JP6371043B2 - 電子回路板、アセンブリおよびその関係する方法 - Google Patents

Description

本明細書で提示する実施形態は、一般には電子回路板アセンブリに関し、より詳細には、高温動作が可能な電子回路板およびその関係する方法に関する。

（「ＰＣＢ」と呼ぶ）プリント回路板は、非導電性基板に積層された金属シートからエッチングされ得る導電性の経路、トラック、または信号配線（ｓｉｇｎａｌ ｔｒａｃｅ）を使用して、電子部品を機械的に支持し電気的に接続するために使用されることが多い。電子部品が搭載されたＰＣＢがプリント回路アセンブリであり、プリント回路板アセンブリ（ＰＣＢＡ）と呼ぶ場合もある。

ＰＣＢの従来の導電層は、通常、薄い銅箔で作製される。プリント回路板の圧倒的多数は、基板全体を覆うように、場合によっては両側に銅の層をボンディングし、次いで（例えばエッチングにより）一時的なマスクを付与した後にサブトラクティブ処理法において不要な銅を除去し、所望の銅配線のみを残すことにより作製される。一部のＰＣＢは、通常は複数の電気めっき工程によるアディティブ処理法においてベア基板に配線を付加することにより作製される。これらの導電性配線用に一般に使用される銅材料は、抵抗率が低く低コストであるが、容易に酸化して抵抗値の増大が結果として生じ、そのことによって銅材料の信頼性は低下する。加えてこのタイプの従来のＰＣＢは、セ氏２００度未満の温度での用途に限定され得る。

高温のＰＣＢは、通常、回路要素を相互接続するためにセラミック基板に配線すなわち導線を形成するために貴金属を使用する。より具体的には多くの（セ氏２００度を超える）高温動作のＰＣＢは、厚膜の金（Ａｕ）または銀（Ａｇ）の膜を使用する。これらのタイプの膜は、それらの固有の低い抵抗率および酸化が最小であることによって使用される。しかしながらこれらの貴金属は、使用するのに高価である。金（Ａｕ）または銀（Ａｇ）の薄膜が使用されてきたが、それらは、高温での貴金属との相互混合を防止するために十分な障壁層および接着層を必要とする。

動作温度にかかわらず、ＰＣＢが完全なものになった後に電子部品が、機能的なプリント回路アセンブリを形成するために取り付けられる。表面実装技法では、部品は、ＰＣＢの外側表面上のパッドに配置され、導電性配線に電気的に接触する。部品リードを、溶融した金属はんだによって板に電気的かつ機械的に固定することができる。

上記に鑑みて、高温動作に耐えることが可能であり、一方で低コストの製作を維持する、改良された電子回路デバイスを提供することが所望されている。

米国特許出願公開第２０１１／０１４７７５３号明細書

従来技術のこれらおよび他の弱点が本開示により対処され、本開示は、改良された電子回路板、回路板アセンブリ、および製造の方法を提供する。電子回路板およびアセンブリは、耐酸化性を有する低コストの導線が、利用され、高温動作に耐えることが可能な改良された回路板およびアセンブリをもたらす、新規の相互接続の解決策から利益を得るように構成されている。

本開示の例示的な実施形態によれば、装置は、基板、基板に形成される複数の導電性配線、および複数の導電性配線に接触する１組の第１の金属接触パッドを含む。複数の導電性配線は、酸化を抑制するために複数の導電性配線の一部分として保護層を形成するために、ある濃度のアルミニウム材料でドープされた導電性材料を含む。基板、複数の導電性配線、および１組の第１の金属接触パッドは、セ氏２００度より高い温度で動作するように構成されている電子回路板を規定する。

本開示の例示的な実施形態によれば、方法は、基板を用意するステップ、基板の最上面にコーティング層を形成するために銅（Ｃｕ）材料およびアルミニウム（Ａｌ）材料を同時堆積させるステップ、基板に複数の導電性配線を形成するために銅（Ｃｕ）材料およびアルミニウム（Ａｌ）材料のコーティング層をパターニングするステップ、複数の電気的接続をもたらすために複数の導電性配線の一部分をマスクするステップ、複数の導電性配線の表面へのアルミニウム（Ａｌ）材料の移動をもたらすために複数の導電性配線をアニールするステップ、ならびに移動したアルミニウム（Ａｌ）材料を酸化し、残りの銅（Ｃｕ）材料の表面にアルミナ保護層を形成するために、複数の導電性配線を空気にさらすステップを含む。

本開示の他の目的および利点は、付随する図面を参照して以下の詳細な説明および添付の特許請求の範囲を読むことで明らかになろう。

本開示の上記ならびに他の、特徴、態様、および利点は、類似する符号が図面全体を通して類似する部分を表す付随する図面を参照して以下の詳細な説明を読むことでより良く理解されることになろう。

一実施形態によるアセンブリ、例えば高温動作デバイス用の電子回路板アセンブリの図式表現の図である。 一実施形態による図１の電子回路板アセンブリを製造する方法でのステップの図式表現の図である。 一実施形態による図１の電子回路板アセンブリを製造する方法でのステップの図式表現の図である。 一実施形態による図１の電子回路板アセンブリを製造する方法でのステップの図式表現の図である。 一実施形態による図１の電子回路板アセンブリを製造する方法でのステップの図式表現の図である。 一実施形態による図１の電子回路板アセンブリを製造する方法でのステップの図式表現の図である。 一実施形態による図１の電子回路板アセンブリを製造する方法でのステップの図式表現の図である。 一実施形態による例示的な電子回路板アセンブリの上面図である。 一実施形態による別の例示的な電子回路板アセンブリの上面図である。 一実施形態による電子回路板アセンブリを製造するための方法の概略ブロック図である。

本明細書で提示する実施形態によれば、装置、例えば電子回路板、アセンブリおよびその関係する方法が開示される。一実施形態では、電子回路板は基板を含む。電子回路板は、回路要素を相互接続するために複数の導線配線をさらに含む。回路板、およびより具体的には導線配線は、高温動作に耐えるように製造される。１組の第１の金属接触パッドを、基板に配設することができる。電子回路板、ならびにより具体的には、本明細書で説明するように構成されている少なくとも基板、複数の導電性配線、および金属接触パッドは、セ氏２００度より高い温度で動作可能であり得るものであり、高温、振動、および腐食などの極限条件に起因する障害に対する高められた耐性を動作で示すことができ、低損失、例えば低インダクタンスおよび低抵抗値をもたらすことができる。一実施形態では電子回路板、ならびにより具体的には、本明細書で説明するように構成されている少なくとも基板、複数の導電性配線、および金属接触パッドは、セ氏２６０度より高い温度で動作可能であり得るものであり、より具体的には、ポリマー上の銅などの金属の既知の劣化が発生する温度での動作を可能にする。一実施形態では電子回路板、ならびにより具体的には、本明細書で説明するように構成されている少なくとも基板、複数の導電性配線、および金属接触パッドは、セ氏３５０度より高い温度で動作可能であり得るものであり、より具体的には、ニッケルめっき銅などの金属の既知の劣化が発生する温度での動作を可能にする。

図１を参照すると、一実施形態によるプリント回路板（ＰＣＢ）などの電子回路板１２を含み、一実施形態による高動作温度電子デバイス１４が電子回路板１２に結合されている、例えば具体的には電子回路板アセンブリ１０と呼ぶ装置が示されている。一実施形態では装置を、プリント配線板（ＰＷＢ）を含むように構成することができる。一実施形態ではＰＣＢもしくはＰＷＢならびに高温動作デバイスは、プリント回路アセンブリ（ＰＣＡ）またはプリント回路板アセンブリ（ＰＣＢＡ）を形成することができる。

一実施形態では図示する電子回路板１２は、基板１６、および基板１６に配設される複数の導電性配線２０に接触する１組の第１の金属接触パッド１８を含む。基板１６を、高温動作に耐えることが可能な任意の材料で形成することができる。一実施形態では基板１６は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、または同様のタイプのセラミック材料などのセラミックで形成される。１組の第１の金属接触パッド１８は、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、もしくは銀（Ａｇ）のうちの少なくとも１つの接触パッド、ならびに接触金属および導線金属の相互混合を防止するための、タンタル（Ｔａ）もしくはチタンタングステン（ＴｉＷ）の拡散障壁層を含む。電子回路板アセンブリ１０は、複数の金属バンプ２２をさらに含む場合があり、複数の金属バンプ２２の中の各々の金属バンプを、１組の第１の金属接触パッド１８の中の対応する第１の金属接触パッドに結合することができる。複数の金属バンプ２２は、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、または銅（Ｃｕ）およびアルミニウム（Ａｌ）の合成物のうちの少なくとも１つのバンプを含む。一部の実施形態では複数の金属バンプ２２は、金属スタッドバンプを含み得る。電子回路板アセンブリ１０は、高動作温度電子デバイス１４に配設される１組の第２の金属接触パッド２４をさらに含み得る。複数の金属バンプ２２の中の各々の金属バンプを、１組の第２の金属接触パッド２４の中の対応する第２の金属接触パッドに結合することができる。１組の第２の金属接触パッド２４は、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、または銅（Ｃｕ）のうちの少なくとも１つの接触パッドを含む。

一実施形態では複数の新規の導電性配線２０が、本明細書で説明する方法によって形成される。より具体的には製造中に導電性配線２０は、概して、体積あたり１％〜５％の程度の低い濃度のアルミニウムでドープされる。このドーピングが、表層下の導電性配線材料の酸化を抑制可能である導電性配線２０の最上面として保護層２６を形成することが示されている。一実施形態では結果として得られる複数の導電性配線２０は銅（Ｃｕ）材料で形成され、保護層２６がその銅（Ｃｕ）材料の一部分として形成される。

図２〜図７をより詳細に参照すると、例示的な実施形態による電子回路板アセンブリ１０を製造する方法でのステップが図式表現で示されている。より具体的には図２に示されるのは、前に説明したものと概して同様の材料の基板１６を用意するステップを含む第１のステップである。図３は、基板１６の最上面３２上のコーティング層３０としての銅（Ｃｕ）材料およびアルミニウム（Ａｌ）材料の同時堆積を示している。次に図４に最良に示すように、回路イメージを用いて露光され現像されるフォトレジストなどのマスキング材料３４が、サブトラクティブエッチング処理の間にエッチングレジストとして働く。代替的には、および前に説明したように、複数の導電性配線２０は、アディティブ処理法の間に、または導線を堆積させる前にマスキング層を付与することにより形成され得るものであり、リフトオフ処理を使用することができる。図５は、１組の第１の金属接触パッド１８の製造を考慮するための、導電性配線２０の一部分の表面３８上の、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、または金（Ａｕ）などの接触材料３６の位置決めを示している。接触材料３６は、導電性配線材料が外側の接触材料と相互拡散することを防止するために接着層および拡散障壁を含む層を包含し得る。図６に最良に示すような（現在説明している）アニールするステップの間、今やパターニングされているコーティング層３０の内部に包含されるアルミニウム（Ａｌ）材料が、複数の導電性配線２０の表面３８に移動して、導電性配線２０の一部分上で保護層２６を形成する。実験データは、保護層２６が１ｎｍから１ｍｍの範囲の厚さを有することを示している。一実施形態では保護層２６は、５ｎｍの好ましい厚さを有して形成される。最後に図７に最良に示すように、１組の第１の金属接触パッド１８は、導電性配線２０の一部分と電気的に連通する。

図８および図９は、本明細書で開示する実施形態による例示的な電子回路板アセンブリの上面図を示している。より具体的には図８は、図１〜図７の電子回路板アセンブリ１０と概して同様に製造される電子回路板アセンブリ４０を示す。図１〜図７の基板１６と概して同様の基板４２を含み、図１〜図７の複数の導電性配線２０と概して同様の複数の導電性配線４４が基板４２に形成される電子回路板アセンブリ４０が示される。複数の導電性配線４４は、酸化を抑制するために複数の導電性配線４４の一部分として保護層４６を形成するために、ある濃度のアルミニウム材料でドープされた導電性材料を含む。一実施形態では装置、ならびにより具体的には、少なくとも基板４２および複数の導電性配線４４は、セ氏２００度より高い温度で動作するように構成されている。一実施形態では装置、ならびにより具体的には、少なくとも基板４２および複数の導電性配線４４は、セ氏２６０度より高い温度で動作するように構成されている。

図９は、図１〜図７の電子回路板アセンブリ１０と概して同様に製造される電子回路板アセンブリ５０の別の実施形態を示す。図１〜図７の基板１６と概して同様の基板５２を含み、図１〜図７の複数の導電性配線２０と概して同様の複数の導電性配線５４が基板５２に形成される電子回路板アセンブリ５０が示される。複数の導電性配線５４は、酸化を抑制するために複数の導電性配線５４の一部分として保護層５６を形成するために、ある濃度のアルミニウム材料でドープされた導電性材料を含む。装置、ならびにより具体的には、少なくとも基板５２および複数の導電性配線５４は、セ氏２００度より高い温度で動作するように構成されている。

次に図１０を参照すると、概略ブロック図に示されているのは、例示的な実施形態による電子回路板アセンブリを製造するための方法６０の類である。図示するように第１のステップ６２では、図１の基板１６と概して同様の基板が用意される。一実施形態では基板は、セラミック材料で形成される。次にステップ６４では、複数の導電性配線が、基板にコーティング層を形成するために銅（Ｃｕ）材料およびアルミニウム（Ａｌ）材料を同時堆積させることにより形成される。一実施形態では銅（Ｃｕ）材料およびアルミニウム（Ａｌ）材料の同時堆積は、基板の最上面上であるが、代替実施形態では、基板の反対の上面および下面上で行われる場合がある。より具体的には、銅（Ｃｕ）材料およびアルミニウム（Ａｌ）材料が、基板に少なくとも１つのコーティング層を形成するために基板の少なくとも１つの表面に同時スパッタリングされる方法が開示される。代替的には銅／アルミニウム合金が、基板に少なくとも１つのコーティング層を形成するために基板の少なくとも１つの表面に堆積する。

さらなるステップ６６では、堆積したコーティング層が、基板１６に複数の導電性配線２０を形成するためにパターニングされる。導電性配線２０を形成するために堆積したコーティング層をパターニングすることを、フォトレジストを利用する既知のサブトラクティブ処理法などの周知の処理法によって達成することができる。ステップ６８では、１組の第１の金属接触パッド用などの電気的接続用の領域が、それらを後続の処理ステップから保護するためにマスクされ、または他の方法でコーティングされる。コーティング材料は、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）等を含み得るが、それらに限定されない。デバイスは次に、ステップ７０でアニーリング処理を経る。より具体的にはデバイスは、アルミニウム（Ａｌ）材料が表面に移動することを可能にするために、ほぼ１時間の間、ほぼセ氏３００〜４００度で、真空またはフォーミングガス中でコーティング層がアニールされるアニーリング処理を受ける。アルミニウム（Ａｌ）材料のこの移動が、アルミナのパッシベーション層すなわち保護層、そのような保護層２６（図１）を形成する。

フォーミングガスを利用するアニールするステップは、コーティング層の表面上の何らかの自然酸化物および結晶粒界を低減する一助となり、アルミニウム（Ａｌ）が表面に移動することを可能にする。空気にさらすことで、移動したアルミニウム（Ａｌ）はアルミナのパッシベーション層すなわち保護層を形成し、この層は誘電体であり、表層下の銅を酸化から保護することが可能である。フォーミングガス中で、セ氏４００度でアニールされた、Ｃｕ５％Ａｌを含有する実験試料は、空気中で、セ氏３００度で、＞５００時間の間安定した抵抗値を示した。

電子回路板アセンブリ１０の製造を完了するために、第１の組の金属接触パッド１８を、導電性配線２０に接触して形成することができる。複数の金属バンプ２２を、拡散接合によって、１組の第１の金属接触パッド１８および１組の第２の金属接触パッド２４にボンディングすることができる。拡散接合は、あらかじめ機械加工した部品を、昇温状態での、場合によっては保護雰囲気または真空での負荷のもとで保つことを含む。別の実施形態では複数の金属バンプ２２を、熱圧着ボンディングによって、すなわち、電流のない状態で圧力および熱を付与することにより、１組の第１の金属接触パッド１８および１組の第２の金属接触パッド２４にボンディングすることができる。さらに別の実施形態では複数の金属バンプ２２を、サーモソニックボンディング、すなわち、ボンディングツールにより一般的に付与される熱、超音波エネルギー、および圧力の組み合わせを使用することによるボンディングによって、１組の第１の金属接触パッド１８および１組の第２の金属接触パッド２４にボンディングすることができる。さらに別の実施形態では高温動作デバイス１４を、当技術分野でよく知られている結合技法を利用して電子回路板１２に結合することができる。

本明細書では電子回路板１２は、セ氏２００度を超える温度で動作する高動作温度電子デバイス１４を相互接続するために適用可能であることに留意されたい。

上記で述べたように電子回路板１２は、セ氏２００度を超える温度で動作する高動作温度電子デバイス１４に対して適用可能である。一実施形態では高動作温度電子デバイス１４は、窒素酸化物センサであり得る。別の実施形態では高動作温度電子デバイス１４は、石油および／またはガス用の掘削機器などの掘削機器であり得る。さらに別の実施形態では高動作温度電子デバイス１４は、デジタルセンシングデバイスであり得る。さらに別の実施形態では高動作温度電子デバイス１４は、自動車用であり得る。さらなる実施形態では高動作温度電子デバイス１４は、ジェットエンジンまたはタービン用であり得る。本明細書で述べた列挙はまったく包括的ではなく、板は、セ氏２００度を超えて動作する他の用途に対してさらに適用可能であり得ることに留意されたい。

本明細書で考察した例示的な実施形態では、電子回路板アセンブリ１０は、高められた温度性能を有する、すなわち、セ氏２００度を超える、かつより具体的にはセ氏２６０度を超える温度で動作する高動作温度電子デバイス１４に対して適用可能である。一実施形態では電子回路板１２、ならびにより具体的には、少なくとも基板１６および複数の導電性配線４４は、高められた温度性能を有する、すなわち、セ氏２００度を超える、かつより具体的にはセ氏２６０度を超える高動作温度に対して適用可能である。例示的な電子回路板アセンブリ１０は、過酷な環境（例えば温度、振動、腐食）に対する耐性を有し、低損失（例えば低インダクタンス、低抵抗値）をもたらす。装置を、プリント回路板（ＰＣＢ）、プリント配線板（ＰＷＢ）、プリント回路アセンブリ（ＰＣＡ）、またはプリント回路板アセンブリ（ＰＣＢＡ）として構成することができる。

上記で説明した例示的な回路板アセンブリの様々な実施形態が、耐酸化性を有する低コストの導線を提供し、高温動作に耐えることが可能な改良された回路板およびアセンブリをもたらす。加えて例示的な回路板は、高温動作に耐えることが可能であり、一方で低コストの製作を維持する。

必ずしも、上記で説明したすべてのそのような目的または利点を、何らかの特定の実施形態によって実現可能であるということではないことが理解される。したがって例えば、本明細書で教示したような１つの利点または利点の群を、本明細書で教示または示唆する場合があるような他の目的または利点を必ずしも実現することなく、実現する、または最適化した様式で、本明細書で説明したシステムおよび技法を実施または実行する場合があることを当業者であれば認識するであろう。

本開示のある決まった特徴のみを本明細書で示し説明したが、多くの修正形態および変更形態に当業者は想到するであろう。したがって添付の特許請求の範囲は、本開示の真の趣旨の範囲内に含まれるようなすべての修正形態および変更形態を網羅することが意図されることを理解されたい。

前述では、新規の電子回路板、回路板アセンブリおよびその製造の方法を説明した。本開示を例示的な実施形態を参照して説明したが、本開示の範囲から逸脱することなしに、様々な変更を行うことができ、等価物を本開示の要素の代わりに用いることができることを当業者であれば理解するであろう。加えて、本開示の本質的な範囲から逸脱することなしに、特定の状況または材料を本開示の教示に適合させるために多くの修正を行うことができる。したがって本開示は、本開示を実行するために企図される最良の形態として開示される特定の実施形態に限定されないことが意図される。したがって添付の特許請求の範囲は、本開示の真の趣旨の範囲内に含まれるようなすべての修正形態および変更形態を網羅することが意図されることを理解されたい。

１０ 電子回路板アセンブリ
１２ ＰＣＢ
１４ 高動作温度電子デバイス、高温動作デバイス
１６ セラミック基板
１８ １組の第１の金属接触パッド
２０ 複数の導電性配線
２２ 複数の金属バンプ
２４ １組の第２の金属接触パッド
２６ 保護層
３０ 銅（Ｃｕ）およびアルミニウム（Ａｌ）材料
３２ 基板１６の最上面
３４ マスキング材料
３６ 接触材料
３８ 表面
４０ 電子回路板アセンブリ
４２ 基板
４４ 複数の導電性配線
４６ 保護層
５０ 電子回路板アセンブリ
５２ 基板
５４ 複数の導電性配線
５６ 保護層
６０ 方法
６２、６４、６６、６８、７０ ステップ

Claims (24)

1. セラミック材料を有する基板と、
   前記基板に形成される複数の導電性配線であって、酸化を抑制するために、５００ｎｍ未満の厚さの保護層を、前記導電性配線の表面の選択された部分の上に形成するためにアニールされた、１〜５体積％のアルミニウム材料でドープされた共析出導電性材料を含む複数の導電性配線と、
   前記複数の導電性配線の前記表面に接触し、前記複数の導電性配線と電気的に導通する、アルミニウム材料よりも高温動作に耐える材料の１組の第１の金属接触パッドと、
   を備え、
   前記基板、前記複数の導電性配線、および前記１組の第１の金属接触パッドが、セ氏２００〜１１３０度の温度で動作するように構成されているセラミック電子回路板を規定する、
   装置。
2. 前記基板、前記複数の導電性配線、および前記１組の第１の金属接触パッドが、セ氏２６０度より高い温度で動作するように構成されているセラミック電子回路板を規定する、請求項１に記載の装置。
3. 前記基板、前記複数の導電性配線、および前記１組の第１の金属接触パッドが、セ氏３５０度より高い温度で動作するように構成されているセラミック電子回路板を規定する、請求項１に記載の装置。
4. 前記基板が、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、および窒化ケイ素のうちの少なく
   とも１つを含む、請求項１に記載の装置。
5. 前記複数の導電性配線が銅材料から構成されている、請求項１乃至４のいずれかに記載の装置。
6. 前記保護層がアルミナから構成されている、請求項１乃至５のいずれかに記載の装置。
7. 前記１組の第１の金属接触パッドが、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、またはニッケル（Ｎｉ）のうちの少なくとも１つを含む、請求項１乃至６のいずれかに記載の装置。
8. 前記１組の第１の金属接触パッドに結合される高温動作電子デバイスをさらに備える、請求項１乃至７のいずれかに記載の装置。
9. 前記高温動作温度電子デバイスが、セ氏２００度より高い温度で動作する、請求項８に記載の装置。
10. 前記高温動作温度電子デバイスが、窒素酸化物センサ、石油およびガスの掘削機器、デジタルセンシングデバイス、自動車、ジェットエンジン、またはタービンのうちの少なくとも１つを含む、請求項８に記載の装置。
11. 前記セラミック電子回路板および前記高温動作電子デバイスが、セ氏２００度より高い温度で動作するように構成されているプリント回路アセンブリ（ＰＣＡ）またはプリント回路板アセンブリ（ＰＣＢＡ）を規定する、請求項１０に記載の装置。
12. 基板を用意するステップ、
    前記基板の最上面にコーティング層を形成するために、１〜５体積％の銅（Ｃｕ）材料をアルミニウム（Ａｌ）材料とともに同時堆積させるステップと、
    前記基板に複数の導電性配線を形成するために前記銅（Ｃｕ）材料および前記アルミニウム（Ａｌ）材料の前記コーティング層をパターニングするステップと、
    前記複数の導電性配線の表面に接触して前記複数の導電性配線と電気的に導通する、アルミニウム材料よりも高温動作に耐える材料の複数の電気的接続をもたらすために前記複数の導電性配線の一部分をマスクするステップと、
    前記複数の導電性配線の前記表面への前記アルミニウム（Ａｌ）材料の移動をもたらすために前記複数の電気的接続が形成された前記複数の導電性配線をアニールするステップと、
    前記移動したアルミニウム（Ａｌ）材料を酸化し、前記残りの銅（Ｃｕ）材料の表面の選択された部分にアルミナ保護層を形成するために、前記複数の導電性配線を空気にさらすステップと、
    を含み、
    前記基板、前記複数の導電性配線、および前記複数の電気的接続が、セ氏２００〜１１３０度の温度で動作するように構成されているセラミック電子回路板を規定する、
    方法。
13. 前記基板、前記複数の導電性配線、および前記アルミナ保護層が、セ氏２００度より高い温度で動作するように構成されている、請求項１２に記載の方法。
14. 前記基板、前記複数の導電性配線、および前記アルミナ保護層が、セ氏２６０度より高い温度で動作するように構成されている、請求項１２に記載の方法。
15. 前記基板、前記複数の導電性配線、および前記アルミナ保護層が、セ氏３５０度より高
    い温度で動作するように構成されている、請求項１２に記載の方法。
16. 前記基板がセラミック材料から構成されている、請求項１２乃至１５のいずれかに記載の方法。
17. 前記基板の最上面にコーティング層を形成するために銅（Ｃｕ）材料およびアルミニウム（Ａｌ）材料を同時堆積させるステップが、前記銅（Ｃｕ）材料および前記アルミニウム（Ａｌ）材料を同時スパッタリングするステップを含む、請求項１２乃至１６のいずれかに記載の方法。
18. 前記銅（Ｃｕ）材料が、体積単位で１〜５％のアルミニウム（Ａｌ）材料でドープされる、請求項１２乃至１７のいずれかに記載の方法。
19. 前記複数の導電性配線の表面への前記アルミニウム（Ａｌ）材料の移動をもたらすために前記複数の導電性配線をアニールする前記ステップが、セ氏３００〜４００度の温度でアニールするステップを含む、請求項１２乃至１８のいずれかに記載の方法。
20. アセンブリを形成するために複数の電気的接続の少なくとも１つに高温動作温度電子デバイスを結合するステップと、
    セ氏２００度より高い温度で前記アセンブリを利用するステップと、
    をさらに含む、請求項１２乃至１９のいずれかに記載の方法。
21. 前記高温動作温度電子デバイスが、セ氏２００度より高い温度で動作する、請求項２０に記載の方法。
22. 前記アセンブリがプリント回路アセンブリ（ＰＣＡ）またはプリント回路板アセンブリ（ＰＣＢＡ）である、請求項２０に記載の方法。
23. セ氏２６０度より高い温度で前記アセンブリをさらに利用する、請求項２０に記載の方法。
24. セ氏３５０度より高い温度で前記アセンブリをさらに利用する、請求項２０に記載の方法。