JPH08274472A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
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- JPH08274472A JPH08274472A JP9792095A JP9792095A JPH08274472A JP H08274472 A JPH08274472 A JP H08274472A JP 9792095 A JP9792095 A JP 9792095A JP 9792095 A JP9792095 A JP 9792095A JP H08274472 A JPH08274472 A JP H08274472A
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- JP
- Japan
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- film
- wiring board
- conductor
- insulating film
- via conductor
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
- H05K3/4676—Single layer compositions
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】有機高分子を絶縁膜とするにもかかわらず、絶
縁膜の劣化しない配線基板を、少なく簡単な工程で安価
に提供することにある。 【構成】基板２と、この基板２の表面に設けられる配線
板３であって、熱硬化性の有機高分子の絶縁膜６、該絶
縁膜６の平面方向に形成された導体膜７及び前記絶縁膜
６を貫通するビア導体８からなる配線層を少なくとも一
層以上積層した配線板３とを備えた配線基板１におい
て、前記絶縁膜６の硬化時に導体膜７が絶縁膜６と反応
しない金属からなり、ビア導体８が貴金属以外の金属か
らなることを特徴とする。
縁膜の劣化しない配線基板を、少なく簡単な工程で安価
に提供することにある。 【構成】基板２と、この基板２の表面に設けられる配線
板３であって、熱硬化性の有機高分子の絶縁膜６、該絶
縁膜６の平面方向に形成された導体膜７及び前記絶縁膜
６を貫通するビア導体８からなる配線層を少なくとも一
層以上積層した配線板３とを備えた配線基板１におい
て、前記絶縁膜６の硬化時に導体膜７が絶縁膜６と反応
しない金属からなり、ビア導体８が貴金属以外の金属か
らなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、配線基板に関する。
この配線基板は、特にＬＳＩ等の集積回路実装用の高密
度多層配線基板やサーマルビアを有する多層配線基板に
好適に利用されうる。
この配線基板は、特にＬＳＩ等の集積回路実装用の高密
度多層配線基板やサーマルビアを有する多層配線基板に
好適に利用されうる。
【０００２】
【従来の技術】誘電率が小さい、例えばポリイミド樹脂
等の有機高分子を絶縁膜とした多層配線板の上に集積回
路を搭載し、信号の高速化を図った集積回路用パッケー
ジなどの多層配線基板が知られている。この種の多層配
線基板は、有機高分子の熱伝導率が一般に悪いことか
ら、絶縁膜上下の導体膜を電気的に接続して層間配線を
形成するビア導体の他に、特に放熱を目的として集積回
路の裏面まで絶縁膜を貫通するサーマルビアと称するビ
ア導体が設けられる場合もある。
等の有機高分子を絶縁膜とした多層配線板の上に集積回
路を搭載し、信号の高速化を図った集積回路用パッケー
ジなどの多層配線基板が知られている。この種の多層配
線基板は、有機高分子の熱伝導率が一般に悪いことか
ら、絶縁膜上下の導体膜を電気的に接続して層間配線を
形成するビア導体の他に、特に放熱を目的として集積回
路の裏面まで絶縁膜を貫通するサーマルビアと称するビ
ア導体が設けられる場合もある。
【０００３】ポリイミド樹脂等を絶縁膜とする従来の配
線基板は、導体膜にしろビア導体にしろ、導体材料とし
て低抵抗の金Ａｕ又は銅Ｃｕが用いられていた。例え
ば、特公平１−３９２３６号公報に記載の高密度多層基
板の製造方法においては、パターン部及びビア部の双方
に金メッキなどの貴金属メッキがされている。また、特
開昭５７−３０３５６号公報、特開昭６３−２３９８９
８号公報又は特開平１−１２４２９７号公報に記載の多
層ＩＣ基板においては、導体配線として銅が蒸着されて
いる。ところで、ポリイミドの加熱硬化時に、銅表面の
酸化膜がポリイミドの耐熱性、電気的特性、機械的特性
を劣化させる。そこで、これを防止するため、特開昭５
７−３０３５６号公報及び特開昭６３−２３９８９８号
公報に記載の構成では、銅の上下をポリイミドに対して
不活性なクロムで挟んで導体配線をＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの
３層としている。また、特開平１−１２４２９７号公報
に記載の構成では、銅に微量のアルミニウムを含有させ
ることにより表面酸化膜を安定化させている。
線基板は、導体膜にしろビア導体にしろ、導体材料とし
て低抵抗の金Ａｕ又は銅Ｃｕが用いられていた。例え
ば、特公平１−３９２３６号公報に記載の高密度多層基
板の製造方法においては、パターン部及びビア部の双方
に金メッキなどの貴金属メッキがされている。また、特
開昭５７−３０３５６号公報、特開昭６３−２３９８９
８号公報又は特開平１−１２４２９７号公報に記載の多
層ＩＣ基板においては、導体配線として銅が蒸着されて
いる。ところで、ポリイミドの加熱硬化時に、銅表面の
酸化膜がポリイミドの耐熱性、電気的特性、機械的特性
を劣化させる。そこで、これを防止するため、特開昭５
７−３０３５６号公報及び特開昭６３−２３９８９８号
公報に記載の構成では、銅の上下をポリイミドに対して
不活性なクロムで挟んで導体配線をＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの
３層としている。また、特開平１−１２４２９７号公報
に記載の構成では、銅に微量のアルミニウムを含有させ
ることにより表面酸化膜を安定化させている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特公平１−３
９２３６号公報のようにパターン部だけでなくビア部に
も貴金属メッキを施していては、高価なメッキ液の消費
量が多くなるばかりか、ビア部のメッキ厚（通常２５〜
５０μｍ）がパターン部のメッキ厚（５〜１０μｍ）に
対して厚いので、メッキ槽を占有する時間が長くなっ
て、工数が増す。
９２３６号公報のようにパターン部だけでなくビア部に
も貴金属メッキを施していては、高価なメッキ液の消費
量が多くなるばかりか、ビア部のメッキ厚（通常２５〜
５０μｍ）がパターン部のメッキ厚（５〜１０μｍ）に
対して厚いので、メッキ槽を占有する時間が長くなっ
て、工数が増す。
【０００５】かといって、特開昭５７−３０３５６号公
報等のように導体配線を３層にしていては、工程が複雑
になる上、銅を完全に被覆することが困難であるから、
不良品の発生頻度が増す。また、特開平１−１２４２９
７号公報のように銅合金を用いた構成では、添加物の含
有量によって電気抵抗やポリイミド樹脂に対する活性が
変化しやすいので、工程管理が難しい。それゆえ、この
発明の目的は、有機高分子を絶縁膜とするにもかかわら
ず、絶縁膜の劣化しない配線基板を、少なく簡単な工程
で安価に提供することにある。
報等のように導体配線を３層にしていては、工程が複雑
になる上、銅を完全に被覆することが困難であるから、
不良品の発生頻度が増す。また、特開平１−１２４２９
７号公報のように銅合金を用いた構成では、添加物の含
有量によって電気抵抗やポリイミド樹脂に対する活性が
変化しやすいので、工程管理が難しい。それゆえ、この
発明の目的は、有機高分子を絶縁膜とするにもかかわら
ず、絶縁膜の劣化しない配線基板を、少なく簡単な工程
で安価に提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の配線基板は、基板と、この基板の表面に
設けられる配線板であって、熱硬化性の有機高分子の絶
縁膜、該絶縁膜の平面方向に形成された導体膜及び前記
絶縁膜を貫通するビア導体からなる配線層を少なくとも
一層以上積層した配線板とを備えた配線基板において、
前記絶縁膜の硬化時に導体膜が絶縁膜と反応しない金属
からなり、ビア導体が貴金属以外の金属からなることを
特徴とする。
に、この発明の配線基板は、基板と、この基板の表面に
設けられる配線板であって、熱硬化性の有機高分子の絶
縁膜、該絶縁膜の平面方向に形成された導体膜及び前記
絶縁膜を貫通するビア導体からなる配線層を少なくとも
一層以上積層した配線板とを備えた配線基板において、
前記絶縁膜の硬化時に導体膜が絶縁膜と反応しない金属
からなり、ビア導体が貴金属以外の金属からなることを
特徴とする。
【０００７】ここで、絶縁膜には、例えばポリイミド樹
脂がある。導体膜として好ましいのは、例えば金Ａｕ、
クロムＣｒ、モリブデンＭｏ、ジルコニウムＺｒ、チタ
ニウムＴｉ、パラジウムＰｄ及び白金Ｐｔのうちから選
ばれる１種以上の金属である。ビア導体として好ましい
金属は、例えば銅Ｃｕ又はニッケルＮｉである。
脂がある。導体膜として好ましいのは、例えば金Ａｕ、
クロムＣｒ、モリブデンＭｏ、ジルコニウムＺｒ、チタ
ニウムＴｉ、パラジウムＰｄ及び白金Ｐｔのうちから選
ばれる１種以上の金属である。ビア導体として好ましい
金属は、例えば銅Ｃｕ又はニッケルＮｉである。
【０００８】最も好ましい組み合わせは、導体膜が金Ａ
ｕからなり、ビア導体が銅Ｃｕからなる場合である。こ
のような配線基板は、例えば次の第１工程後、第２工程
ないし第５工程を順次繰り返すことによって製造され
る。 第１工程：基板の表面に電解メッキの下地となる導電性
の下地膜を形成する。 第２工程：この下地膜の表面に導体膜を電解メッキによ
って選択的に形成する。 第３工程：前記導体膜の表面にビア導体を電解メッキに
よって形成する。 第４工程：不要な下地膜を取り除き、残った下地膜の上
の導体膜をビア導体とともに有機高分子で覆い、この有
機高分子の表面を研磨して絶縁膜を形成する。 第５工程：絶縁膜の表面に、前記ビア導体に接続する下
地膜を形成する。
ｕからなり、ビア導体が銅Ｃｕからなる場合である。こ
のような配線基板は、例えば次の第１工程後、第２工程
ないし第５工程を順次繰り返すことによって製造され
る。 第１工程：基板の表面に電解メッキの下地となる導電性
の下地膜を形成する。 第２工程：この下地膜の表面に導体膜を電解メッキによ
って選択的に形成する。 第３工程：前記導体膜の表面にビア導体を電解メッキに
よって形成する。 第４工程：不要な下地膜を取り除き、残った下地膜の上
の導体膜をビア導体とともに有機高分子で覆い、この有
機高分子の表面を研磨して絶縁膜を形成する。 第５工程：絶縁膜の表面に、前記ビア導体に接続する下
地膜を形成する。
【０００９】
【作用】絶縁膜の硬化時に、導体膜が絶縁膜と反応しな
い金属からなるので、導体膜と絶縁膜との反応を遮蔽す
る金属膜や、導体膜の表面酸化膜を安定化させる他成分
が存在しなくても、絶縁膜が熱硬化時等に劣化すること
はない。また、ビア導体が貴金属以外の金属からなるの
で、少なくともビア導体の体積分だけは貴金属の消費量
を節約することができる。なお、ビア導体の金属を絶縁
膜と反応しないものに限定していないので、ビア導体の
外周面が、それと接する絶縁膜を劣化させるおそれはあ
る。しかし、導体膜は、絶縁膜の上面又は下面に接し、
絶縁膜の平面方向に長い距離あるいは広い面積にわたっ
て形成される。従って、この導体膜が絶縁膜と反応した
場合、絶縁膜を長い距離あるいは広い面積にわたって劣
化させる。一方、ビア導体が絶縁膜と反応する場合に
は、ビア導体の絶縁膜と接する外周面積が微小であるの
で、絶縁膜全体に及ぼす影響は小さい。
い金属からなるので、導体膜と絶縁膜との反応を遮蔽す
る金属膜や、導体膜の表面酸化膜を安定化させる他成分
が存在しなくても、絶縁膜が熱硬化時等に劣化すること
はない。また、ビア導体が貴金属以外の金属からなるの
で、少なくともビア導体の体積分だけは貴金属の消費量
を節約することができる。なお、ビア導体の金属を絶縁
膜と反応しないものに限定していないので、ビア導体の
外周面が、それと接する絶縁膜を劣化させるおそれはあ
る。しかし、導体膜は、絶縁膜の上面又は下面に接し、
絶縁膜の平面方向に長い距離あるいは広い面積にわたっ
て形成される。従って、この導体膜が絶縁膜と反応した
場合、絶縁膜を長い距離あるいは広い面積にわたって劣
化させる。一方、ビア導体が絶縁膜と反応する場合に
は、ビア導体の絶縁膜と接する外周面積が微小であるの
で、絶縁膜全体に及ぼす影響は小さい。
【００１０】
【実施例】この発明の多層配線基板の実施例を図面とと
もに説明する。図１は、実施例の多層配線基板を示す断
面図、図２ないし図１１は、その多層配線基板の製造工
程を示す説明図である。
もに説明する。図１は、実施例の多層配線基板を示す断
面図、図２ないし図１１は、その多層配線基板の製造工
程を示す説明図である。
【００１１】多層配線基板１は、アルミナ、窒化アルミ
ニウム等のセラミックからなる基板２と、この基板２の
表面に設けられた多数の配線層からなる配線板（以下、
多層配線板という）３とからなり、多層配線板３の表面
には、ＩＣチップ４が搭載され、基板２の裏面には多数
の端子ピン５が接合されている。
ニウム等のセラミックからなる基板２と、この基板２の
表面に設けられた多数の配線層からなる配線板（以下、
多層配線板という）３とからなり、多層配線板３の表面
には、ＩＣチップ４が搭載され、基板２の裏面には多数
の端子ピン５が接合されている。
【００１２】多層配線板３は、厚さ２５〜５０μｍ程度
のポリイミド樹脂の絶縁膜６、絶縁膜６の平面方向に形
成された導体膜７及び絶縁膜６を貫通して絶縁膜上下の
導体膜７を接続する高さ２５〜５０μｍのビア導体８か
らなる配線層を多数積層したものである。導体膜７は、
セラミックやポリイミドと密着しやすいＴｉまたはＣｒ
０．０２５μｍ及びＰｄ０．１μｍを下地膜（図示省
略）とし、その上にＡｕ５μｍが所定の配線パターンに
形成されたものである。ビア導体８は、Ｃｕからなる。
多層配線基板１は、次の第１工程後、第２工程ないし第
５工程を順次繰り返すことによって製造される。
のポリイミド樹脂の絶縁膜６、絶縁膜６の平面方向に形
成された導体膜７及び絶縁膜６を貫通して絶縁膜上下の
導体膜７を接続する高さ２５〜５０μｍのビア導体８か
らなる配線層を多数積層したものである。導体膜７は、
セラミックやポリイミドと密着しやすいＴｉまたはＣｒ
０．０２５μｍ及びＰｄ０．１μｍを下地膜（図示省
略）とし、その上にＡｕ５μｍが所定の配線パターンに
形成されたものである。ビア導体８は、Ｃｕからなる。
多層配線基板１は、次の第１工程後、第２工程ないし第
５工程を順次繰り返すことによって製造される。
【００１３】第１工程：先ず、セラミック粉末を主原料
として作成されたグリーンシートに配線パターンをスク
リーン印刷する。このグリーンシートを複数枚積層し、
加湿雰囲気の水素炉中で高温焼成する。そして、焼結し
て得られた基板２の表面を研磨する。研磨された基板２
の表面に順にＴｉ及びＰｄの２層の下地膜７１をスパッ
タリングにて形成する（図２参照）。
として作成されたグリーンシートに配線パターンをスク
リーン印刷する。このグリーンシートを複数枚積層し、
加湿雰囲気の水素炉中で高温焼成する。そして、焼結し
て得られた基板２の表面を研磨する。研磨された基板２
の表面に順にＴｉ及びＰｄの２層の下地膜７１をスパッ
タリングにて形成する（図２参照）。
【００１４】第２工程：下地膜７１の上にフォトレジス
ト７２を塗布し、パターン感光を行った後、現像処理に
より、導体膜７が形成される部分のみフォトレジスト７
２を除去する（図３参照）。フォトレジスト７２が除去
された部分に電解メッキによってＡｕの導体膜７を形成
する（図４参照）。残ったフォトレジスト７２を除去す
る。
ト７２を塗布し、パターン感光を行った後、現像処理に
より、導体膜７が形成される部分のみフォトレジスト７
２を除去する（図３参照）。フォトレジスト７２が除去
された部分に電解メッキによってＡｕの導体膜７を形成
する（図４参照）。残ったフォトレジスト７２を除去す
る。
【００１５】第３工程：次にフォトレジスト８１を塗布
し、露光、現像過程を経て、□５０μｍのビアホールを
形成する（図５参照）。そして、電解メッキによってＣ
ｕのビア導体８をビアホール内に形成する（図６参
照）。残ったフォトレジスト８１を除去し、エッチング
によって不要な下地膜７１を除去する（図７参照）。
し、露光、現像過程を経て、□５０μｍのビアホールを
形成する（図５参照）。そして、電解メッキによってＣ
ｕのビア導体８をビアホール内に形成する（図６参
照）。残ったフォトレジスト８１を除去し、エッチング
によって不要な下地膜７１を除去する（図７参照）。
【００１６】第４工程：ビア導体８を覆うようにポリイ
ミド前駆体を塗布し、窒素雰囲気中、温度３５０℃で硬
化させ、ポリイミド樹脂１６とする（図８参照）。硬化
したポリイミド樹脂１６の表面を研磨して、ビア導体８
の頭部を露出させる（図９参照）。この工程によって、
ポリイミド樹脂１６は絶縁膜６となる。
ミド前駆体を塗布し、窒素雰囲気中、温度３５０℃で硬
化させ、ポリイミド樹脂１６とする（図８参照）。硬化
したポリイミド樹脂１６の表面を研磨して、ビア導体８
の頭部を露出させる（図９参照）。この工程によって、
ポリイミド樹脂１６は絶縁膜６となる。
【００１７】第５工程：絶縁膜６の表面に、前記ビア導
体８に接続する、順にＣｒ及びＰｄの２層の下地膜７１
をスパッタリングにて形成する（図１０）。その後、第
２工程〜第５工程を繰り返すことによって（図１０〜図
１１参照）、基板２の表面に多層配線板３が設けられ
る。多層配線板３の最上面にＩＣチップ４が搭載され、
ボンディングワイヤ４１を介してＩＣチップ４と導体膜
７とが接続される。
体８に接続する、順にＣｒ及びＰｄの２層の下地膜７１
をスパッタリングにて形成する（図１０）。その後、第
２工程〜第５工程を繰り返すことによって（図１０〜図
１１参照）、基板２の表面に多層配線板３が設けられ
る。多層配線板３の最上面にＩＣチップ４が搭載され、
ボンディングワイヤ４１を介してＩＣチップ４と導体膜
７とが接続される。
【００１８】この実施例によれば、導体膜７が絶縁膜６
のポリイミド樹脂と反応しないＡｕからなるので、ポリ
イミド樹脂１６が熱硬化する時に劣化することはない。
従って、導体膜７とポリイミド樹脂との反応を遮蔽する
金属膜を両者の間に介在させる工程は不要であるし、導
体膜７の表面酸化膜を安定化させる他成分を導体膜７に
含有させる必要もない。その結果、工程が簡略になり、
原料費も節約できる。
のポリイミド樹脂と反応しないＡｕからなるので、ポリ
イミド樹脂１６が熱硬化する時に劣化することはない。
従って、導体膜７とポリイミド樹脂との反応を遮蔽する
金属膜を両者の間に介在させる工程は不要であるし、導
体膜７の表面酸化膜を安定化させる他成分を導体膜７に
含有させる必要もない。その結果、工程が簡略になり、
原料費も節約できる。
【００１９】また、ビア導体８が貴金属でないＣｕから
なるので、少なくともビア導体の体積分だけはＡｕ等の
貴金属の消費量を節約することができる。しかもＡｕメ
ッキで形成されるのは、厚さ５μｍの導体膜７だけであ
るので、導体膜７もビア導体８（高さ２５〜５０μｍ）
もともにＡｕメッキで形成される従来技術に比べて、Ａ
ｕメッキ槽を占有する時間が１／５〜１／１０ですむ。
なお、Ｃｕとポリイミド樹脂とは、従来技術の説明の欄
で述べたように反応するので、ビア導体８の外周面が、
それと接する絶縁膜６を劣化させるおそれはあるが、ビ
ア導体８の断面が□５０μｍであって、その外周面積が
微小であるので、絶縁膜６全体に及ぼす影響は小さい。
なるので、少なくともビア導体の体積分だけはＡｕ等の
貴金属の消費量を節約することができる。しかもＡｕメ
ッキで形成されるのは、厚さ５μｍの導体膜７だけであ
るので、導体膜７もビア導体８（高さ２５〜５０μｍ）
もともにＡｕメッキで形成される従来技術に比べて、Ａ
ｕメッキ槽を占有する時間が１／５〜１／１０ですむ。
なお、Ｃｕとポリイミド樹脂とは、従来技術の説明の欄
で述べたように反応するので、ビア導体８の外周面が、
それと接する絶縁膜６を劣化させるおそれはあるが、ビ
ア導体８の断面が□５０μｍであって、その外周面積が
微小であるので、絶縁膜６全体に及ぼす影響は小さい。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、この発明の多層配線基板
は、少ない工数で、貴金属の消費量を少なくしても、絶
縁膜と導体膜とが反応しないものであるので、絶縁の信
頼性及び信号の伝送特性に優れた配線基板を安価に提供
できる。
は、少ない工数で、貴金属の消費量を少なくしても、絶
縁膜と導体膜とが反応しないものであるので、絶縁の信
頼性及び信号の伝送特性に優れた配線基板を安価に提供
できる。
【図１】実施例の多層配線基板を示す断面図である。
【図２】実施例の多層配線基板の製造工程のうち第１工
程を説明する図である。
程を説明する図である。
【図３】実施例の多層配線基板の製造工程のうち第２工
程を説明する図である。
程を説明する図である。
【図４】実施例の多層配線基板の製造工程のうち第２工
程を説明する図である。
程を説明する図である。
【図５】実施例の多層配線基板の製造工程のうち第３工
程を説明する図である。
程を説明する図である。
【図６】実施例の多層配線基板の製造工程のうち第３工
程を説明する図である。
程を説明する図である。
【図７】実施例の多層配線基板の製造工程のうち第３工
程を説明する図である。
程を説明する図である。
【図８】実施例の多層配線基板の製造工程のうち第４工
程を説明する図である。
程を説明する図である。
【図９】実施例の多層配線基板の製造工程のうち第４工
程を説明する図である。
程を説明する図である。
【図１０】実施例の多層配線基板の製造工程のうち第５
工程を説明する図である。
工程を説明する図である。
【図１１】実施例の多層配線基板の製造工程のうち繰り
返し工程を説明する図である。
返し工程を説明する図である。
１ 多層配線基板 ２ 基板 ３ 多層配線板 ４ ＩＣチップ ４１ ボンディングワイヤ ５ 端子ピン ６ 絶縁膜 １６ ポリイミド樹脂 ７ 導体膜 ７１ 下地膜 ７２ フォトレジスト ８ ビア導体 ８１ フォトレジスト
Claims (5)
- 【請求項１】 基板と、この基板の表面に設けられる配
線板であって、熱硬化性の有機高分子の絶縁膜、該絶縁
膜の平面方向に形成された導体膜及び前記絶縁膜を貫通
するビア導体からなる配線層を少なくとも一層以上積層
した配線板とを備えた配線基板において、前記絶縁膜の
硬化時に導体膜が絶縁膜と反応しない金属からなり、ビ
ア導体が貴金属以外の金属からなることを特徴とする配
線基板。 - 【請求項２】 前記絶縁膜が、ポリイミド樹脂からなる
請求項１に記載の配線基板。 - 【請求項３】 前記導体膜が、金Ａｕ、クロムＣｒ、モ
リブデンＭｏ、ジルコニウムＺｒ、チタニウムＴｉ、パ
ラジウムＰｄ及び白金Ｐｔのうちから選ばれる１種以上
の金属からなる請求項１又は２に記載の配線基板。 - 【請求項４】 前記ビア導体が、銅Ｃｕ又はニッケルＮ
ｉからなる請求項１〜３のいずれかに記載の配線基板。 - 【請求項５】 前記導体膜が金Ａｕからなり、前記ビア
導体が銅Ｃｕからなる請求項１又は２に記載の配線基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9792095A JP3170429B2 (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9792095A JP3170429B2 (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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