RU2500052C1 - Схема микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов - Google Patents

Схема микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов Download PDF

Info

Publication number
RU2500052C1
RU2500052C1 RU2012126952/28A RU2012126952A RU2500052C1 RU 2500052 C1 RU2500052 C1 RU 2500052C1 RU 2012126952/28 A RU2012126952/28 A RU 2012126952/28A RU 2012126952 A RU2012126952 A RU 2012126952A RU 2500052 C1 RU2500052 C1 RU 2500052C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
circuit board
base
protruding part
circuit
multilayer circuit
Prior art date
Application number
RU2012126952/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Бин Луо
Маркони ФРАНКО
Original Assignee
Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд. filed Critical Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.
Application granted granted Critical
Publication of RU2500052C1 publication Critical patent/RU2500052C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/021—Components thermally connected to metal substrates or heat-sinks by insert mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6627—Waveguides, e.g. microstrip line, strip line, coplanar line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237—High frequency adaptations
    • H05K1/0243—Printed circuits associated with mounted high frequency components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09009—Substrate related
    • H05K2201/09054—Raised area or protrusion of metal substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Transmitters (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии связи с использованием схем микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов. Схема микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов включает многослойную схемную плату, теплопроводящую подложку и схемный модуль. Многослойная схемная плата вскрыта с помощью окна. Теплопроводящая подложка включает в себя основание. Многослойная схемная плата прикреплена к основанию. Теплопроводящая подложка дополнительно включает в себя выступающую часть, продолжающуюся от основания до окна многослойной схемной платы. Схемный модуль помещен в окне и расположен на выступающей части. Схемный модуль электрически соединен с наружным проводящим слоем многослойной схемной платы. Изобретение обеспечивает возможность реализации крупномасштабного схемного решения. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 9 ил.

Description

Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к области технологии связи и, в частности, к схеме микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов.
Уровень техники
Как показано на фиг.9, существующая схема микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов (MMW) включает в себя схемную плату (например, печатную плату). Схемная плата размещается на теплопроводящей подложке (металлическом блоке, обладающем теплопроводностью, например, на медном блоке или алюминиевом блоке). Схемная плата вскрыта с помощью окна. Бескорпусной кристалл размещается в окне и на теплопроводящей подложке.
Бескорпусной кристалл приклеен к теплопроводящей подложке посредством электропроводных материалов, таких как серебряная паста, так что между бескорпусным кристаллом и теплопроводящей подложкой существует хорошее теплопроводное и электропроводное соединение. Бескорпусной кристалл электрически соединен с проводящим слоем на поверхности схемной платы посредством проволочного вывода. В данной структуре базовое заземление бескорпусного кристалла, проволочный вывод и микрополосковая линия, которая расположена на схемной плате, представляют собой всю теплопроводящую подложку.
Схемная плата, применяемая в существующей MMW схеме, выполнена только с одним слоем проводников, поэтому крупномасштабное схемное решение не может быть реализовано.
Краткая сущность изобретения
Варианты осуществления настоящего изобретения обеспечивают схему микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов с возможностью реализации крупномасштабного схемного решения.
Варианты осуществления настоящего изобретения обеспечивают следующие технические решения.
Схема микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов включает в себя: многослойную схемную плату, теплопроводящую подложку, схемный модуль, при этом многослойная схемная плата вскрыта с помощью окна, теплопроводящая подложка включает в себя основание, многослойная схемная плата прикреплена к основанию, теплопроводящая подложка дополнительно включает в себя выступающую часть, продолжающуюся от основания до окна многослойной схемной платы, схемный модуль помещен в упомянутом окне и расположен на выступающей части, схемный модуль электрически соединен с наружным проводящим слоем многослойной схемной платы.
Устройство связи включает в себя компоновочный модуль схемы, причем компоновочный модуль схемы включает в себя схему микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов, схема микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов включает в себя: многослойную схемную плату, теплопроводящую подложку и
Устройство связи включает в себя компоновочный модуль схемы, причем компоновочный модуль схемы включает в себя схему микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов, схема микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов включает в себя: многослойную схемную плату, теплопроводящую подложку и схемный модуль, многослойная схемная плата вскрыта с помощью окна, теплопроводящая подложка включает в себя основание, многослойная схемная плата прикреплена к основанию, теплопроводящая подложка дополнительно включает в себя основание, многослойная схемная плата прикреплена к основанию, теплопроводящая подложка дополнительно включает в себя выступающую часть, продолжающуюся от основания до окна многослойной схемной платы, при этом схемный модуль помещен в упомянутом окне и расположен на выступающей части, и схемный модуль электрически соединен с наружным проводящим слоем многослойной схемной платы.
Из вышеупомянутого можно видеть технические решения, обеспечиваемые вариантами осуществления настоящего изобретения, при этом схемный модуль поддержан в виде расположения выступающей части на основании теплопроводящей подложки, так что в многослойной схемной плате могут быть расположены два или даже больше проводящих слоев, при этом большее количество проводящих слоев могут содержать больше соединений. Таким образом, крупномасштабное схемное решение может быть реализовано на схемной плате, содержащей множество слоев.
Краткое описание чертежей
Для того чтобы более наглядно проиллюстрировать технические решения в соответствии с вариантами осуществления настоящего изобретения, ниже приведены прилагаемые чертежи, необходимые для описания вариантов осуществления. Очевидно, что прилагаемые чертежи в приведенном ниже описании представляют собой только некоторые варианты осуществления настоящего изобретения, и специалисты в данной области техники из прилагаемых чертежей могут без труда получить дополнительно другие чертежи.
Фиг.1 представляет собой схематическое изображение варианта осуществления схемы микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов в соответствии с настоящим изобретением;
Фиг.2 представляет собой схематическое изображение варианта осуществления другой схемы микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов в соответствии с настоящим изобретением;
Фиг.3 представляет собой схематическое изображение варианта осуществления другой схемы микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов в соответствии с настоящим изобретением;
Фиг.4 представляет собой схематическое изображение варианта осуществления другой схемы микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов в соответствии с настоящим изобретением;
Фиг.5 представляет собой схематическое изображение варианта осуществления другой схемы микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов в соответствии с настоящим изобретением;
Фиг.6 представляет собой схематическое изображение варианта осуществления другой схемы микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов в соответствии с настоящим изобретением;
Фиг.7 представляет собой схематическое изображение варианта осуществления другой схемы микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов в соответствии с настоящим изобретением;
Фиг.8 представляет собой схематическое изображение варианта осуществления другой схемы микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов в соответствии с настоящим изобретением; и
Фиг.9 представляет собой схематическое изображение существующей схемы микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов.
Подробное описание вариантов осуществления
Для облегчения понимания вариантов осуществления настоящего изобретения, ниже представлены некоторые конкретные варианты осуществления в качестве примеров со ссылкой на прилагаемые чертежи, при этом каждый вариант осуществления не предназначен для ограничения вариантов осуществления настоящего изобретения.
Как показано на фиг.1, настоящее изобретение обеспечивает вариант осуществления схемы микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов, включающей в себя: многослойную схемную плату, теплопроводящую подложку 3 и схемный модуль 2. Многослойная схемная плата вскрыта с помощью окна. Теплопроводящая подложка 3 включает в себя основание 32. Многослойная схемная плата прикреплена к основанию 32. Теплопроводящая подложка 3 дополнительно включает в себя выступающую часть 31, продолжающуюся от основания до окна многослойной схемной платы. Схемный модуль 2 помещен в окне и расположен на выступающей части 3. Схемный модуль 2 электрически соединен с наружным проводящим слоем 1-1 многослойной схемной платы.
В вышеупомянутом варианте осуществления настоящего изобретения, схемный модуль 2 поддержан в виде расположения выступающей части 31 на основании 32 теплопроводящей подложки 3, так что в многослойной схемной плате могут быть расположены два или даже более проводящих слоев, причем большее количество проводящих слоев могут содержать больше соединений печатной платы. Таким образом, крупногабаритное схемное решение может быть реализовано на схемной плате, содержащей множество слоев.
Для описания в качестве примера на фиг.1 показана многослойная схемная плата с двумя проводящими слоями. На фиг.1 ссылочная позиция 1-а указывает изолирующий слой а многослойной схемной платы, 1-2 указывает внутренний проводящий слой многослойной схемной платы, 1-b указывает изолирующий слой b многослойной схемной платы, 8-1 указывает сквозное отверстие, которое соединяет наружный проводящий слой с внутренним проводящим слоем, 8-3 указывает сквозное отверстие, которое соединяет наружный проводящий слой многослойной схемной платы с внутренним проводящим слоем многослойной схемной платы и теплопроводящей подложкой.
В вышеупомянутом варианте осуществления настоящего изобретения между многослойной схемной платой и основанием 32 могут быть дополнительно расположены другие части, например, часть, выполняющая функцию возвышения.
В вышеупомянутом варианте осуществления настоящего изобретения теплопроводящая подложка может включать в себя металлический блок с функциями проведения тепла и проведения электричества, например, медный блок или алюминиевый блок, или сочетание медного блока с алюминиевым блоком.
В вышеупомянутом варианте осуществления настоящего изобретения схемный модуль может включать в себя модуль, содержащий схему. Например, схемный модуль может включать в себя кристалл (например, бескорпусной кристалл) или интегральную схему.
В вышеупомянутом варианте осуществления настоящего изобретения высота выступающей части может быть установлена так, что выступающая часть может выполнять функцию поддержки схемного модуля. Например, выступающая часть может поддерживать схемный модуль, так что схемный модуль расположен на высоте, которая находится приблизительно на одном уровне с наружным проводящим слоем многослойной схемной платы, или так, что схемный модуль немного выступает из наружного проводящего слоя многослойной схемной платы, или так, что схемный модуль расположен немного ниже, чем наружный проводящий слой многослойной схемной платы.
Кроме того, высота выступающей части может быть на уровне проводящего слоя, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы, или выступающая часть выше, чем проводящий слой, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы, или выступающая часть ниже, чем проводящий слой, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы. Микрополосковая линия многослойной схемной платы может быть расположена в наружном проводящем слое многослойной схемной платы, таким образом, базовый слой микрополосковой линии представляет собой второй проводящий слой, если считать от наружного проводящего слоя к внутренней части. Кроме того, если второй проводящий слой, если считать от наружного проводящего слоя к внутренней части, прорезан углублением, то базовый слой может быть расположен в третьем проводящем слое, если считать от наружного проводящего слоя к внутренней части, и остальное может быть установлено по аналогии.
Как показано на фиг.1, в вышеупомянутом варианте осуществления настоящего изобретения боковая стенка окна может быть ступенчатой и образует поверхность 10 ступеньки. Поверхность 10 ступеньки прилегает к верхней поверхности выступающей части.
В вышеупомянутом варианте осуществления настоящего изобретения схемный модуль может быть электрически соединен с наружным проводящим слоем 1-1 многослойной схемной платы следующим образом.
Электрическое соединение может быть реализовано посредством проволочного вывода (как показано на фиг.1) и может быть также реализовано посредством соединителя.
В вышеупомянутом варианте осуществления настоящего изобретения схемный модуль может быть электрически соединен с теплопроводящей подложкой следующим образом.
Схемный модуль может быть приклеен и прикреплен посредством электропроводных материалов, например серебряной пасты, для того чтобы обеспечить хорошее электрическое соединение между схемным модулем и теплопроводящей подложкой и реализовать функцию проведения тепла.
Как показано на фиг.2 и фиг.7, в вышеупомянутом варианте осуществления настоящего изобретения проводящий слой, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы, электрически соединен с боковой поверхностью выступающей части, или проводящий слой, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы, электрически соединен с верхней поверхностью выступающей части. Необходимо отметить, что проводящий слой, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы, может быть электрически соединен с боковой поверхностью выступающей части или верхней поверхностью выступающей части следующим образом. Электрическое соединение осуществляют после контакта или электропроводный материал (например, серебряную пасту) наносят на контактную поверхность между проводящим слоем, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы, и боковой поверхностью выступающей части или верхней поверхностью выступающей части, для того чтобы осуществить электрическое соединение.
Проводящий слой, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы, электрически соединен с выступающей частью, так что базовое заземление, как схемного модуля, так и микрополосковой линии, расположенное в многослойной схемной плате, представляет собой теплопроводящую подложку. В данном случае, базовое заземление представляет собой полностью непрерывную структуру, тем самым уменьшая проблему отражения, вызываемую обрывом базового заземления.
Кроме того, как показано на фиг.2 и фиг.4, в вышеупомянутом варианте осуществления настоящего изобретения высота выступающей части не меньше, чем высота проводящего слоя, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы, так что боковая поверхность выступающей части контактирует с проводящим слоем, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы, тем самым осуществляя электрическое соединение.
Как показано на фиг.3, в варианте осуществления настоящего изобретения, в верхней поверхности выступающей части может быть образовано углубление, и схемный модуль 2 может быть размещен в данном углублении.
Как показано на фиг.5, в вышеупомянутом варианте осуществления настоящего изобретения, на краю верхней поверхности выступающей части может быть расположена выемка, и проводящий слой, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы, прилегает к данной выемке, тем самым осуществляя электрическое соединение с выступающей частью.
Как показано на фиг.6, в вышеупомянутом варианте осуществления настоящего изобретения, на стороне выступающей части может быть размещен электропроводный РР (препрег), на краю электропроводного РР расположено углубление, и проводящий слой, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы, прилегает к данному углублению, тем самым осуществляя электрическое соединение с выступающей частью. Электропроводный PP обладает текучестью при высокой температуре и высоком давлении, может быть введен и подсоединен между проводящим слоем, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы, и выступающей частью, и может устранять погрешности механической обработки выступающей части и проводящего слоя, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы.
Электропроводный РР может быть выполнен кольцевым и встроенным на выступающей части.
Как показано на фиг.8, в варианте осуществления настоящего изобретения, серебряная паста или электропроводные адгезивы других типов могут быть использованы для адгезии на контактной поверхности между верхней поверхностью выступающей части и проводящим слоем, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы. Например, перед выполнением ламинирования печатной платы, слой электропроводного адгезива может быть сначала нанесен на контактную часть между выступающей частью и проводящим слоем, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы. Электропроводный адгезив выполняет функцию обширной деформации и, следовательно, может устранять погрешность высоты выступающей части.
Вариант осуществления настоящего изобретения дополнительно обеспечивает устройство связи, включающее в себя: компоновочный модуль схемы. Компоновочный модуль схемы включает в себя схему микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов. Схема микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов в соответствии с вариантом осуществления включает в себя: многослойную схемную плату, теплопроводящую подложку и схемный модуль. Многослойная схемная плата вскрыта с помощью окна. Теплопроводящая подложка включает в себя основание. Многослойная схемная плата прикреплена к основанию. Теплопроводящая подложка дополнительно включает в себя выступающую часть, продолжающуюся от основания до окна многослойной схемной платы. Схемный модуль помещен в упомянутом окне и расположен на выступающей части. Схемный модуль электрически соединен с наружным проводящим слоем многослойной схемной платы.
Компоновочный модуль схемы представляет собой модуль, скомпонованный со схемой.
Компоновочный модуль схемы может представлять собой компоновочный модуль кристалла или многокристальный модуль МСМ (многокристальный компоновочный модуль) или систему в компоновочном модуле SIP (систему в компоновке).
Устройство связи может представлять собой базовую станцию или роутер и так далее.
Вышеупомянутые описания представляют собой только конкретные примерные варианты осуществления настоящего изобретения и не предназначены для ограничения объема охраны настоящего изобретения.

Claims (10)

1. Схема микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов, содержащая: многослойную схемную плату, теплопроводящую подложку и схемный модуль, при этом многослойная схемная плата вскрыта с помощью окна, теплопроводящая подложка содержит основание, многослойная схемная плата прикреплена к основанию, теплопроводящая подложка дополнительно имеет выступающую часть, продолжающуюся от основания до окна многослойной схемной платы, схемный модуль помещен в окне и расположен на выступающей части, и схемный модуль электрически соединен с наружным проводящим слоем многослойной схемной платы.
2. Схема микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов по п.1, в которой схемный модуль содержит бескорпусной кристалл или интегральную схему.
3. Схема микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов по п.1, в которой боковая стенка окна является ступенчатой и образует поверхность ступеньки, и поверхность ступеньки прилегает к верхней поверхности выступающей части.
4. Схема микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов по п.1, в которой проводящий слой, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы, электрически соединен с боковой поверхностью выступающей части, или проводящий слой, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы, электрически соединен с верхней поверхностью выступающей части.
5. Схема микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов по п.4, в которой высота выступающей части не меньше, чем высота проводящего слоя, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы, так что боковая поверхность выступающей части контактирует с проводящим слоем, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы, тем самым осуществляя электрическое соединение.
6. Схема микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов по п.4, в которой на краю верхней поверхности выступающей части расположена выемка, и проводящий слой, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы, прилегает к данной выемке.
7. Схема микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов по п.4, в которой электропроводный адгезив использован для адгезии на контактной поверхности между верхней поверхностью выступающей части и проводящим слоем, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы.
8. Схема микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов по п.1, в которой на стороне выступающей части размещен электропроводный препрег, на краю электропроводного препрега расположено углубление, и проводящий слой, где расположено базовое заземление микрополосковой линии многослойной схемной платы, прилегает к данному углублению.
9. Устройство связи, содержащее компоновочный модуль схемы, в котором компоновочный модуль схемы содержит схему микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов, при этом схема микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов содержит: многослойную схемную плату, теплопроводящую подложку и схемный модуль, при этом многослойная схемная плата вскрыта с помощью окна, теплопроводящая подложка содержит основание, многослойная схемная плата прикреплена к основанию, теплопроводящая подложка дополнительно содержит выступающую часть, продолжающуюся от основания до окна многослойной схемной платы, схемный модуль помещен в окне и расположен на выступающей части, и схемный модуль электрически соединен с наружным проводящим слоем многослойной схемной платы.
10. Устройство связи по п.9, в котором компоновочный модуль схемы представляет собой компоновочный модуль кристалла или многокристальный компоновочный модуль или систему в компоновочном модуле.
RU2012126952/28A 2010-07-31 2011-05-06 Схема микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов RU2500052C1 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010241422.X 2010-07-31
CN201010241422XA CN101937900B (zh) 2010-07-31 2010-07-31 一种微波毫米波电路
PCT/CN2011/073724 WO2012016460A1 (zh) 2010-07-31 2011-05-06 一种微波毫米波电路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2500052C1 true RU2500052C1 (ru) 2013-11-27

Family

ID=43391130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012126952/28A RU2500052C1 (ru) 2010-07-31 2011-05-06 Схема микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8988891B2 (ru)
EP (1) EP2490255B1 (ru)
CN (1) CN101937900B (ru)
BR (1) BR112012015573B1 (ru)
RU (1) RU2500052C1 (ru)
WO (1) WO2012016460A1 (ru)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101937900B (zh) 2010-07-31 2013-01-09 华为技术有限公司 一种微波毫米波电路
US9337522B2 (en) * 2013-10-30 2016-05-10 Infineon Technologies Ag Millimeter-wave system including a waveguide transition connected to a transmission line and surrounded by a plurality of vias
CN112714539A (zh) * 2019-10-24 2021-04-27 伟创力有限公司 电子组件及制造电子组件的方法
CN111491489B (zh) * 2020-04-10 2022-11-15 深圳国人无线通信有限公司 一种印制板组件

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5379187A (en) * 1993-03-25 1995-01-03 Vlsi Technology, Inc. Design for encapsulation of thermally enhanced integrated circuits
CN1197286A (zh) * 1997-04-18 1998-10-28 庄晴光 双重模式微波/毫米波集成电路封装
JP2000353770A (ja) * 1999-05-20 2000-12-19 Whitaker Corp:The 集積回路パッケージ、ミリ波集積回路パッケージ、及び集積回路パッケージを基板に組立及び実装する方法
US6683795B1 (en) * 2002-04-10 2004-01-27 Amkor Technology, Inc. Shield cap and semiconductor package including shield cap
EP1923950A1 (en) * 2006-11-17 2008-05-21 Siemens S.p.A. SMT enabled microwave package with waveguide interface
RU2329568C1 (ru) * 2006-12-05 2008-07-20 Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (ЗАО "НПО "НИИТАЛ") Корпус интегральной схемы
US7514684B2 (en) * 2006-08-28 2009-04-07 L-3 Communications Corporation Surface mounted infrared image detector systems and associated methods

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5012386A (en) * 1989-10-27 1991-04-30 Motorola, Inc. High performance overmolded electronic package
US6292374B1 (en) * 1998-05-29 2001-09-18 Lucent Technologies, Inc. Assembly having a back plate with inserts
US6625028B1 (en) * 2002-06-20 2003-09-23 Agilent Technologies, Inc. Heat sink apparatus that provides electrical isolation for integrally shielded circuit
US7018494B2 (en) * 2002-08-28 2006-03-28 Kyocera Corporation Method of producing a composite sheet and method of producing a laminate by using the composite sheet
CN101415297B (zh) * 2007-10-19 2010-07-07 华为技术有限公司 一种印制板组件及其加工方法
CN101937900B (zh) 2010-07-31 2013-01-09 华为技术有限公司 一种微波毫米波电路

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5379187A (en) * 1993-03-25 1995-01-03 Vlsi Technology, Inc. Design for encapsulation of thermally enhanced integrated circuits
CN1197286A (zh) * 1997-04-18 1998-10-28 庄晴光 双重模式微波/毫米波集成电路封装
JP2000353770A (ja) * 1999-05-20 2000-12-19 Whitaker Corp:The 集積回路パッケージ、ミリ波集積回路パッケージ、及び集積回路パッケージを基板に組立及び実装する方法
US6683795B1 (en) * 2002-04-10 2004-01-27 Amkor Technology, Inc. Shield cap and semiconductor package including shield cap
US7514684B2 (en) * 2006-08-28 2009-04-07 L-3 Communications Corporation Surface mounted infrared image detector systems and associated methods
EP1923950A1 (en) * 2006-11-17 2008-05-21 Siemens S.p.A. SMT enabled microwave package with waveguide interface
RU2329568C1 (ru) * 2006-12-05 2008-07-20 Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (ЗАО "НПО "НИИТАЛ") Корпус интегральной схемы

Also Published As

Publication number Publication date
CN101937900A (zh) 2011-01-05
US20120243185A1 (en) 2012-09-27
BR112012015573B1 (pt) 2020-11-17
EP2490255A1 (en) 2012-08-22
WO2012016460A1 (zh) 2012-02-09
CN101937900B (zh) 2013-01-09
EP2490255B1 (en) 2016-04-06
US8988891B2 (en) 2015-03-24
EP2490255A4 (en) 2014-10-08
BR112012015573A2 (pt) 2018-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7444737B2 (en) Method for manufacturing an antenna
US10332818B2 (en) Efficient heat removal from component carrier with embedded diode
KR102332362B1 (ko) 초박형 임베디드 반도체 소자 패키지 및 그 제조 방법
CN111541001B (zh) 一体化瓦片有源相控阵天线
CN104733419A (zh) 三维空间封装结构及其制造方法
US8174839B2 (en) Mounting structure of semiconductor package and plasma display device having the same
RU2500052C1 (ru) Схема микрометрового и миллиметрового волновых диапазонов
US10465894B2 (en) Optical module
EP2515352B1 (en) A manufacture method for a surface mounted power led support
CN103906371A (zh) 具有内埋元件的电路板及其制作方法
WO2022105161A1 (zh) 天线封装结构及天线封装结构制造方法
WO2022105160A1 (zh) 天线封装结构及天线封装结构制造方法
US9860990B1 (en) Circuit board structure with chips embedded therein and manufacturing method thereof
KR101434039B1 (ko) 전력 반도체 모듈 및 전력 반도체 제조 방법
CN211531415U (zh) 一种高可靠、小型化厚膜电路模块
TW201737445A (zh) 封裝中的堆疊整流器
US11335664B2 (en) Integrated circuit packaging method and integrated packaging circuit
CN109348616A (zh) 一种具有热传导结构的线路板及其制作方法
CN112770495B (zh) 全向内埋模组及制作方法、封装结构及制作方法
CN209659706U (zh) 一种具有热传导结构的线路板
CN116895614B (zh) 一种三维异构集成的毫米波系统封装结构
CN210075681U (zh) 双铜层高效散热覆铜铝基板
CN115841995B (zh) 一种封装结构及封装方法
CN110933843B (zh) 一种内装片状电子元器件的多层基板及制造方法
US9112456B2 (en) Assembly structure of power amplifier