WO2005069706A1

WO2005069706A1 - 回路基板及びその製造方法

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Publication number: WO2005069706A1
Application number: PCT/JP2004/017070
Authority: WO
Inventors: Takashi Ueno; Takashi Mochizuki
Original assignee: Dept Corporation
Priority date: 2004-01-16
Filing date: 2004-11-17
Publication date: 2005-07-28
Also published as: JP2005203581A

Abstract

【課題】　基板とＣｕ合金箔との密着性を十分に確保でき、表皮効果における信号の伝播ロスを抑制できる回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】　本発明に係る回路基板は、基板２とＣｕ合金箔１が張り合わされた回路基板であって、前記Ｃｕ合金箔１は、Ｃｕを主成分とし、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ａｌ及びＡｇからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を合計で0.5～5.0ｗｔ％含有してなる合金からなることを特徴とする。

Description

回路基板及びその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、回路基板及びその製造方法に係わり、特に、エッチング加工によって微細なパターンを形成することができ、表皮効果における信号の伝播ロスを抑制できる回路基板及びその製造方法、また、エッチング残渣の発生を抑制できる回路基板及びその製造方法に関する。

背景技術

[0002] 図 7 (A)—（D)は、従来の回路基板の製造方法を示す断面図である。この回路基板はラミネート法により銅箔と基板とを密着させて接合する方法を用いたものである。まず、図 7 (A)に示すように、銅箔 101を準備し、この銅箔 101の表面をあらして粗面化する。

[0003] 次に、図 7 (B)に示すように、ポリイミド基板 102を準備し、このポリイミド基板 102に前記銅箔 101の粗面化した表面を対向させる。次いで、ポリイミド基板 102と銅箔 10 1を加熱及び加圧することにより熱圧着する。これによつて、図 7 (C)に示すように、ポリイミド基板 102と銅箔 101は密着して接合される。この際、銅箔 101の表面を粗面化しているため、銅箔 101がポリイミド基板 102にある程度の強度を持って接着する。

[0004] 次に、図 7 (D)に示すように、銅箔 101の上にフォトレジスト膜（図示せず)を塗布し、露光及び現像することにより、銅箔 101の上にはレジストパターン（図示せず）が形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして銅箔 101をウエットエッチングすることにより、ポリイミド基板 102の上には銅箔力もなる配線パターン 103a— 103d が形成される。

[0005] ところで、上記従来の回路基板では、ポリイミド基板 102と銅箔 101との密着性を確保するためにアンカー効果を期待して、銅箔 101の表面を粗面化している。しかしながら、配線パターン 103a— 103dの微細化が進むに従い、銅箔を粗面化しているとエッチングカ卩ェによる微細パターユングに限界がある。

[0006] また、銅箔 101の表面を粗面化すると表皮効果における信号の伝播ロスが生じやすくなるという問題がある。尚、表皮効果とは、高周波電流が導体表面に集中することである。このことから、ミクロ的に見て凹凸のある表面 (ポリイミド基板 102との接合面 )を有する配線パターンを流れる電流のパスは相対的に長く抵抗値が増える。即ち、図 7 (D)に示すような表面に凹凸のある配線パターンを流れる電流のパスは表面の平坦性に優れた配線パターンに比べて長くなるから、抵抗値が増えることになる。従つて、表面に凹凸のある配線パターンでは表皮効果において不利となる。

[0007] 図 8 (A)一 (D)は、他の従来の回路基板の製造方法を示す断面図である。この回路基板はキャスティング法により銅箔上にポリイミド膜を形成する方法を用いたものである。

[0008] まず、図 8 (A)に示すように、銅箔 101を準備し、この銅箔 101の表面をあらして粗面化する。

[0009] 次に、図 8 (B)に示すように、銅箔 101の粗面化された表面上に Cr、 Ni、 Zn等の添加物を塗布することにより、銅箔 101の粗面上に前記添加物力もなる下地膜 104を形成する。

[0010] この後、図 8 (C)に示すように、密着性助長膜 104の上にポリイミドになる前の状態であるポリイミドの前駆体を塗布し、熱処理でイミド化することにより、銅箔 101の粗面上には密着性助長膜 104を介してポリイミド膜 105が形成される。尚、下地膜 104は、銅箔 101とポリイミド膜 105との密着層として作用する。

[0011] 次に、図 8 (D)に示すように、銅箔 101の上にフォトレジスト膜（図示せず)を塗布し、露光及び現像することにより、銅箔 101の上にはレジストパターン（図示せず）が形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして銅箔 101をウエットエッチングすることにより、ポリイミド膜 105の上には銅箔 101からなる配線パターン 103a— 103 dが形成される。

[0012] ところで、上記他の従来の回路基板では、ポリイミド膜 105と銅箔 101との密着性を確保するためにアンカー効果を期待して銅箔 101の表面を粗面化すると共に、銅箔 101の粗面上に下地膜 104を形成している。しかしながら、配線パターン 103a— 10 3dの微細化が進むに従、、 Cu箔の粗面化及び下地膜と、う構造ではエッチングカロェによる微細パターユング力卩ェに限界がある。 [0013] また、銅箔 101の表面を粗面化すると表皮効果における信号の伝播ロスが生じやすくなるという問題がある。

[0014] また、銅箔 101と下地膜 104をウエットエッチングしてパターユングする際、銅箔と下地膜では材質が異なるためエッチング性が異なる。従って、銅箔と下地膜を同一条件で 1回のエッチングによりパターユングを行うとエッチング残渣が残ってしまい、それによつて配線間のショート、マイグレーション等の問題が発生することがある。これに対し、エッチング残渣が残らないようにするため、銅箔と下地膜を別々の条件で 2回のエッチングによりパター-ングを行うことも可能である力この場合はエッチング工程の時間が長くなりスループットが低くなるという問題が生じる。

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0015] 前述した通り、従来及び他の従来の回路基板では、銅箔を粗面化するとエッチング加工による微細パターニンダカ卩ェに限界があること、表皮効果における信号の伝播ロスが生じること、エッチング残渣が生じることと!/、つた問題がある。

[0016] 本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、エッチング加工によって微細なパターンを形成することができ、表皮効果における信号の伝播口スを抑制できる回路基板及びその製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、エッチング残渣の発生を抑制できる回路基板及びその製造方法を提供することにある。

課題を解決するための手段

[0017] 上記課題を解決するため、本発明に係る回路基板は、基板と Cu合金箔が張り合わされた回路基板であって、

前記 Cu合金箔は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agカゝらなる群カゝら選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなることを特徴とする。

[0018] 上記回路基板によれば、上述した組成を有する Cu合金箔と基板との密着性が非常に良いため、 Cu合金箔カゝらなる配線パターンを微細化しても配線パターンと基板との密着性を十分に確保できる。また、密着性が良いので従来技術のように Cu合金箔の表面を粗面化する必要がない。従って、配線パターンの平坦性が良いため、表皮効果における信号の伝播ロスを抑制できる。表皮効果とは、高周波電流が導体表面に集中することである。このことから、ミクロ的に見て凹凸のある表面を有する配線パターンを流れる電流のパスは相対的に長く抵抗値が増える。このため、表面の平坦性に優れた配線パターンを流れる電流のパスは凹凸のある場合に比べて長くならず抵抗値が増えることもない。従って、平坦性に優れた Cu合金箔では表皮効果において有利となる。

[0019] 本発明に係る回路基板は、基板と Cu合金箔が張り合わされた回路基板であって、前記 Cu合金箔は、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agカゝらなる群カゝら選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有し、残部が Cuからなる合金力もなることを特徴とする。

[0020] また、本発明に係る回路基板においては、前記基板と前記 Cu合金箔との間に接着層が配置されていることも可能である。

[0021] 本発明に係る回路基板は、 Cu合金箔と、

前記 Cu合金箔上に形成されたポリイミド膜と、

を具備する回路基板であって、

[0022] 上記回路基板によれば、上述した組成を有する Cu合金箔とポリイミド膜との密着性が非常に良いため、 Cu合金箔カゝらなる配線パターンを微細化しても配線パターンとポリイミド膜との密着性を十分に確保できる。また、密着性が良いので従来技術のように Cu合金箔の表面を粗面化する必要がない。従って、表皮効果における信号の伝播ロスを抑制できる。

[0023] また、本発明に係る回路基板においては、前記 Cu合金箔の厚さが 5 μ m以上 50 μ m以下であることも可能であり、前記 Cu合金箔は表皮効果に伴う伝播損失を低減又は削減するものである。

[0024] 本発明に係る回路基板は、第 1の Cu合金箔と、前記第 1の Cu合金箔上に形成されたポリイミド膜と、

前記ポリイミド膜上に張り合わされた第 2の Cu合金箔と、

を具備する回路基板であって、

前記第 1の Cu合金箔は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agカゝらなる群から選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなり、前記第 2の Cu合金箔は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agカゝらなる群から選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなることを特徴とする。

[0025] 本発明に係る回路基板は、基板と、

前記基板の表面に配置された第 1の Cu合金箔と、

前記基板の裏面に配置された第 2の Cu合金箔と、

を具備する回路基板であって、

前記第 1の Cu合金箔は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agカゝらなる群から選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなり、厚さが 5 μ m以上 50 μ m以下であり、

前記第 2の Cu合金箔は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agカゝらなる群から選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなり、厚さが 5 μ m以上 50 μ m以下であることを特徴とする。

[0026] 本発明に係る回路基板は、基板と、

前記基板上に形成され、 Cu合金箔からなる配線パターンと、

を具備する回路基板であって、

前記配線パターンは、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Ag力もなる群力も選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなることを特徴とする。

[0027] 上記回路基板によれば、上述した組成を有する Cu合金箔からなる配線パターンと基板との密着性が非常に良いため、配線パターンを微細化しても配線パターンと基板との密着性を十分に確保できる。また、密着性が良いので従来技術のように Cu合金箔の表面を粗面化する必要がないので、配線パターンの平坦性も良い。従って、表皮効果における信号の伝播ロスを抑制できる。

[0028] 本発明に係る回路基板は、基板と、

前記基板上に形成され、 Cu合金箔力もなる第 1の配線パターンと、

前記第 1の配線パターン及び前記基板の上に形成された絶縁膜と、

前記絶縁膜上に形成された第 2の配線パターンと、

を具備する回路基板であって、

前記 Cu合金箔は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agカゝらなる群カゝら選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなり、厚さが 5 μ m以上 50 μ m以下であり、

前記第 2の配線パターンは、薄膜と、該薄膜上に形成された Cu膜とを有し、前記薄膜は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Ag力なる群力選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなり、膜厚が 5nm 以上 1 μ m以下であることを特徴とする。

[0029] また、本発明に係る回路基板にお!/ヽて、前記基板は高分子材料、榭脂材料又はセラミック材料からなることも可會である。

[0030] また、本発明に係る回路基板においては、前記高分子材料がポリイミド、液晶ポリマ一、テフロン (登録商標)及びエポキシ榭脂からなる群力も選ばれた一つであることも可能である。

[0031] 本発明に係る回路基板の製造方法は、基板と Cu合金箔を熱圧着によって張り合わる工程を具備する回路基板の製造方法であって、

[0032] 本発明に係る回路基板の製造方法は、基板と Cu合金箔を熱圧着によって張り合わせる工程を具備する回路基板の製造方法であって、

前記 Cu合金箔は、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agカゝらなる群カゝら選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有し、残部が Cuからなる合金力もなることを特徴とする。 [0033] 本発明に係る回路基板の製造方法は、基板と Cu合金箔との間に接着層を配置し、前記基板と前記 Cu合金箔を圧着によって張り合わせる工程を具備する回路基板の製造方法であって、

[0034] また、本発明に係る回路基板の製造方法においては、前記張り合わせる工程の後に、前記 Cu合金箔をエッチング加工することにより、前記基板上に前記 Cu合金箔からなる配線パターンを形成する工程をさらに具備することも可能である。

この回路基板の製造方法によれば、前述した組成の Cu合金箔は、純 Cuと同じエツチング液でエッチングでき、 1回のウエットエッチングにより Cu合金箔をエッチングすることが可能であり、エッチング残渣等の問題も生じない。

[0035] また、本発明に係る回路基板の製造方法においては、前記配線パターンを形成する工程の後に、

前記配線パターン及び前記基板の上に絶縁膜を形成する工程と、

前記絶縁膜上にスパッタリング法又は蒸着法により薄膜を形成する工程と、前記薄膜上に電界鍍金法又は無電界鍍金法により膜厚が 300nm以上 30 μ m以下の Cu膜を形成する工程と、

前記 Cu膜及び前記薄膜をエッチング加工することにより、前記絶縁膜上に前記 Cu 膜及び前記薄膜からなる配線パターンを形成する工程をさらに具備し、

前記薄膜は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Ag力なる群力選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなることも可能である。

[0036] 本発明に係る回路基板の製造方法は、 Cu合金箔上にポリイミドの前駆体を塗布する工程と、

前記前駆体に熱処理を施して該前駆体をイミド化することにより、前記 Cu合金箔上にポリイミド膜を形成する工程と、

を具備する回路基板の製造方法であって、前記 Cu合金箔は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agカゝらなる群カゝら選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなることを特徴とする。

尚、前記ポリイミドの前駆体とは、ポリイミドになる前の榭脂のことである。

[0037] また、本発明に係る回路基板の製造方法においては、前記ポリイミド膜を形成する工程の後に、前記 Cu合金箔をエッチング加工することにより、前記基板上に前記 Cu 合金箔カゝらなる配線パターンを形成する工程をさらに具備することも可能である。

[0038] また、本発明に係る回路基板の製造方法においては、前記配線パターンを形成する工程の後に、

前記配線パターン及び前記ポリイミド膜の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にスパッタリング法又は蒸着法により薄膜を形成する工程と、前記薄膜上に電界鍍金法又は無電界鍍金法により膜厚が 300nm以上 30 μ m以下の Cu膜を形成する工程と、

[0039] また、本発明に係る回路基板の製造方法においては、前記 Cu合金箔の厚さが 5 m以上 50 μ m以下であることも可能である。

[0040] 本発明に係る回路基板の製造方法は、第 1の Cu合金箔上にポリイミドの前駆体を塗布する工程と、

前記前駆体に熱処理を施して該前駆体をイミド化することにより、前記第 1の Cu合金箔上にポリイミド膜を形成する工程と、

前記ポリイミド膜上に第 2の Cu合金箔を熱圧着によって張り合わせる工程と、を具備する回路基板の製造方法であって、

[0041] 本発明に係る回路基板の製造方法は、第 1の Cu合金箔上に熱可塑性のポリイミドワニスを塗布する工程と、

前記ポリイミドワニスに熱処理を施して該ポリイミドワニスを硬化することにより、前記第 1の Cu合金箔上にポリイミド膜を形成する工程と、

前記ポリイミド膜と第 2の Cu合金箔との間に接着層を配置し、前記ポリイミド膜と前記第 2の Cu合金箔を圧着によって張り合わせる工程と、

を具備する回路基板であって、

[0042] 本発明に係る回路基板の製造方法は、基板と Cu合金箔を熱圧着によって張り合わる工程と、

前記 Cu合金箔をエッチング加工することにより、前記基板上に前記 Cu合金箔からなる第 1の配線パターンを形成する工程と、

前記第 1の配線パターン及び前記基板の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にスパッタリング法又は蒸着法により薄膜を形成する工程と、前記薄膜上に電界鍍金法又は無電界鍍金法により膜厚が 300nm以上 30 μ m以下の Cu膜を形成する工程と、

前記 Cu膜及び前記薄膜をエッチング加工することにより、前記絶縁膜上に前記 Cu 膜及び前記薄膜からなる第 2の配線パターンを形成する工程と、

を具備する回路基板の製造方法であって、

前記 Cu合金箔は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agカゝらなる群カゝら選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなり、前記薄膜は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Ag力なる群力選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなり、膜厚が 5nm 以上 1 μ m以下であることを特徴とする。

発明の効果

[0043] 以上説明したように本発明によれば、エッチングカ卩ェによって微細なパターンを形成することができ、表皮効果における信号の伝播ロスを抑制できる回路基板及びその製造方法を提供することができる。また、他の本発明によれば、エッチング残渣の発生を抑制できる回路基板及びその製造方法を提供することができる。

発明を実施するための形態

[0044] 以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。

(実施の形態 1)

図 1 (A)— (E)及び図 2は、本発明の実施の形態 1による回路基板を製造し、回路基板上に電子部品を実装する方法を示す断面図である。この回路基板はラミネート法により Cu合金箔と基板とを密着させて接合する方法を用いたものである。

[0045] まず、図 1 (A)に示すように、 5 m以上 50 m以下程度の Cu合金箔 1及び基板 2 を準備し、両者を対向させて位置合わせする。 Cu合金箔 1には、電解鍍金法により製造する方法と、圧延法により製造する方法がある。電解鍍金法の場合、例えば金属ドラム上に電気鍍金で Cu合金膜を形成し、それを連続的に剥がして巻き取ったものを Cu合金箔として用いる。また、圧延法の場合は、例えば約 20cm厚の金属のィンゴットを母材として、繰り返し圧延、焼鈍を行い、所定の箔厚になるまで加工したものを Cu合金箔として用いる。

[0046] 前記 Cu合金箔 1は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agからなる群力も選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.0重量％(wt%)含有してなる合金からなるものである。また、より好ましい Cu合金箔 1としては、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agからなる群力選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有し、残部が C uからなる合金力もなるものである。また、さらに好ましい Cu合金箔としては、 Moを 1.1 一 1.2wt%含有し、残部が Cuからなる合金力もなるものである。また、基板 2は、ポリイミド、液晶ポリマー、テフロン (登録商標)又はエポキシ榭脂等力なる高分子材料或いは榭脂材料によって形成されたものである。

[0047] 前記 Cu合金箔 1に上述したような材料を用いる理由は次の通りである。合金材料を容易に製作することができること、化学的に安定な材料で構成されること、高価な金属を使用しないので材料のコスト的優位性が高いこと、材料的に粒径が微細で緻密な箔形成を容易に行うことができる組成であること、ウエットエッチングを行う際に、純 Cuと同じエッチング液 (例えば塩ィ匕第 II鉄、塩化第 II銅)で同じレートでエッチングを行うことが可能であることによる。また、従来の銅箔では、銅箔表面に腐食防止処理を施す必要があるのに対し、前記 Cu合金箔 1では、従来の銅箔に比べて耐食性に優れているため、腐食防止処理を施す必要がない。この点において低コストィ匕を図ることができる。

[0048] この後、基板 2と Cu合金箔 1を加熱及び加圧することにより熱圧着する。これによつて、図 1 (B)に示すように、基板 2と Cu合金箔 1は密着して接合され、張り合わされる。この際、 Cu合金箔 1と高分子材料又は榭脂材料カゝらなる基板 2との密着性は、従来の Cr又は Ni等の下地膜を用いた場合や銅箔の表面を粗面化した場合に比べて非常に良い。従って、本実施の形態では、従来の回路基板のように密着性を確保するための下地膜を必要とせず、従来技術のように Cu合金箔の表面を粗面化して密着性を高める必要もない。

[0049] 次に、図 1 (C)に示すように、 Cu合金箔 1の上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像することにより、 Cu合金箔 1の上にはレジストパターン 4 が形成される。

[0050] この後、図 1 (D)に示すように、レジストパターン 4をマスクとして Cu合金箔 1を塩化第 II鉄、塩ィ匕第 II銅等のエッチング液によってウエットエッチングする。

[0051] 次に、レジストパターン 4を除去することにより、図 1 (E)に示すように、基板 2の上には Cu合金箔 1からなる配線パターン 5a— 5dが形成される。前述した組成の Cu合金箔 1は、塩化第 II鉄、塩ィ匕第 II銅等のエッチング液でエッチングできる上、エッチングレートもほぼ同じである。また、従来技術のような下地膜を用いないため、エッチング残渣が残ることもない。

[0052] この後、図 2に示すように、回路基板に実装する半導体チップ 8のような電子部品を準備する。半導体チップ 8の能動面には外部端子としての Auバンプ 9が形成されている。

次いで、回路基板上に半導体チップ 8を位置合わせし、配線パターン上に Auバンプ 9を配置し、基板上の配線パターンと半導体チップを熱圧着する。これにより、配線ノターンと Auバンプが接合され、回路基板に半導体チップが実装される。

[0053] 上記実施の形態 1によれば、前述したように Cu合金箔 1と高分子材料又は榭脂材料力もなる基板 2との密着性が非常に良い。このため、配線パターン 5a— 5dを微細化しても配線パターンと基板との密着性を十分に確保できる。従って、従来技術のように Cu合金箔の表面を粗面化する必要がなぐ密着性を助長するための下地膜を配置する必要もないので、工程を削減でき、製造コストを低減できる。また、従来技術では銅箔を粗面化させることで配線パターンを微細化するにも限界があつたのに対し、本実施の形態では、 Cu合金箔を粗面化する必要がないので、エッチングカ卩ェによつてより微細な配線パターンを形成することが可能となる。

[0054] また、上述したように Cu合金箔 1の表面を粗面化しないため、表皮効果における信号の伝播ロスが生じにくい。即ち、高周波電流が導体表面に集中しても、配線パターンの表面の平坦性が高いため、配線パターンを流れる電流のパスは従来の回路基板の場合に比べて相対的に短くなり抵抗値が低くなる。従って、表面の平坦性の高い Cu合金箔 1を用いることにより表皮効果において有利となる。

[0055] また、 Cu合金箔 1を用いることにより、配線パターンと基板との密着性が良ぐ表皮効果にお、て有利となるため、微細な配線パターンを有し且つ信頼性の高、薄型の回路基板を実現することが可能となる。

[0056] また、 Cu合金箔 1はその中の Cuが基板 2に拡散しにくいことが確認されている。また、前述した組成の Cu合金箔 1は、純 Cuと同じエッチング液でエッチングできる上、エッチングレートもほぼ同じであり、さらに Cu合金薄膜は純 Cuと化学反応上の差異が無い。従って、 1回のウエットエッチングにより Cu合金箔 1をエッチングすることが可能であり、エッチング残渣等の問題も生じない。よって、エッチング工程におけるスル一プットを向上させることができる。

[0057] また、従来技術では、銅箔表面を粗面化することで基板に銅や下地膜が食!、込んでいるため、エッチング後も基板に銅等のエッチング残渣が残りやすいのに対し、本実施の形態では、 Cu合金箔を粗面化する必要がないため、この点においてもエッチング残渣が残りにくくなる。

[0058] 尚、上記実施の形態 1では、 Cu合金箔カゝらなる配線パターンと Auバンプ 9とを接合することにより半導体チップ 8を回路基板に実装しているが、半導体チップなどの電子部品の実装方法はこれに限定されるものではなぐ他の実装方法を用いて回路基板に実装することも可能である。例えば、 Cu合金箔上に他の材料の鍍金膜を形成した配線パターンに Auバンプ 9を接合することにより半導体チップ 8を回路基板に実装することも可能である。また、配線パターンと電子部品の外部端子とを導電性粒子を用いて接合することにより電子部品を回路基板に実装することも可能であり、また、配線パターンと電子部品の外部端子との接合部分を接着剤で固定することにより電子部品を回路基板に実装することも可能である。

[0059] (実施の形態 2)

図 3 (A)一 (E)は、本発明の実施の形態 2による回路基板を製造する方法を示す断面図であり、図 1と同一部分には同一符号を付す。この回路基板はラミネート法により Cu合金箔と基板とを密着させて接合する方法を用いたものである。

[0060] まず、図 3 (A)に示すように、 Cu合金箔 1及び基板 2を準備し、基板 2の表面に接着層 3を形成する。次いで、 Cu合金箔 1と接着層 2が対向するように位置合わせする。前記 Cu合金箔 1の製造方法、前記 Cu合金箔 1の Cu合金組成及び基板 2の材質は実施の形態 1と同様である。

[0061] この後、基板 2と Cu合金箔 1を加圧して圧着する。これによつて、図 3 (B)に示すように、基板 2と Cu合金箔 1は接着層を介して密着して接合され張り合わされる。本実施の形態では実施の形態 1と異なり、加熱をすることなく加圧して圧着しているが、基板 2と Cu合金箔 1との間に接着層 3を配置して、るため、加熱しなくても十分に密着性を確保できる。従って、 Cu合金箔 1と高分子材料又は榭脂材料カゝらなる基板 2との密着性は、従来の Cr又は Ni等の下地膜を用いた場合や銅箔の表面を粗面化した場合に比べて非常に良い。よって、本実施の形態では、従来の回路基板のように密着性を確保するための下地膜を必要とせず、従来技術のように Cu合金箔の表面を粗面化して密着性を高める必要もな、。

[0062] 次に、図 3 (C)に示すように、 Cu合金箔 1の上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像することにより、 Cu合金箔 1の上にはレジストパターン 4 が形成される。

[0063] この後、図 3 (D)に示すように、レジストパターン 4をマスクとして Cu合金箔 1を塩化第 II鉄、塩ィ匕第 II銅等のエッチング液によってウエットエッチングする。

[0064] 次に、レジストパターン 4を除去することにより、図 3 (E)に示すように、基板 2の上には Cu合金箔 1からなる配線パターン 5a— 5dが形成される。この際、 Cu合金箔 1を粗面化する必要がな、ので、エッチングカ卩ェによってより微細な配線パターンを形成することが可能となる。また、前述した組成の Cu合金箔 1は、塩化第 II鉄、塩化第 Π銅等のエッチング液でエッチングできる上、エッチングレートもほぼ同じである。また、従来技術のような下地膜を用いな、ため、エッチング残渣が残ることもな、。

[0065] この後の工程は、図 2に示す工程と同様である。

上記実施の形態 2においても実施の形態 1と同様の効果を得ることができる。

[0066] (実施の形態 3)

図 4 (A) , (B)は、本発明の実施の形態 3による回路基板の製造方法を示す断面図である。この回路基板はキャスティング法により Cu合金箔上にポリイミド膜を形成する方法を用いたものである。

[0067] まず、図 4 (A)に示すように、 Cu合金箔 1を準備する。前記 Cu合金箔 1の製造方法及び前記 Cu合金箔 1の Cu合金組成の材質は実施の形態 1と同様である。

[0068] この後、 Cu合金箔 1の上にポリイミドになる前の榭脂（前駆体)を塗布し、熱処理でイミドィ匕することにより、 Cu合金箔 1上にはポリイミド膜 6が形成される。この際、 Cu合金箔 1とポリイミド膜 6との密着性は、従来の銅箔の表面を粗面化し且つ Cr又は Ni等の下地膜を用いた場合に比べて非常に良い。従って、本実施の形態では、従来の回路基板のように密着性を確保するための下地膜を必要とせず、従来技術のように

Cu合金箔の表面を粗面化して密着性を高める必要もない。

[0069] 次に、 Cu合金箔 1の上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像することにより、 Cu合金箔 1の上にはレジストパターン（図示せず）が形成される。この後、このレジストパターンをマスクとして Cu合金箔 1を塩ィ匕第 II鉄、塩化第 II銅等のエッチング液によってウエットエッチングする。次に、レジストパターンを除去することにより、図 4 (B)に示すように、ポリイミド膜 6の上には Cu合金箔 1からなる配線パターン 5a— 5dが形成される。この際、 Cu合金箔 1を粗面化する必要がないので、エツチンダカ卩ェによってより微細な配線パターンを形成することが可能となる。また、前述した組成の Cu合金箔 1は、塩化第 II鉄、塩ィ匕第 II銅等のエッチング液でエッチングできる上、エッチングレートもほぼ同じである。また、従来技術のような下地膜を用いないため、エッチング残渣が残ることもない。

[0070] この後の工程は、図 2に示す工程と同様である。

[0071] 上記実施の形態 3においても実施の形態 1と同様の効果を得ることができる。

すなわち、前述したように Cu合金箔 1とポリイミド膜 6との密着性力一 6NZcmと非常に良い。このため、配線パターン 5a— 5dを微細化しても配線パターンとポリイミド膜 6との密着性を十分に確保できる。従って、 Cu合金箔を粗面化する必要がないので、エッチングカ卩ェによってより微細な配線パターンを形成することが可能となる。また、 Cu合金箔 1の表面を粗面化しないため、表皮効果における信号の伝播ロスが生じにくい。また、 Cu合金箔 1を用いることにより、配線パターンとポリイミド膜 6との密着性が良ぐ表皮効果において有利となるため、微細な配線パターンを有し且つ信頼性の高い薄型の回路基板を実現することが可能となる。また、 Cu合金箔 1はその中の Cuがポリイミド膜 6に拡散しにくいことが確認されている。また、前述した組成の Cu 合金箔 1は、純 Cuと同じエッチング液でエッチングできる。従って、 1回のウエットエツチングにより Cu合金箔 1をエッチングすることが可能であり、エッチング残渣等の問題も生じない。よって、エッチング工程におけるスループットを向上させることができる

[0072] (実施の形態 4)

図 5 (A) , (B)は、本発明の実施の形態 4による回路基板の製造方法を示す断面図である。この回路基板は基板 1の両面に配線パターンを形成するものである。この回路基板はキャスティング法により Cu合金箔上にポリイミド膜を形成し、このポリイミド膜と Cu合金箔をラミネート法により接着する方法を用いたものである。 [0073] まず、図 5 (A)に示すように、 Cu合金箔 1の上にポリイミド膜 6を形成する。この形成方法は図 4 (A)に示す工程と同様である。

[0074] 次、で、 Cu合金箔 7を準備し、 Cu合金箔 7とポリイミド膜 6とが対向するように位置合わせする。前記 Cu合金箔 7の製造方法及び前記 Cu合金箔 7の Cu合金組成は実施の形態 1と同様である。

[0075] この後、ポリイミド膜 6と Cu合金箔 7を加熱及び加圧することにより実施の形態 1と同様の方法で熱圧着する。これによつて、図 5 (B)に示すように、ポリイミド膜 6と Cu合金箔 7は密着して接合され張り合わされる。この際、 Cu合金箔 7とポリイミド膜 6との密着性は、従来の Cr又は Ni等の下地膜を用いた場合や銅箔の表面を粗面化した場合に比べて非常に良い。従って、本実施の形態では、従来の回路基板のように密着性を確保するための下地膜を必要とせず、従来技術のように Cu合金箔の表面を粗面化して密着性を高める必要もない。尚、ポリイミド膜 6と Cu合金箔 7を実施の形態 2と同様の方法で加圧して圧着しても良い。但し、この場合はポリイミド膜 6と Cu合金箔 7との間に接着層を配置することが好ましい。

[0076] 次に、実施の形態 1と同様の方法により、 Cu合金箔 1及び Cu合金箔 7それぞれをウエットエッチングすること〖こより、ポリイミド膜 6の表面上及び裏面上それぞれには C u合金箔 1, 7からなる配線パターンが形成される（図示せず)。この際、 Cu合金箔を粗面化していないため、エッチングカ卩ェによってより微細な配線パターンを形成することが可能となる。

[0077] 上記実施の形態 4においても実施の形態 1と同様の効果を得ることができる。

[0078] 尚、上記実施の形態 4では、 Cu合金箔 1上にポリイミド膜 6を形成し、このポリイミド膜 6と Cu合金箔 7を張り合わせているが、実施の形態 1の方法又は実施の形態 2の方法を用いて基板の両面に Cu合金箔を張り合わせた回路基板を用いることも可能である。

[0079] また、本実施の形態では、ポリイミド膜 6と Cu合金箔 7を加熱及び加圧することにより実施の形態 1と同様の方法で熱圧着しているが、ポリイミド膜 6と Cu合金箔 7との間に接着層を配置し、前記ポリイミド膜と前記 Cu合金箔を圧着によって張り合わせることも可能である。 [0080] (実施の形態 5)

図 6 (A) , (B)は、本発明の実施の形態 5による回路基板の製造方法を示す断面図である。この回路基板は多層配線構造を有するものである。

[0081] まず、図 6 (A)に示すように、実施の形態 1と同様の方法で図 1 (B)に示す基板 2と Cu合金箔 1を密着して接合したものを用意する。尚、実施の形態 2と同様の方法で図 3 (B)に示す基板 2と Cu合金箔 1との間に密着層 3を配置したものを用いても良いし、実施の形態 3と同様の方法で図 4 (A)に示す Cu合金箔 1上にポリイミド膜 6を形成したものを用いても良い。

[0082] 次いで、 Cu合金箔 1の上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像することにより、 Cu合金箔 1の上にはレジストパターンが形成される。この後、このレジストパターンをマスクとして Cu合金箔 1を塩ィ匕第 II鉄、塩化第 II銅等のエッチング液によってウエットエッチングする。次に、前記レジストパターンを除去することにより、基板 2の上には Cu合金箔 1からなる配線パターンが形成される。

[0083] この後、配線パターン及び基板 2の上にポリイミドになる前の榭脂（前駆体)を塗布し、熱処理することにより、配線パターン及び基板 2の上にはポリイミド膜 10が形成される。次いで、このポリイミド膜 10をエッチングカ卩ェすることにより、該ポリイミド膜 10には配線パターン上に位置するスルーホール 10aが形成される。尚、ポリイミド膜が感光性を有するものであれば、ポリイミド膜を露光し現像することにより、スルーホールを形成することができる。

[0084] 次に、図 6 (B)に示すように、スルーホール 10aの底面、内側面及びポリイミド膜 10 上に膜厚が 5nm以上 1 μ m以下の Cu合金薄膜 11をスパッタリングにより形成し、 Cu 合金薄膜 11の上に電界鍍金法又は無電界鍍金法により膜厚が 300nm以上 30 /z m 以下の Cu鍍金膜 12を形成する。尚、 Cu鍍金膜 12の替わりに Cu蒸着膜を形成しても良い。

[0085] 前記 Cu合金薄膜 11は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agからなる群から選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.0重量％(wt%)含有してなる合金力もなるものである。また、より好ましい Cu合金薄膜 11としては、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agカゝらなる群カゝら選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有し、残部が Cuからなる合金力もなるものである。また、さらに好ましい Cu合金薄膜としては、 Moを 1.1一 1.2wt%含有し、残部が Cuからなる合金力もなるものである。

[0086] この後、 Cu鍍金膜 12の上にフォトレジスト膜を（図示せず)塗布し、露光及び現像することにより、 Cu鍍金膜 12の上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして Cu鍍金膜 12及び Cu合金薄膜 11を塩ィ匕第 II鉄、塩ィ匕第 Π銅等のエッチング液によってウエットエッチングする。次いで、前記レジストパターンを除去することにより、ポリイミド膜 10の上には Cu鍍金膜 12及び Cu合金薄膜 11からなる配線パターンが形成される。前記ポリイミド膜 10上の配線パターンは基板 2上の配線パターンとスルーホール 10aを介して電気的に接続される。

[0087] 純 Cuである Cu鍍金膜 12と前述した組成の Cu合金薄膜 11は、塩化第 II鉄、塩ィ匕第 Π銅等のエッチング液でエッチングできる上、エッチングレートもほぼ同じである。さらに Cu合金薄膜は純 Cuと化学反応上の差異が無ぐ残渣等の問題も生じない。

[0088] 上記の方法により多層配線構造を有する回路基板が形成される。尚、図 6 (B)に示す回路基板では基板上に 2層の配線層が形成された多層配線構造となっているが、 3層以上の配線層を基板上に形成することも可能である。この場合は、図 6 (B)に示す 2層目の配線層を形成する工程を 3層目以降も繰り返すことにより、 3層以上の多層配線構造を形成することができる。

[0089] 上記実施の形態 5においても実施の形態 1と同様の効果を得ることができる。

[0090] また、スルーホール 10a内に Cu合金薄膜 11をスパッタリングにより形成しているため、微細なスルーホール 10aであっても膜厚を薄く且つカバレージ良く Cu合金薄膜 11を成膜することができる。つまり、配線パターンが微細化されてスルーホールの微細化が進んだ場合に特に有効なものとなる。

[0091] また、 Cu合金薄膜 11をスパッタリングにより成膜すると膜厚制御性が非常に良い。

また、ポリイミド膜 10と Cu合金薄膜 11との密着性が非常に良ぐ実用上必要な密着性を十分に確保することができる。

[0092] 尚、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなぐ本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、実施の形態 4による両面に配線パターンを有する回路基板に、実施の形態 1における半導体チップ 8 を実施の形態 1と同様の方法を用いて実装することも可能である。

[0093] また、実施の形態 5による多層配線構造を有する回路基板に、実施の形態 1における半導体チップ 8を実施の形態 1と同様の方法を用いて実装することも可能である。

[0094] また、実施の形態 5では、基板 2の片面に多層配線構造を設けている力基板 2の両面に多層配線構造を設けることも可能である。

[0095] また、上記実施の形態では、ポリイミド、液晶ポリマー、テフロン (登録商標）又はェポキシ榭脂等カゝらなる高分子材料或いは榭脂材料によって形成された基板 2を用いているが、基板の材質はこれらに限定されるものではなぐ基板の材質を種々変更して実施することも可能である。例えば、 Al O又は Al Oを主原料とした複合酸化物、

2 3 2 3

A1N、 SiOなどのセラミック、紙基材フエノール榭脂銅張積層板、紙基材エポキシ榭

2

脂銅張積層板、合成繊維布基材エポキシ榭脂銅張積層板、ガラス布 ·紙複合基材ェポキシ榭脂銅張積層板、ガラス布 ·ガラス不織布複合基材エポキシ榭脂銅張積層板、ガラス布基材エポキシ榭脂銅張積層板、ガラス基材ポリイミド榭脂銅張積層板、ガラス基材 BT榭脂銅張積層板、ガラス基材ふつ素榭脂銅張積層板、ガラス基材熱硬化型 PPO榭脂銅張積層板などの基板を用いることも可能である。

実施例

[0096] 以下、実施例について説明する。

市販のポリイミド、液晶ポリマー、テフロン (登録商標）、エポキシ榭脂からなる基板を準備する。また、電解鍍金法により作製した Cu合金箔を準備する。次いで、前記 C u合金箔と前記基板を熱圧着により密着して接合する。このようにして Cu合金箔/榭脂基材を作製した。この Cu合金箔/樹脂基材の常態での接着強度と、 121°C100% RHの環境に 96時間曝露した後の Cu合金箔と榭脂基材の接着強度を JIS、 C-6481に従って銅パターン幅 50 μ mで 90度ピール試験法にて評価した。

[0097] 実施例の評価に当たり、作成した試験基材は表 1の通りである。表 1における Cu合金箔の組成は、実施例 1一 4が Tiを 0.5— 5重量％含有し、残部が Cuからなる合金であり、実施例 5— 8が Moを 0.5— 5重量％含有し、残部が Cuからなる合金であり、実施例 9一 12が Niを 0.5— 5重量％含有し、残部が Cuからなる合金であり、実施例 13— 1 6が Agを 0.5— 5重量％含有し、残部が Cuからなる合金である。 [0098] [表 1]

[0099] また、表 1に記載する実施例の効果を確認する為に、表 2に記載する比較例となる試験基材を作成した。

[0100] [表 2]

[0101] 上記の表 1及び表 2の通りの実施例および比較例の Cu合金箔/樹脂是材の常態での接着強度と、 121°C100%RHの環境に 96時間曝露した後の Cu合金箔と榭脂基材の接着強度を JIS、 C- 6481に従って銅パターン幅 50 μ mで 90度ピール試験法にて評価し 7こ。

評価の結果は表 3の通りである。

[表 3]

上記の表 3の通り、 Cuを主成分として Ti， Mo, Ni, Al, Agの内より少なくとも 1種類以上の金属が 0.5— 5重量⁰ /₀で含有される合金材料を用いた Cu合金箔と各種榭脂基材を張り合わせてなる回路基板は L、ずれも高密着性であり、かつ PCT後での経時変化が少な、為に環境に左右されな、で安定で、回路基板として高信頼性を得られることが確認される。 [0104] 上記の表 3にある、比較例 1, 2も密着性の常態および PCT後の結果は充分に産業上の有用性を確保して、るが、金属 Crはエッチング中に酸素と結合して六価クロムを生成し、この六価クロムは環境上極めて毒性が高ぐ PRTR規制や RoHS規制でも特に指定される為に、特性は得られてもこうした環境上の問題が生じる為に、使用撤廃の方向に進んでいる。これは従来、本発明の従来技術で産業上、使用されている NiCrについても同様であり、技術的な優位性以外にも本発明は環境上の優位性も多く含むことは確認できる。

[0105] 即ち、本発明の構造にて得られた回路基板を用いてフレキシブルプリント配線板を製造すると、耐環境性、特には高温高湿環境下に暴露された後での接着強度が優れる為に、高温高湿の厳しい環境下でも機能を損なうことなく作動する電気機器回路として好適な Cu合金箔/樹脂基板及びフレキシブルプリント配線板を提供することができるという有利性が与えられる。

図面の簡単な説明

[0106] [図 1] (A)— (E)は、本発明の実施の形態 1による回路基板を製造し、回路基板上に電子部品を実装する方法を示す断面図である。

[図 2]本発明の実施の形態 1による回路基板を製造し、回路基板上に電子部品を実装する方法を示すものであり、図 1 (E)の次の工程を示す断面図である。

[図 3] (A)一 (E)は、本発明の実施の形態 2による回路基板を製造する方法を示す断面図である。

[図 4] (A) , (B)は、本発明の実施の形態 3による回路基板の製造方法を示す断面図である。

[図 5] (A) , (B)は、本発明の実施の形態 4による回路基板の製造方法を示す断面図である。

[図 6] (A) , (B)は、本発明の実施の形態 5による回路基板の製造方法を示す断面図である。

[図 7] (A)一 (D)は、従来の回路基板の製造方法を示す断面図である。

[図 8] (A)一 (D)は、他の従来の回路基板の製造方法を示す断面図である。

符号の説明 l—Cu合金箔

2···基板

3…接着層

4···レジストパターン

5a— 5d…配線パターン 6···ポリイミド膜

7···Οι合金箔

8…半導体チップ

9···Αιιバンプ

10···ポリイミド膜

10a…スノレーホ一ノレ ll Cu合金薄膜

12···Οι鍍金膜又は Cu蒸着膜 1…銅箔

2···ポリイミド基板

3a— 103d…配線パターン 4···下地膜

5···ポリイミド膜

Claims

請求の範囲

[1] 基板と Cu合金箔が張り合わされた回路基板であって、

前記 Cu合金箔は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agカゝらなる群カゝら選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなることを特徴とする回路基板。

[2] 基板と Cu合金箔が張り合わされた回路基板であって、

前記 Cu合金箔は、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agカゝらなる群カゝら選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有し、残部が Cuからなる合金力もなることを特徴とする回路基板。

[3] 前記基板と前記 Cu合金箔との間に接着層が配置されていることを特徴とする請求項

1又は 2に記載の回路基板。

[4] Cu合金箔と、

前記 Cu合金箔上に形成されたポリイミド膜と、

を具備する回路基板であって、

[5] 前記 Cu合金箔の厚さが 5 μ m以上 50 μ m以下であり、前記 Cu合金箔は表皮効果に伴う伝播損失を低減又は削減するものであることを特徴とする請求項 1乃至 4のいずれか一項に記載の回路基板。

[6] 第 1の Cu合金箔と、

前記第 1の Cu合金箔上に形成されたポリイミド膜と、

前記ポリイミド膜上に張り合わされた第 2の Cu合金箔と、

を具備する回路基板であって、

前記第 1の Cu合金箔は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agカゝらなる群から選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなり、前記第 2の Cu合金箔は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agカゝらなる群から選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなることを特徴とする回路基板。

[7] 基板と、

前記基板の表面に配置された第 1の Cu合金箔と、

前記基板の裏面に配置された第 2の Cu合金箔と、

を具備する回路基板であって、

前記第 2の Cu合金箔は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agカゝらなる群から選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなり、厚さが 5 μ m以上 50 μ m以下であることを特徴とする回路基板。

[8] 基板と、

を具備する回路基板であって、

前記配線パターンは、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Ag力もなる群力も選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなることを特徴とする回路基板。

[9] 基板と、

前記絶縁膜上に形成された第 2の配線パターンと、

を具備する回路基板であって、

前記第 2の配線パターンは、薄膜と、該薄膜上に形成された Cu膜とを有し、前記薄膜は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Ag力なる群力選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなり、膜厚が 5nm 以上 1 μ m以下であることを特徴とする回路基板。

[10] 前記基板は高分子材料、榭脂材料又はセラミック材料カゝらなることを特徴とする請求項 1乃至 3、 7乃至 9のいずれか一項に記載の回路基板。

[11] 前記高分子材料がポリイミド、液晶ポリマー、テフロン (登録商標)及びエポキシ榭脂力もなる群力も選ばれた一つであることを特徴とする請求項 10に記載の回路基板。

[12] 基板と Cu合金箔を熱圧着によって張り合わる工程を具備する回路基板の製造方法であって、

前記 Cu合金箔は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agカゝらなる群カゝら選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなることを特徴とする回路基板の製造方法。

[13] 基板と Cu合金箔を熱圧着によって張り合わせる工程を具備する回路基板の製造方法であって、

前記 Cu合金箔は、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agカゝらなる群カゝら選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有し、残部が Cuからなる合金力もなることを特徴とする回路基板の製造方法。

[14] 基板と Cu合金箔との間に接着層を配置し、前記基板と前記 Cu合金箔を圧着によつて張り合わせる工程を具備する回路基板の製造方法であって、

[15] 前記張り合わせる工程の後に、前記 Cu合金箔をエッチング加工することにより、前記基板上に前記 Cu合金箔カゝらなる配線パターンを形成する工程をさらに具備することを特徴とする請求項 12乃至 14に記載の回路基板の製造方法。

[16] 前記配線パターンを形成する工程の後に、

前記絶縁膜上にスパッタリング法又は蒸着法により薄膜を形成する工程と、前記薄膜上に電界鍍金法又は無電界鍍金法により膜厚が 300nm以上 30 μ m以下の Cu膜を形成する工程と、前記 Cu膜及び前記薄膜をエッチング加工することにより、前記絶縁膜上に前記 Cu 膜及び前記薄膜からなる配線パターンを形成する工程をさらに具備し、

前記薄膜は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Ag力なる群力選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなることを特徴とする請求項 15に記載の回路基板の製造方法。

[17] Cu合金箔上にポリイミドの前駆体を塗布する工程と、

を具備する回路基板の製造方法であって、

[18] 前記ポリイミド膜を形成する工程の後に、前記 Cu合金箔をエッチング加工することにより、前記基板上に前記 Cu合金箔からなる配線パターンを形成する工程をさらに具備することを特徴とする請求項 17に記載の回路基板の製造方法。

[19] 前記配線パターンを形成する工程の後に、

前記薄膜は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Ag力なる群力選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなることを特徴とする請求項 18に記載の回路基板の製造方法。

[20] 前記 Cu合金箔の厚さが 5 m以上 50 m以下であることを特徴とする請求項 12乃至 19のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。

[21] 第 1の Cu合金箔上にポリイミドの前駆体を塗布する工程と、前記前駆体に熱処理を施して該前駆体をイミド化することにより、前記第 1の Cu合金箔上にポリイミド膜を形成する工程と、

前記第 1の Cu合金箔は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agカゝらなる群から選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなり、前記第 2の Cu合金箔は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agカゝらなる群から選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなることを特徴とする回路基板の製造方法。

[22] 第 1の Cu合金箔上に熱可塑性のポリイミドワニスを塗布する工程と、

を具備する回路基板の製造方法であって、

[23] 基板と Cu合金箔を熱圧着によって張り合わる工程と、

を具備する回路基板の製造方法であって、

前記 Cu合金箔は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Agカゝらなる群カゝら選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなり、前記薄膜は、 Cuを主成分とし、 Ti、 Mo、 Ni、 A1及び Ag力なる群力選ばれた少なくとも 1種類の元素を合計で 0.5— 5.(^％含有してなる合金カゝらなり、膜厚が 5nm 以上 1 μ m以下であることを特徴とする回路基板の製造方法。