JP2016503969A - チップパッケージアッセンブリ - Google Patents

チップパッケージアッセンブリ Download PDF

Info

Publication number
JP2016503969A
JP2016503969A JP2015553676A JP2015553676A JP2016503969A JP 2016503969 A JP2016503969 A JP 2016503969A JP 2015553676 A JP2015553676 A JP 2015553676A JP 2015553676 A JP2015553676 A JP 2015553676A JP 2016503969 A JP2016503969 A JP 2016503969A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
package assembly
flange
substrate
chip package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015553676A
Other languages
English (en)
Inventor
ヴァレリエヴィチ イヴァノフ エフゲニー
ヴァレリエヴィチ イヴァノフ エフゲニー
アレクサンドロヴィチ クラスノフ アンドレイ
アレクサンドロヴィチ クラスノフ アンドレイ
ボリソヴィチ シャルコフ ゲオルギー
ボリソヴィチ シャルコフ ゲオルギー
ウラジーミロヴナ ティホミロヴァ ナデージダ
ウラジーミロヴナ ティホミロヴァ ナデージダ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens OOO
Original Assignee
Siemens Research Center LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Research Center LLC filed Critical Siemens Research Center LLC
Publication of JP2016503969A publication Critical patent/JP2016503969A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/047Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being parallel to the base
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736Metallic materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838Geometry or layout
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49131Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by utilizing optical sighting device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

本発明は、少なくとも1つの半導体チップ(2)を取り付け、取り外すチップパッケージアッセンブリ(1)及びその使用法に関し、該チップパッケージアッセンブリ(1)は、フランジ(3)と基板(4)とを有し、前記少なくとも1つのチップ(2)と前記基板(4)とは、前記フランジ(3)の1つの面に配置されている。前記フランジ(3)は導電性かつ熱伝導性の材料から成っている。

Description

本発明は、少なくとも1つの半導体チップを取り付けるチップパッケージアッセンブリ及びその使用であって、フランジと基板とを有し、前記少なくとも1つのチップと前記基板とは、前記フランジの1つの面に配置されている、チップパッケージアッセンブリ及びその使用に関する。
本発明は、例えば垂直接合電界効果トランジスタ(VJFET)を含む半導体チップを取り付け、封止するために使用することができるチップパッケージアッセンブリを説明している。特に高出力RF半導体デバイスは、VJFET構造により構成することができる。チップパッケージは例えば、米国特許第6318622号明細書、米国特許第6967400号明細書、米国特許第6465883号明細書、米国特許第7256494号明細書により公知である。
米国特許第6318622号明細書には、付加的な基板に取り付けられる高出力チップのアッセンブリが記載されている。半導体チップは、ボンディングワイヤによって主基板に電気的に接続されている。リボンコネクタは、外部の電気的接続部用に使用される。アッセンブリの内部構造を保護するために付加的なキャップが使用される。米国特許第6967400号明細書には、基板、チップ、接着手段、カバー及びスペーサを含むICチップパッケージが記載されている。基板の端面においてビアが、外部の電気的接続のために使用されていて、ボンディングワイヤはビアを貫通して通されている。これにより、半導体チップを電気的にパッケージの外側に良好に接続することができるようになる。
上述したアッセンブリからは2つの大きな問題が生じている。複数の基板を一緒に接続する問題と、熱伝達の問題である。高出力デバイスでは使用中、莫大な量の熱が実際に発生する。このような熱は、デバイスの臨界温度を超過しないように、また最悪のケースでは臨界温度を超過した温度によってデバイスが破壊されることがないように、周囲に伝達する必要がある。例えば外部の冷却ブロックを使用することにより熱伝達を改善するといった可能性は記載されていない。
米国特許第6465883号明細書には、高周波数用の高出力トランジスタチップが、導電性かつ伝熱性フランジにその背面で連結されていることが記載されている。米国特許第7256494号明細書に記載されたチップパッケージは、チップの背面にヒートスプレッダを有している。フランジ又はヒートスプレッダの上面に取り付けられた基板に電気的に接続される、トランジスタのゲート及びドレイン用の電気的なコネクタがある。上述のアッセンブリは良好な熱特性を示しているが、グランドからのフランジ又はヒートスプレッダの電気的絶縁が必要とされる用途のためにだけ限定的に使用することができる。この電気的絶縁は、例えばチップの底面に位置するドレインコネクタを有したVJFETチップの使用に伴い必要とされる。
本発明の課題は、特に、チップの底面にトランジスタのドレインコンタクト接続部を有したチップのための、高い効率で半導体チップから熱を除去するチップパッケージアッセンブリを提供することである。チップの底面とは、例えばソースコンタクトや外部のデバイスへのチップの電気的接続部のような別の電気的コンタクトを備えた面とは反対の面である。底面とは、チップが取り付け構造上に配置される面である。本発明のさらなる課題は、チップパッケージアッセンブリを提供し、チップをこのアッセンブリに取り付け、かつこのアッセンブリから取り外すことのできる使用法を提供することである。半導体チップがエラーを示した場合、このチップを除去し、かつ/又は適切に作動するものと交換することが容易であるべきである。
上記課題は、請求項1に記載のチップパッケージアッセンブリ及び請求項15に記載の使用法により解決される。
本発明による、少なくとも1つの半導体チップを取り付けるチップパッケージアッセンブリは、フランジと基板とを有し、前記少なくとも1つのチップと前記基板とは、前記フランジの1つの面に配置されている。この場合、フランジは前述の取り付け構造である。フランジは導電性かつ熱伝導性の材料から成っている。これは、この材料は、絶縁体のような別の材料と比較して低い電気抵抗及び熱抵抗を有していることを意味している。
本発明によるチップパッケージアッセンブリの利点は、フランジによる、少なくとも1つの半導体チップからの熱除去の効率の高さにある。このチップは、チップの底面にトランジスタのドレインコンタクト接続部を有することができ、この面にはさらにフランジを熱的に連結することができる。このアッセンブリは使用し易く、組み立てやすく、パーツ数が少なく、低コストで、高周波数用途に使用できる。
フランジの導電性・伝熱性材料は、金属、特に熱伝導率の高い金属、特に銅を有することができる、又は金属、特に熱伝導率の高い金属、特に銅から成っていて良い。銅製のフランジは、高い熱伝導率を示し、例えばチップの高出力用途において生じる熱をチップから良好に伝達することができる。使用中もチップを冷却し、臨界温度以下に維持することにより、チップの損傷及びエラーは阻止される。
基板は高周波数において低損失の材料を含むことができる。基板は例えば、プリント配線板(PCB)材料から形成することができる。この材料は、高周波数用途において多くの信号を吸収しない。即ち、高い周波数を有する放射はこの材料を損失なく又は殆ど損失なく通過することができる。PCB材料は安価であり、扱いやすく、機械的に安定していて、電気的コンタクトのような別の電子的又は電気的構成部分をその上に容易に配置することができる。
少なくとも1つのチップは、その底面に、トランジスタのドレインコンタクト接続部を有している。底面とはフランジに面した側であり、特に少なくとも1つのチップのその他の電気的コンタクトを有した面とは反対側である。本発明によるチップパッケージアッセンブリによれば、底面にトランジスタのドレインコンタクト接続部を有したチップを、同じ面においてフランジもしくは冷却装置に取り付けることもできる。
少なくとも1つのチップ及び/又は基板を、はんだ、共晶合金、導電接着剤、及び/又は焼結ペーストを使用して、フランジの1つの面に取り付けることができる。これにより、少なくとも1つのチップ及び/又は基板をフランジに簡単かつ安価に配置することができる。
少なくとも1つのチップのコネクタ、特にフランジに面した側とは反対の前記少なくとも1つのチップの面にあるコネクタは、ボンディング、特にワイヤ及び/又はリボン線によるボンディングによって基板に接続することができる。これにより、少なくとも1つのチップと基板との間の簡単かつ良好な電気的な接続が得られる。
チップパッケージアッセンブリは、高周波数要求用の電気的なアウトレットを有していて良く、該電気的なアウトレットは、外部機器、特に増幅器プリント回路基板に接続可能である。これにより、チップパッケージアッセンブリを高周波数用途で使用しやすくなる。
基板は、電気的にコンタクトするための、特に前記少なくとも1つのチップと電気的にコンタクトした状態で、少なくとも1つの外部機器と電気的にコンタクトするための、端面金属被覆部分を有していて良い。端面金属被覆部分は、基板の側面に配置されていて、かつ/又は、前記少なくとも1つの外部機器に接続するためにはんだ付けにより形成されていて良い。電気的コンタクトのための基板の金属被覆部分の端面を側面に配置し、はんだ付けすることにより、外部機器をコンタクトに電気的に接続するのが容易になる。このような配置により、チップを外部機器に電気的に接続するのが容易になる。端面金属被覆部分は電気的な接続のためにアクセスしやすい。
チップパッケージアッセンブリは、少なくとも1つのチップのコネクタとフランジとの間に電気絶縁体を有していて良い。これにより、特に銅製のフランジのように、熱伝導率の良いフランジに関して、チップコンタクトのフランジを超えて生じる短絡が阻止される。
チップパッケージアッセンブリは少なくとも1つの冷却装置、特に冷却ブロックを有することができる。その他の能動的な又は受動的な冷却装置を、チップパッケージアッセンブリのフランジに伝熱的に接続することができる。例えば、水冷回路又は空気ファンを有した装置を使用することができる。これにより、大量の廃熱を伴う高出力用途であっても少なくとも1つのチップを良好に冷却することができる。チップパッケージアッセンブリは、少なくとも1つのチップと基板とを備えたフランジを冷却装置に取り付ける手段を有していても良い。この手段は例えばねじであって良い。
少なくとも1つのチップのコネクタと冷却装置との間に電気絶縁体を配置することができる。これにより、コネクタ間の及び/又は冷却装置を介した短絡を阻止することができる。
チップパッケージアッセンブリは、フランジと冷却装置との間に、特にプレート状の誘電基板を有することができる。この誘電基板は、少なくとも1つのチップと基板が配置されているフランジの1つの面とは反対の、フランジの面に電気的な絶縁のために配置することができる。
チップパッケージアッセンブリはさらに、少なくとも1つのチップとコネクタとを保護する封止体を有していて良い。この封止体は取り外し可能であって良い。これにより、例えば使用されたチップがエラー機能を有した場合に、アッセンブリからチップを簡単に交換することができる。
チップパッケージアッセンブリは、少なくとも1つのチップと、基板と、フランジとを冷却装置に取り付けるために誘電スリーブを貫通するねじを有していて良い。これにより、ねじに起因する電気的短絡なしに、チップパッケージアッセンブリを容易、迅速、かつ確実に組み立てることができる。
本発明によるチップパッケージアッセンブリを使用する方法は、特に少なくとも1つのチップを基板から取り外すためのチップパッケージの取り外しを含む。これは、チップパッケージアッセンブリ自体について前述したようにパーツを配置することによっても可能である。これにより、特に少なくとも1つのチップがエラーを示した場合に、これを他の正常に作動するチップと交換することができる。
説明した本発明によるチップパッケージアッセンブリを使用する方法に関連する利点は、チップパッケージアッセンブリに関連して上述した利点と同様のものである。以下に、本発明をさらに、添付の図面に示された実施態様を参照して説明する。
本発明による少なくとも1つの半導体チップ2を取り付けるチップパッケージアッセンブリ1の実施態様を示した図である。 図1のチップパッケージアッセンブリ1を冷却装置(図示せず)に取り付ける手段を示した図である。
図1には、少なくとも1つの半導体チップ2を取り付けるための、本発明によるチップパッケージアッセンブリ1の実施態様が示されている。このチップパッケージアッセンブリ1は、半導体チップ2、特に、チップの上面2aに例えばゲート及びソースのためのトランジスタ接続部を有し、チップの底面2bにドレイン接続部を有した半導体チップ2を有している。チップパッケージアッセンブリ1はさらにフランジ3を有しており、このフランジ3の1つの面上にチップ2と基板4とが配置されている。このフランジ3は冷却装置として働き、良好な熱伝導率を有している。
チップ2は使用中に廃熱を出す。高出力用途では、廃熱はチップ2の温度を上昇させ、チップ2を損傷する恐れがある。従って、廃熱を除去し、環境へと伝達し、チップ2を冷却し、かつ/又はチップの温度を臨界温度以下に維持しなければならない。臨界温度以上では、チップ2の電子デバイスはエラーを示し、かつ/又は損傷される恐れがある。チップ2と良好に伝熱接触しているフランジ3は、チップ2の廃熱を吸収し、この廃熱を直接環境へと、又は付加的な冷却装置(簡略化のために図示せず)へと伝達する。フランジ3を形成する、又はフランジ3が有する適当な材料は、熱伝導率が高い金属、例えば銅である。
チップ2とフランジ3との間の良好な機械的かつ熱的接続のために、チップ2を取り付ける材料5は、はんだ、共晶合金、導電接着剤、及び/又は焼結ペーストである。これらの材料を使用して、チップ2及び/又は基板4を、フランジ3の1つの同じ面上に取り付けることができる。チップ2とフランジ3との間に電気絶縁体9を配置することができる。電気絶縁体9は、プレート上の絶縁材料から形成することができる。この電気絶縁体9は、少なくとも1つのチップ2の電気コネクタ間の短絡、及びチップ2とフランジ3との間の電気的な接続を阻止する。
基板4はフランジ3に、チップ2と同じ面で配置されていて、チップ2を配置することができる穴を有することができる。基板4上の電気アウトレット7はチップ2を電気的に接続するために使用される。チップ2と基板4とを電気的に接続する1つの方法はボンディング、例えばワイヤ及び/又はリボン線6によるボンディングである。電気アウトレット7は、基板の端面金属被覆部分8まで延在することができる。この部分8は基板4の側面に配置されていて、はんだ付けすることができる。基板の端面金属被覆部分8は、例えばこの部分8にはんだ付けされたワイヤによって、外部のデバイスと電気接続するのに適している。基板の端面金属被覆部分8と、チップ2の接続部に接続するために例えばワイヤ及び/又はリボン線6によってボンディングされた電気アウトレット7とを介して、チップ2を外部のデバイス(簡略化のために図示せず)に電気的に接続することができる。
接点接続部とボンディングされたワイヤ及び/又はリボン線6とを備えたチップ2の上面には、チップ2と接続部とを機械的かつ電気的に保護するために封止体13を配置することができる。封止体13又はカバーは、導電性ではないポリマから形成することができる。封止体13は、必要な場合にチップ2を交換することができるようにアッセンブリ1から取り外し可能に配置され、接続されていて良い。
図2に示されたように、チップパッケージアッセンブリ1は、このチップパッケージアッセンブリ1を付加的な冷却装置(簡略化のために図示せず)に取り付けるための手段10,11を有することができる。冷却装置は例えば、フィン構造を備えたプレート又は水冷式の熱交換機であって良い。可能な取り付け用手段はねじ10であって、このねじは冷却装置にねじ込むことができ、そのねじ頭で基板4とフランジ3とは互いに、かつ付加的な冷却装置に対して押し付けられ、又は締め付けられる。誘電基板11をフランジ3と冷却装置との間に配置することができ、これによりフランジ3は冷却装置から電気的に絶縁されている。電流がフランジ3において誘導されるならば、高周波数用途においては絶縁が必要となり得る。絶縁により、誘導電流による誘導損失は減じられる。基板4と、フランジ3と、絶縁体12と、冷却装置とをサンドイッチ構造で配置することができ、このような構造は、クランプ10により互いに押し付けられて位置固定される。
誘電スリーブ11はフランジ3からねじ10を電気的に絶縁するために使用することができる。スリーブ11は、ワッシャヘッドを備えたカップ状の形を有していて良い。チップパッケージアッセンブリ1は手段11,12によってサンドイッチ状の形で互いに締め付けられて、冷却装置へと機械的に安定的に固定され、又は取り付けられる。
フランジ3、外部の冷却装置、ねじのような導電性の部分を互いに絶縁することにより、アッセンブリ1のパフォーマンスを向上させることができ、高周波数用途において使用できるようになる。
上述した本発明自体の実施態様の特徴と先行技術により公知の実施態様の特徴とは組み合わせることができる。上述したアッセンブリ1の部材の様々な材料及び形状も可能である。例えばフランジ3を銅の代わりに鋼又は別の材料、特に金属により形成することができる。アッセンブリ1を固定する手段10,11のために凹部を有した、基板4及びフランジ3のH型の形状は、例えば8の形を有していても良い。アッセンブリ1をまとめてクランプするために、外部の冷却装置の代わりに、ねじ10と関連してナットを使用しても良い。
チップパッケージアッセンブリ1を使用する方法は、チップ2をフランジ3に、例えばはんだ、共晶合金、導電接着剤、及び/又は焼結ペースト5を用いて取り付けることを含んでいる。チップ2とフランジ3との間に電気絶縁体9を配置することができる。チップ2の周りに、フランジ3の同じ面で基板4が、例えばやはりはんだ、共晶合金、導電接着剤、及び/又は焼結ペースト5を用いて配置されている。チップ2と、基板4の電気アウトレット7とは、例えばボンディングワイヤ及び/又はリボン線6によるボンディングによって互いに電気的に接続されている。電気アウトレット7は基板4の側面まで延在することができ、この側面は、増幅器のような外部の電気デバイスと良好に電気接触するためにはんだ付けすることができる。チップ2をフランジ3上に配置し、基板4上に直接配置しないことにより、チップ2とフランジ3との間の熱伝達は良好になる。
封止体13はチップ2の上面と、基板4のアウトレット7へと通じている電気的な接続体6の上とに配置することができる。封止体13は、取り外し可能なキャップの形であって良い。選択的にチップ2を注型コンパウンド内に封入することができる。このコンパウンドは、半導体チップを封止するために半導体工業で使用される通常のポリマであって良い。
手段10,11によってクランプすることができる、又は基板4に接着することができる、取り外し可能な封止体13を使用することにより、チップ2の交換が簡単になる。チップパッケージアッセンブリ1は取り外し可能で、特に少なくとも1つのチップ2を基板4から取り外すことができる。例えば、取り付けられたチップ2が使用中にエラー機能を示した場合、このチップ2を別の正常に作動するチップと交換することができる。封止体13を取り外した後に、ボンディング材料6を除去し、チップ2をフランジ3から剥がし、新しいチップ2をフランジ3上に配置し、例えばはんだ、共晶合金、導電接着剤、及び/又は焼結ペースト5を用いて位置固定する。チップ2の接続部と基板4上の電気アウトレット7とは互いに電気的にボンディングされる。そして、封止体13を、図1及び図2に示したように、アッセンブリ1に、例えばチップ2の上面に取り付ける。
その他の付加的なステップが可能である。例えば、接着剤又ははんだ、共晶合金、導電接着剤、及び/又は焼結ペーストを除去するために、部材のクリーニングステップを行うことができる。本発明による方法のステップは、別の時間的順序で行われても良い。先行技術により公知のステップもまた、上述した本発明による方法のステップとは選択的に又はこれに付加的に行うことができる。
1 チップパッケージアッセンブリ
2 半導体チップ
2a チップの上面
2b チップの底面
3 フランジ
4 基板
5 チップを取り付ける材料
6 ボンディング材料
7 電気アウトレット
8 基板の端面金属被覆部分
9 少なくとも1つのチップのコネクタとフランジとの間の電気絶縁体
10 少なくとも1つのチップと基板とを備えたフランジを冷却装置に取り付ける手段、特にねじ
11 少なくとも1つのチップと基板とを備えたフランジを冷却装置に取り付ける手段、特に誘電スリーブ
12 フランジと冷却装置との間の誘電基板
13 封止体

Claims (15)

  1. 少なくとも1つの半導体チップ(2)を取り付けるチップパッケージアッセンブリ(1)であって、フランジ(3)と基板(4)とを有し、前記少なくとも1つのチップ(2)と前記基板(4)とは、前記フランジ(3)の1つの面に配置されているチップパッケージアッセンブリ(1)において、
    前記フランジ(3)は導電性かつ熱伝導性の材料から成っていることを特徴とする、チップパッケージアッセンブリ。
  2. 前記フランジ(3)の前記材料は、金属、特に熱伝導率の高い金属、特に銅を含む、又は金属、特に熱伝導率の高い金属、特に銅である、請求項1記載のチップパッケージアッセンブリ。
  3. 前記基板(4)は高周波数において低損失の材料を含み、特に前記基板(4)はプリント配線板材料から成っている、請求項1又は2記載のチップパッケージアッセンブリ。
  4. 前記少なくとも1つのチップ(2)は、その底面(2b)にトランジスタのドレインコンタクト接続部を有していて、前記底面(2b)は前記フランジ(3)に面した側であって、特に、前記少なくとも1つのチップ(2)の別の電気的コンタクトを備えた面(2a)とは反対側である、請求項1から3までのいずれか1項記載のチップパッケージアッセンブリ。
  5. 前記少なくとも1つのチップ(2)及び/又は前記基板(4)は、はんだ、共晶合金、導電接着剤、及び/又は焼結ペースト(5)を使用して、前記フランジ(3)の前記1つの面に取り付けられている、請求項1から4までのいずれか1項記載のチップパッケージアッセンブリ。
  6. 前記少なくとも1つのチップ(2)のコネクタ、特に前記フランジ(3)に面した側とは反対の側にある前記少なくとも1つのチップ(2)のコネクタは、ボンディング、特にワイヤ及び/又はリボン線(6)によるボンディングによって前記基板(4)に接続されている、請求項1から5までのいずれか1項記載のチップパッケージアッセンブリ。
  7. 高周波数要求用の電気アウトレット(7)を有していて、該電気アウトレット(7)は、外部機器、特に増幅器プリント基板に接続可能である、請求項1から6までのいずれか1項記載のチップパッケージアッセンブリ。
  8. 前記基板(4)は、電気的にコンタクトする、特に前記少なくとも1つのチップ(2)と電気的にコンタクトした状態で、少なくとも1つの外部機器と電気的にコンタクトする、端面金属被覆部分(8)を有している、請求項1から7までのいずれか1項記載のチップパッケージアッセンブリ。
  9. 前記端面金属被覆部分(8)は、前記基板(4)の側面に配置されていて、かつ/又は、前記少なくとも1つの外部機器に接続するようにはんだ付けされている、請求項8記載のチップパッケージアッセンブリ。
  10. 前記少なくとも1つのチップ(2)の前記コネクタと前記フランジ(3)との間に電気絶縁体(9)を有している、請求項1から9までのいずれか1項記載のチップパッケージアッセンブリ。
  11. 少なくとも1つの冷却装置、特に冷却ブロックを有していて、かつ/又は、前記少なくとも1つのチップ(2)と前記基板(4)とを備えた前記フランジ(3)を前記冷却装置に取り付ける手段(10,11)を有している、請求項1から10までのいずれか1項記載のチップパッケージアッセンブリ。
  12. 前記少なくとも1つのチップ(2)の前記コネクタと前記冷却装置との間に電気絶縁体(12)を有している、請求項11記載のチップパッケージアッセンブリ。
  13. 特にプレートの形の、前記フランジ(3)と前記冷却装置との間の誘電基板(12)を有していて、かつ/又は前記少なくとも1つのチップ(2)と前記基板(4)とが配置されている、前記フランジ(3)の前記1つの面とは反対側の前記フランジ(3)の面に配置された誘電基板(12)を有している、請求項1から12までのいずれか1項記載のチップパッケージアッセンブリ。
  14. 前記少なくとも1つのチップ(2)とコネクタとを保護する封止体(13)、特に取り外し可能な封止体(13)を有していて、かつ/又は前記少なくとも1つのチップ(2)と、前記基板(4)と、前記フランジ(3)とを前記冷却装置に固定する、誘電スリーブを貫通するねじを有している、請求項1から13までのいずれか1項記載のチップパッケージアッセンブリ。
  15. 特に前記少なくとも1つのチップ(2)を基板(4)から取り外すために、特に少なくとも1つのチップ(2)を別のチップ(2)に交換するために、チップパッケージを取り外すことを特徴とする、チップパッケージアッセンブリ(1)を使用する方法。
JP2015553676A 2013-01-16 2013-01-16 チップパッケージアッセンブリ Pending JP2016503969A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/RU2013/000031 WO2014112892A2 (en) 2013-01-16 2013-01-16 Chip package assembly and method to use the assembly

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016503969A true JP2016503969A (ja) 2016-02-08

Family

ID=49230832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015553676A Pending JP2016503969A (ja) 2013-01-16 2013-01-16 チップパッケージアッセンブリ

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20150364399A1 (ja)
EP (1) EP2936555B1 (ja)
JP (1) JP2016503969A (ja)
KR (1) KR20150129673A (ja)
CN (1) CN105051893A (ja)
RU (1) RU2617559C2 (ja)
WO (1) WO2014112892A2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016213314A (ja) * 2015-05-08 2016-12-15 富士通株式会社 冷却モジュール及び電子機器

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5315256U (ja) * 1976-07-20 1978-02-08
JPS53152566U (ja) * 1977-05-06 1978-12-01
JPS57124456A (en) * 1981-01-26 1982-08-03 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JPH028098U (ja) * 1988-06-27 1990-01-18
JPH028089U (ja) * 1988-06-24 1990-01-18
JPH1065036A (ja) * 1996-08-21 1998-03-06 Oki Business:Kk モジュールの気密封止構造及び方法
JP2003243607A (ja) * 2002-02-14 2003-08-29 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体モジュール
WO2004049449A1 (ja) * 2002-11-25 2004-06-10 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology 半導体装置、およびその半導体装置を用いた電力変換器、駆動用インバータ、汎用インバータ、大電力高周波通信機器
JP2005150133A (ja) * 2003-11-11 2005-06-09 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 半導体素子収納用容器
JP2008160153A (ja) * 2008-03-17 2008-07-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 高周波電子部品のパッケージ構造
JP2010034346A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置
JP2011258701A (ja) * 2010-06-08 2011-12-22 Miyoshi Electronics Corp 半導体モジュールおよび半導体装置
JP2012009801A (ja) * 2010-06-23 2012-01-12 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 放熱基板及びその製造方法
WO2012107755A1 (en) * 2011-02-08 2012-08-16 Cambridge Nanolitic Limited Insulated metal substrate

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3958195A (en) * 1975-03-21 1976-05-18 Varian Associates R.f. transistor package having an isolated common lead
US5760473A (en) * 1996-06-25 1998-06-02 Brush Wellman Inc. Semiconductor package having a eutectic bonding layer
CN1061331C (zh) * 1997-03-03 2001-01-31 麻林涛 用核辐射技术提高生物肥料菌种活性的方法
WO1998041071A1 (en) 1997-03-11 1998-09-17 Xemod, Inc. Hybrid module assembling method and apparatus
SE512710C2 (sv) 1998-07-08 2000-05-02 Ericsson Telefon Ab L M Kapsel för högeffekttransistorchip för höga frekvenser innefattande en elektriskt och termiskt ledande fläns
US20030125077A1 (en) 2002-01-03 2003-07-03 Hsi-Che Lee Multimedia watch
JP4615289B2 (ja) * 2004-11-12 2011-01-19 三菱電機株式会社 半導体装置
EP1672692B1 (de) * 2004-12-16 2015-01-07 ABB Research Ltd Leistungshalbleiter-Modul
TW200636946A (en) 2005-04-12 2006-10-16 Advanced Semiconductor Eng Chip package and packaging process thereof
JP2008159862A (ja) * 2006-12-25 2008-07-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 高周波電子部品のパッケージ構造
US7724528B2 (en) * 2008-07-11 2010-05-25 Cisco Technology, Inc. Thermal dissipation heat slug sandwich
US20100091477A1 (en) * 2008-10-14 2010-04-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Package, and fabrication method for the package
JP5450313B2 (ja) * 2010-08-06 2014-03-26 株式会社東芝 高周波半導体用パッケージおよびその作製方法

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5315256U (ja) * 1976-07-20 1978-02-08
JPS53152566U (ja) * 1977-05-06 1978-12-01
JPS57124456A (en) * 1981-01-26 1982-08-03 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JPH028089U (ja) * 1988-06-24 1990-01-18
JPH028098U (ja) * 1988-06-27 1990-01-18
JPH1065036A (ja) * 1996-08-21 1998-03-06 Oki Business:Kk モジュールの気密封止構造及び方法
JP2003243607A (ja) * 2002-02-14 2003-08-29 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体モジュール
WO2004049449A1 (ja) * 2002-11-25 2004-06-10 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology 半導体装置、およびその半導体装置を用いた電力変換器、駆動用インバータ、汎用インバータ、大電力高周波通信機器
JP2005150133A (ja) * 2003-11-11 2005-06-09 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 半導体素子収納用容器
JP2008160153A (ja) * 2008-03-17 2008-07-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 高周波電子部品のパッケージ構造
JP2010034346A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置
JP2011258701A (ja) * 2010-06-08 2011-12-22 Miyoshi Electronics Corp 半導体モジュールおよび半導体装置
JP2012009801A (ja) * 2010-06-23 2012-01-12 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 放熱基板及びその製造方法
WO2012107755A1 (en) * 2011-02-08 2012-08-16 Cambridge Nanolitic Limited Insulated metal substrate

Also Published As

Publication number Publication date
RU2015133780A (ru) 2017-02-17
US20150364399A1 (en) 2015-12-17
WO2014112892A2 (en) 2014-07-24
EP2936555A2 (en) 2015-10-28
WO2014112892A3 (en) 2014-10-16
KR20150129673A (ko) 2015-11-20
RU2617559C2 (ru) 2017-04-25
CN105051893A (zh) 2015-11-11
EP2936555B1 (en) 2018-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20160027711A1 (en) Semiconductor module
RU2585887C1 (ru) Компоновка электронного блока питания
JP6218898B2 (ja) 電力用半導体装置
FI88452C (fi) Konstruktion foer att foerbaettra avkylning av en effekttransistor
US11533824B2 (en) Power semiconductor module and a method for producing a power semiconductor module
CN211208432U (zh) 智能功率模块基板、智能功能模块和电子设备
US11062972B2 (en) Electronic module for power control and method for manufacturing an electronic module power control
WO2007105368A1 (ja) 半導体パッケージの実装装置
EP1524691A2 (en) Power unit comprising a heat sink, and assembly method
JP4146888B2 (ja) 半導体モジュールと半導体モジュールの製造方法
WO2019189450A1 (ja) 電力変換装置
US7564128B2 (en) Fully testable surface mount die package configured for two-sided cooling
US8482119B2 (en) Semiconductor chip assembly
CN110634813B (zh) 封装结构
JP2016503969A (ja) チップパッケージアッセンブリ
CN210379025U (zh) 功率器件封装结构
JP2023541621A (ja) パワーモジュール及びその製造方法、コンバータ、並びに電子機器
US9324627B2 (en) Electronic assembly for mounting on electronic board
JP2016101071A (ja) 半導体装置
US11955402B2 (en) Power semiconductor component and method for producing a power semiconductor component
KR101897304B1 (ko) 파워 모듈
US20240096738A1 (en) Power semiconductor component and method for producing a power semiconductor component
CN214672591U (zh) 一种功率器件封装结构
JP2009188192A (ja) 回路装置
JP2017011027A (ja) 回路基板の放熱構造

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150916

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160808

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161028

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20161222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20161222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170220

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20170522

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170711

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20171127

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180327

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20180405

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20180608