RU2329568C1

RU2329568C1 - Корпус интегральной схемы

Info

Publication number: RU2329568C1
Application number: RU2006142776/28A
Authority: RU
Inventors: В чеслав Сергеевич Серегин (RU); Вячеслав Сергеевич Серегин; Лариса Владимировна Пилавова (RU); Лариса Владимировна Пилавова; Анатолий Иванович Василевич (RU); Анатолий Иванович Василевич; Павел Павлович Куцько (RU); Павел Павлович Куцько; Алексей Викторович Горьков (RU); Алексей Викторович Горьков
Original assignee: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (ЗАО "НПО "НИИТАЛ")
Priority date: 2006-12-05
Filing date: 2006-12-05
Publication date: 2008-07-20

Abstract

Использование: электронная техника, в частности конструкции корпусов интегральных схем. Сущность изобретения: корпус интегральной схемы состоит из основания с многослойной проводящей структурой и матрицей шариковых выводов. В центральной зоне основания выполнено отверстие, в котором размещена установочная площадка для интегральной схемы, состоящая из диэлектрической пластины, соединенной посредством паянного шва с поверхностью металлической пластины. Диэлектрическая пластина выполнена из нитрида алюминия с коэффициентом теплового линейного расширения, равным коэффициенту теплового линейного расширения кремния. Предложенный корпус интегральной схемы удобен в эксплуатации, позволяет производить подключение полупроводниковых устройств к источнику энергии с высокими нагрузками, обеспечивая при этом эффективный отвод тепла от интегральной схемы. 2 ил.

Description

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при разработке корпусов интегральных схем.

Известен корпус интегральной схемы, содержащий металлическое основание, диэлектрическую пластину с микрополосковыми линиями на одной стороне, которые посредством металлических проводников, проходящих через диэлектрическую пластину, соединены с внешними выводами, расположенными на другой ее стороне, и крышку, герметично соединенную с поверхностью диэлектрической пластины.

В центре диэлектрической пластины выполнено отверстие, в котором заподлицо и с возможностью теплового контакта с основанием корпуса размещена интегральная схема.

Недостатком известного корпуса является применение в качестве материала металлического основания сплава МД-50, теплопроводность которого в 1,5 раза меньше, чем в предлагаемом корпусе.

Кроме того, применение сплава МД-50, обладающего электропроводностью, требует наличие дополнительного диэлектрического слоя между пластиной и монтируемой на ней интегральной схемой, что еще больше ухудшает теплоотвод от микросхемы. Наиболее близким к заявленному изобретению по совокупности признаков (прототипом) является корпус интегральной схемы, включающий основание со структурой проводящих линий и матрицей шариковых выводов, в центре которого выполнено отверстие.

В отверстии расположен медный теплоотвод, а интегральная схема смонтирована непосредственно на основании и залита компаундной формой.

Недостатком известного технического решения является жесткая конструкция корпуса, включающая в себя три элемента конструкции (основание, теплоотвод и компаундная смесь) с разными коэффициентами теплового линейного расширения, что уменьшает надежность работы изделия в условиях повышенных температур, сопровождающихся растрескиванием или проникновением влаги к поверхности кристалла.

Задача, решаемая настоящим изобретением, состоит в устранении указанных недостатков путем улучшения условий монтажа интегральной схемы в предлагаемом корпусе.

Для решения этой задачи в предлагаемом корпусе интегральной схемы на основе кремния с многослойной проводящей структурой и матрицей шариковых выводов, имеющим в центре сквозное отверстие для размещения интегральной схемы, закрытое снизу металлической пластиной, и крышку, в соответствии с изобретением и в отличии от прототипа корпус снабжен установочной площадкой, состоящей из диэлектрической пластины, соединенной посредством паянного шва с поверхностью металлической пластины, и закрепленной в нижней части основания корпуса с возможностью обеспечения неплоскостности установочной поверхности площадки в пределах 10...20 мкм, кроме того диэлектрическая пластина выполнена из нитрида алюминия с коэффициентом теплового линейного расширения равным коэффициенту теплового линейного расширения кремния.

Изобретение поясняется чертежами, где

на фиг.1 изображен поперечный разрез корпуса интегральной схемы;

на фиг.2 изображен корпус интегральной схемы в плане. Крышка корпуса не показана.

Устройство содержит основание 1 с многослойной проводящей структурой 2 и матрицей шариковых выводов 3.

В центральной зоне основания 1 выполнено сквозное отверстие 4, закрываемое снизу металлической пластиной 5, а сверху крышкой 6.

В корпус устройства введена диэлектрическая пластина 7, которая установлена на металлическую пластину 5, образуя установочную площадку с поверхностью «А».

Установочная площадка размещена в отверстии корпуса и закреплена в нижней части основания 1, например, посредством паяного шва, при этом допуск неплоскостности установочной поверхности площадки может быть в пределах 10...20 мкм.

Диэлектрическая пластина выполнена из нитрида алюминия с коэффициентом теплового линейного расширения равным коэффициенту теплового линейного расширения кремния.

Устройство работает следующим образом.

Сигнал поступает на выводы корпуса через многослойные проводящие линии к интегральной схеме, проходит соответствующую обработку (усиление, преобразование частоты, смещение, переключение на разные выводы и т.д.). Преобразованный сигнал снимается с внешних выводов корпуса. Предложенное устройство позволяет осуществлять различные виды обработки поступающих сигналов и снятие их с внешних выводов корпуса в условиях повышенных требований, таких как резкий перепад температур, высокая относительная влажность, вибрации и др.

Использование данного корпуса позволяет производить подключение полупроводниковых устройств к источнику энергии с высокими нагрузками.

При этом обеспечивается эффективный отвод тепла от интегральной схемы с помощью диэлектрической пластины с высокой теплопроводностью, а также сохраняется гарантия сохранности кристаллов от различного рода деформаций за счет выравнивания величин коэффициентов теплового линейного расширения кристаллов и диэлектрической пластины.

Источники информации

1. Патент RU № 2079931, кл. H01L 23/02, H05K 5/06, 1997.

2. Патент SU № 6956741, кл. H05K 7/20, 2005.

Claims

Корпус интегральной схемы на основе кремния, содержащий керамическое основание с многослойной проводящей структурой и матрицей шариковых выводов, имеющий в центре сквозное отверстие для размещения интегральной схемы, закрытое снизу металлической пластиной, и крышку, отличающийся тем, что корпус снабжен установочной площадкой, состоящей из диэлектрической пластины, соединенной посредством паянного шва с поверхностью металлической пластины, и закрепленной в нижней части основания корпуса с возможностью обеспечения неплоскостности установочной поверхности площадки в пределах 10-20 мкм, кроме того, диэлектрическая пластина выполнена из нитрида алюминия с коэффициентом теплового линейного расширения, равным коэффициенту теплового линейного расширения кремния.