用いる
ために配線パターンを形成するとき、配線パターン周縁
部から有機高分子膜と金属薄膜との界面に水分が容易に
浸透し、その結果両者の密着強度が更に劣化し、その後
の工程で例えばリフローソルダリング法等を用いて部品
搭載を行った場合、部品接続の信頼性、ひいては１膜混
成集積回路そのものの信頼酸が低下するという欠点があ
る。
本発明の目的は、有機高分子膜の絶縁層と金属薄膜の配
線導体との間への水分の浸透を抑止して密着強度の劣化
を防止し、信頼性の向上をはかることができる薄膜混成
集積回路を提供することにある。
線導体との間への水分の浸透を抑止して密着強度の劣化
を防止し、信頼性の向上をはかることができる薄膜混成
集積回路を提供することにある。
本発明の薄膜混成集積回路は、有機高分子膜からなる絶
縁層上に形成された金属薄膜の配線導体を有する薄膜混
成集積回路において、前記配線導体の周縁部と前記絶縁
層の前記周縁部に隣接する部分とを被覆する保護層を設
けた構造を有している。
縁層上に形成された金属薄膜の配線導体を有する薄膜混
成集積回路において、前記配線導体の周縁部と前記絶縁
層の前記周縁部に隣接する部分とを被覆する保護層を設
けた構造を有している。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例の主要部分を示す断面図
である。
である。
この実施例は、まず、グレーズドアルミナセラミックか
らなる基板１上に薄膜抵抗体２と第１の配線導体３が形
成されている。
らなる基板１上に薄膜抵抗体２と第１の配線導体３が形
成されている。
この基板１上に厚さ約２μｍのポリイミド樹脂を塗布し
、しかるのち酸素プラズマエツチング法により、ポリイ
ミド樹脂を選択的に除去して眉間絶縁層４を形成する０
次いでマグネトロンスパッタリング法により厚さ約０．
１μｍのＮｉ−Ｃｒ薄膜、厚さ約０．１μｍのｐｄ薄膜
、厚さ約０．８μｍのＡｕ薄膜を積層して厚さ約１μｍ
の金属薄膜を形成する。しかるのちウェットエツチング
法により金属薄膜を選択的に除去して第２の配線導体５
を形成する。
、しかるのち酸素プラズマエツチング法により、ポリイ
ミド樹脂を選択的に除去して眉間絶縁層４を形成する０
次いでマグネトロンスパッタリング法により厚さ約０．
１μｍのＮｉ−Ｃｒ薄膜、厚さ約０．１μｍのｐｄ薄膜
、厚さ約０．８μｍのＡｕ薄膜を積層して厚さ約１μｍ
の金属薄膜を形成する。しかるのちウェットエツチング
法により金属薄膜を選択的に除去して第２の配線導体５
を形成する。
次いで第２の配線導体５のパターンの周縁部とこの周縁
部に隣接する眉間絶縁層４とを被覆するように、厚さ約
４μｍのエポキシ樹脂からなる保護層６を形成する構造
となっている。
部に隣接する眉間絶縁層４とを被覆するように、厚さ約
４μｍのエポキシ樹脂からなる保護層６を形成する構造
となっている。
このようにして得られた薄膜抵抗回路素子、配線導体等
にＩＣ，ＬＳＩおよびチップコンデンサ等をリフローソ
ルダリング法により接続し、外部端子を接続した後外装
樹脂で被覆し、本発明の第１の実施例の薄膜混成集積回
路が得られる。
にＩＣ，ＬＳＩおよびチップコンデンサ等をリフローソ
ルダリング法により接続し、外部端子を接続した後外装
樹脂で被覆し、本発明の第１の実施例の薄膜混成集積回
路が得られる。
第２図は本発明の第２の実施例の主要部分を示す断面図
である。
である。
この実施例は、まず、アルミ合金からなる基板１、の表
面に厚さ１０μｍのポリイミド樹脂からなる絶縁層７を
形成した後、マグネトロンスパッタリグ法により厚さ１
μｍの金属薄膜を形成する。
面に厚さ１０μｍのポリイミド樹脂からなる絶縁層７を
形成した後、マグネトロンスパッタリグ法により厚さ１
μｍの金属薄膜を形成する。
しか′るのち、ウェットエツチング法により金属薄膜を
選択的に除去して配線導体８を形成する。
選択的に除去して配線導体８を形成する。
次いで配線導体８のパターンの周縁部とこの周一部に隣
接する絶縁層７とを被覆するように厚さ２μｍのポリイ
ミド樹脂からなる保護層６．を形成する構造となってい
る。
接する絶縁層７とを被覆するように厚さ２μｍのポリイ
ミド樹脂からなる保護層６．を形成する構造となってい
る。
以下第１の実施例と同様に薄膜回路素子、配線導体等に
ＩＣ，ＬＳＩおよびチップ抵抗、チップコンデンサなど
をリフローソルダリング法により接続し、外部端子を接
続した後外装樹脂で被覆して本発明の第２の実施例の薄
膜混成集積回路が得られる。
ＩＣ，ＬＳＩおよびチップ抵抗、チップコンデンサなど
をリフローソルダリング法により接続し、外部端子を接
続した後外装樹脂で被覆して本発明の第２の実施例の薄
膜混成集積回路が得られる。
以上説明したように本発明は、金属薄膜からなる配線導
体の周縁部とこの周縁部に隣接する有機高分子膜からな
る絶縁層とを被覆する保護層を設けることにより、絶縁
層と配線導体との界面への水分の浸透が抑止できるので
両者の密着強度の劣化を防止することができ、その結果
、搭載部品間等の接続の信頼性、ひいては薄膜混成集積
回路全体の信頼性を向上させることができる効果がある
。
体の周縁部とこの周縁部に隣接する有機高分子膜からな
る絶縁層とを被覆する保護層を設けることにより、絶縁
層と配線導体との界面への水分の浸透が抑止できるので
両者の密着強度の劣化を防止することができ、その結果
、搭載部品間等の接続の信頼性、ひいては薄膜混成集積
回路全体の信頼性を向上させることができる効果がある
。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の第１及び第２の実
施例の主要部分を示す断面図である。
施例の主要部分を示す断面図である。
Claims (1)
- 有機高分子膜からなる絶縁層上に形成された金属薄膜
の配線導体を有する薄膜混成集積回路において、前記配
線導体の周縁部と前記絶縁層の前記周縁部に隣接する部
分とを被覆する保護層を設けたことを特徴とする薄膜混
成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27014586A JPS63122224A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 薄膜混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27014586A JPS63122224A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 薄膜混成集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122224A true JPS63122224A (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=17482169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27014586A Pending JPS63122224A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 薄膜混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63122224A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0394638A2 (en) * | 1989-04-26 | 1990-10-31 | International Business Machines Corporation | Method of etching polyimides and resulting passivation structures |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP27014586A patent/JPS63122224A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0394638A2 (en) * | 1989-04-26 | 1990-10-31 | International Business Machines Corporation | Method of etching polyimides and resulting passivation structures |
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