JP2005219259A - 金属化ポリイミドフィルム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 この金属化ポリイミドフィルムは、ポリイミドフィルム1と、その第1面1AにMo,Cr,Ni,Si,Fe,およびAlから選択される1種または2種以上の元素を厚さ0.3〜15mg/m2で付着させてなる中間層2と、中間層2上に形成された銅または銅合金からなる導電層4と、ポリイミドフィルム1の第2面1Bに酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化錫、酸化インジウム、フッ化マグネシウム、酸化マグネシウム、およびインジウム錫酸化物(ITO)から選択される1種または2種以上の元素を厚さ5〜300nmで付着させてなる酸素・水分遮蔽膜6とを具備する。
【選択図】 図1
Description
しかし、これらの方法では、銅箔を使用するために、銅箔の表面粗さが製品の表面粗さに反映され、微細パターンの形成時には悪影響がでるおそれがあった。また、銅箔の厚さは限定されるので、薄膜化が困難だった。
また、本発明の金属化ポリイミドフィルムは、TABテープ、フレキシブル回路基板、フレキシブル配線板などの形態であってもよい。
[実施例1]
ポリイミドフィルム基材として、宇部興産株式会社製の「ユーピレックス−S」(商品名):75μm厚を使用し、このフィルム基材の両面に下記の条件でプラズマ表面処理を施した。
プラズマ表面処理条件:アルゴンガス、RF出力1.5kW、20min
到達真空度:1×10ー3Pa
電子ビームパワー:150mA
中間層材質:Ni−Cr合金
成膜条件:アルゴンガス、高周波出力200W
中間層成膜厚さ:3nm
第2中間層材質:Cu
成膜条件:アルゴンガス、高周波出力200W
第2中間層成膜厚さ:200nm
さらに、第2中間層上に、硫酸銅浴を用いた銅電解めっきにより銅からなる導電層を18μmの厚さに形成し、実施例1を得た。
実施例1と同じポリイミドフィルム基材に、実施例1と同じ条件でプラズマ表面処理を施した。次に、フィルム基材を電子ビーム蒸着機内にセットし、下記の成膜条件で酸化アルミニウムからなる酸素・水分遮蔽膜を30nmの厚さに形成した。
到達真空度:1×10ー3Pa
電子ビームパワー:200mA
その後、実施例1と同じ材質および条件で中間層、第2中間層、および導電層を形成し、実施例2を得た。
実施例1と同じポリイミドフィルム基材に、実施例1と同じ条件でプラズマ表面処理を施し、実施例1と同様に酸化珪素からなる酸素・水分遮蔽膜を30nmの厚さに形成した。
次に、フィルム基材を反転させて、スパッタリング装置内にセットし、酸素・水分遮蔽膜とは逆の面に、以下の条件で中間層を形成した。
中間層材質:Mo
成膜条件:アルゴンガス、高周波出力200W
中間層成膜厚さ:3nm
さらに、実施例1と同じ材質および条件で、第2中間層および導電層を形成し、実施例3を得た。
実施例1と同じポリイミドフィルム基材に、実施例1と同じ条件でプラズマ表面処理を施し、実施例2と同様に酸化アルミニウムからなる酸素・水分遮蔽膜を30nmの厚さに形成した。
次に、フィルム基材を反転させて、スパッタリング装置内にセットし、酸素・水分遮蔽膜とは逆の面に、実施例3と同じ材質および条件で、中間層、第2中間層および導電層を形成し、実施例4を得た。
実施例1と同じポリイミドフィルム基材に、実施例1と同じ条件でプラズマ表面処理を施した。次に、フィルム基材を電子ビーム蒸着機内にセットし、下記の成膜条件でアルミニウムからなる酸素・水分遮蔽膜を100nmの厚さに形成した。
到達真空度:1×10ー3Pa
電子ビームパワー:150mA
その後、実施例1と同じ材質および条件で中間層、第2中間層および導電層を形成し、実施例5を得た。
実施例1と同じポリイミドフィルム基材に、実施例1と同じ条件でプラズマ表面処理を施した。次に、フィルム基材を電子ビーム蒸着機内にセットし、下記の成膜条件でチタンからなる酸素・水分遮蔽膜を100nmの厚さに形成した。
到達真空度:1×10ー3Pa
電子ビームパワー:220mA
その後、実施例1と同じ材質および条件で中間層、第2中間層および導電層を形成し、実施例6を得た。
実施例1と同じポリイミドフィルム基材に、実施例1と同じ条件でプラズマ表面処理を施した。次に、フィルム基材を電子ビーム蒸着機内にセットし、下記の成膜条件で銅からなる酸素・水分遮蔽膜を100nmの厚さに形成した。
到達真空度:1×10ー3Pa
電子ビームパワー:170mA
その後、実施例1と同じ材質および条件で中間層、第2中間層および導電層を形成し、実施例7を得た。
実施例1と同じポリイミドフィルム基材に、実施例1と同じ条件でプラズマ表面処理を施した。次に、酸素・水分遮蔽膜を形成せずに、実施例3と同じ材質および条件で、中間層(Mo)、第2中間層および導電層を形成し、比較例1を得た。
実施例1と同じポリイミドフィルム基材に、実施例1と同じ条件でプラズマ表面処理を施した。次に、酸素・水分遮蔽膜を形成せずに、実施例1と同じ材質および条件で、中間層(Ni−Cr合金)、第2中間層および導電層を形成し、比較例2を得た。
実施例1と同じポリイミドフィルム基材に、実施例1と同じ条件でプラズマ表面処理を施した。次に、酸素・水分遮蔽膜および中間層を形成せずに、実施例1と同じ材質および条件で第2中間層および導電層を形成し、比較例3を得た。
実施例1〜7および比較例1〜3の金属化ポリイミドフィルムから幅10mm×長さ150mmの短冊状試験片を切り出した。IPC−TM−650(米国プリント回路工業会規格試験法)による方法で、フィルム基材と導電層間の剥離強度(ピール強度)を測定した。この試験法は、前記短冊状試験片のポリイミドフィルム側を6インチの直径のドラムの外周に周方向へ向けて接着固定したうえ、金属膜の一端を治具で5cm/分でポリイミドフィルムから90゜の方向へ剥離させながら引っ張り、それに要する荷重(kN/m)を測定する方法である。
結果は表1に示す通りであった。
1A 第1面
1B 第2面
2 中間層
4 導電層
6 酸素・水分遮蔽膜
Claims (3)
- 第1面および第2面を有するポリイミドフィルムと、このポリイミドフィルムの第1面にMo,Cr,Ni,Si,Fe,およびAlから選択される1種または2種以上の元素を厚さ0.3〜15mg/m2で付着させてなる中間層と、前記中間層上に形成された銅または銅合金からなる導電層と、前記ポリイミドフィルムの第2面に酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化錫、酸化インジウム、フッ化マグネシウム、酸化マグネシウム、およびインジウム錫酸化物(ITO)から選択される1種または2種以上の元素を厚さ5〜300nmで付着させてなる酸素・水分遮蔽膜とを具備する金属化ポリイミドフィルム。
- 第1面および第2面を有するポリイミドフィルムと、このポリイミドフィルムの第1面にMo,Cr,Ni,Si,Fe,およびAlから選択される1種または2種以上の元素を厚さ0.3〜15mg/m2で付着させてなる中間層と、前記中間層上に形成された銅または銅合金からなる導電層と、前記ポリイミドフィルムの第2面にAl,Si,Ti,Cu,Zn,およびSnから選択される1種または2種以上の元素を厚さ100〜300nmで付着させてなる酸素・水分遮蔽膜とを具備する金属化ポリイミドフィルム。
- 請求項1または2に記載の金属化ポリイミドフィルムであって、前記中間層と前記導電層との間に、5〜300nmの厚さを有する銅または銅合金からなる第2中間層を有する。
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