JPH06120624A

JPH06120624A - 微細多層配線板構造

Info

Publication number: JPH06120624A
Application number: JP27010892A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Nokimura; 均除村; Hidenori Tanizawa; 秀徳谷沢
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1992-10-08
Filing date: 1992-10-08
Publication date: 1994-04-28

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】本発明は電子装置の小型化、高密度化および
高速化に対応した微細多層配線板構造に関し、放熱性等
の優れた剛性基板と高密度配線の可能なフィルム状多層
配線部とを組み合わせた微細多層配線板構造であって、
フィルム状多層配線部の製造プロセスを複雑化すること
なくしかも該フィルム状多層配線部での回路パターン設
計の自由度を制限することなく、該フィルム状多層配線
部上に搭載された消費電流の大きな電子部品と該剛性基
板内の導電層との間に低抵抗配線を実現し得るようにな
った微細多層配線板構造を提供することを目的とする。【構成】微細多層配線板構造は放熱性の優れた剛性基
板（２０）と、この剛性基板上に形成されたフィルム状
多層配線部（２２）とからなり、剛性基板の周囲縁の少
なくとも一部に該剛性基板の表面を露出させた段差部
（２４）が形成され、該段差部からフィルム状多層配線
部の所定箇所まで大電流用の導体ストリップ（３０、３
０′）が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子装置の小型化、高密
度化および高速化に対応した微細多層配線板構造に関す
る。近年、電子装置の小型化、高密度化および高速化に
伴って、配線板には消費電流の大きな高密度でかつ超高
速のＬＳＩ等の電子部品を搭載することが要求されてお
り、そのような配線基板として、放熱性等の優れた剛性
基板と高密度配線の可能なフィルム状多層配線部とを組
み合わせた微細多層配線板が注目されている。

【０００２】

【従来の技術】図１０を参照すると、従来の微細多層配
線板構造の一例が概略的に図示され、同図において、参
照符号符号１０は放熱性等の優れた剛性基板としてセラ
ミック基板を示し、参照符号１２は高密度配線の可能な
フィルム状多層配線部を示す。セラミック基板１０内に
は導電層１４例えば内部配線パターン層、内部電源層、
内部グランド層等が含まれ、このようなセラミック基板
１０については、例えば導電層１４を形成すべく導電ペ
ーストを適用したグリーンシートを複数枚重ね合わせて
焼結することによって得られる。また、フィルム状多層
配線部１２にも種々の導電層１６例えば内部配線パター
ン層、内部電源層、内部グランド層等が含まれ、このよ
うなフィルム状多層配線部１２については、導電層１６
として例えば数ないし数十ミクロンの厚さの銅箔、絶縁
層にポリイミド前駆体を塗布した後に熱硬化させる工程
を繰り返すことによって得られるフィルムを使用する。
このようなフィルム状多層配線部１２の導電層１６には
比較的微細な配線パターンを形成することが容易である
ので、該フィルム状多層配線部１２は特に高密度でかつ
超高速のＬＳＩ等の電子部品を搭載するのに適したもの
となる。なお、通常では、セラミック基板１０の導電層
１４には大電流例えば１ないし２アンペアの電流が流さ
れ、フィルム状多層配線部１２の導電層１６には例えば
小電流例えば数十ミリアンペアの電流が流される。

【０００３】周知のように、上述したような微細多層配
線板構造にあっては、フィルム状多層配線部１２上に搭
載された種々の電子部品はかかる微細多層配線板構造内
に形成された導電柱すなわちビア１８を介してセラミッ
ク基板１０内の導電層１４あるいはフィルム状多層配線
部１２内の導電層１６に電気的に接続されることになる
が、高密度でかつ超高速のＬＳＩ等の電子部品の場合に
は、その電源層あるいはグランド層としてフィルム状多
層配線部１２内の導電層１６を使用し大電流を流すこと
は適していない。というのは、高密度でかつ超高速の電
子部品の消費電流は大きいので、数ないし数十ミクロン
の厚さの銅箔等からなる導電層１６をそのような電子部
品の電源層あるいはグランド層としては適さないからで
ある。そこで、セラミック基板１０内の導電層１４が大
電流用の電源層あるいはグランド層として使用され、こ
の場合には電気的接続はセラミック基板１０とフィルム
状多層配線部１２との間を貫通するビア１８によって行
われる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、セラミック
基体１０の導電層１４と消費電流の大きな電子部品との
間で低抵抗の電気的接続を保証するためにはビア１８の
径を大きくすることが必要であるが、しかしフィルム状
多層配線部１２にはその製造プロセス上大きな径のビア
１８を形成することは事実上不可能であるので、その代
わりに多数のビア１８が形成され、これにより低抵抗の
電気的接続が保証されることになる。しかしながら、ビ
ア１８の数が増加すると、フィルム状多層配線部１２の
製造プロセスが複雑化してコスト高になることが問題と
され、またビア数の増加とそれに伴うビアの総面積の増
大化のためにフィルム状多層配線部１２での回路パター
ン設計の自由度も制限されるということも問題点として
指摘されている。したがって、本発明の目的は放熱性等
の優れた剛性基板と高密度配線の可能なフィルム状多層
配線部とを組み合わせた微細多層配線板構造であって、
フィルム状多層配線部の製造プロセスを複雑化すること
なくしかも該フィルム状多層配線部での回路パターン設
計の自由度を制限することなく、該フィルム状多層配線
部上に搭載された消費電流の大きな電子部品と該剛性基
板内の導電層との間に低抵抗配線を実現し得るようにな
った微細多層配線板構造を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、放熱性
の優れた剛性基板と、この剛性基板上に形成されたフィ
ルム状多層配線部とからなる微細多層配線板構造におい
て、剛性基板の周囲縁の少なくとも一部に該剛性基板の
表面を露出させた段差部を形成し、該段差部からフィル
ム状多層配線部の所定箇所まで大電流用の導体ストリッ
プを形成したことが特徴とされる。

【０００６】

【作用】以上の構成から明らかなように、本発明による
微細多層配線板構造にあっては、剛性基板の周囲縁の少
なくとも一部に形成された段差部からフィルム状多層配
線部の所定箇所まで大電流用の導体ストリップが形成さ
れるので、この導体ストリップを消費電流の大きな電子
部品のために用いることにより、該電子部品の電気的接
続のためにフィルム状多層配線部に多数のビアを形成す
る必要はなくなる。

【０００７】

【実施例】次に、添付図面の図１ないし図９を参照し
て、本発明による微細多層配線板構造の実施例について
説明する。先ず、図１を参照すると、本発明による微細
多層配線板構造の基本的な実施例が示され、この微細多
層配線板構造は放熱性等の優れた剛性基板２０と高密度
配線の可能なフィルム状多層配線部２２とから構成され
る。図１０の示した従来の場合と同様に、剛性基板２０
はセラミック基板として構成され得るものであり、その
内部には内部配線パターン層、内部電源層、内部グラン
ド層等の導電層が形成され、またフィルム状多層配線部
２０はポリイミド樹脂層と銅箔等の導体層との積層体と
して形成される。本実施例では、セラミック基板２０は
フィルム状多層配線部２２よりも幾分大きな寸法形状と
され、このためフィルム状多層配線部２２の周囲には段
差部２４が形成される。フィルム状多層配線部２２の上
面には微細な配線パターンが形成され、その一部が参照
符号２６で示される。このような配線パターン２６は例
えば銅メッキによって形成され、その厚さは１ないし20
μm 程度とされる。また、フィルム状多層配線部２２上
には消費電流の大きな電子部品の一例として高密度でか
つ超高速のＬＳＩ２８が搭載され、このＬＳＩ２８をセ
ラミック基板２０の導体層に電気的な接続するためにフ
ィルム状多層配線部２２上には大電流用の導体ストリッ
プ３０が形成され、この導体ストリップ３０は段差部２
４からＬＳＩ２８の付近まで延在させられる。導体スト
リップ３０は段差部２４上に形成されたパッド３２と電
気的に接続させられ、該パッド３２はビア（図１では図
示されない）を介してセラミック基板２０内の導体層例
えば内部電源層に接続される。一方、導体ストリップ３
０とＬＳＩ２８との間の電気的接続は例えば周知のワイ
ヤボンディングでもって行われる。導体ストリップ３０
の形成については、例えば銅、金、銀あるいはパラジュ
ーム等の低抵抗導体ペーストを印刷した後に熱処理する
ことにより行うことが可能であり、あるいは導体ストリ
ップの形成領域以外をレジストで被覆した後に例えば銅
メッキにより該形成領域に所定の厚さの導体被膜を導体
ストリップ３０として形成することもできる。いずれに
しても、導体ストリップ３０の厚さは20ないし70μm 程
度とされ、このため導体ストリップ３０は１ないし２ア
ンペアの電流に対して良好な導体として機能する。な
お、パッド３２の形成については、フィルム状多層配線
部２２の最上面に微細な配線パターン２６を例えば銅メ
ッキによって形成する際に同時に行うことが可能であ
る。

【０００８】以上のような微細多層配線板構造によれ
ば、セラミック基板２０と消費電流の大きな電子部品２
８との間の電気的な接続のためにフィルム状多層配線部
２２に多数のビアを形成する必要はなくなるので、微細
多層配線板構造の全体の製造コストが低減されるだけで
なく、フィルム状多層配線部２２での回路設計の自由度
も改善されることになる。なお、図１に示した実施例で
は、フィルム状多層配線部２２の周囲全体に段差部２４
が形成されたが、そのような段差部を該フィルム状多層
配線部２２の周囲の所定箇所に局部的に形成するように
してもよい。

【０００９】図２を参照すると、導体ストリップ３０の
形成についての変形例が示される。図２(a) では、導体
ストリップ３０を形成する前の微細多層配線板構造が概
略的に示され、同図において、参照符号３４はセラミッ
ク基体２０内の導体層を示し、また参照符号３６は導体
層３４から段差部２４に延びた導体柱すなわちビアを示
す。図２(a) に示す微細多層配線板構造において、微細
な配線パターン２６は上述の実施例と同様に銅メッキに
よって形成される。導体ストリップ３０の形成について
の一変形例では、微細な配線パターン２６の形成後、導
体ストリップの形成領域以外がレジストによって被覆さ
れ、次いでメッキにより該形成領域に所定の厚さ（20な
いし70μm ）の導体被膜が形成される。その後、レジス
トを除去することにより、図２(b) に示すように所定の
配線パターン２６とビア３６とを接続する低抵抗の導体
ストリップ３０が得られる。また、別の態様として、図
２(a) に示す微細多層配線板構造において、銅、金、銀
あるいはパラジューム等の低抵抗導体ペーストを導体ス
トリップの形成領域に印刷した後に熱処理することによ
り、図２(c) に示すように所定の配線パターン２６とビ
ア３６とを接続する低抵抗の導体ストリップ３０を得る
こともできる。なお、以上で示した変形例では、図１に
示した実施例とは異なって、導体ストリップ３０がパッ
ド３２を介さずにビア３６に直接的に接続される。

【００１０】図３を参照すると、導体ストリップ３０の
形成についての更に別の変形例が示される。図３(a) で
は、導体ストリップ３０を形成する前の微細多層配線板
構造が概略的に示される。なお、図３において、図２と
同様な構成要素については同じ参照符号が用いられる。
図３(a) に示す微細多層配線板構造において、微細な配
線パターン２６は上述の実施例と同様に銅メッキによっ
て形成されるが、所定の配線パターン２６、すなわちビ
ア３６と接続されるべき配線パターン２６は予めその形
成時に該ビア３６と接続させられる。図３(a) に示す微
細多層配線板構造にあっては、配線パターン２６とビア
３６との接続領域以外がレジストによって被覆され、次
いでメッキにより該接続領域に所定の厚さ（20ないし70
μm ）の導体被膜が形成される。その後、レジストを除
去することにより、図３(b) に示すような低抵抗の導体
ストリップ３０が得られる。また、別の態様として、図
３(a) に示す微細多層配線板構造において、銅、金、銀
あるいはパラジューム等の低抵抗導体ペーストを配線パ
ターン２６とビア３６との接続領域に印刷した後に熱処
理することにより、図３(c) に示すような導体ストリッ
プ３０を得ることもできる。

【００１１】上述したような微細多層配線板構造にあっ
ては、フィルム状多層配線部２２の内部配線パターン層
（例えば信号伝送路）を外部ノイズから保護するために
該フィルム状多層配線部２２の最上面の所定領域を表面
導体層でもって覆うことが必要とされることがあるが、
しかしながらフィルム状多層配線部２２をポリイミド樹
脂でもって形成する場合にはその製造プロセス上かかる
所定領域に所謂ベタの表面導体層を適用することはでき
ない。というのは、フィルム状多層配線部２２の際上面
の大幅な領域に亘って表面導体層で覆った場合には、ポ
リイミド前駆体を熱硬化させてポリイミド樹脂とする際
に発生するガスを抜くことができないからである。この
場合、かかるガス抜きのためにフィルム状多層配線部２
２の最上面には図４に示すように表面導体層としてメッ
シュ状導体層３８が形成され、このようなメッシュ状導
体層３８は微細な配線パターン２８と同様に例えば銅メ
ッキによって形成され、その厚さは１ないし20μm 程度
となる。このようにフィルム状多層配線部２２上にメッ
シュ状導体層３８が形成される場合には、該メッシュ状
導体層３８の一部に沿って導体ストリップ３０が形成さ
れ、この導体ストリップ３０は一方ではセラミック基板
の所定の縁部（すなわち、上述したような段差部２４）
まで延在して該セラミック基板内の導体層と接続させら
れ、また他方では大電流を消費する電子部品の搭載箇所
の付近まで延在させられる。なお、図４において、参照
符号４０は大電流を消費しない通常の電子部品を搭載す
るためのＩＣダイを示し、参照符号４２は該電子部品の
リードを接続させるためのパッドを示す。

【００１２】また、上述しような微細多層配線板構造に
あっては、フィルム状多層配線部２２の最上面に形成さ
れる微細な配線パターンの中には電源回路等も含まれ得
る。このような場合、図５に示すように導体ストリップ
３０を利用して電源回路の雑音防止用バイパスコンデン
サを構成することもできる。詳述すると、図５には導体
ストリップ３０を形成したフィルム状多層配線部２２の
一部が断面図として図示され、同図において、参照符号
４４および４６は共にフィルム状多層配線部２２上に微
細な回路パターンの一部として形成された導体層を示
し、導体層４４上にはそれに沿って導体ストリップ３０
が形成され、また導体層４６は導体層４４の一部に沿っ
て形成されかつ電源回路のグランド層として機能するも
のである。なお、参照符号４８もフィルム状多層配線部
２２上に微細な回路パターンの一部として形成された導
体層であり、これら導体層４８は所与の目的を持つもの
ではあるが、しかし本発明とは直接的に係わるものでな
い。この実施例では、フィルム状多層配線部２２上の微
細な回路パターンは適当な誘電材料例えばポリイミド樹
脂層５０で覆われ、しかも導体ストリップ３０は該ポリ
イミド樹脂層５０を介して導体層すなわちグランド層４
６の上方に張り出させられ、かくして該導体ストリップ
３０の張出し部とグランド層４６との間に電源回路の雑
音防止用バイパスコンデンサが構成されることになる。

【００１３】以上で述べた実施例では、導体ストリップ
３０はフィルム状多層配線部２２の最上面に設けられる
が、かかる導体ストリップを図６に示すようにフィルム
状多層配線部２２の中間層に対して設けることもでき
る。すなわち、図６に示す実施例では、セラミック基板
２０上には二層構造のフィルム状多層配線部２２が形成
され、このフィルム状多層配線部２２の第２層目の上
面、すなわちその最上面には導体ストリップ３０が図１
に示した場合と同様な態様で形成され、更に該フィルム
状多層配線部２２の第１層目の上面にも導体ストリップ
３０′が形成される。このような微細多層配線板構造に
ついては、先ず、セラミック基体２０上に第１層目のフ
ィルム状多層配線部を形成してその上に導体ストリップ
３０′を形成した後に続けて第２層目のフィルム状多層
配線部を形成してその上に導体ストリップ３０を形成す
ることにより得られ、導体ストリップ３０′は上述した
場合と同様に種々の態様で形成することが可能である。
このようにフィルム状多層配線部２２の中間に導体スト
リップ３０′を形成する場合には、該導体ストリップ３
０′上に形成されるべきフィルム状多層配線部について
は一層ないしは二層とすることが好ましい。というの
は、比較的大きな厚さの導体ストリップ３０′の上に形
成されるフィルム状多層配線部はその平坦性が損なわれ
るので、そこへの微細な配線パターンの形成に支障を来
すからである。なお、図６において、参照符号５２はフ
ィルム状多層配線部２２の最上面に形成された微細な配
線パターンの一部を示す。

【００１４】図７は図６に示した実施例の変形例を示
し、この実施例では、セラミック基体２０上に第１層目
のフィルム状多層配線部を形成してその上に導体ストリ
ップ３０′を形成した後に続けて第２層目のフィルム状
多層配線部を形成する際、該第２層目のフィルム状多層
配線部の絶縁材料（ポリイミド樹脂材料）でもって導体
ストリップ３０′の露出部が覆われて保護される。すな
わち、第２層目のフィルム状多層配線部を形成する際に
ポリイミド前駆体の一部を導体ストリップ３０′の露出
部に適用して保護層５４が形成される。

【００１５】図８には図７に示した実施例の更に発展し
た変形例が示され、この実施例では、セラミック基体２
０上に第１層目のフィルム状多層配線部を形成してその
上に導体ストリップ３０′を形成した後に続けて第２層
目のフィルム状多層配線部を形成する際に該第２層目の
フィルム状多層配線部の絶縁材料すなわちポリイミド樹
脂材料でもって導体ストリップ３０′の露出部を覆って
保護する点は図７に示した実施例と同様である。しかし
ながら、図８に示した実施例では、第２層目のフィルム
状多層配線部の上面には導体ストリップ３０′の上方側
の同一箇所に更に導体ストリップ３０が形成され、双方
の導体ストリップ３０′および導体ストリップ３０は該
第２層目のフィルム状多層配線部の絶縁層すなわちポリ
イミド樹脂層５６によって互いに隔絶される。なお、図
８において、参照符号５８は導体ストリップ３０′をセ
ラミック基体２０内の導電層に接続させるためのパッド
を示し、また参照符号６０は導体ストリップ３０をセラ
ミック基体２０内の導電層に接続させるためのパッドで
あって、図１に示すパッド３２と同様なものである。

【００１６】図９には、上述した微細多層配線板構造を
マザーボード（回路基板）に対して搭載可能となったモ
ジュールとして構成する場合の好ましい態様が示され
る。この実施例では、セラミック基板２０の段差部２４
に形成されたパッド３２は図１で説明したように該セラ
ミック基板２０内の導電層にビアを介して接続されるこ
とはなく、その代わりにパッド３２にはリード６２が取
り付けられ、図示の微細多層配線板構造がマザーボード
に搭載されるとき、リード６２が該マザーボードに形成
された例えば電源回路に対して接続される。なお、この
ようなリードは図図６および図７に示す導体ストリップ
３０′に対しても設けることもできる。

【００１７】以上で述べた実施例では、放熱性の優れた
剛性基板の一例として、セラミック基板が挙げられた
が、その他の材料で形成される基板、例えば金属基板等
にフィルム状多層配線部を組み合わせることも可能であ
る。また、上述の実施例では、フィルム状多層配線部が
ポリイミド樹脂からなる絶縁層と銅箔からなる導体層と
の多層構造として構成されているが、その他の合成樹脂
フィルム材料にメッキによる導体層を形成した多層構造
とすることも可能である。

【００１８】

【発明の効果】以上の記載から明らかなように、本発明
による微細多層配線板構造にあっては、消費電流の大き
な電子部品の電気的接続のためにフィルム状多層配線部
に多数のビアを形成する必要はなくなるので、フィルム
状多層配線部の製造プロセスを簡素化し得ると共に該フ
ィルム状多層配線部での回路パターン設計に対して大き
な自由度が得られることになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による微細多層配線板構造の一実施例を
示す概略斜視図である。

【図２】本発明による微細多層配線板構造の作成例を示
す説明図であって、図２(a) は導体ストリップを形成す
る前の微細多層配線板構造を示す断面図、図２(b) は図
２(a) に示した微細多層配線板構造に導体ストリップを
メッキによって形成した例を示す断面図、図２(c) は２
(a) に示した微細多層配線板構造に導体ストリップを導
体ペーストの印刷によって形成した例を示す断面図であ
る。

【図３】本発明による微細多層配線板構造の別の作成例
を示す説明図であって、図３(a) は導体ストリップを形
成する前の微細多層配線板構造を示す断面図、図３(b)
は図３(a) に示した微細多層配線板構造に導体ストリッ
プをメッキによって形成した例を示す断面図、図３(c)
は３(a) に示した微細多層配線板構造に導体ストリップ
を導体ペーストの印刷によって形成した例を示す断面図
である。

【図４】本発明による微細多層配線板構造の別の実施例
を示す斜視図であって、該微細多層配線板構造のフィル
ム状多層配線部の最上面を部分的に示す図である。

【図５】本発明による微細多層配線板構造の更に別の実
施例を示す一部断面斜視図である。

【図６】本発明による微細多層配線板構造の更に別の実
施例を示す概略斜視図である。

【図７】図６に示した実施例の変形実施例を示す部分斜
視図である。

【図８】図７に示した変形実施例を更に発展させた別の
変形実施例を示す部分斜視図である。

【図９】本発明による微細多層配線板構造の更に別の実
施例を示す概略斜視図である。

【図１０】従来の微細多層配線板構造の一例を示す断面
図である。

【符号の説明】

２０…剛性基板２２…フィルム状多層配線部２４…段差部２６…配線パターン２８…ＬＳＩ３０・３０′…導体ストリップ３２…パッド３４…導体層３６…ビア３８…メッシュ状導体層４０…ＩＣダイ４２…パッド４４…導体層４６…導体層（グランド層）４８…導体層５０…ポリイミド樹脂層５２…配線パターン５４…保護層５６…ポリイミド樹脂層５８・６０…パッド６０…パッド６２…リード

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】放熱性の優れた剛性基板（２０）と、こ
の剛性基板上に形成されたフィルム状多層配線部（２
２）とからなる微細多層配線板構造において、前記剛性基板の周囲縁の少なくとも一部に該剛性基板の
表面を露出させた段差部（２４）を形成し、該段差部か
ら前記フィルム状多層配線部の所定箇所まで大電流用の
導体ストリップ（３０、３０′）を形成したことを特徴
とする微細多層配線板構造。
【請求項２】請求項１に記載の微細多層配線板構造に
おいて、前記フィルム状多層配線部（２２）が合成樹脂
フィルム材料からなる絶縁層と、この絶縁層に形成した
導体層とからなる多層構造として構成され、前記導体層
の厚さが約１ないし約20μm とされるのに対して、前記
導体ストリップ（３０）の厚さが約20ないし約70μm と
されることを特徴とする微細多層配線板構造。
【請求項３】請求項１または２に記載の微細多層配線
板構造において、前記導体ストリップ（３０）が前記フ
ィルム状多層配線部（２２）の最上面に対して設けられ
ることを特徴とする微細多層配線板構造。
【請求項４】請求項１から３までのいずれか１項に記
載の微細多層配線板構造において、前記フィルム状多層
配線部（２２）の内部配線パターン層を外部ノイズから
保護しかつ電気特性を向上させるために該フィルム状多
層配線部の最上面の所定領域にメッシュ状導体層（３
８）が形成され、このメッシュ状導体層の一部に沿って
前記導体ストリップ（３３）が形成されることを特徴と
する微細多層配線板構造。
【請求項５】請求項１から３までのいずれか１項に記
載の微細多層配線板構造において、前記フィルム状多層
配線部（２２）の上面には電源回路が形成され、かつ該
電源回路の少なくともグランド層（４６）が誘電体材料
（５０）で覆われ、前記導体ストリップ（３０）が前記
電源回路の雑音防止用バイパスコンデンサを構成するよ
うに前記グランド層の上方に張り出させられることを特
徴とする微細多層配線板構造。
【請求項６】請求項１または２に記載の微細多層配線
板構造において、前記導体ストリップ（３０′）が前記
フィルム状多層配線部の中間層に対して設けられること
を特徴とする微細多層配線板構造。
【請求項７】請求項６に記載の微細多層配線板構造に
おいて、前記導体ストリップ（３０′）が前記段差部で
露出される部分が絶縁材料（５４）で覆われることを特
徴とする微細多層配線板構造。
【請求項８】請求項７に記載の微細多層配線板構造に
おいて、前記導体ストリップ（３０′）の上方側に更に
別の導体ストリップ（３０）が形成されることを特徴と
する微細多層配線板構造。
【請求項９】請求項３または６に記載の微細多層配線
板構造において、前記導体ストリップ（３０）が前記段
差部（２４）の箇所で前記剛性基板内の導電層に対して
ビア（３６）を介して電気的に接続されることを特徴と
する微細多層配線板構造。
【請求項１０】請求項３または６に記載の微細多層配
線板構造において、前記段差部（２４）の箇所にリード
（６２）が取り付けられ、このリードが前記導体ストリ
ップ（３０）に電気的に接続されることを特徴とする微
細多層配線板構造。