FI88452C - Konstruktion foer att foerbaettra avkylning av en effekttransistor - Google Patents
Konstruktion foer att foerbaettra avkylning av en effekttransistor Download PDFInfo
- Publication number
- FI88452C FI88452C FI901582A FI901582A FI88452C FI 88452 C FI88452 C FI 88452C FI 901582 A FI901582 A FI 901582A FI 901582 A FI901582 A FI 901582A FI 88452 C FI88452 C FI 88452C
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- transistor
- circuit board
- collector
- cooling
- plate
- Prior art date
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims abstract 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 claims description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract 2
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 abstract 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000002991 molded plastic Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
- H05K1/0203—Cooling of mounted components
- H05K1/0209—External configuration of printed circuit board adapted for heat dissipation, e.g. lay-out of conductors, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3731—Ceramic materials or glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3738—Semiconductor materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/03—Constructional details, e.g. casings, housings
- H04B1/036—Cooling arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/06—Thermal details
- H05K2201/066—Heatsink mounted on the surface of the PCB
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
- H05K2201/09781—Dummy conductors, i.e. not used for normal transport of current; Dummy electrodes of components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10166—Transistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
1 88452
Rakenne tehotransistorin jäähdytyksen parantamiseksi -Konstruktion för att förbättra avkylning av en effekttran-sistor 5 Tämä keksintö koskee jäähdytysrakennetta sellaisen muoviko-teloisen tehotransistorin jäähdyttämiseksi, jossa syntyvä häviölämpö johdetaan pois pääosin kollektorijohtimen kautta, jolloin kollektorijohdin on liitetty piirilevyllä olevaan 10 kollektoriliuskaan.
Nykyisin käytetään RF-tehotransistoreina melko yleisesti muovikoteloisia transistoreja, jotka ovat rakenteeltaan sellaisia, että kollektori-, kanta- ja usein kahden emitte-15 rijohtimen, joilla itse puolijohdepala on liitettävissä ympäröivään kytkentään, päät ovat valetun muovikotelon sisällä. Kollektorijohdin on muita huomattavasti leveämpi lattamainen liuska ja itse puolijohdepala on tämän liuskan päällä. Transistoripalasta on kotelon sisässä kytkentäjohti-20 met kanta- ja emitterijohtimiin. Kollektorijohdin voi olla muutamia millimetrejä leveä ja toimii edellä esitetyn rakenteen vuoksi transistorissa syntyvän häviölämmön pääasiallisena siirtäjänä ympäristöön. Transistori voidaan liittää piirilevylle juottamalla edellä mainitut liitäntäjohtimet 25 suoraan piirilevyyn. Tällaisia transistoreja käytetään, kun kysymys on melko pienistä tehoista, jolloin häviöteho voi olla parin watin luokkaa.
Tällaisten transistorien jäähdytys perustuu luonnollisesti 30 siihen, että jäähdytetään sopivalla tavalla transistorin kollektorijohdinta. Helpoin, joskaan ei tehokkain tapa on juottaa transistorin kollektorijohdin suoraan piirilevyn kollektoriliuskaan, jolloin lämpö siirtyy kollektorista piirilevyn liuskaan ja sitä kautta edelleen piirilevyn 35 lävitse vastakkaisella puolella olevaan yhtenäiseen maatasona toimivaan metallifolioon, josta se siirtyy ilmaan. Tämä tapa ei ole erityisen tehokas siksi, että lämmönsiirtäjänä toimii myös itse piirilevyn eristemateriaali, joka valitaan 2 88452 ensisijassa sähköisiä ominaisuuksia silmälläpitäen, eikä lämmönsiirto-ominaisuuksiin kiinnitetä huomiota. Voitaisiin käyttää piirilevysubstraattina tietysti tavallisen lasikui-tu-epoksimateriaaalin sijasta sopivaa keraamista materiaa-5 lia, jolla on hyvät lämmönsiirto-ominaisuudet, mutta tällainen materiaali on kallista ja komponenttien kytkennässä tarvittavien erilaisten reikien tekeminen siihen on hankalaa sen kovuuden vuoksi.
10 Toinen tunnettu tapa on käyttää transistoreille erityistä piirilevyyn esim. ruuvein kiinnitettävää alustaa. Tämä alusta voi olla suuripinta-alainen, erityisellä tavalla muotoiltu metallilevy, jonka keskelle transistori asetetaan. Levyn pinnalle on sijoitettu sähköä eristävät, mutta lämpöä 15 hyvin johtavat keraamiset palat, joiden päältä kollektori-ja kantajohtimet viedään alustan materiaalia koskettamatta piirilevyn johdinliuskoihin. Yhteisemitterikytkennässä emit-teri voidaan liittää suoraan alustalevyyn. Transistorin kollektorijohtimesta lämpö siirtyy keraamisen palasen kautta 20 alustaan, joka suuripinta-alaisena siirtää lämpöä tehokkaasti ympäristöön sekä suoraan että johtamalla osan piirile-vysubstraatin läpi maatasona toimivaan metallifolioon. Tämä tunnettu tapa on kuitenkin käytännössä melko monimutkainen ja hankala toteuttaa.
25
Vielä eräs tapa parantaa jäähdytystä on esitetty suomalaisessa patenttihakemuksessa FI-890791, Nokia-Mobira Oy. Esitetyssä tavassa käytetään paksua metalliliuskaa, joka juotetaan piirilevyllä olevan kollektoriliuskan päälle, 30 johon liuskaan juotetaan myös transistorin kollektoriliitin. Liitin voi olla päittäisessä kosketuksessa paksuun metalli-liuskaan. Häviölämpö johtuu osittain suoraan metalliliuskas-ta ilmaan ja osittain piirilevyn lävitse vastakkaisen puolen maafolioon ja siitä edelleen ilmaan. Lämmönsiirtoa voidaan 35 tehostaa kiinnittämällä maatason pintaan erilaisia jäähdytystä tehostavia elementtejä. Tämä tapa on melko tehokas ja se on lisäksi yksinkertainen toteuttaa.
3 88452
Yleisesti voidaan todeta, että useissa käytännön RF-piiri-ratkaisuissa on edullista, että pääosa häviölämmöstä johtuu piirilevyn lävitse komponenttipuolelta maatason puolelle ja sieltä joko suoraan tai lisäelementtien tehostamana 5 ilmaan. Näin on asia etenkin silloin, kun laitteen mekaaninen rakenne on sellainen, että RF-piiriosa on komponentti-puolelta suojattu kokonaan RF-tiiviillä kannella ja suojana toisella puolella toimii yhtenäinen maafolio. Tällöin RF-suojakansi heikentää lämmönsiirtoa ilmaan, joten siirron 10 on tapahduttava pääosin pilrilevysubetraatin läpi. Tällaisissa tapauksissa ovat edellä kuvatut tunnetut lämmönsiirto-ratkaisut käyttökelpoisia. Kuitenkin on olemassa mekaanisia laiteratkaisuja, joissa on tarpeen saada mahdollisimman suuri osa pienitehoisen transistorin synnyttämästä häviöläm-15 möstä johtumaan ilmaan samalla puolella piirilevyä kuin jossa tämä komponenttikin on. Tällaiseen tarpeeseen antaa ratkaisun esitetyn keksinnön mukainen rakenne.
Keksinnön mukaiselle rakenteelle on tunnusomaista, että 20 piirilevylle on tiiviisti asetettu lämpöä hyvin johtava eristelevy, joka peittää koilektoriliuskan kokonaan osalta sen pituutta transistorin vieressä, ja että eristelevyyn on kiinnitetty jäähdytyslevy, johon transistorissa syntynyt lämpöteho johtuu.
25 Lämpöä johtavien eristelevyjen käyttö on yleistä pientaa-juisten tehotransistorien eristämisessä jäähdytyslevystä. Tällaisessa käytössä transistori on kiinnitetty ruuvilla metalliseen jäähdytyslevyyn ja levyn sekä transistorin 30 välissä on lämpöä johtava eristelevy. Eristemateriaalina on käytetty perinteisesti kiillelevyä, mutta levy voi olla myös silikonia, jossa on täyteaineena keramiikkaa, esimerkiksi alumlnaa. Molempien näiden materiaalien suurtaajuus-ominaisuuksia on taulukoitu oheiseen taulukkoon 1.
35 4 88452
Taulukko 1 6rtan6 (1 MHz) er/tanö (3 GHz) 5 alumina 8,8/0,0003 8,8/0,001 slllkonlkumlyhdlste 3,2/0,003 3,1/0,01 FR-4-substraatti 4,5/0,02 ruusukillle 5,4/0,0003 5,4/0,0003 10
Kummankin materiaalin suurtaajuusominaisuudet ovat hyviä, kuten taulukossa on esitetty, joten niitä voidaan käyttää keksinnön mukaisesti lämmön siirtämiseen tehotransistorin kollektoriliuskan ja jäähdytyslevyn välissä. Elastisuuden 15 ansiosta voidaan silikonipohjäisiä materiaaleja pitää käyt-tökelpoisimpina.
Keksintöä selostetaan tarkemmin viittaamalla oheisiin kuviin, joissa 20 kuva 1 esittää sivukuvantona muovikoteloisen RF-teho- transistorin jäähdytyksen parantamista keksinnön mukaisella rakenteella, ja kuva 2 esittää kuvan 1 rakennetta päältä katsottuna ilman J äähdytyslevyä.
25
Kuvissa on viitenumerolla 4 esitetty muovikoteloista teho-transistoria, jossa syntyvät lämpöhäviöt johdetaan pois leveän kollektorijohtimen välityksellä. Transistori on kiinnitetty juottamalla se liitinjohtimistaan 5, 6, 10 ja 30 11 piirilevyllä oleviin liuskoihin. Kantajohdin 5 on liitet ty liuskaan 7 ja kollektorijohto 6 liuskaan 3. Emitterijohti mien 10, 11 liitäntää ei ole esitetty. Radiotaajuusso-velluksissa on piirilevyn vastakkaisella pinnalla maatasona toimiva metallifolio 2. Keksinnön mukaisesti asetetaan 35 kollektoriliuskan 3 päälle pinta-alaltaan ja paksuudeltaan määrätyn suuruinen eristelevy 8, Joka on hyvin lämpöä johtava. Levy peittää kollektoriliuskan kokonaan tietyllä matkalla. Kiinnitys voidaan suorittaa esim. liimaamalla. Tämän 5 88452 erlstelevyn piirilevystä poispäin olevaan pintaan kiinnitetään sopivalla tavalla jäähdytyslevy 9, jonka pinta-ala ja paksuus voidaan laskea tunnetuista lämmönsiirtokaavoista. Lämpöä johtavan levyn 8 käyttö kollektoriliuskan 3 ja maa-5 doitetun jäähdytyslevyn 9 välillä pienentää liuskan 3 impedanssia, mutta tämä voidaan ottaa huomioon jo suunnitteluvaiheessa kaventamalla kollektoriliuskaa 3 sopivasti. Kun jäähdytyslevy 9 on maadoitettu ja lämpöä johtavan eristele-vyn 8 dielektrisyysvakio 6r on likimain sama kuin piirile-10 vyn substraatin 1 dielektrisyysvakio, muodostaa kollektori-liuska 3 stripline-siirtojohdon, jonka mitoittaminen on suhteellisen yksinkertaista.
Käytännön esimerkkinä voidaan mainita, että taulukon 1 15 materiaalien terminen resistanssi on esimerkiksi 0,25 mm paksulle levylle luokkaa 2 K cm2/W. Jos lämpötilahävlöksi materiaalipaksuuden yli sallitaan esim. 10 K ja siirrettävä teho on 1 W, olisi tarvittava erlstelevyn 8 pinta-ala 0,2 cm^. jos levyn paksuutta kasvatetaan 1 mm:iin, kasvaa 20 tarvittava levyn 8 pinta-ala vastaavasti 0,8 cm2:iin.
Edellä esitetty kuviin liittyvä selitys ei mitenkään rajoita keksintöä, vaan suojapiirin hengessä toteutus voi vaihdella suuresti. Lämpöä johtavana materiaalina voidaan käyttää 25 mitä tahansa sopivaa materiaalia, jonka dielektrisyysvakio on kyllin suuri ja suurtaajuusominaisuudet sekä lämmönsiirto-ominaisuudet hyvät. Lämpöä johtava materiaalilevy voidaan asettaa kollektoriliuskan 3 ja myös osittain transistorin muovikotelon päälle, jolloin myös kotelon läpi tuleva lämpö-30 teho saadaan tehokkaammin siirrettyä pois. Mikään ei estä myöskään käyttämästä maatasona toimivaan folioon 2 kiinnitettyä ylimääräistä jäähdytyslevyä, jos rakenne niin vaatii.
Claims (5)
1. Rakenne sellaisen muovikoteloisen tehotransistorin (4) jäähdyttämiseksi, jossa syntyvä häviölämpö johdetaan pois 5 pääosin kollektorijohtimen (6) kautta, jolloin transistorin ollessa kytkettynä piirilevylle (1) sen koilektorijohdin (6) on liitetty piirilevyllä (1) olevaan kollektoriliuskaan (3), tunnettu siitä, että piirilevylle (1) on tiiviisti asetettu lämpöä hyvin johtava eristelevy (8), joka peittää 10 kollektoriliuskan (3) kokonaan osalta sen pituutta transistorin (4) vieressä, ja että eristelevyyn (8) on kiinnitetty jäähdytyslevy (9), johon transistorissa (4) syntynyt lämpöteho johtuu.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen rakenne, tunnettu siitä, että eristelevy (8) peittää osittain tai kokonaan myös transistorin (4).
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen rakenne, tunnettu siitä, 20 että eristelevyn (8) materiaali on kiillettä.
4. Patenttivaatimuksen 1 mukainen rakenne, tunnettu siitä, että eristelevyn (8) materiaali on silikonia, jossa on täyteaineena keramiikkaa, esim. aluminaa. 25
5. Patenttivaatimuksen 1 mukainen rakenne, tunnettu siitä, että jäähdytyslevy (9) on erillinen metallilevy tai jäähdy-tyslevynä (9) toimii laitteen metallinen runko. 7 88452
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI901582A FI88452C (fi) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | Konstruktion foer att foerbaettra avkylning av en effekttransistor |
| US07/662,760 US5164884A (en) | 1990-03-29 | 1991-02-28 | Device for cooling a power transistor |
| EP91301800A EP0449435B1 (en) | 1990-03-29 | 1991-03-05 | Construction for cooling of a RF power transistor |
| AT91301800T ATE131958T1 (de) | 1990-03-29 | 1991-03-05 | Aufbau zur kühlung eines rf-leistungstransistors |
| DE69115536T DE69115536T2 (de) | 1990-03-29 | 1991-03-05 | Aufbau zur Kühlung eines RF-Leistungstransistors |
| JP3064285A JPH04225264A (ja) | 1990-03-29 | 1991-03-28 | パワートランジスタの冷却構造 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI901582 | 1990-03-29 | ||
| FI901582A FI88452C (fi) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | Konstruktion foer att foerbaettra avkylning av en effekttransistor |
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI901582A0 FI901582A0 (fi) | 1990-03-29 |
| FI901582A FI901582A (fi) | 1991-09-30 |
| FI88452B FI88452B (fi) | 1993-01-29 |
| FI88452C true FI88452C (fi) | 1993-05-10 |
Family
ID=8530154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI901582A FI88452C (fi) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | Konstruktion foer att foerbaettra avkylning av en effekttransistor |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5164884A (fi) |
| EP (1) | EP0449435B1 (fi) |
| JP (1) | JPH04225264A (fi) |
| AT (1) | ATE131958T1 (fi) |
| DE (1) | DE69115536T2 (fi) |
| FI (1) | FI88452C (fi) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5453293A (en) * | 1991-07-17 | 1995-09-26 | Beane; Alan F. | Methods of manufacturing coated particles having desired values of intrinsic properties and methods of applying the coated particles to objects |
| US5614320A (en) * | 1991-07-17 | 1997-03-25 | Beane; Alan F. | Particles having engineered properties |
| DE4217289C2 (de) * | 1992-05-25 | 1996-08-29 | Mannesmann Ag | Fluidgekühlte Leistungstransistoranordnung |
| DE4234022C2 (de) * | 1992-10-09 | 1995-05-24 | Telefunken Microelectron | Schichtschaltung mit mindestens einem Leistungswiderstand |
| DE9312006U1 (de) * | 1993-08-11 | 1993-09-23 | Siemens Ag | Kondensatoranordnung fuer hochleistungs- und hochfrequenzanwendungen |
| GB2296145B (en) * | 1994-12-15 | 1999-09-22 | Nokia Mobile Phones Ltd | Radio transmitters and methods of operation |
| JP3786446B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2006-06-14 | 松下電器産業株式会社 | 送風装置 |
| FI98014C (fi) * | 1995-06-30 | 1997-03-25 | Nokia Mobile Phones Ltd | Kuutiointipiiri signaalin esisäröyttämiseksi |
| US5786745A (en) * | 1996-02-06 | 1998-07-28 | Motorola, Inc. | Electronic package and method |
| ES2123435B1 (es) * | 1996-10-29 | 1999-09-16 | Mecanismos Aux Ind | Sistema de disipacion termica en circuito impreso de 800 micras. |
| GB9811382D0 (en) | 1998-05-27 | 1998-07-22 | Nokia Mobile Phones Ltd | A transmitter |
| GB9811381D0 (en) | 1998-05-27 | 1998-07-22 | Nokia Mobile Phones Ltd | Predistortion control for power reduction |
| GB2339113B (en) | 1998-06-30 | 2003-05-21 | Nokia Mobile Phones Ltd | Data transmission in tdma system |
| US6175500B1 (en) * | 1998-09-22 | 2001-01-16 | Lucent Technologies Inc. | Surface mount thermal connections |
| US6377462B1 (en) * | 2001-01-09 | 2002-04-23 | Deere & Company | Circuit board assembly with heat sinking |
| US7129640B2 (en) * | 2003-06-03 | 2006-10-31 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Integrated circuit device for driving a laser diode with reduced heat transfer and method for fabricating the device |
| EP2276329A1 (en) * | 2009-07-16 | 2011-01-19 | ABB Research Ltd. | Electronic circuit board with a thermal capacitor |
| US8383946B2 (en) * | 2010-05-18 | 2013-02-26 | Joinset, Co., Ltd. | Heat sink |
| CN102446873A (zh) * | 2010-10-07 | 2012-05-09 | 卓英社有限公司 | 散热器 |
| US9113583B2 (en) * | 2012-07-31 | 2015-08-18 | General Electric Company | Electronic circuit board, assembly and a related method thereof |
| US9687290B2 (en) | 2012-10-02 | 2017-06-27 | Covidien Lp | Energy-based medical devices |
| FR3080501B1 (fr) * | 2018-04-23 | 2021-10-08 | Valeo Systemes Thermiques | Groupe moto-ventilateur pour vehicule automobile comprenant une carte electronique de commande d’un moteur electrique |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3517272A (en) * | 1968-12-24 | 1970-06-23 | Rca Corp | Microwave circuit with coaxial package semiconductor device |
| US3859570A (en) * | 1973-02-20 | 1975-01-07 | Bose Corp | Power transistor mounting |
| DE2918845A1 (de) * | 1979-05-10 | 1980-11-20 | Licentia Gmbh | Verfahren zum anschrauben eines halbleiter-bauteils an ein kuehlblech und schrauber fuer das verfahren |
| JPS56105668A (en) * | 1980-01-28 | 1981-08-22 | Hitachi Ltd | Thick film hybrid ic |
| JPS5753947A (en) * | 1980-09-17 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Transistor and electronic device containing it |
| DE3342923A1 (de) * | 1983-11-26 | 1985-06-05 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Befestigungsanordnung |
| US4935581A (en) * | 1986-04-17 | 1990-06-19 | Citizen Watch Co., Ltd. | Pin grid array package |
| CA1307355C (en) * | 1988-05-26 | 1992-09-08 | David C. Degree | Soft-faced semiconductor component backing |
| FI85783C (fi) * | 1989-02-17 | 1992-05-25 | Nokia Mobira Oy | Kylningskonstruktion foer transistor. |
| US5021925A (en) * | 1990-03-20 | 1991-06-04 | Nuarms, Inc. | Electrical isolator device |
-
1990
- 1990-03-29 FI FI901582A patent/FI88452C/fi not_active IP Right Cessation
-
1991
- 1991-02-28 US US07/662,760 patent/US5164884A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-05 DE DE69115536T patent/DE69115536T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-03-05 EP EP91301800A patent/EP0449435B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-05 AT AT91301800T patent/ATE131958T1/de not_active IP Right Cessation
- 1991-03-28 JP JP3064285A patent/JPH04225264A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE131958T1 (de) | 1996-01-15 |
| JPH04225264A (ja) | 1992-08-14 |
| FI901582A0 (fi) | 1990-03-29 |
| EP0449435A2 (en) | 1991-10-02 |
| DE69115536D1 (de) | 1996-02-01 |
| FI901582A (fi) | 1991-09-30 |
| US5164884A (en) | 1992-11-17 |
| FI88452B (fi) | 1993-01-29 |
| EP0449435A3 (en) | 1993-01-20 |
| DE69115536T2 (de) | 1996-06-05 |
| EP0449435B1 (en) | 1995-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI88452C (fi) | Konstruktion foer att foerbaettra avkylning av en effekttransistor | |
| US20040037044A1 (en) | Heat sink for surface mounted power devices | |
| US6984887B2 (en) | Heatsink arrangement for semiconductor device | |
| WO2016031807A1 (ja) | 高周波モジュール | |
| EP1351301A3 (en) | Semiconductor built-in millimeter-wave band module | |
| SK287825B6 (sk) | An electronic device | |
| EP0384301B1 (en) | Cooling arrangement for a transistor | |
| US6097603A (en) | Heat sink for direct attachment to surface mount electronic device packages | |
| WO2007105368A1 (ja) | 半導体パッケージの実装装置 | |
| US5459348A (en) | Heat sink and electromagnetic interference shield assembly | |
| US7983046B1 (en) | Electronic control module and enclosed power module | |
| KR100419428B1 (ko) | 고전력마이크로파하이브리드집적회로 | |
| KR20050073571A (ko) | 집적 회로 장치, 전자 회로 지지 기판 및 집적 회로와 히트싱크의 열적 접속 방법 | |
| JP4165045B2 (ja) | 電子機器 | |
| JP2003017879A (ja) | 放熱装置 | |
| JPH07147467A (ja) | 電子部品の放熱方法 | |
| JP4770518B2 (ja) | 高出力増幅器 | |
| WO2003019997A1 (en) | Improved heat sink for surface mounted power devices | |
| RU15445U1 (ru) | Устройство для охлаждения мощного транзистора | |
| US9431317B2 (en) | Power doubler amplifier module with improved solder coverage between a heat sink and a thermal pad of a circuit package | |
| JP3858311B2 (ja) | プリント配線板の放熱構造 | |
| JP2970530B2 (ja) | 高出力電力増幅器 | |
| JP2016503969A (ja) | チップパッケージアッセンブリ | |
| JPS61285828A (ja) | 携帯用無線機 | |
| US20100013559A1 (en) | High frequency amplifying device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| BB | Publication of examined application | ||
| MM | Patent lapsed |
Owner name: NOKIA MATKAPUHELIMET OY |