JPH05251844A - フレキシブル回路基板の製造方法 - Google Patents
フレキシブル回路基板の製造方法Info
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- JPH05251844A JPH05251844A JP34752291A JP34752291A JPH05251844A JP H05251844 A JPH05251844 A JP H05251844A JP 34752291 A JP34752291 A JP 34752291A JP 34752291 A JP34752291 A JP 34752291A JP H05251844 A JPH05251844 A JP H05251844A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポリイミドフィルムの片面または両面上に金
属薄膜層を有し、ポリイミドフィルムと金属薄膜層との
間の接着性が良好であるフレキシブル回路基板の製造方
法に関する。 【構成】 ポリイミドフィルムの片面もしくは両面上に
銅ニッケル合金薄膜を形成し、この銅ニッケル合金薄膜
上に銅薄膜を形成することによる、フレキシブル回路基
板の製造方法。
属薄膜層を有し、ポリイミドフィルムと金属薄膜層との
間の接着性が良好であるフレキシブル回路基板の製造方
法に関する。 【構成】 ポリイミドフィルムの片面もしくは両面上に
銅ニッケル合金薄膜を形成し、この銅ニッケル合金薄膜
上に銅薄膜を形成することによる、フレキシブル回路基
板の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリイミドフィルムの片
面および両面に金属薄膜を有するフレキシブル回路基板
の製造方法に関し、特に、該金属薄膜と該ポリイミドフ
ィルムとの間の接着性が良好であるフレキシブル回路基
板の製造方法に関する。
面および両面に金属薄膜を有するフレキシブル回路基板
の製造方法に関し、特に、該金属薄膜と該ポリイミドフ
ィルムとの間の接着性が良好であるフレキシブル回路基
板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】絶縁性のポリマーフィルム上に金属層を
形成したフレキシブル回路基板として従来、金属薄膜と
ポリマーフィルムとを接着剤で接合したものがある。し
かしこれらのフレキシブル回路基板では、接着剤の熱的
性能がポリマーフィルムの性能に劣ること、および金属
薄膜の膜厚が１０μｍ以上と厚いために幅数１０μｍの
微細加工が困難であることなどの理由から、半導体産業
における高密度配線に対応することができない、寸法安
定性が悪い、製品がそりあがるなどの問題があった。
形成したフレキシブル回路基板として従来、金属薄膜と
ポリマーフィルムとを接着剤で接合したものがある。し
かしこれらのフレキシブル回路基板では、接着剤の熱的
性能がポリマーフィルムの性能に劣ること、および金属
薄膜の膜厚が１０μｍ以上と厚いために幅数１０μｍの
微細加工が困難であることなどの理由から、半導体産業
における高密度配線に対応することができない、寸法安
定性が悪い、製品がそりあがるなどの問題があった。
【０００３】上記の問題を解決するために、接着剤なし
でポリマーフィルム上に金属薄膜を形成する技術が検討
されてきた。その例として、真空蒸着、スパッタリング
などによる薄膜形成法がある。ここで得られる金属薄膜
は膜厚が１μｍ以下と薄いために、幅数１０μｍの微細
加工による回路パターンの形成も容易である。形成され
た回路パターン上に電解メッキなどによりさらに金属を
堆積、成長させることにより、微細加工された導電層を
形成することができる。
でポリマーフィルム上に金属薄膜を形成する技術が検討
されてきた。その例として、真空蒸着、スパッタリング
などによる薄膜形成法がある。ここで得られる金属薄膜
は膜厚が１μｍ以下と薄いために、幅数１０μｍの微細
加工による回路パターンの形成も容易である。形成され
た回路パターン上に電解メッキなどによりさらに金属を
堆積、成長させることにより、微細加工された導電層を
形成することができる。
【０００４】しかし、このような技術で得られるフレキ
シブル回路基板では、リソグラフィー技術を用いる回路
パターン形成工程、および形成された回路パターン上に
通電抵抗の低下および機械的強度の向上のために金属を
積層する電解メッキ工程などにおいて、金属層がポリマ
ーフイルムから剥離する問題が生じ、金属層とポリマー
フイルムとの間の接着力の低下が問題となっていた。
シブル回路基板では、リソグラフィー技術を用いる回路
パターン形成工程、および形成された回路パターン上に
通電抵抗の低下および機械的強度の向上のために金属を
積層する電解メッキ工程などにおいて、金属層がポリマ
ーフイルムから剥離する問題が生じ、金属層とポリマー
フイルムとの間の接着力の低下が問題となっていた。
【０００５】金属層とポリマーフイルムとの間の接着力
を改善することを目的とした、種々の先行技術が知られ
ている。すなわち、特開平０２−９８９９４号公報には
０．０１〜５μｍのクロム層をスパッタリングで形成す
ること、特開昭６２−１８１４８８号公報には５０〜１
００００オングストロームのニッケルまたはニッケル−
クロム層を蒸着で形成すること、特開昭６２−６２５５
１号公報にはクロム層を蒸着で形成すること、特開昭６
２−４７９０８号公報にはニッケル層を蒸着で形成する
こと、特開昭６１−１２８５９３号公報には金属層を蒸
着で形成すること、特公昭５７−１８３５７号公報には
ニッケル、コバルト、ジルコニウムまたはパラジウム層
をイオンプレーティング法で形成すること、特公昭５７
−１８３５６号公報にはニッケルおよびニッケル合金層
をイオンプレーティング法で形成することがすでに開示
されている。
を改善することを目的とした、種々の先行技術が知られ
ている。すなわち、特開平０２−９８９９４号公報には
０．０１〜５μｍのクロム層をスパッタリングで形成す
ること、特開昭６２−１８１４８８号公報には５０〜１
００００オングストロームのニッケルまたはニッケル−
クロム層を蒸着で形成すること、特開昭６２−６２５５
１号公報にはクロム層を蒸着で形成すること、特開昭６
２−４７９０８号公報にはニッケル層を蒸着で形成する
こと、特開昭６１−１２８５９３号公報には金属層を蒸
着で形成すること、特公昭５７−１８３５７号公報には
ニッケル、コバルト、ジルコニウムまたはパラジウム層
をイオンプレーティング法で形成すること、特公昭５７
−１８３５６号公報にはニッケルおよびニッケル合金層
をイオンプレーティング法で形成することがすでに開示
されている。
【０００６】しかしながら、これら公知の技術のいずれ
を用いても、半導体産業における高密度配線を可能にす
る上で充分に満足できる材料を提供することは困難であ
った。
を用いても、半導体産業における高密度配線を可能にす
る上で充分に満足できる材料を提供することは困難であ
った。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の問
題点を解決するものであり、その目的とするところは、
半導体産業における高密度配線を可能にするために接着
剤なしでポリイミドフィルム上に金属層を形成したフレ
キシブル回路基板の製造方法を提供することであり、特
に、回路パターン形成および電解メッキなどの後工程に
おいて、金属層がポリイミドフイルムから剥離する問題
を克服したフレキシブル回路基板の製造方法を提供する
ことである。
題点を解決するものであり、その目的とするところは、
半導体産業における高密度配線を可能にするために接着
剤なしでポリイミドフィルム上に金属層を形成したフレ
キシブル回路基板の製造方法を提供することであり、特
に、回路パターン形成および電解メッキなどの後工程に
おいて、金属層がポリイミドフイルムから剥離する問題
を克服したフレキシブル回路基板の製造方法を提供する
ことである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】発明者らは、銅層／ポリ
イミドフィルムからなるフレキシブル回路基板の製造方
法において、該ポリイミドフィルム上に銅ニッケル合金
の極薄膜を形成した後に、該極薄膜上に電気伝導性の良
好な銅薄膜を形成することにより、回路パターン形成お
よび電解メッキなどの後工程において、該銅層の該ポリ
イミドフィルムからの剥離防止に極めて効果があること
を発見して、本発明を完成するに至ったものである。
イミドフィルムからなるフレキシブル回路基板の製造方
法において、該ポリイミドフィルム上に銅ニッケル合金
の極薄膜を形成した後に、該極薄膜上に電気伝導性の良
好な銅薄膜を形成することにより、回路パターン形成お
よび電解メッキなどの後工程において、該銅層の該ポリ
イミドフィルムからの剥離防止に極めて効果があること
を発見して、本発明を完成するに至ったものである。
【０００９】すなわち、本発明の一つの態様は、ポリイ
ミドフィルムの片面上に銅ニッケル合金薄膜、銅薄膜の
順に積層することを特徴とする銅層／ポリイミドフィル
ムからなるフレキシブル回路基板の製造方法である。ま
た、本発明のもう一つの態様は、ポリイミドフィルムの
両面上にそれぞれ銅ニッケル合金薄膜、銅薄膜の順に積
層することを特徴とする銅層／ポリイミドフィルム／銅
層からなるフレキシブル回路基板の製造方法である。こ
こで、銅層とは銅ニッケル合金薄膜、銅薄膜の順に積層
して形成した金属薄膜層を総称するものである。
ミドフィルムの片面上に銅ニッケル合金薄膜、銅薄膜の
順に積層することを特徴とする銅層／ポリイミドフィル
ムからなるフレキシブル回路基板の製造方法である。ま
た、本発明のもう一つの態様は、ポリイミドフィルムの
両面上にそれぞれ銅ニッケル合金薄膜、銅薄膜の順に積
層することを特徴とする銅層／ポリイミドフィルム／銅
層からなるフレキシブル回路基板の製造方法である。こ
こで、銅層とは銅ニッケル合金薄膜、銅薄膜の順に積層
して形成した金属薄膜層を総称するものである。
【００１０】該銅ニッケル合金薄膜は、好ましくはニッ
ケル４０〜８０重量％、銅２０〜６０重量％を含有する
銅ニッケル合金をターゲットとするスパッタリングによ
り、膜厚が５０〜５００オングストロームとなるように
形成したものである。モネルメタルと呼ばれる銅ニッケ
ル合金は該ターゲットとして特に有効である。
ケル４０〜８０重量％、銅２０〜６０重量％を含有する
銅ニッケル合金をターゲットとするスパッタリングによ
り、膜厚が５０〜５００オングストロームとなるように
形成したものである。モネルメタルと呼ばれる銅ニッケ
ル合金は該ターゲットとして特に有効である。
【００１１】該銅薄膜は、電気良伝導性の銅をターゲッ
トとするスパッタリングによって、膜厚が１０００〜４
２０００オングストロームとなるように形成したもので
ある。
トとするスパッタリングによって、膜厚が１０００〜４
２０００オングストロームとなるように形成したもので
ある。
【００１２】スパッタリング方法は特に限定されるもの
ではない。ＤＣマグネトロンスパッタリング、高周波マ
グネトロンスパッタリング、イオンビームスパッタリン
グなどの薄膜形成技術が有効に用いられる。
ではない。ＤＣマグネトロンスパッタリング、高周波マ
グネトロンスパッタリング、イオンビームスパッタリン
グなどの薄膜形成技術が有効に用いられる。
【００１３】該ポリイミドフィルムの膜厚は典型的には
１０〜５００μｍであり、特に２５〜１２５μｍが好ま
しく、カプトン、ユーピレックス、アピカルなど、市場
で入手できるポリイミドフィルムが有効に用いられる。
１０〜５００μｍであり、特に２５〜１２５μｍが好ま
しく、カプトン、ユーピレックス、アピカルなど、市場
で入手できるポリイミドフィルムが有効に用いられる。
【００１４】
【実施例】実施例１ ポリイミドフィルムとして膜厚が５０．８μｍのカプト
ン−Ｖ（デュポン社製）を用い、この片面上に、モネル
メタルをターゲットとするＤＣマグネトロンスパッタリ
ングによって、平均膜厚が約７０オングストロームの銅
ニッケル合金薄膜を形成した後、真空状態を破ること無
く連続的に、該銅ニッケル合金薄膜上に、銅をターゲッ
トとするＤＣマグネトロンスパッタリングによって、平
均膜厚が約２５００オングストロームの銅薄膜を積層し
た。ポリイミドフィルムの片面に上記のような金属層を
有するこのフレキシブル回路基板の製造方法が本発明の
一つの実施例である。
ン−Ｖ（デュポン社製）を用い、この片面上に、モネル
メタルをターゲットとするＤＣマグネトロンスパッタリ
ングによって、平均膜厚が約７０オングストロームの銅
ニッケル合金薄膜を形成した後、真空状態を破ること無
く連続的に、該銅ニッケル合金薄膜上に、銅をターゲッ
トとするＤＣマグネトロンスパッタリングによって、平
均膜厚が約２５００オングストロームの銅薄膜を積層し
た。ポリイミドフィルムの片面に上記のような金属層を
有するこのフレキシブル回路基板の製造方法が本発明の
一つの実施例である。
【００１５】該金属層上にフォトリソグラフィーによっ
て８０μｍピッチ、６０μｍ幅の回路パターンを形成
し、該回路パターン上に電解メッキにより厚さが２５μ
ｍの銅を堆積した。上記の回路パターン形成および電解
メッキ工程において、該フレキシブル回路基板に、剥
離、サイドエッチングなど、従来の技術において発生し
ていた問題は発生しなかった。
て８０μｍピッチ、６０μｍ幅の回路パターンを形成
し、該回路パターン上に電解メッキにより厚さが２５μ
ｍの銅を堆積した。上記の回路パターン形成および電解
メッキ工程において、該フレキシブル回路基板に、剥
離、サイドエッチングなど、従来の技術において発生し
ていた問題は発生しなかった。
【００１６】実施例２ ポリイミドフィルムとして膜厚が２５．４μｍのカプト
ン−Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面上に、モネル
メタルをターゲットとするＤＣマグネトロンスパッタリ
ングによって、平均膜厚が約５０オングストロームの銅
ニッケル合金薄膜を形成した後、真空状態を破ること無
く連続的に、該銅ニッケル合金薄膜上に、銅をターゲッ
トとするＤＣマグネトロンスパッタリングによって、平
均膜厚が約６０００オングストロームの銅薄膜を積層し
た。ポリイミドフィルムの片面に上記のような金属層を
有するこのフレキシブル回路基板の製造方法が本発明の
一つの実施例である。
ン−Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面上に、モネル
メタルをターゲットとするＤＣマグネトロンスパッタリ
ングによって、平均膜厚が約５０オングストロームの銅
ニッケル合金薄膜を形成した後、真空状態を破ること無
く連続的に、該銅ニッケル合金薄膜上に、銅をターゲッ
トとするＤＣマグネトロンスパッタリングによって、平
均膜厚が約６０００オングストロームの銅薄膜を積層し
た。ポリイミドフィルムの片面に上記のような金属層を
有するこのフレキシブル回路基板の製造方法が本発明の
一つの実施例である。
【００１７】該金属層上にフォトリソグラフィーにより
１００μｍピッチ、８０μｍ幅の回路パターンを形成
し、該回路パターン上に電解メッキにより厚さが２５μ
ｍの銅を堆積した。ここでも、剥離、サイドエッチング
など、従来の技術において発生していた問題は発生しな
かった。
１００μｍピッチ、８０μｍ幅の回路パターンを形成
し、該回路パターン上に電解メッキにより厚さが２５μ
ｍの銅を堆積した。ここでも、剥離、サイドエッチング
など、従来の技術において発生していた問題は発生しな
かった。
【００１８】実施例３ ポリイミドフィルムとして膜厚が７６．２μｍのカプト
ン−Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面上に、モネル
メタルをターゲットとするＤＣマグネトロンスパッタリ
ングによって、平均膜厚が約５００オングストロームの
銅ニッケル合金薄膜を形成した後、真空状態を破ること
無く連続的に、該銅ニッケル合金薄膜上に、銅をターゲ
ットとするＤＣマグネトロンスパッタリングによって、
平均膜厚が約２５００オングストロームの銅薄膜を積層
した。該ポリイミドフィルムのもう一方の面に、同様の
条件により、平均膜厚が約５００オングストロームの銅
ニッケル合金薄膜、および平均膜厚が約２５００オング
ストロームの銅薄膜を積層した。ポリイミドフィルムの
両面に上記のような金属層を有するこのフレキシブル回
路基板の製造方法が本発明の一つの実施例である。
ン−Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面上に、モネル
メタルをターゲットとするＤＣマグネトロンスパッタリ
ングによって、平均膜厚が約５００オングストロームの
銅ニッケル合金薄膜を形成した後、真空状態を破ること
無く連続的に、該銅ニッケル合金薄膜上に、銅をターゲ
ットとするＤＣマグネトロンスパッタリングによって、
平均膜厚が約２５００オングストロームの銅薄膜を積層
した。該ポリイミドフィルムのもう一方の面に、同様の
条件により、平均膜厚が約５００オングストロームの銅
ニッケル合金薄膜、および平均膜厚が約２５００オング
ストロームの銅薄膜を積層した。ポリイミドフィルムの
両面に上記のような金属層を有するこのフレキシブル回
路基板の製造方法が本発明の一つの実施例である。
【００１９】ポリイミドフィルムの両面の該金属層上に
フォトリソグラフィーにより６０μｍピッチ、６０μｍ
幅の回路パターンをそれぞれ形成し、両面の該回路パタ
ーン上に電解メッキにより厚さが２５μｍの銅を堆積し
た。ここでも、剥離、サイドエッチングなど、従来の技
術において発生していた問題は発生しなかった。
フォトリソグラフィーにより６０μｍピッチ、６０μｍ
幅の回路パターンをそれぞれ形成し、両面の該回路パタ
ーン上に電解メッキにより厚さが２５μｍの銅を堆積し
た。ここでも、剥離、サイドエッチングなど、従来の技
術において発生していた問題は発生しなかった。
【００２０】比較例１ ポリイミドフィルムとして膜厚が５０．８μｍのカプト
ン−Ｖ（デュポン社製）を用い、この片面上に、ニッケ
ルをターゲットとするＤＣマグネトロンスパッタリング
によって、平均膜厚が約７０オングストロームのニッケ
ル層を形成した後、真空状態を破ること無く、該ニッケ
ル薄膜上に、平均膜厚が約２５００オングストロームの
銅薄膜を積層した。ポリイミドフィルムの片面に上記の
ような金属層を有するこのフレキシブル回路基板の製造
方法が本発明の一つの比較例である。
ン−Ｖ（デュポン社製）を用い、この片面上に、ニッケ
ルをターゲットとするＤＣマグネトロンスパッタリング
によって、平均膜厚が約７０オングストロームのニッケ
ル層を形成した後、真空状態を破ること無く、該ニッケ
ル薄膜上に、平均膜厚が約２５００オングストロームの
銅薄膜を積層した。ポリイミドフィルムの片面に上記の
ような金属層を有するこのフレキシブル回路基板の製造
方法が本発明の一つの比較例である。
【００２１】該金属層上にフォトリソグラフィーにより
８０μｍピッチ、６０μｍ幅の回路パターンを形成し、
該回路パターン上に電解メッキにより厚さが２５μｍの
銅を堆積した。上記の回路パターン形成および電解メッ
キ工程において、剥離、サイドエッチングなど、従来の
技術において発生していた問題が発生して、該フレキシ
ブル回路基板に微細な回路を形成することができなかっ
た。
８０μｍピッチ、６０μｍ幅の回路パターンを形成し、
該回路パターン上に電解メッキにより厚さが２５μｍの
銅を堆積した。上記の回路パターン形成および電解メッ
キ工程において、剥離、サイドエッチングなど、従来の
技術において発生していた問題が発生して、該フレキシ
ブル回路基板に微細な回路を形成することができなかっ
た。
【００２２】比較例２ ポリイミドフィルムとして膜厚が２５．４μｍのカプト
ン−Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面上に、ＤＣマ
グネトロンスパッタリングにより平均膜厚が約６０００
のオングストロームの銅薄膜を積層した。ポリイミドフ
ィルムの片面に銅薄膜を有するこのフレキシブル回路基
板の製造方法が本発明の一つの比較例である。
ン−Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面上に、ＤＣマ
グネトロンスパッタリングにより平均膜厚が約６０００
のオングストロームの銅薄膜を積層した。ポリイミドフ
ィルムの片面に銅薄膜を有するこのフレキシブル回路基
板の製造方法が本発明の一つの比較例である。
【００２３】該金属層上にフォトリソグラフィーにより
１００μｍピッチ、８０μｍ幅の回路パターンを形成
し、該回路パターン上に電解メッキにより厚さが２５μ
ｍの銅を堆積した。上記の回路パターン形成および電解
メッキ工程において、剥離、サイドエッチングなど、従
来の技術において発生していた問題が発生して、該フレ
キシブル回路基板に微細な回路を形成することができな
かった。
１００μｍピッチ、８０μｍ幅の回路パターンを形成
し、該回路パターン上に電解メッキにより厚さが２５μ
ｍの銅を堆積した。上記の回路パターン形成および電解
メッキ工程において、剥離、サイドエッチングなど、従
来の技術において発生していた問題が発生して、該フレ
キシブル回路基板に微細な回路を形成することができな
かった。
【００２４】比較例３ ポリイミドフィルムとして膜厚が７６．２μｍのカプト
ン−Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面上に、ニッケ
ルをターゲットとするＤＣマグネトロンスパッタリング
によって、平均膜厚が約５００オングストロームのニッ
ケル層を形成した後、真空状態を破ること無く連続的
に、該ニッケル薄膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタリ
ングによって、平均膜厚が約２５００オングストローム
の銅薄膜を積層した。該ポリイミドフィルムのもう一方
の面に、同様の条件により、平均膜厚が約５００オング
ストロームのニッケル層、および平均膜厚が約２５００
オングストロームの銅薄膜を積層した。ポリイミドフィ
ルムの両面に上記のような金属層を有するこのフレキシ
ブル回路基板の製造方法が本発明の一つの比較例であ
る。
ン−Ｅ（デュポン社製）を用い、この片面上に、ニッケ
ルをターゲットとするＤＣマグネトロンスパッタリング
によって、平均膜厚が約５００オングストロームのニッ
ケル層を形成した後、真空状態を破ること無く連続的
に、該ニッケル薄膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタリ
ングによって、平均膜厚が約２５００オングストローム
の銅薄膜を積層した。該ポリイミドフィルムのもう一方
の面に、同様の条件により、平均膜厚が約５００オング
ストロームのニッケル層、および平均膜厚が約２５００
オングストロームの銅薄膜を積層した。ポリイミドフィ
ルムの両面に上記のような金属層を有するこのフレキシ
ブル回路基板の製造方法が本発明の一つの比較例であ
る。
【００２５】ポリイミドフィルムの両面の該金属層上に
フォトリソグラフィーにより６０μｍピッチ、６０μｍ
幅の回路パターンをそれぞれ形成し、両面の該回路パタ
ーン上に電解メッキにより厚さが２５μｍの銅を堆積し
た。上記の回路パターン形成および電解メッキ工程にお
いて、剥離、サイドエッチングなど、従来の技術におい
て発生していた問題が依然として発生して、微細な回路
を形成することができなかった。
フォトリソグラフィーにより６０μｍピッチ、６０μｍ
幅の回路パターンをそれぞれ形成し、両面の該回路パタ
ーン上に電解メッキにより厚さが２５μｍの銅を堆積し
た。上記の回路パターン形成および電解メッキ工程にお
いて、剥離、サイドエッチングなど、従来の技術におい
て発生していた問題が依然として発生して、微細な回路
を形成することができなかった。
【００２６】
【発明の効果】以上の実施例ならびに比較例から明らか
なように、本発明は、半導体産業における高密度配線に
必要な回路の微細化を可能にするフレキシブル回路基板
の製造技術を提供できるものであり、半導体産業にとっ
てきわめて有用な発明である。
なように、本発明は、半導体産業における高密度配線に
必要な回路の微細化を可能にするフレキシブル回路基板
の製造技術を提供できるものであり、半導体産業にとっ
てきわめて有用な発明である。
Claims (15)
- 【請求項１】 ポリイミドフィルムの片面上に銅ニッケ
ル合金をターゲットとしてスパッタリングにより銅ニッ
ケル合金薄膜を形成し、該銅ニッケル合金薄膜の上に銅
をターゲットとしてスパッタリングにより銅薄膜を積層
することを特徴とするフレキシブル回路基板の製造方
法。 - 【請求項２】 前記銅ニッケル合金が少なくともニッケ
ル４０〜８０重量％、銅２０〜６０重量％を含有する合
金である請求項１に記載のフレキシブル回路基板の製造
方法。 - 【請求項３】 前記銅ニッケル合金がモネルメタルであ
る請求項１に記載のフレキシブル回路基板の製造方法。 - 【請求項４】 前記銅ニッケル合金薄膜が５０〜５００
オングストロームの膜厚に形成される請求項１に記載の
フレキシブル回路基板の製造方法。 - 【請求項５】 前記銅薄膜が１０００〜４２０００オン
グストロームの膜厚に形成される請求項１に記載のフレ
キシブル回路基板の製造方法。 - 【請求項６】 前記ポリイミドフィルムの膜厚が２５〜
１２５μｍである請求項１に記載のフレキシブル回路基
板の製造方法。 - 【請求項７】 ポリイミドフィルムの片面上に銅ニッケ
ル合金をターゲットとしてスパッタリングにより銅ニッ
ケル合金薄膜を形成し、該銅ニッケル合金薄膜の上に銅
をターゲットとしてスパッタリングにより銅薄膜を積層
した後、該ポリイミドフィルムの残る片面上に銅ニッケ
ル合金をターゲットとしてスパッタリングにより銅ニッ
ケル合金薄膜を形成し、該銅ニッケル合金薄膜の上に銅
をターゲットとしてスパッタリングにより銅薄膜を積層
することを特徴とするフレキシブル回路基板の製造方
法。 - 【請求項８】 前記銅ニッケル合金が少なくともニッケ
ル４０〜８０重量％、銅２０〜６０重量％を含有する合
金である請求項７に記載のフレキシブル回路基板の製造
方法。 - 【請求項９】 前記銅ニッケル合金がモネルメタルであ
る請求項７に記載のフレキシブル回路基板の製造方法。 - 【請求項１０】 前記銅ニッケル合金薄膜が５０〜５０
０オングストロームの膜厚に形成される請求項７に記載
のフレキシブル回路基板の製造方法。 - 【請求項１１】 前記銅薄膜は１０００〜４２０００オ
ングストロームの膜厚に形成される請求項７に記載のフ
レキシブル回路基板の製造方法。 - 【請求項１２】 前記ポリイミドフィルムの膜厚が２５
〜１２５μｍである請求項７に記載のフレキシブル回路
基板の製造方法。 - 【請求項１３】 前記ポリイミドフィルムが、カプト
ン、ユーピレックスまたはアピカルである請求項１、
６、７、１２のフレキシブル回路基板の製造方法。 - 【請求項１４】 スパッタリング薄膜形成装置に膜厚が
２５〜１２５μｍのポリイミドフィルムを取りつけ、該
ポリイミドフィルムの片面上に、モネルメタルをターゲ
ットにして、スパッタリングにより膜厚が５０〜５００
オングストロームの銅ニッケル合金薄膜を形成し、該銅
ニッケル合金薄膜上に、銅をターゲットにして、スパッ
タリングにより膜厚が１０００〜４２０００オングスト
ロームの銅薄膜を積層することを特徴とするフレキシブ
ル回路基板の製造方法。 - 【請求項１５】 スパッタリング薄膜形成装置に膜厚が
２５〜１２５μｍのポリイミドフィルムを取りつけ、該
ポリイミドフィルムの片面上に、モネルメタルをターゲ
ットにして、スパッタリングにより膜厚が５０〜５００
オングストロームの銅ニッケル合金薄膜を形成し、該銅
ニッケル合金薄膜上に、銅をターゲットにして、スパッ
タリングにより膜厚が１０００〜４２０００オングスト
ロームの銅薄膜を積層した後、該ポリイミドフィルムの
残る片面上に、モネルメタルをターゲットにして、スパ
ッタリングにより膜厚が５０〜５００オングストローム
の銅ニッケル合金薄膜を形成し、該銅ニッケル合金薄膜
上に、銅をターゲットにして、スパッタリングにより膜
厚が１０００〜４２０００オングストロームの銅薄膜を
積層することを特徴とするフレキシブル回路基板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34752291A JPH05251844A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | フレキシブル回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34752291A JPH05251844A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | フレキシブル回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251844A true JPH05251844A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=18390797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34752291A Withdrawn JPH05251844A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | フレキシブル回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251844A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0697616A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | フレキシブル回路基板用材料 |
| JPH07312468A (ja) * | 1994-05-18 | 1995-11-28 | Yamaichi Electron Co Ltd | フレキシブル回路基板 |
| EP1137331A2 (en) * | 2000-03-21 | 2001-09-26 | GA-TEK, Inc. (doing business as Gould Electronics Inc.) | Copper on polymer component having improved adhesion |
| WO2005051058A1 (ja) * | 2003-11-21 | 2005-06-02 | Dept Corporation | 回路基板及びその製造方法 |
| WO2005069706A1 (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Dept Corporation | 回路基板及びその製造方法 |
| JP2006147662A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Fujikura Ltd | 銅張積層板、フレキシブルプリント配線板及びその製造方法 |
| JP2006159634A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Furukawa Circuit Foil Kk | 銅メタライズド樹脂及びその製造方法 |
| KR100642201B1 (ko) * | 2005-10-18 | 2006-11-10 | 성균관대학교산학협력단 | 연성회로기판의 제조방법 |
| JP2013157610A (ja) * | 2013-02-25 | 2013-08-15 | Finetec Co Ltd | フレキシブルプリント基板 |
| KR20200144088A (ko) | 2018-04-17 | 2020-12-28 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | Cu-Ni 합금 스퍼터링 타깃 |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP34752291A patent/JPH05251844A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0697616A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | フレキシブル回路基板用材料 |
| JPH07312468A (ja) * | 1994-05-18 | 1995-11-28 | Yamaichi Electron Co Ltd | フレキシブル回路基板 |
| EP1137331A2 (en) * | 2000-03-21 | 2001-09-26 | GA-TEK, Inc. (doing business as Gould Electronics Inc.) | Copper on polymer component having improved adhesion |
| JP2001270040A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-10-02 | Ga-Tek Inc Dba Gould Electronics Inc | 接着性が改善されたカッパ・オン・ポリマー構成要素 |
| EP1137331A3 (en) * | 2000-03-21 | 2002-10-23 | GA-TEK, Inc. (doing business as Gould Electronics Inc.) | Copper on polymer component having improved adhesion |
| WO2005051058A1 (ja) * | 2003-11-21 | 2005-06-02 | Dept Corporation | 回路基板及びその製造方法 |
| WO2005069706A1 (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Dept Corporation | 回路基板及びその製造方法 |
| JP2006147662A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Fujikura Ltd | 銅張積層板、フレキシブルプリント配線板及びその製造方法 |
| JP4481797B2 (ja) * | 2004-11-16 | 2010-06-16 | 株式会社フジクラ | フレキシブルプリント配線板及びその製造方法 |
| JP2006159634A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Furukawa Circuit Foil Kk | 銅メタライズド樹脂及びその製造方法 |
| KR100642201B1 (ko) * | 2005-10-18 | 2006-11-10 | 성균관대학교산학협력단 | 연성회로기판의 제조방법 |
| JP2013157610A (ja) * | 2013-02-25 | 2013-08-15 | Finetec Co Ltd | フレキシブルプリント基板 |
| KR20200144088A (ko) | 2018-04-17 | 2020-12-28 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | Cu-Ni 합금 스퍼터링 타깃 |
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