JP2005150133A - 半導体素子収納用容器 - Google Patents
半導体素子収納用容器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005150133A JP2005150133A JP2003380750A JP2003380750A JP2005150133A JP 2005150133 A JP2005150133 A JP 2005150133A JP 2003380750 A JP2003380750 A JP 2003380750A JP 2003380750 A JP2003380750 A JP 2003380750A JP 2005150133 A JP2005150133 A JP 2005150133A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- main surface
- heat sink
- base
- container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】略長方形状のヒートシンク板13の一方の主面に対向する他方の主面の長手方向中央部に、ウインドフレーム形状のセラミック枠体14の一方の主面を接合し、セラミック枠体14の他方の主面に、金属板からなる外部接続端子15を接合する接合体からなる基体11に高周波用半導体素子17が搭載された後、高周波用半導体素子17が蓋体12で封止される半導体素子収納用容器10において、基体11のヒートシンク板13が高熱伝導率を有するCuと他の金属との複合金属板からなり、蓋体12が樹脂材からなる。
【選択図】図1
Description
図3(A)〜(C)を参照しながら、従来の半導体素子収納用容器50を説明する。図3(A)に示すように、従来の半導体素子収納用容器50の基体51は、これを構成するヒートシンク板53に、セラミックと熱膨張係数が近似し、しかも放熱特性が比較的よい、例えば、銅タングステン(Cu−W)系や、銅モリブデン(Cu−Mo)系や、Cuと他の金属のクラッド品等の略長方形状をしたCuと他の金属との複合金属板を用いている。また、セラミック枠体54には、アルミナ(Al2O3)等のセラミックからなるウインドフレーム形状のセラミック基板を用いている。更に、外部接続端子55には、セラミックと熱膨張係数が近似する金属板を用いている。そして、基体51には、半導体素子の高周波の領域での電気特性を悪化させないで実装するためのキャビティ部56が、例えば、ヒートシンク板53の略長方形状をした長手方向中央部上を囲繞するように、ウインドフレーム形状のセラミック枠体54がその裏面側に形成されたメタライズパターンにろう材を介して載置され、加熱炉で加熱されてろう付け接合されて形成されている。このろう付け接合に併せて、セラミック枠体54には、外部と接続するための外部接続端子55がセラミック枠体54の表面側に裏面側の場合と同様にして形成されたメタライズパターンにろう材を介して載置され、加熱炉で加熱されてろう付け接合されている。
(1)高周波用半導体素子を用いた装置の高性能化に伴い高周波用半導体素子の出力が増大しているが、これに伴う半導体素子からの発熱量の増大に対応するための半導体素子収納用容器には、基体のヒートシンク板に高放熱特性を有するものが望まれている。これに対応するためにセラミックに熱膨張係数を近似させた従来のCuと他の金属との複合金属板では、放熱特性の向上に限界が生じている。
(2)ヒートシンク板の放熱特性の向上のためには、Cuと他の金属との複合金属板の熱伝導率の優れているCuの割合量を増大させたものが有効となるが、Cu量の増大とともにヒートシンク板の熱膨張係数が増大するので、従来のセラミック製の蓋体を接合させた時に、接合間の熱応力が大きくなり、蓋体にクラックや破壊が発生し、キャビティ部内の気密不良を発生させている。
(3)基体と蓋体を樹脂製とした場合には、高周波用半導体素子のような高発熱量の半導体素子からの発熱を基体から放熱させることができないので、半導体素子の電気的特性を発揮させることができなくなる。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、高周波用半導体素子からの発熱を放熱させる放熱特性に優れ、高周波用半導体素子の電気的特性を低下させない、クラックや破壊の発生がない半導体素子収納用容器を提供することを目的とする。
ここで、半導体素子収納用容器は、複合金属板が8×10−6/℃以上の熱膨張係数を有するのがよい。
ここに、図1(A)、(B)はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用容器の説明図、図2(A)、(B)はそれぞれ同半導体素子収納用容器が基台に取り付けられる説明図である。
Claims (2)
- 略長方形状のヒートシンク板の一方の主面に対向する他方の主面の長手方向中央部に、ウインドフレーム形状のセラミック枠体の一方の主面を接合し、該セラミック枠体の他方の主面に、金属板からなる外部接続端子を接合する接合体からなる基体に高周波用半導体素子が搭載された後、該高周波用半導体素子が蓋体で封止される半導体素子収納用容器において、
前記基体の前記ヒートシンク板が高熱伝導率を有するCuと他の金属との複合金属板からなり、前記蓋体が樹脂材からなることを特徴とする半導体素子収納用容器。 - 請求項1記載の半導体素子収納用容器において、前記複合金属板が8×10−6/℃以上の熱膨張係数を有することを特徴とする半導体素子収納用容器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003380750A JP2005150133A (ja) | 2003-11-11 | 2003-11-11 | 半導体素子収納用容器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003380750A JP2005150133A (ja) | 2003-11-11 | 2003-11-11 | 半導体素子収納用容器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005150133A true JP2005150133A (ja) | 2005-06-09 |
Family
ID=34690327
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003380750A Pending JP2005150133A (ja) | 2003-11-11 | 2003-11-11 | 半導体素子収納用容器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005150133A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007115793A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 高放熱型電子部品収納用パッケージ |
JP2012221971A (ja) * | 2011-04-04 | 2012-11-12 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 放熱板及びこれを用いる高放熱型半導体素子収納用パッケージ |
JP2015018884A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 日鉄住金エレクトロデバイス株式会社 | 半導体素子収納用基板 |
JP2016503969A (ja) * | 2013-01-16 | 2016-02-08 | シーメンス リサーチ センター リミテッド ライアビリティ カンパニーSiemens Research Center Limited Liability Company | チップパッケージアッセンブリ |
JP2020193926A (ja) * | 2019-05-30 | 2020-12-03 | 株式会社ニチリン | アイジョイント金具付きホースの気体式検査装置及び気体式検査方法 |
US11854934B2 (en) | 2021-04-27 | 2023-12-26 | NGK Electronics Devices, Inc. | Package with heat dissipating substrate |
US11901268B2 (en) | 2019-06-25 | 2024-02-13 | NGK Electronics Devices, Inc. | Package with an electrode-attached frame supported by a heat sink, and method for manufacturing power semiconductor module provided therewith |
US11929301B2 (en) | 2021-04-27 | 2024-03-12 | NGK Electronics Devices, Inc. | Package and electronic device |
US11978682B2 (en) | 2019-06-25 | 2024-05-07 | NGK Electronics Devices, Inc. | Package, and method for manufacturing power semiconductor module |
-
2003
- 2003-11-11 JP JP2003380750A patent/JP2005150133A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007115793A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 高放熱型電子部品収納用パッケージ |
JP4608409B2 (ja) * | 2005-10-19 | 2011-01-12 | 株式会社住友金属エレクトロデバイス | 高放熱型電子部品収納用パッケージ |
JP2012221971A (ja) * | 2011-04-04 | 2012-11-12 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 放熱板及びこれを用いる高放熱型半導体素子収納用パッケージ |
JP2016503969A (ja) * | 2013-01-16 | 2016-02-08 | シーメンス リサーチ センター リミテッド ライアビリティ カンパニーSiemens Research Center Limited Liability Company | チップパッケージアッセンブリ |
JP2015018884A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 日鉄住金エレクトロデバイス株式会社 | 半導体素子収納用基板 |
JP2020193926A (ja) * | 2019-05-30 | 2020-12-03 | 株式会社ニチリン | アイジョイント金具付きホースの気体式検査装置及び気体式検査方法 |
JP7394435B2 (ja) | 2019-05-30 | 2023-12-08 | 株式会社ニチリン | アイジョイント金具付きホースの気体式検査方法 |
US11901268B2 (en) | 2019-06-25 | 2024-02-13 | NGK Electronics Devices, Inc. | Package with an electrode-attached frame supported by a heat sink, and method for manufacturing power semiconductor module provided therewith |
US11978682B2 (en) | 2019-06-25 | 2024-05-07 | NGK Electronics Devices, Inc. | Package, and method for manufacturing power semiconductor module |
US11854934B2 (en) | 2021-04-27 | 2023-12-26 | NGK Electronics Devices, Inc. | Package with heat dissipating substrate |
US11929301B2 (en) | 2021-04-27 | 2024-03-12 | NGK Electronics Devices, Inc. | Package and electronic device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5091459B2 (ja) | 高放熱型電子部品収納用パッケージの製造方法 | |
JP3816821B2 (ja) | 高周波用パワーモジュール基板及びその製造方法 | |
JP2005150133A (ja) | 半導体素子収納用容器 | |
JP2008135532A (ja) | 放熱部材およびこれを用いた電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
JP3984107B2 (ja) | 高周波用半導体素子収納用パッケージの製造方法 | |
JP2006060247A (ja) | 放熱基体およびその製造方法 | |
JP2004288949A (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 | |
JP4430477B2 (ja) | 高放熱型電子部品収納用パッケージ | |
JP3695706B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
JP2002093931A (ja) | 高周波用セラミックパッケージ | |
JP3838570B2 (ja) | 高周波用パッケージの製造方法 | |
JP4404347B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 | |
JP2009277794A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
JP2008159975A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法 | |
JP2000183253A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
JP2005252121A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法 | |
JPH11289037A (ja) | 放熱用金属板およびそれを用いた電子部品用パッケージ | |
JP2012138437A (ja) | 電子部品収納用パッケージ | |
JP2000077583A (ja) | 電子部品用パッケージおよびその製造方法 | |
JPH01151252A (ja) | セラミックパッケージとその製造方法 | |
JP2009158537A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
JPH07211822A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
JP2011035340A (ja) | 高放熱型電子部品収納用パッケージ | |
JP2002324865A (ja) | 高周波用セラミックパッケージ | |
JP2014086581A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20060728 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080702 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080707 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080901 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080924 |