RU2015133780A - Сборный корпус микросхемы и способ его использования - Google Patents

Сборный корпус микросхемы и способ его использования Download PDF

Info

Publication number
RU2015133780A
RU2015133780A RU2015133780A RU2015133780A RU2015133780A RU 2015133780 A RU2015133780 A RU 2015133780A RU 2015133780 A RU2015133780 A RU 2015133780A RU 2015133780 A RU2015133780 A RU 2015133780A RU 2015133780 A RU2015133780 A RU 2015133780A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
microcircuit
flange
substrate
prefabricated housing
housing
Prior art date
Application number
RU2015133780A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2617559C2 (ru
Inventor
Евгений Валерьевич Иванов
Андрей Александрович Краснов
Георгий Борисович Шарков
Надежда Владимировна Тихомирова
Original Assignee
Общество С Ограниченной Ответственностью "Сименс"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество С Ограниченной Ответственностью "Сименс" filed Critical Общество С Ограниченной Ответственностью "Сименс"
Publication of RU2015133780A publication Critical patent/RU2015133780A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2617559C2 publication Critical patent/RU2617559C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/047—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being parallel to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736—Metallic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49131—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by utilizing optical sighting device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Claims (15)

1. Сборный корпус микросхемы (1) для монтажа, по крайней мере, одной полупроводниковой микросхемы (2), состоящий из фланца (3) и подложки (4) с размещением, по крайней мере, одной микросхемы (2) и подложки (4) на одной стороне фланца (3), отличающийся тем, что фланец (3) изготавливается из электро- и теплопроводного материала.
2. Сборный корпус микросхемы (1) по п. 1, отличающийся тем, что в качестве проводящего материала фланца (3) используется металл, в частности металл с высокой теплопроводностью, такой как медь.
3. Сборный корпус микросхемы (1) по п. 1 или 2, отличающийся тем, что в состав подложки (4) входит материал с низкими потерями при высоких частотах, в частности подложка (4) может быть изготовлена из материала для печатных плат.
4. Сборный корпус микросхемы (1) по п. 1, отличающийся тем, что, по крайней мере, на одной микросхеме (2) имеется контактный вывод стока транзистора на нижней стороне (2b), где нижней стороной (2b) считается сторона, обращенная к фланцу (3) и, в частности, противоположная стороне (2а), на которой размещены остальные электрические контакты, по крайней мере, одной микросхемы (2).
5. Сборный корпус микросхемы (1) по п. 1, отличающийся тем, что по крайней мере одна микросхема (2) и/или подложка (4) устанавливаются на одной стороне фланца (3) с использованием припоя, эвтектического сплава, токопроводящего клея и/или спекаемой пасты (5).
6. Сборный корпус микросхемы (1) по п. 1, отличающийся тем, что выводы по крайней мере одной микросхемы (2), в частности расположенные на стороне, по крайней мере, одной микросхемы (2), противоположной обращенной к фланцу (3), подсоединяются к подложке (4) с помощью электропроводки, в частности проводов и/или ленточных кабелей (6).
7. Сборный корпус микросхемы (1) по п. 1, отличающийся тем, что содержит электрические выходы (7) для подключения высокочастотных элементов к внешним устройствам, в частности к печатной плате усилителя.
8. Сборный корпус микросхемы (1) по п. 1, отличающийся тем, что подложка (4) содержит торцевые металлизированные контакты (8), в частности электрически соединенные, по крайней мере, с одной микросхемой (2), для электрического подключения, по крайней мере, к одному внешнему устройству.
9. Сборный корпус микросхемы (1) по п. 1, отличающийся тем, что торцевые металлизированные контакты (8) располагаются на боковой поверхности подложки (4) и/или используется пайка для соединения, по крайней мере, с одним внешним устройством.
10. Сборный корпус микросхемы (1) по п. 1, отличающийся тем, что содержит электрическую изоляцию (9) между выводами, по крайней мере, одной микросхемы (2) и фланцем (3).
11. Сборный корпус микросхемы (1) по п. 1, отличающийся тем, что содержит по крайней мере одно охлаждающее устройство, в частности блок охлаждения, и/или приспособления (10, 11) для крепления фланца (3), по крайней мере, с одной микросхемой (2) и подложкой (4) к охлаждающему устройству.
12. Сборный корпус микросхемы (1) по п. 1, отличающийся тем, что содержит электрическую изоляцию (12) между выводами, по крайней мере, одной микросхемы (2) и охлаждающим устройством.
13. Сборный корпус микросхемы (1) по п. 1, отличающийся тем, что содержит диэлектрическую подложку (12) между фланцем (3) и охлаждающим устройством, в частности имеющую форму пластины и/или устанавливаемую на стороне фланца (3), противоположной той стороне фланца (3), где располагаются, по крайней мере, одна микросхема (2) и подложка (4).
14. Сборный корпус микросхемы (1) по п. 1, отличающийся тем, что содержит крышку (13) для защиты, по крайней мере, одной микросхемы (2) и ее выводов, в частности съемную крышку (13), и/или содержит винты в диэлектрических втулках для крепления, по крайней мере, одной микросхемы (2), подложки (4) и фланца (3) к охлаждающему устройству.
15. Способ использования сборного корпуса микросхемы (1) по пп. 1-14, отличающийся тем, что корпус микросхемы демонтируется, в частности для снятия по крайней мере одной микросхемы (2) с подложки (4), в частности для замены по крайней мере одной микросхемы (2) на другую микросхему (2).
RU2015133780A 2013-01-16 2013-01-16 Сборный корпус микросхемы и способ его использования RU2617559C2 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/RU2013/000031 WO2014112892A2 (en) 2013-01-16 2013-01-16 Chip package assembly and method to use the assembly

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2015133780A true RU2015133780A (ru) 2017-02-17
RU2617559C2 RU2617559C2 (ru) 2017-04-25

Family

ID=49230832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015133780A RU2617559C2 (ru) 2013-01-16 2013-01-16 Сборный корпус микросхемы и способ его использования

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20150364399A1 (ru)
EP (1) EP2936555B1 (ru)
JP (1) JP2016503969A (ru)
KR (1) KR20150129673A (ru)
CN (1) CN105051893A (ru)
RU (1) RU2617559C2 (ru)
WO (1) WO2014112892A2 (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016213314A (ja) * 2015-05-08 2016-12-15 富士通株式会社 冷却モジュール及び電子機器

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3958195A (en) * 1975-03-21 1976-05-18 Varian Associates R.f. transistor package having an isolated common lead
JPS5315256U (ru) * 1976-07-20 1978-02-08
JPS5737491Y2 (ru) * 1977-05-06 1982-08-18
JPS57124456A (en) * 1981-01-26 1982-08-03 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JPH028089U (ru) * 1988-06-24 1990-01-18
JPH028098U (ru) * 1988-06-27 1990-01-18
US5760473A (en) * 1996-06-25 1998-06-02 Brush Wellman Inc. Semiconductor package having a eutectic bonding layer
JPH1065036A (ja) * 1996-08-21 1998-03-06 Oki Business:Kk モジュールの気密封止構造及び方法
CN1061331C (zh) * 1997-03-03 2001-01-31 麻林涛 用核辐射技术提高生物肥料菌种活性的方法
WO1998041071A1 (en) 1997-03-11 1998-09-17 Xemod, Inc. Hybrid module assembling method and apparatus
SE512710C2 (sv) 1998-07-08 2000-05-02 Ericsson Telefon Ab L M Kapsel för högeffekttransistorchip för höga frekvenser innefattande en elektriskt och termiskt ledande fläns
US20030125077A1 (en) 2002-01-03 2003-07-03 Hsi-Che Lee Multimedia watch
JP3813098B2 (ja) * 2002-02-14 2006-08-23 三菱電機株式会社 電力用半導体モジュール
US7538352B2 (en) * 2002-11-25 2009-05-26 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Semiconductor device and power converter, driving inverter, general-purpose inverter and high-power high-frequency communication device using same
JP2005150133A (ja) * 2003-11-11 2005-06-09 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 半導体素子収納用容器
JP4615289B2 (ja) * 2004-11-12 2011-01-19 三菱電機株式会社 半導体装置
EP1672692B1 (de) * 2004-12-16 2015-01-07 ABB Research Ltd Leistungshalbleiter-Modul
TW200636946A (en) 2005-04-12 2006-10-16 Advanced Semiconductor Eng Chip package and packaging process thereof
JP2008159862A (ja) * 2006-12-25 2008-07-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 高周波電子部品のパッケージ構造
JP2008160153A (ja) * 2008-03-17 2008-07-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 高周波電子部品のパッケージ構造
US7724528B2 (en) * 2008-07-11 2010-05-25 Cisco Technology, Inc. Thermal dissipation heat slug sandwich
JP5285347B2 (ja) * 2008-07-30 2013-09-11 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 回路装置
US20100091477A1 (en) * 2008-10-14 2010-04-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Package, and fabrication method for the package
JP5572890B2 (ja) * 2010-06-08 2014-08-20 ミヨシ電子株式会社 半導体モジュールおよび半導体装置
KR101077378B1 (ko) * 2010-06-23 2011-10-26 삼성전기주식회사 방열기판 및 그 제조방법
JP5450313B2 (ja) * 2010-08-06 2014-03-26 株式会社東芝 高周波半導体用パッケージおよびその作製方法
CA2819313A1 (en) * 2011-02-08 2012-08-16 Cambridge Nanolitic Limited Non-metallic coating and method of its production

Also Published As

Publication number Publication date
RU2617559C2 (ru) 2017-04-25
EP2936555A2 (en) 2015-10-28
KR20150129673A (ko) 2015-11-20
WO2014112892A3 (en) 2014-10-16
US20150364399A1 (en) 2015-12-17
JP2016503969A (ja) 2016-02-08
WO2014112892A2 (en) 2014-07-24
CN105051893A (zh) 2015-11-11
EP2936555B1 (en) 2018-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101415297B (zh) 一种印制板组件及其加工方法
FI88452C (fi) Konstruktion foer att foerbaettra avkylning av en effekttransistor
CN108028520B (zh) 电路结构体及电连接箱
US9165856B2 (en) Coupling assembly of power semiconductor device and PCB and method for manufacturing the same
RU2015133232A (ru) Электрическая машина
JP2008060551A5 (ru)
RU2008108713A (ru) Монтажная панель для электронного компонента
US7564128B2 (en) Fully testable surface mount die package configured for two-sided cooling
JP6443265B2 (ja) 実装基板
JP2011096601A (ja) コンタクト部材
RU2015133780A (ru) Сборный корпус микросхемы и способ его использования
RU153627U1 (ru) Силовой модуль
RU2329568C1 (ru) Корпус интегральной схемы
RU2011144091A (ru) Обеспечение прижимания для электронной схемы
US20140312484A1 (en) Electronic assembly for mounting on electronic board
JP2001237368A (ja) パワーモジュール
RU133382U1 (ru) Радиоэлектронный блок
CN219106156U (zh) 半导体集成模块及电力电子设备
CN209845622U (zh) 一种需散热绝缘的功率器件的固定装置
CA2644752C (en) Method and apparatus for dissipating heat from an integrated circuit
JP2018142590A (ja) 電源装置、及びこれを備えたスイッチングハブ
JP2018018880A (ja) 半導体素子取付基板
RU2576666C1 (ru) Способ монтажа мощного полупроводникового элемента
US20150124410A1 (en) Power doubler amplifier module with improved solder coverage between a heat sink and a thermal pad of a circuit package
JP6403741B2 (ja) 表面実装型半導体パッケージ装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190117