JP4176283B2 - 可撓性微細多層回路基板の製造法 - Google Patents
可撓性微細多層回路基板の製造法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4176283B2 JP4176283B2 JP2000125232A JP2000125232A JP4176283B2 JP 4176283 B2 JP4176283 B2 JP 4176283B2 JP 2000125232 A JP2000125232 A JP 2000125232A JP 2000125232 A JP2000125232 A JP 2000125232A JP 4176283 B2 JP4176283 B2 JP 4176283B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- opening
- layer
- manufacturing
- multilayer circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ビアホ−ル等の微細な開口部を用いた相互接続部により複数の単層回路基板の相互間を導通させる可撓性微細多層回路基板の製造法に関する。
【0002】
【従来の技術とその問題点】
この種の可撓性多層回路基板はドリリング等の手法によりスル−ホ−ルを形成して層間の電気的接続を行うのが一般的であるが、ドリリングによりスル−ホ−ルを形成した可撓性多層回路基板は、全ての層に対してスル−ホ−ルを形成する為に設計上の制約を受ける。
【0003】
また、多層回路基板の層数はドリリング技術により上限が決定され、更に層数が増加するにつれて電気メッキ等の接続信頼性が低下する他、スル−ホ−ル形成に要する面積が高密度配線の障害となっている。
【0004】
そこで、本発明はビアホ−ル等の微細開口部を用いた相互接続部により複数の単層回路基板の相互間を導通させる可撓性微細多層回路基板の製造法を提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
その為に、本発明による可撓性微細多層回路基板の製造法では、化学的エッチング手法、レ−ザ−手法又はプラズマ加工手法により回路基板の絶縁層に所要の配線パタ−ンに達するビアホ−ル等の微細な開口部を形成し、前記開口部にメッキ手段で相互接続の為の電極部を形成した後、前記電極部を形成した面に所要の配線パタ−ンを形成した単層回路基板をその配線パタ−ンが重なるように貼り合わせ、前記電極部の箇所を含めて前記単層回路基板の絶縁層にその配線パタ−ンに達する微細な開口部を形成し、次いでこの開口部にメッキ手段で他の単層回路基板との相互接続の為の電極部を再度形成して多層の可撓性回路基板を形成するものである。
【0006】
上記の工程を繰り返すことにより多層の可撓性回路基板がスル−ホ−ルを形成することなく電気的に信頼性の高い相互接続が得られ、また、相互接続に必要な面積も従来のドリリングによるスル−ホ−ルより小さいので高密度配線に有利であってその相互接続位置も各層で任意に配置することが可能となる。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下、図示の実施例を参照しながら本発明を更に詳述する。図1は本発明による可撓性微細多層回路基板の製造工程図であり、同図(1)の如く、先ず銅箔等の導体層2の上面にポリイミド化する前のポリアミック酸膜を一様に塗布することにより絶縁層1を形成する。この絶縁層1には、例えば新日鉄化学(株)製のポリアミック酸フィルムを用いることもできる。
【0008】
次に、同図(2)の如く、導体層2にはエッチング手段等で所要の配線パタ−ン5を形成すると共に、絶縁層1に対しては化学的エッチング手法、レ−ザ−手法又はプラズマ加工手法によって所定の配線パタ−ン5に達する微細な開口部4を形成するように絶縁パタ−ン3を形成する。
【0009】
そこで、同図(3)の如く、開口部4に対して銅メッキ等の電気メッキ手段により絶縁パタ−ン3上に突出程度に相互接続の為の電極部6を形成した段階で、同図(4)の如く、電極部6が形成された絶縁パタ−ン3面にその基材と適合性の良いポリアミック酸のインクを塗布する等の手法で貼り合わせに好都合な流動性の良い接着層を設け、絶縁層7の一方面に所要の配線パタ−ン8を形成した他の単層回路基板をその配線パタ−ン8が上記電極部6と面するように両者の回路基板を貼り合わせる。
【0010】
ここで、貼り合わせる他の単層回路基板の配線パタ−ン8に於ける上記電極部6の配置部位は配線パタ−ンが位置しないように適宜除去されており、また、両回路基板の上記貼り合わせ積層により、配線層や空隙にはポリアミック酸インクが充填される。
【0011】
次に、更に多層化する為に、図2(1)の如く、貼り合わせた単層回路基板の絶縁層7に対して上記と同様な手法で微細な開口部10を形成するように絶縁パタ−ン9を形成する。この際には上記工程で形成した電極部6も露出させるようにその部位にも開口部11を形成する。
【0012】
そして、上記と同様に開口部10,11に対して電気メッキを施すことにより同図(2)の如く、更に他の単層回路基板との相互接続の為の電極部12が形成されると共に、一層目の配線パタ−ン5と二層目の配線パタ−ン8とは電気的に確実に相互接続される。
【0013】
次いで、更に多層化する為に、図1(4)と同様な手法によって、絶縁層13の下面に所要の配線パタ−ン14を形成した更に他の単層回路基板を貼り合わせると図2(3)に示すような三層構造の可撓性微細多層回路基板を形成することができる。
【0014】
上記のような工程を繰り返すことにより、層間の相互接続を好適に形成した所望の層数を有する可撓性微細多層回路基板を製作することが可能である。そしてレ−ザ−手法、プラズマ手法又は樹脂エッチング手法で上記微細な開口部を形成する場合、絶縁層としての基材はポリアミック酸膜に限らずポリイミド等の樹脂フィルムを使用しても上記手法で開口部を設けることもできる。また、回路基板相互の貼り合わせに用いる接着材も上記の如きポリアミック酸インクの他、エポキシ樹脂に代表される多様な接着材を適宜使用することができる。
【0015】
【発明の効果】
本発明によれば、回路基板の絶縁層にビアホ−ル状の微細な開口部を形成する手法とその開口部に対する電気メッキによる層間相互接続手法との併用によって既述の如く層数に制約されない微細且つ高密度な可撓性多層回路基板を安定的に提供することができる。
【0016】
また、各回路基板の貼り合わせ積層の途中でも電気的相互導通検査が可能である為、回路の電気的接続信頼性を確保する上でも極めて有用な手法である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による可撓性微細多層回路基板の製造工程図。
【図2】図1に続く製造工程図。
【符号の説明】
1 絶縁層
2 導体層
3 絶縁パタ−ン
4 開口部
5 配線パタ−ン
6 電極部
7 絶縁層
8 配線パタ−ン
Claims (4)
- 回路基板の絶縁層に所要の配線パタ−ンに達する微細な開口部を形成し、前記開口部にメッキ手段により相互接続の為の電極部を形成した後、前記電極部を形成した面に所要の配線パタ−ンを形成した単層回路基板をその配線パタ−ンが重なるように貼り合わせ、前記電極部の箇所を含めて前記単層回路基板の絶縁層にその配線パタ−ンに達する微細な開口部を形成し、次いでこの開口部にメッキ手段で他の単層回路基板との相互接続の為の電極部を再度形成して多層の可撓性回路基板を形成することを特徴とする可撓性微細多層回路基板の製造法。
- 前記開口部が化学的エッチング手法により形成される請求項1の可撓性微細多層回路基板の製造法。
- 前記開口部がレ−ザ−手法により形成される請求項1の可撓性微細多層回路基板の製造法。
- 前記開口部がプラズマ加工手法により形成される請求項1の可撓性微細多層回路基板の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000125232A JP4176283B2 (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 可撓性微細多層回路基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000125232A JP4176283B2 (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 可撓性微細多層回路基板の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001308533A JP2001308533A (ja) | 2001-11-02 |
JP4176283B2 true JP4176283B2 (ja) | 2008-11-05 |
Family
ID=18635217
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000125232A Expired - Fee Related JP4176283B2 (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 可撓性微細多層回路基板の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4176283B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003209366A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Sony Corp | フレキシブル多層配線基板およびその製造方法 |
-
2000
- 2000-04-26 JP JP2000125232A patent/JP4176283B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001308533A (ja) | 2001-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5317801A (en) | Method of manufacture of multilayer circuit board | |
JP4248761B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法並びに半導体装置 | |
KR20030088357A (ko) | 금속 코어 기판 및 그 제조 방법 | |
JP2003174265A (ja) | 多層配線回路基板 | |
JP2003264253A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3577421B2 (ja) | 半導体装置用パッケージ | |
JP2016063130A (ja) | プリント配線板および半導体パッケージ | |
US8826531B1 (en) | Method for making an integrated circuit substrate having laminated laser-embedded circuit layers | |
JP3592129B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
JP2004095854A (ja) | 多層配線基板 | |
JPH0794868A (ja) | 多層配線基板及びその製造方法 | |
JPH1041631A (ja) | チップ埋め込み構造高密度実装基板の製造方法 | |
JP4219541B2 (ja) | 配線基板及び配線基板の製造方法 | |
US6913814B2 (en) | Lamination process and structure of high layout density substrate | |
JP4176283B2 (ja) | 可撓性微細多層回路基板の製造法 | |
JPH11274734A (ja) | 電子回路装置およびその製造方法 | |
JP2001308484A (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
JPH10261854A (ja) | プリント配線板及びその製造方法 | |
JP2000101237A (ja) | ビルドアップ基板 | |
JPH09148739A (ja) | 多層回路板およびその製造方法 | |
JP2005236220A (ja) | 配線基板と配線基板の製造方法、および半導パッケージ | |
JP2001257476A (ja) | 多層配線基板及びその製造方法 | |
JP2003229662A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
CN112566390B (zh) | 多层柔性线路板及其制备方法 | |
JPH10117067A (ja) | 多層配線基板及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060308 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080619 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080819 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080820 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130829 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |