JPH05251843A - グロー放電を利用するフレキシブル回路基板の製造方法 - Google Patents
グロー放電を利用するフレキシブル回路基板の製造方法Info
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- JPH05251843A JPH05251843A JP34752191A JP34752191A JPH05251843A JP H05251843 A JPH05251843 A JP H05251843A JP 34752191 A JP34752191 A JP 34752191A JP 34752191 A JP34752191 A JP 34752191A JP H05251843 A JPH05251843 A JP H05251843A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポリイミドフィルムの片面または両面上に金
属薄膜層を有し、ポリイミドフィルムと金属薄膜層との
間の接着性が良好であるフレキシブル回路基板の製造方
法に関する。 【構成】 ポリイミドフィルムの片面もしくは両面上に
金属層を有するフレキシブル回路基板の製造において、
このポリイミドフィルムの表面を窒素酸化物を含むガス
のグロー放電に暴露した後、この表面上に銅ニッケル合
金薄膜を形成し、この銅ニッケル薄膜上に銅薄膜を形成
することによる、フレキシブル回路基板の製造方法に関
する。
属薄膜層を有し、ポリイミドフィルムと金属薄膜層との
間の接着性が良好であるフレキシブル回路基板の製造方
法に関する。 【構成】 ポリイミドフィルムの片面もしくは両面上に
金属層を有するフレキシブル回路基板の製造において、
このポリイミドフィルムの表面を窒素酸化物を含むガス
のグロー放電に暴露した後、この表面上に銅ニッケル合
金薄膜を形成し、この銅ニッケル薄膜上に銅薄膜を形成
することによる、フレキシブル回路基板の製造方法に関
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリイミドフィルムの片
面および両面に金属薄膜層を有するフレキシブル回路基
板の製造方法に関し、特に、該金属薄膜層と該ポリイミ
ドフィルムとの間の接着性が良好であるフレキシブル回
路基板の製造方法に関する。
面および両面に金属薄膜層を有するフレキシブル回路基
板の製造方法に関し、特に、該金属薄膜層と該ポリイミ
ドフィルムとの間の接着性が良好であるフレキシブル回
路基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】絶縁性のポリマーフィルム上に金属層を
形成したフレキシブル回路基板として従来、金属薄膜と
ポリマーフィルムとを接着剤で接合したものがある。し
かしこれらのフレキシブル回路基板では、接着剤の熱的
性能がポリマーフィルムの性能に劣ること、および金属
薄膜の膜厚が１０μｍ以上と厚いために幅数１０μｍの
微細加工が困難であることなどの理由から、半導体産業
における高密度配線に対応することができない、寸法安
定性が悪い、製品がそりあがるなどの問題があった。
形成したフレキシブル回路基板として従来、金属薄膜と
ポリマーフィルムとを接着剤で接合したものがある。し
かしこれらのフレキシブル回路基板では、接着剤の熱的
性能がポリマーフィルムの性能に劣ること、および金属
薄膜の膜厚が１０μｍ以上と厚いために幅数１０μｍの
微細加工が困難であることなどの理由から、半導体産業
における高密度配線に対応することができない、寸法安
定性が悪い、製品がそりあがるなどの問題があった。
【０００３】上記の問題を解決するために、接着剤なし
でポリマーフィルム上に金属薄膜を形成する技術が検討
されてきた。その例として、真空蒸着、スパッタリング
などによる薄膜形成法がある。ここで得られる金属薄膜
は膜厚が１μｍ以下と薄いために、幅数１０μｍの微細
加工による回路パターンの形成も容易である。形成され
た回路パターン上に電解メッキなどによりさらに金属を
堆積、成長させることにより、微細加工された導電層を
形成することができる。
でポリマーフィルム上に金属薄膜を形成する技術が検討
されてきた。その例として、真空蒸着、スパッタリング
などによる薄膜形成法がある。ここで得られる金属薄膜
は膜厚が１μｍ以下と薄いために、幅数１０μｍの微細
加工による回路パターンの形成も容易である。形成され
た回路パターン上に電解メッキなどによりさらに金属を
堆積、成長させることにより、微細加工された導電層を
形成することができる。
【０００４】しかし、このような技術で得られるフレキ
シブル回路基板では、リソグラフィー技術を用いる回路
パターン形成工程、および形成された回路パターン上に
通電抵抗の低下および機械的強度の向上のために金属を
積層する電解メッキ工程などにおいて、金属層がポリマ
ーフイルムから剥離する問題が生じ、金属層とポリマー
フイルムとの間の接着力の低下が問題となっていた。
シブル回路基板では、リソグラフィー技術を用いる回路
パターン形成工程、および形成された回路パターン上に
通電抵抗の低下および機械的強度の向上のために金属を
積層する電解メッキ工程などにおいて、金属層がポリマ
ーフイルムから剥離する問題が生じ、金属層とポリマー
フイルムとの間の接着力の低下が問題となっていた。
【０００５】金属層とポリマーフイルムとの間の接着力
を改善することを目的とした、種々の先行技術が知られ
ている。すなわち、特開平０２−９８９９４号公報には
０．０１〜５μｍのクロム層をスパッタリングで形成す
ること、特開昭６２−１８１４８８号公報には５０〜１
００００オングストロームのニッケルまたはニッケル−
クロム層を蒸着で形成すること、特開昭６２−６２５５
１号公報にはクロム層を蒸着で形成すること、特開昭６
２−４７９０８号公報にはニッケル層を蒸着で形成する
こと、特開昭６１−１２８５９３号公報には金属層を蒸
着で形成すること、特公昭５７−１８３５７号公報には
ニッケル、コバルト、ジルコニウムまたはパラジウム層
をイオンプレーティング法で形成すること、特公昭５７
−１８３５６号公報にはニッケルおよびニッケル合金層
をイオンプレーティング法で形成することがすでに開示
されている。
を改善することを目的とした、種々の先行技術が知られ
ている。すなわち、特開平０２−９８９９４号公報には
０．０１〜５μｍのクロム層をスパッタリングで形成す
ること、特開昭６２−１８１４８８号公報には５０〜１
００００オングストロームのニッケルまたはニッケル−
クロム層を蒸着で形成すること、特開昭６２−６２５５
１号公報にはクロム層を蒸着で形成すること、特開昭６
２−４７９０８号公報にはニッケル層を蒸着で形成する
こと、特開昭６１−１２８５９３号公報には金属層を蒸
着で形成すること、特公昭５７−１８３５７号公報には
ニッケル、コバルト、ジルコニウムまたはパラジウム層
をイオンプレーティング法で形成すること、特公昭５７
−１８３５６号公報にはニッケルおよびニッケル合金層
をイオンプレーティング法で形成することがすでに開示
されている。
【０００６】しかしながら、これら公知の技術のいずれ
を用いても、半導体産業における高密度配線を可能にす
る上で充分に満足できる材料を提供することは困難であ
った。
を用いても、半導体産業における高密度配線を可能にす
る上で充分に満足できる材料を提供することは困難であ
った。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の問
題点を解決するものであり、その目的とするところは、
半導体産業における高密度配線を可能にするために接着
剤なしでポリイミドフィルム上に金属層を形成したフレ
キシブル回路基板を提供することであり、特に、回路パ
ターン形成および電解メッキなどの後工程において、金
属層がポリイミドフイルムから剥離する問題を克服した
フレキシブル回路基板を提供することである。
題点を解決するものであり、その目的とするところは、
半導体産業における高密度配線を可能にするために接着
剤なしでポリイミドフィルム上に金属層を形成したフレ
キシブル回路基板を提供することであり、特に、回路パ
ターン形成および電解メッキなどの後工程において、金
属層がポリイミドフイルムから剥離する問題を克服した
フレキシブル回路基板を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】発明者らは、銅層／ポリ
イミドフィルムからなるフレキシブル回路基板の製造に
おいて、該ポリイミドフィルムの表面を一酸化二窒素な
どの窒素酸化物を含むガスのグロー放電に短時間暴露し
た後、真空を破ることなく連続的に、該ポリイミドフィ
ルムの表面上にニッケル−銅合金の極薄膜を形成した後
に、該極薄膜上に電気伝導性の良好な銅薄膜を形成する
ことにより、回路パターン形成および電解メッキなどの
後工程において、該銅層の該ポリイミドフィルムからの
剥離防止に極めて効果があることを発見して、本発明を
完成するに至ったものである。
イミドフィルムからなるフレキシブル回路基板の製造に
おいて、該ポリイミドフィルムの表面を一酸化二窒素な
どの窒素酸化物を含むガスのグロー放電に短時間暴露し
た後、真空を破ることなく連続的に、該ポリイミドフィ
ルムの表面上にニッケル−銅合金の極薄膜を形成した後
に、該極薄膜上に電気伝導性の良好な銅薄膜を形成する
ことにより、回路パターン形成および電解メッキなどの
後工程において、該銅層の該ポリイミドフィルムからの
剥離防止に極めて効果があることを発見して、本発明を
完成するに至ったものである。
【０００９】すなわち、本発明の一つの様態は、ポリイ
ミドフィルムの片面を一酸化二窒素などの窒素酸化物を
含むガスのグロー放電に短時間暴露した後、真空を破る
ことなく連続的に、該ポリイミドフィルムの片面上に銅
ニッケル合金をターゲット材料としてスパッタリングに
より銅ニッケル合金薄膜を形成し、続いて、該銅ニッケ
ル合金薄膜の上に、銅をターゲット材料としてスパッタ
リングにより銅薄膜を積層することを特徴とするフレキ
シブル回路基板の製造方法である。
ミドフィルムの片面を一酸化二窒素などの窒素酸化物を
含むガスのグロー放電に短時間暴露した後、真空を破る
ことなく連続的に、該ポリイミドフィルムの片面上に銅
ニッケル合金をターゲット材料としてスパッタリングに
より銅ニッケル合金薄膜を形成し、続いて、該銅ニッケ
ル合金薄膜の上に、銅をターゲット材料としてスパッタ
リングにより銅薄膜を積層することを特徴とするフレキ
シブル回路基板の製造方法である。
【００１０】本発明は上記の銅層をポリイミドフィルム
の両面に形成することも可能にする。すなわち、上記の
ようにして得られた片面上に銅層を有するポリイミドフ
ィルムの残る片面を一酸化二窒素などの窒素酸化物を含
むガスのグロー放電に短時間暴露した後、真空を破るこ
となく連続的に、該ポリイミドフィルムの残る片面上に
銅ニッケル合金をターゲット材料としてスパッタリング
により銅ニッケル合金薄膜を形成し、続いて、該銅ニッ
ケル合金薄膜の上に、銅をターゲット材料としてスパッ
タリングにより銅薄膜を積層することを特徴とする、銅
層／ポリイミドフィルム／銅層よりなるフレキシブル回
路基板の製造方法も本発明の一つの様態である。ここ
で、銅層とは銅ニッケル合金薄膜、銅薄膜の順に積層し
て形成した金属薄膜層を総称するものである。
の両面に形成することも可能にする。すなわち、上記の
ようにして得られた片面上に銅層を有するポリイミドフ
ィルムの残る片面を一酸化二窒素などの窒素酸化物を含
むガスのグロー放電に短時間暴露した後、真空を破るこ
となく連続的に、該ポリイミドフィルムの残る片面上に
銅ニッケル合金をターゲット材料としてスパッタリング
により銅ニッケル合金薄膜を形成し、続いて、該銅ニッ
ケル合金薄膜の上に、銅をターゲット材料としてスパッ
タリングにより銅薄膜を積層することを特徴とする、銅
層／ポリイミドフィルム／銅層よりなるフレキシブル回
路基板の製造方法も本発明の一つの様態である。ここ
で、銅層とは銅ニッケル合金薄膜、銅薄膜の順に積層し
て形成した金属薄膜層を総称するものである。
【００１１】ポリイミドフィルムの表面を上記のグロー
放電に暴露する時間は５秒から６０秒で充分である。グ
ロー放電の方法は、特に限定されるものではなく、ＤＣ
放電法、高周波放電法、マイクロ波放電法などを有効に
利用することができる。該グロー放電においては、一種
類またはそれ以上の窒素酸化物を含むガス、例えば一酸
化二窒素、一酸化二窒素と酸素との混合ガスなどが効果
的に用いられる。一酸化二窒素を窒素やアルゴンなどの
ガスで希釈して用いることもできる。
放電に暴露する時間は５秒から６０秒で充分である。グ
ロー放電の方法は、特に限定されるものではなく、ＤＣ
放電法、高周波放電法、マイクロ波放電法などを有効に
利用することができる。該グロー放電においては、一種
類またはそれ以上の窒素酸化物を含むガス、例えば一酸
化二窒素、一酸化二窒素と酸素との混合ガスなどが効果
的に用いられる。一酸化二窒素を窒素やアルゴンなどの
ガスで希釈して用いることもできる。
【００１２】該銅ニッケル合金薄膜は、好ましくはニッ
ケル４０〜８０重量％、銅２０〜６０重量％を含有する
銅ニッケル合金をターゲットとするスパッタリングによ
り、膜厚が５０〜５００オングストロームとなるように
形成されるものである。モネルメタルと呼ばれる銅ニッ
ケル合金は該ターゲットとして特に有効である。
ケル４０〜８０重量％、銅２０〜６０重量％を含有する
銅ニッケル合金をターゲットとするスパッタリングによ
り、膜厚が５０〜５００オングストロームとなるように
形成されるものである。モネルメタルと呼ばれる銅ニッ
ケル合金は該ターゲットとして特に有効である。
【００１３】該銅薄膜は、電気良伝導性の銅をターゲッ
トとするスパッタリングにより、膜厚が１０００〜４２
０００オングストロームとなるように形成されるもので
ある。
トとするスパッタリングにより、膜厚が１０００〜４２
０００オングストロームとなるように形成されるもので
ある。
【００１４】スパッタリング方法は特に限定されるもの
ではない。ＤＣマグネトロンスパッタリング、高周波マ
グネトロンスパッタリング、イオンビームスパッタリン
グなどの薄膜形成技術が有効に用いられる。
ではない。ＤＣマグネトロンスパッタリング、高周波マ
グネトロンスパッタリング、イオンビームスパッタリン
グなどの薄膜形成技術が有効に用いられる。
【００１５】該ポリイミドフィルムの膜厚は典型的には
１０〜５００μｍであり、特に２５〜１２５μｍが好ま
しく、カプトン、ユーピレックス、アピカルなど、市場
で入手できるポリイミドフィルムが有効に用いられる。
１０〜５００μｍであり、特に２５〜１２５μｍが好ま
しく、カプトン、ユーピレックス、アピカルなど、市場
で入手できるポリイミドフィルムが有効に用いられる。
【００１６】
【実施例】実施例１ ドラムコーター式のスパッタリング装置で、フィルム設
置部とスパッタリング部との間にグロー放電手段を有す
るスパッタリング薄膜形成装置に、ポリイミドフィルム
として膜厚が５０．８μｍのカプトン−Ｖ（デュポン社
製）を取りつけ、この片面を一酸化二窒素ガスのＤＣグ
ロー放電に約１０秒間暴露した。つづいて、該ポリイミ
ドフィルムの片面上に、モネルメタルをターゲット材料
として、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより平均厚
み約７０オングストロームの銅ニッケル合金薄膜を形成
した後、真空状態を破ること無く連続的に、銅をターゲ
ット材料にして、ＤＣマグネトロンスパッタリングによ
り、該銅ニッケル合金薄膜上に、平均膜厚が約２５００
オングストロームの銅薄膜を積層した。ポリイミドフィ
ルムの片面に上記のような金属層を有するこのフレキシ
ブル回路基板の製造方法が本発明の一つの実施例であ
る。
置部とスパッタリング部との間にグロー放電手段を有す
るスパッタリング薄膜形成装置に、ポリイミドフィルム
として膜厚が５０．８μｍのカプトン−Ｖ（デュポン社
製）を取りつけ、この片面を一酸化二窒素ガスのＤＣグ
ロー放電に約１０秒間暴露した。つづいて、該ポリイミ
ドフィルムの片面上に、モネルメタルをターゲット材料
として、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより平均厚
み約７０オングストロームの銅ニッケル合金薄膜を形成
した後、真空状態を破ること無く連続的に、銅をターゲ
ット材料にして、ＤＣマグネトロンスパッタリングによ
り、該銅ニッケル合金薄膜上に、平均膜厚が約２５００
オングストロームの銅薄膜を積層した。ポリイミドフィ
ルムの片面に上記のような金属層を有するこのフレキシ
ブル回路基板の製造方法が本発明の一つの実施例であ
る。
【００１７】該金属層上にフォトリソグラフィーにより
８０μｍピッチ、６０μｍ幅の回路パターンを形成し、
該回路パターン上に電解メッキにより２５μｍの銅を堆
積した。上記の回路パターン形成および電解メッキ工程
において、該フレキシブル回路基板に、剥離、サイドエ
ッチングなど、従来の技術において発生していた問題は
発生しなかった。
８０μｍピッチ、６０μｍ幅の回路パターンを形成し、
該回路パターン上に電解メッキにより２５μｍの銅を堆
積した。上記の回路パターン形成および電解メッキ工程
において、該フレキシブル回路基板に、剥離、サイドエ
ッチングなど、従来の技術において発生していた問題は
発生しなかった。
【００１８】実施例２ 実施例１において用いた薄膜形成装置を用いた。ポリイ
ミドフィルムとして、膜厚が２５．４μｍのカプトン−
Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面を一酸化二窒素を
含むガスのＤＣグロー放電に約２０秒暴露したのち、該
ポリイミドフィルムの片面上に、モネルメタルをターゲ
ット材料として、ＤＣマグネトロンスパッタリング法に
より平均厚み約５０オングストロームの銅ニッケル合金
薄膜を形成した後、真空状態を破ること無く連続的に、
銅をターゲット材料にして、ＤＣマグネトロンスパッタ
リング法により、該銅ニッケル合金薄膜上に、平均膜厚
が約６０００オングストロームの銅薄膜を積層した。ポ
リイミドフィルムの片面に上記のような金属層を有する
このフレキシブル回路基板の製造方法が本発明の一つの
実施例である。
ミドフィルムとして、膜厚が２５．４μｍのカプトン−
Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面を一酸化二窒素を
含むガスのＤＣグロー放電に約２０秒暴露したのち、該
ポリイミドフィルムの片面上に、モネルメタルをターゲ
ット材料として、ＤＣマグネトロンスパッタリング法に
より平均厚み約５０オングストロームの銅ニッケル合金
薄膜を形成した後、真空状態を破ること無く連続的に、
銅をターゲット材料にして、ＤＣマグネトロンスパッタ
リング法により、該銅ニッケル合金薄膜上に、平均膜厚
が約６０００オングストロームの銅薄膜を積層した。ポ
リイミドフィルムの片面に上記のような金属層を有する
このフレキシブル回路基板の製造方法が本発明の一つの
実施例である。
【００１９】該金属層上にフォトリソグラフィーにより
１００μｍピッチ、８０μｍ幅の回路パターンを形成
し、該回路パターン上に電解メッキにより２５μｍの銅
を堆積した。上記の回路パターン形成および電解メッキ
工程において、該フレキシブル回路基板に、剥離、サイ
ドエッチングなど、従来の技術において発生していた問
題は発生しなかった。
１００μｍピッチ、８０μｍ幅の回路パターンを形成
し、該回路パターン上に電解メッキにより２５μｍの銅
を堆積した。上記の回路パターン形成および電解メッキ
工程において、該フレキシブル回路基板に、剥離、サイ
ドエッチングなど、従来の技術において発生していた問
題は発生しなかった。
【００２０】実施例３ 実施例１において用いた薄膜形成装置を用いた。ポリイ
ミドフィルムとして、膜厚が７６．２μｍのカプトン−
Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面を一酸化二窒素と
酸素のＤＣグロー放電に約６０秒暴露した後、該ポリイ
ミドフィルムの片面上に、モネルメタルをターゲット材
料として、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により平
均厚み約５００オングストロームの銅ニッケル合金薄膜
を形成した後、真空状態を破ること無く連続的に、銅を
ターゲット材料にして、ＤＣマグネトロンスパッタリン
グ法により、該銅ニッケル合金薄膜上に、平均膜厚が約
２５００オングストロームの銅薄膜を積層した。該ポリ
イミドフィルムのもう一方の面を一酸化二窒素と酸素の
ＤＣグロー放電に約６０秒暴露した後に、同様の条件に
より、該もう一方の面に、平均厚み約５００オングスト
ロームの銅ニッケル合金薄膜ならびに平均膜厚が約２５
００オングストロームの銅薄膜を積層した。ポリイミド
フィルムの両面に金属層を有するこのフレキシブル回路
基板の製造方法が本発明の一つの実施例である。
ミドフィルムとして、膜厚が７６．２μｍのカプトン−
Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面を一酸化二窒素と
酸素のＤＣグロー放電に約６０秒暴露した後、該ポリイ
ミドフィルムの片面上に、モネルメタルをターゲット材
料として、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により平
均厚み約５００オングストロームの銅ニッケル合金薄膜
を形成した後、真空状態を破ること無く連続的に、銅を
ターゲット材料にして、ＤＣマグネトロンスパッタリン
グ法により、該銅ニッケル合金薄膜上に、平均膜厚が約
２５００オングストロームの銅薄膜を積層した。該ポリ
イミドフィルムのもう一方の面を一酸化二窒素と酸素の
ＤＣグロー放電に約６０秒暴露した後に、同様の条件に
より、該もう一方の面に、平均厚み約５００オングスト
ロームの銅ニッケル合金薄膜ならびに平均膜厚が約２５
００オングストロームの銅薄膜を積層した。ポリイミド
フィルムの両面に金属層を有するこのフレキシブル回路
基板の製造方法が本発明の一つの実施例である。
【００２１】該金属層上にフォトリソグラフィーにより
６０μｍピッチ、６０μｍ幅の回路パターンを形成し、
該回路パターン上に電解メッキにより２５μｍの銅を堆
積した。上記の回路パターン形成および電解メッキ工程
において、該フレキシブル回路基板に、剥離、サイドエ
ッチングなど、従来の技術において発生していた問題は
発生しなかった。
６０μｍピッチ、６０μｍ幅の回路パターンを形成し、
該回路パターン上に電解メッキにより２５μｍの銅を堆
積した。上記の回路パターン形成および電解メッキ工程
において、該フレキシブル回路基板に、剥離、サイドエ
ッチングなど、従来の技術において発生していた問題は
発生しなかった。
【００２２】比較例１ 実施例１において用いた薄膜形成装置を用いた。ポリイ
ミドフィルムとして、膜厚が５０．８μｍのカプトン−
Ｖ（デュポン社製）を用い、この片面をグロー放電に暴
露することなく、該片面上に、ニッケルをターゲット材
料として、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により平
均厚み約７０オングストロームのニッケル薄膜を形成し
た後、真空状態を破ること無く連続的に、該ニッケル薄
膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により平均
膜厚が約２５００オングストロームの銅薄膜を積層し
た。ポリイミドフィルムの片面に金属層を有するこのフ
レキシブル回路基板の製造方法が本発明の一つの比較例
である。
ミドフィルムとして、膜厚が５０．８μｍのカプトン−
Ｖ（デュポン社製）を用い、この片面をグロー放電に暴
露することなく、該片面上に、ニッケルをターゲット材
料として、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により平
均厚み約７０オングストロームのニッケル薄膜を形成し
た後、真空状態を破ること無く連続的に、該ニッケル薄
膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により平均
膜厚が約２５００オングストロームの銅薄膜を積層し
た。ポリイミドフィルムの片面に金属層を有するこのフ
レキシブル回路基板の製造方法が本発明の一つの比較例
である。
【００２３】該金属層上にフォトリソグラフィーにより
８０μｍピッチ、６０μｍ幅の回路パターンを形成し、
該回路パターン上に電解メッキにより厚さが２５μｍの
銅を堆積した。上記の回路パターン形成および電解メッ
キ工程において、剥離、サイドエッチングなど、従来の
技術において発生していた問題が発生して、該フレキシ
ブル回路基板に微細な回路を形成することができなかっ
た。
８０μｍピッチ、６０μｍ幅の回路パターンを形成し、
該回路パターン上に電解メッキにより厚さが２５μｍの
銅を堆積した。上記の回路パターン形成および電解メッ
キ工程において、剥離、サイドエッチングなど、従来の
技術において発生していた問題が発生して、該フレキシ
ブル回路基板に微細な回路を形成することができなかっ
た。
【００２４】比較例２ 実施例１において用いた薄膜形成装置を用いた。ポリイ
ミドフィルムとして、膜厚が２５．４μｍのカプトン−
Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面をグロー放電に暴
露することなく、該片面上に、ＤＣマグネトロンスパッ
タリング法により平均膜厚が約６０００オングストロー
ムの銅薄膜を積層した。ポリイミドフィルムの片面に金
属層を有するこのフレキシブル回路基板用材料の製造方
法が本発明の一つの比較例である。
ミドフィルムとして、膜厚が２５．４μｍのカプトン−
Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面をグロー放電に暴
露することなく、該片面上に、ＤＣマグネトロンスパッ
タリング法により平均膜厚が約６０００オングストロー
ムの銅薄膜を積層した。ポリイミドフィルムの片面に金
属層を有するこのフレキシブル回路基板用材料の製造方
法が本発明の一つの比較例である。
【００２５】該金属層上にフォトリソグラフィーにより
１００μｍピッチ、８０μｍ幅の回路パターンを形成
し、該回路パターン上に電解メッキにより厚さが２５μ
ｍの銅を堆積した。上記の回路パターン形成および電解
メッキ工程において、剥離、サイドエッチングなど、従
来の技術において発生していた問題が発生して、該フレ
キシブル回路基板に微細な回路を形成することができな
かった。
１００μｍピッチ、８０μｍ幅の回路パターンを形成
し、該回路パターン上に電解メッキにより厚さが２５μ
ｍの銅を堆積した。上記の回路パターン形成および電解
メッキ工程において、剥離、サイドエッチングなど、従
来の技術において発生していた問題が発生して、該フレ
キシブル回路基板に微細な回路を形成することができな
かった。
【００２６】比較例３ 実施例１において用いた薄膜形成装置を用いた。ポリイ
ミドフィルムとして、膜厚が７６．２μｍのカプトン−
Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面をグロー放電に暴
露することなく、該片面上に、ニッケルをターゲット材
料として、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により平
均厚み約５００オングストロームのニッケル薄膜を形成
した後、真空状態を破ること無く連続的に、ＤＣマグネ
トロンスパッタリング法により、該ニッケル薄膜上に、
平均膜厚が約２５００オングストロームの銅薄膜を積層
した。ポリイミドフィルムのもう一方の面もグロー放電
に暴露することなく、同様の条件により、平均厚み約５
００オングストロームのニッケル薄膜ならびに平均膜厚
が約２５００オングストロームの銅薄膜を積層した。ポ
リイミドフィルムの両面に金属層を有するこのフレキシ
ブル回路基板の製造方法が本発明の一つの比較例であ
る。
ミドフィルムとして、膜厚が７６．２μｍのカプトン−
Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面をグロー放電に暴
露することなく、該片面上に、ニッケルをターゲット材
料として、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により平
均厚み約５００オングストロームのニッケル薄膜を形成
した後、真空状態を破ること無く連続的に、ＤＣマグネ
トロンスパッタリング法により、該ニッケル薄膜上に、
平均膜厚が約２５００オングストロームの銅薄膜を積層
した。ポリイミドフィルムのもう一方の面もグロー放電
に暴露することなく、同様の条件により、平均厚み約５
００オングストロームのニッケル薄膜ならびに平均膜厚
が約２５００オングストロームの銅薄膜を積層した。ポ
リイミドフィルムの両面に金属層を有するこのフレキシ
ブル回路基板の製造方法が本発明の一つの比較例であ
る。
【００２７】ポリイミドフィルムの両面の該金属層上に
フォトリソグラフィーにより６０μｍピッチ、６０μｍ
幅の回路パターンをそれぞれ形成し、両面の該回路パタ
ーン上に電解メッキにより厚さが２５μｍの銅を堆積し
た。上記の回路パターン形成および電解メッキ工程にお
いて、剥離、サイドエッチングなど、従来の技術におい
て発生していた問題が依然として発生して、微細な回路
を形成することができなかった。
フォトリソグラフィーにより６０μｍピッチ、６０μｍ
幅の回路パターンをそれぞれ形成し、両面の該回路パタ
ーン上に電解メッキにより厚さが２５μｍの銅を堆積し
た。上記の回路パターン形成および電解メッキ工程にお
いて、剥離、サイドエッチングなど、従来の技術におい
て発生していた問題が依然として発生して、微細な回路
を形成することができなかった。
【００２８】
【発明の効果】以上の実施例ならびに比較例から明らか
なように、本発明は、半導体産業における高密度配線に
必要な回路の微細化を可能にするフレキシブル回路基板
の製造技術を提供できるものであり、半導体産業にとっ
てきわめて有用な発明である。
なように、本発明は、半導体産業における高密度配線に
必要な回路の微細化を可能にするフレキシブル回路基板
の製造技術を提供できるものであり、半導体産業にとっ
てきわめて有用な発明である。
Claims (21)
- 【請求項１】 ポリイミドフィルムの片面を一種類また
はそれ以上の窒素酸化物を含むガスのグロー放電に暴露
した後、該ポリイミドフィルムの片面上に、銅ニッケル
合金をターゲット材料とするスパッタリングによって銅
ニッケル合金薄膜を形成し、該銅ニッケル合金薄膜の上
に、銅をターゲット材料とするスパッタリングによって
銅薄膜を積層することを特徴とするフレキシブル回路基
板の製造方法。 - 【請求項２】 前記グロー放電がＤＣ放電、高周波放
電、マイクロ波放電を含む放電の中から選択される請求
項１に記載のフレキシブル回路基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記ポリイミドフィルムを前記グロー放
電に５秒から６０秒間暴露する請求項１に記載のフレキ
シブル回路基板の製造方法。 - 【請求項４】 前記ポリイミドフィルムの片面上を前記
グロー放電に暴露した後、真空を破ることなく連続的
に、該ポリイミドフィルムの片面上に、銅ニッケル合金
をターゲット材料とするスパッタリングによって銅ニッ
ケル合金薄膜を形成する請求項１に記載のフレキシブル
回路基板の製造方法。 - 【請求項５】 前記銅ニッケル合金が少なくともニッケ
ル４０〜８０重量％、銅２０〜６０重量％を含有する合
金である請求項１に記載のフレキシブル回路基板の製造
方法。 - 【請求項６】 前記銅ニッケル合金がモネルメタルであ
る請求項１に記載のフレキシブル回路基板の製造方法。 - 【請求項７】 前記銅ニッケル合金薄膜が５０〜５００
オングストロームの膜厚に形成される請求項１に記載の
フレキシブル回路基板の製造方法。 - 【請求項８】 前記銅薄膜が１０００〜４２０００オン
グストロームの膜厚に形成される請求項１に記載のフレ
キシブル回路基板の製造方法。 - 【請求項９】 前記ポリイミドフィルムの膜厚が２５〜
１２５μｍである請求項１に記載のフレキシブル回路基
板の製造方法。 - 【請求項１０】 前記ポリイミドフィルムの片面を一酸
化二窒素などの窒素酸化物を含むガスのグロー放電に暴
露した後、該ポリイミドフィルムの片面上に、銅ニッケ
ル合金をターゲット材料とするスパッタリングによって
銅ニッケル合金薄膜を形成し、該銅ニッケル合金薄膜の
上に、銅をターゲット材料とするスパッタリングによっ
て銅薄膜を積層した後、該ポリイミドフィルムの残る片
面を一酸化二窒素などの窒素酸化物を含むガスのグロー
放電に暴露した後、該ポリイミドフィルムの残る片面上
に、銅ニッケル合金をターゲット材料とするスパッタリ
ングによって銅ニッケル合金薄膜を形成し、該銅ニッケ
ル合金薄膜の上に、銅をターゲット材料とするスパッタ
リングによって銅薄膜を積層することを特徴とするフレ
キシブル回路基板の製造方法。 - 【請求項１１】 前記グロー放電がＤＣ放電、高周波放
電、マイクロ波放電を含む放電の中から選択される請求
項１０に記載のフレキシブル回路基板の製造方法。 - 【請求項１２】 前記ポリイミドフィルムを前記グロー
放電に５秒から６０秒間暴露する請求項１０に記載のフ
レキシブル回路基板の製造方法。 - 【請求項１３】 前記ポリイミドフィルムの片面上を前
記グロー放電に暴露した後、真空を破ることなく連続的
に、該ポリイミドフィルムの片面上に、銅ニッケル合金
をターゲット材料とするスパッタリングによって銅ニッ
ケル合金薄膜を形成する請求項１０に記載のフレキシブ
ル回路基板の製造方法。 - 【請求項１４】 前記銅ニッケル合金が少なくともニッ
ケル４０〜８０重量％、銅２０〜６０重量％を含有する
合金である請求項１０に記載のフレキシブル回路基板の
製造方法。 - 【請求項１５】 前記銅ニッケル合金がモネルメタルで
ある請求項１０に記載のフレキシブル回路基板の製造方
法。 - 【請求項１６】 前記銅ニッケル合金薄膜が５０〜５０
０オングストロームの膜厚に形成される請求項１０に記
載のフレキシブル回路基板の製造方法。 - 【請求項１７】 前記銅薄膜が１０００〜４２０００オ
ングストロームの膜厚に形成される請求項１０に記載の
フレキシブル回路基板の製造方法。 - 【請求項１８】 前記ポリイミドフィルムの膜厚が２５
〜１２５μｍである請求項１０に記載のフレキシブル回
路基板の製造方法。 - 【請求項１９】 前記ポリイミドフィルムが、カプト
ン、ユーピレックスまたはアピカルであるポリイミドフ
ィルムを用いる請求項１、９、１０、１８のフレキシブ
ル回路基板の製造方法。 - 【請求項２０】 グロー放電手段を設備されたスパッタ
リング薄膜形成装置に膜厚が２５〜１２５μｍのポリイ
ミドフィルムを取りつけ、該ポリイミドフィルムの片面
を一酸化二窒素などの窒素酸化物の存在下でのグロー放
電に５秒から６０秒間暴露した後、真空を破ることなく
連続的に、該ポリイミドフィルムの片面上に、モネルメ
タルをターゲット材料とするスパッタリングによって膜
厚が５０〜５００オングストロームの銅ニッケル合金薄
膜を形成し、該銅ニッケル合金薄膜上に、銅をターゲッ
ト材料とするスパッタリングによって膜厚が１０００〜
４２０００オングストロームの銅薄膜を積層することを
特徴とするフレキシブル回路基板の製造方法。 - 【請求項２１】 グロー放電手段を設備されたスパッタ
リング薄膜形成装置に膜厚が２５〜１２５μｍのポリイ
ミドフィルムを取りつけ、該ポリイミドフィルムの片面
を一酸化二窒素などの窒素酸化物の存在下でのグロー放
電に５秒から６０秒間暴露した後、真空を破ることなく
連続的に、該ポリイミドフィルムの片面上に、モネルメ
タルをターゲット材料とするスパッタリングによって膜
厚が５０〜５００オングストロームの銅ニッケル合金薄
膜を形成し、該銅ニッケル合金薄膜上に、銅をターゲッ
ト材料とするスパッタリングによって膜厚が１０００〜
４２０００オングストロームの銅薄膜を積層した後、該
ポリイミドフィルムの残る片面を一酸化二窒素などの窒
素酸化物の存在下でのグロー放電に５秒から６０秒間暴
露した後、真空を破ることなく連続的に、該ポリイミド
フィルムの残る片面上に、モネルメタルをターゲット材
料とするスパッタリングによって膜厚が５０〜５００オ
ングストロームの銅ニッケル合金薄膜を形成し、該銅ニ
ッケル合金薄膜上に、銅をターゲット材料とするスパッ
タリングによって膜厚が１０００〜４２０００オングス
トロームの銅薄膜を積層することを特徴とするフレキシ
ブル回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34752191A JPH05251843A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | グロー放電を利用するフレキシブル回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34752191A JPH05251843A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | グロー放電を利用するフレキシブル回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251843A true JPH05251843A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=18390790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34752191A Withdrawn JPH05251843A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | グロー放電を利用するフレキシブル回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251843A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0697616A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | フレキシブル回路基板用材料 |
| JP2009177084A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Mutsuki Denki Kk | 電子デバイス及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP34752191A patent/JPH05251843A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0697616A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | フレキシブル回路基板用材料 |
| JP2009177084A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Mutsuki Denki Kk | 電子デバイス及びその製造方法 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |