JP3695706B2 - 半導体パッケージ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を収納する半導体パッケージに係り、より詳細には、特に高周波用の半導体素子の収納に適し、基体と蓋体で気密封止する半導体パッケージに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、半導体パッケージとしては、半導体素子を直接樹脂で覆う樹脂封止型パッケージと、基体と蓋体で形成する空間中に収納する気密封止型パッケージが知られている。前者は、リードフレーム等に搭載した半導体素子を樹脂モールドしたもので、大量生産に向きコストが安くできる等の利点から広く採用されている。後者は、セラミック等からなる基体に搭載した半導体素子を金属板やセラミック基板等からなる蓋体で蓋をして気密に封止したものであり、前者に比べてコストは高くなるが気密性に優れるため、高い信頼性が要求される場合に採用されている。
【0003】
近年、移動体通信の基地局等に用いるガリウム砒素電界効果トランジスタ等の高周波、高出力用の半導体素子の需要が高まっている。この半導体素子は発熱量が非常に大きく、従来の気密封止型の半導体パッケージでは十分な放熱性を得ることができない。このため、放熱用の金属板からなる底体上にセラミック製の枠体を接合し、更に外部接続端子用のリードフレームをセラミック製の枠体に接合した基体の放熱用の金属板上に半導体素子を搭載し、金属製やセラミック製等の蓋体を用いて樹脂や、ガラス等で接合して蓋をする気密封止型の半導体パッケージが開発されている。
【0004】
図4(A)、(B)を参照して従来の半導体パッケージを説明する。図4(A)は、従来の半導体パッケージの平面図を示し、図4(B)は、A−A’線拡大断面図である。従来の半導体パッケージの基体50は、1又は複数枚を重ね合わせたセラミックグリーンシートの両面にメタライズパターンを印刷し、枠状に形成した後、焼成して形成したメタライズ層51を有するセラミック製の枠体52を有している。また、基体50は、枠体52の上面側にろう材の一例であるAg−Cu共晶合金からなる銀ろう55を介して加熱し、銀ろう55を溶融させてろう付け接合する外部接続端子用のリードフレーム53を有している。更に、基体50は、枠体52の下面側にろう材の一例であるAg−Cu共晶合金からなる銀ろう55を介して加熱し、銀ろう55を溶融させてろう付け接合する半導体素子からの発熱を放熱させるための金属板54を有している。基体50には、半導体素子(図示せず)が搭載された後、金属板やセラミック基板等からなる蓋体(図示せず)を樹脂や、ガラス等で接合して半導体パッケージを形成している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述したような従来の半導体パッケージは、次のような問題がある。
基体と蓋体を樹脂材で接合して形成する半導体パッケージは、大気中で行うことができるが、樹脂から発生する水分及び大気中の水分が半導体パッケージの内部に含まれた状態で気密封止される。この状態で環境試験等を行った時に、半導体パッケージの内部で露結した状態となり、そこに電圧が掛けられると、基体を形成するときに使用したろう材のAg−Cu共晶合金からAgがイオン化し、Agが析出して樹枝状に成長して、セラミック製の枠体の内部側壁に樹枝状晶(デントライト)が発生することが考えられ、リードフレームと金属板が短絡を起こす場合がある。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、外部接続端子用のリードフレームと放熱用の金属板との間で短絡の発生しない半導体パッケージを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
前記目的に沿う第1の発明に係る半導体パッケージは、外部接続端子用のリードフレームとリング状のセラミック枠体及び放熱用の金属板を強固に接合して有する基体と、基体の内部に半導体素子を搭載した後樹脂で封止する蓋体を有する半導体パッケージにおいて、基体はリードフレームと金属板をセラミック枠体の両面に形成されたメタライズ層を介してそれぞれ接合される接合材を有し、しかもリードフレームとセラミック枠体とを接合する第1の接合材と、セラミック枠体と金属板とを接合する第2の接合材のいずれか一方に約890〜1010℃で加熱してろう付け接合するBAu−2又はBAu−4の金ろう、他方に約780〜900℃で加熱してろう付け接合する銀ろうからなる接合材を有する。これにより、セラミック枠体の内部側壁で銀のデントライトが成長したとしても、一方の接合面からの析出となるので、リードフレームと金属板との短絡を防止できる。
【0007】
前記目的に沿う第2の発明に係る半導体パッケージは、外部接続端子用のリードフレームとリング状のセラミック枠体及び放熱用の金属板を強固に接合して有する基体と、基体の内部に半導体素子を搭載した後樹脂で封止する蓋体を有する半導体パッケージにおいて、基体はリードフレームと金属板をセラミック枠体の両面に形成されたメタライズ層を介してそれぞれ接合される接合材を有し、しかもリードフレームとセラミック枠体とを接合する第1の接合材と、セラミック枠体と金属板とを接合する第2の接合材の両方に約890〜1010℃で加熱してろう付け接合するBAu−2又はBAu−4の金ろうからなる接合材を有する。これにより、接合材の中に銀が存在しないので、デントライトの発生がなく、リードフレームと金属板との短絡を防止することができる。
【0008】
【発明の実施の形態】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図1は第1の発明の一実施の形態に係る半導体パッケージの斜視図、図2(A)、(B)はそれぞれ同半導体パッケージの基体のリードフレームとセラミック枠体と金属板の接合部の拡大断面図、図3は第2の発明の一実施の形態に係る半導体パッケージの基体のリードフレームとセラミック枠体と金属板の接合部の拡大断面図である。
【0009】
図1、図2(A)、(B)に示すように、第1の発明の一実施の形態に係る半導体パッケージ10は、基体11と、基体11の内部に半導体素子を搭載した後、気密に封止するためのセラミックや金属等からなる基板13に樹脂14が接合された蓋体12とから構成されている。基体11は、外部接続端子用のリードフレーム15と、リング状のセラミック枠体16、及び半導体素子からの発熱を放熱させるための金属板17を有している。基体11のリードフレーム15とセラミック枠体16を接合する第1の接合材には、セラミック枠体16の上面にメタライズパターンが形成されたメタライズ層18aを介して銀ろう19が用いられ、リードフレーム15とセラミック枠体16を強固に接合している。そして、基体11のセラミック枠体16と金属板17を接合する第2の接合材には、セラミック枠体16の下面にメタライズパターンが形成されたメタライズ層18bを介して金ろう20が用いられ、セラミック枠体16と金属板17を強固に接合している(図2(A)参照)。また、第1の発明の一実施の形態に係る半導体パッケージ10の変形例の基体11aは、リードフレーム15とセラミック枠体16を接合する第1の接合材に金ろう20が用いられ、セラミック枠体16と金属板17を接合する第2の接合材に銀ろう19が用いられている(図2(B)参照)。
【0010】
なお、ここで用いられるセラミック枠体16の厚みが0.4〜1.5mm程度においては、特に、デントライトの発生に対して短絡を防止するのに有効に働く。0.4mm未満であれば銀ろう19を用いた場合に、デントライトの発生に対してそれを防止することが困難となる。また、1.5mmを超えると、第1の接合材及び第2の接合材に銀ろう19を用いてもデントライトによる短絡は発生が非常に少なくなる。
【0011】
図3に示すように、第2の発明の一実施の形態に係る半導体パッケージ10aは、基体11bと、基体11bの内部に半導体素子を搭載した後、気密に封止するためのセラミックや金属等からなる基板13に樹脂14が接合された蓋体12とから構成されている。基体11bは、外部接続端子用のリードフレーム15と、リング状のセラミック枠体16、及び半導体素子からの発熱を放熱させるための金属板17を有している。基体11のリードフレーム15とセラミック枠体16を接合する第1の接合材には、セラミック枠体16の上面にメタライズパターンが形成されたメタライズ層18aを介して金ろう20が用いられ、リードフレーム15とセラミック枠体16を強固に接合している。また、基体11のセラミック枠体16と金属板17を接合する第2の接合材にも、セラミック枠体16の下面にメタライズパターンが形成されたメタライズ層18bを介して金ろう20が用いられ、セラミック枠体16と金属板17を強固に接合している。
【0012】
次いで、第1、第2の発明の一実施の形態に係る半導体パッケージ10、10aの製造方法について、まとめて詳細に説明する。
半導体パッケージ10、10aの基体11、11a、11bに用いられるリードフレーム15は、KV(Fe−Ni−Co系合金、商品名「Kovar(コバール)」)、42アロイ(Fe−Ni系合金)等のセラミックと熱膨張係数が近似する金属部材からなり、切削や、エッチングや、打ち抜き加工等で所定の形状に形成されている。なお、因みに、セラミックの一例であるアルミナ(Al2O3)の熱膨張係数は、6.7×10−6/kであり、KVの熱膨張係数は、5.3×10−6/kである。
【0013】
セラミック枠体16を形成するセラミックは、セラミックの一例であるアルミナからなり、アルミナ粉末にマグネシア、シリカ、カルシア等の焼結助剤を適当量加えた粉末に、ジオクチルフタレート等の可塑剤と、アクリル樹脂等のバインダー、及びトルエン、キシレン、アルコール類等の溶剤を加え、十分に混練し、脱泡して粘度2000〜40000cpsのスラリーを作製する。次いで、ドクターブレード法等によって、例えば、厚み0.25mmのロール状のシートを形成し、適当なサイズの矩形状に切断したセラミックグリーンシートを作製する。そして、セラミック枠体16は、1又は複数枚のセラミックグリーンシートにリング状になるように中空部を打ち抜き加工すると共に、タングステンや、モリブデン等の高融点金属からなるメタライズペーストを用いて、セラミック枠体16の表面側及び裏面側となるようにスクリーン印刷し、セラミックグリーンシートが複数枚の場合には積層した後、高融点金属とセラミックグリーンシートとを還元雰囲気中で同時焼結して表面側のメタライズ層18aと、裏面側のメタライズ層18bを有するリング状に形成する。裏面側のメタライズ層18bは、金属板17とリング状の全周にわたって接合するためにセラミック枠体16の裏面全周面に形成されている。なお、セラミックは、アルミナ以外に、窒化アルミニウムや、低温焼成セラミック等特に限定されるものではなく、メタライズペーストも焼成温度に合わせて、Agや、Cu系等の低融点金属を用いることもできる。
【0014】
金属板17は、セラミックの熱膨張係数と近似させて熱伝導率の高い高放熱特性を有する、例えば、ポーラス状のタングステンに銅を含浸させたりして作製する銅タングステン(Cu−W)板や、銅、モリブデン、銅の板を3層構造に貼り合わせたりして作製する銅モリブデン銅(Cu−Mo−Cu)の接合板等からなり、切削加工や、粉末冶金等の手法を用いてボード等の取付部材にねじ止め固定するための固定用切り欠き部21を設けて実質的に長方形状に形成されている。なお、因みに、Cu−Mo−Cuの接合板の熱伝導率は、260W/m・k程度で、Cu−Wの熱伝導率は、230W/m・k程度であり、半導体素子からの発熱を効率よく放熱することができる。
【0015】
ここで、第1の発明の一実施の形態に係る半導体パッケージ10の基体11の製造方法は、先ず、リードフレーム15の表面、セラミック枠体16の両面のメタライズ層18a、18bの表面、及び金属板17の表面にNiめっきを施す。次いで、セラミック枠体16と金属板17を接合するのに用いられる第2の接合材に、例えば、BAu−2(Auが80%と、残部がCuからなる共晶合金)、BAu−4(Auが82%と、残部がNiからなる共晶合金)等のろう付け温度の高い金ろう20を用い、セラミック枠体16の下面側に形成されたメタライズ層18bと金属板17との間に金ろう20を載置し、約890〜1010℃で加熱してろう付け接合している。次いで、リードフレーム15とセラミック枠体16を接合するのに用いられる第1の接合材に、例えば、BAg−8(Agが72%と、残部がCuからなる共晶合金)等のろう付け温度が金ろう20より低い銀ろう19を用い、リードフレーム15とセラミック枠体16の上面側に形成されたメタライズ層18aとの間に銀ろう19を載置し、約780〜900℃で加熱してろう付け接合している。
【0016】
また、第1の発明の一実施の形態に係る半導体パッケージ10の変形例の基体11aの製造方法は、先ず、リードフレーム15の表面、セラミック枠体16の両面のメタライズ層18a、18bの表面、及び金属板17の表面にNiめっきを施す。次いで、リードフレーム15とセラミック枠体16を接合するのに用いられる第1の接合材に、例えば、BAu−2、BAu−4等のろう付け温度の高い金ろう20を用い、リードフレーム15とセラミック枠体16の上面側に形成されたメタライズ層18aとの間にこの金ろう20を載置し、約890〜1010℃で加熱してろう付け接合している。次いで、セラミック枠体16と金属板17を接合するのに用いられる第2の接合材に、例えば、BAg−8(Agが72%と、残部がCuからなる共晶合金)等のろう付け温度が金ろう20より低い銀ろう19を用い、セラミック枠体16の下面側に形成されたメタライズ層18bと金属板17との間にこの銀ろう19を載置し、約780〜900℃で加熱してろう付け接合している。
【0017】
更に、第2の発明の一実施の形態に係る半導体パッケージ10aの基体11bの製造方法は、先ず、リードフレーム15の表面、セラミック枠体16の両面のメタライズ層18a、18bの表面、及び金属板17の表面にNiめっきを施す。次いで、リードフレーム15とセラミック枠体16を接合するのに用いられる第1の接合材、及び、セラミック枠体16と金属板17を接合するのに用いられる第2の接合材に、例えば、BAu−2、BAu−4等の金ろう20を用い、リードフレーム15とセラミック枠体16の上面側に形成されたメタライズ層18aとの間、及び、セラミック枠体16の下面側に形成されたメタライズ層18bと金属板17との間にこの金ろう20を載置し、約890〜1010℃で加熱してろう付け接合している。なお、第1の接合材と第2の接合材に金ろう20を用いるので、2箇所を同時に加熱接合してもよく、2度に分けて加熱接合することもできる。
【0018】
リードフレーム15、セラミック枠体16、及び金属板17が接合された基体11、11a、11bには、Niめっき及びAuめっきが施される。
【0019】
一方、第1及び第2の発明の一実施の形態に係る半導体パッケージ10、10aの蓋体12の製造方法は、アルミナ等のセラミック材を焼結して板状に形成したり、KV、42アロイ等の金属材等から板状に形成した基板13に、例えば、エポキシ等からなる樹脂14をセラミック枠体16と実質的に重なる大きさにスクリーン印刷して形成している。
【0020】
【発明の効果】
請求項1記載の半導体パッケージは、基体にリードフレームと金属板をセラミック枠体の両面に形成されたメタライズ層を介してそれぞれ接合される接合材を有し、しかもリードフレームとセラミック枠体とを接合する第1の接合材と、セラミック枠体と金属板とを接合する第2の接合材のいずれか一方に金ろう、他方に銀ろうからなる接合材を有するので、セラミック枠体の内部側壁で銀のデントライトが成長したとしても、一方の接合面からの析出となるので、リードフレームと金属板との間に短絡を発生させるまでには成長しない。
【0021】
請求項2記載の半導体パッケージは、基体にリードフレームと金属板をセラミック枠体の両面に形成されたメタライズ層を介してそれぞれ接合される接合材を有し、しかもリードフレームとセラミック枠体とを接合する第1の接合材と、セラミック枠体と金属板とを接合する第2の接合材の両方に金ろうからなる接合材を有するので、接合材に銀が存在せず、デントライトが発生がなく、リードフレームと金属板との短絡を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の発明の一実施の形態に係る半導体パッケージの斜視図である。
【図2】(A)、(B)はそれぞれ同半導体パッケージの基体のリードフレームとセラミック枠体と金属板の接合部の拡大断面図である。
【図3】第2の発明の一実施の形態に係る半導体パッケージの基体のリードフレームとセラミック枠体と金属板の接合部の拡大断面図である。
【図4】従来の半導体パッケージの基体の平面図、拡大断面図である。
【符号の説明】
10、10a:半導体パッケージ、11、11a、11b:基体、12:蓋体、13:基板、14:樹脂、15:リードフレーム、16:セラミック枠体、17:金属板、18a、18b:メタライズ層、19:銀ろう、20:金ろう、21:固定用切り欠き部
Claims (2)
- 外部接続端子用のリードフレームとリング状のセラミック枠体及び放熱用の金属板を強固に接合して有する基体と、該基体の内部に半導体素子を搭載した後、樹脂で封止する蓋体を有する半導体パッケージにおいて、
前記基体は前記リードフレームと前記金属板を前記セラミック枠体の両面に形成されたメタライズ層を介してそれぞれ接合される接合材を有し、しかも前記リードフレームと前記セラミック枠体とを接合する第1の接合材と、前記セラミック枠体と前記金属板とを接合する第2の接合材のいずれか一方にBAu−2又はBAu−4の金ろう、他方に銀ろうからなる前記接合材を有することを特徴とする半導体パッケージ。 - 外部接続端子用のリードフレームとリング状のセラミック枠体及び放熱用の金属板を強固に接合して有する基体と、該基体の内部に半導体素子を搭載した後、樹脂で封止する蓋体を有する半導体パッケージにおいて、
前記基体は前記リードフレームと前記金属板を前記セラミック枠体の両面に形成されたメタライズ層を介してそれぞれ接合される接合材を有し、しかも前記リードフレームと前記セラミック枠体とを接合する第1の接合材と、前記セラミック枠体と前記金属板とを接合する第2の接合材の両方にBAu−2又はBAu−4の金ろうからなる前記接合材を有することを特徴とする半導体パッケージ。
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