JP2003001756A - 銅薄膜積層体 - Google Patents
銅薄膜積層体Info
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- JP2003001756A JP2003001756A JP2001193883A JP2001193883A JP2003001756A JP 2003001756 A JP2003001756 A JP 2003001756A JP 2001193883 A JP2001193883 A JP 2001193883A JP 2001193883 A JP2001193883 A JP 2001193883A JP 2003001756 A JP2003001756 A JP 2003001756A
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- copper thin
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- laminate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラスチックフイルム上に、真空薄膜形成法
によって形成した銅薄膜が積層された銅薄膜積層体であ
って、このものを用いて電解メッキや無電解メッキで銅
層をさらに積層してフレキシブルプリント配線基板を作
成する等に際し、メッキ工程での投入電力が過大になら
ずかつメッキ浴の寿命を延ばす等の効果を有する銅薄膜
積層体を提供する。 【解決手段】 プラスチックフイルム(A)の少なくとも
片面上に、真空薄膜形成法で形成した銅薄膜層(B)を設
けた銅薄膜積層体であって、該銅薄膜層(B)の結晶子径
が１５ｎｍ以上であることを特徴とする銅薄膜積層体で
あり、また該銅薄膜層(B)の表面抵抗値が０．８Ω／□
以下であるものであり、さらには銅薄膜積層体のＣｕ薄
膜層(B)上に、電解メッキおよびまたは無電解メッキ
で、銅層がさらに積層されたものからなるフレキシブル
プリント配線基板である。
によって形成した銅薄膜が積層された銅薄膜積層体であ
って、このものを用いて電解メッキや無電解メッキで銅
層をさらに積層してフレキシブルプリント配線基板を作
成する等に際し、メッキ工程での投入電力が過大になら
ずかつメッキ浴の寿命を延ばす等の効果を有する銅薄膜
積層体を提供する。 【解決手段】 プラスチックフイルム(A)の少なくとも
片面上に、真空薄膜形成法で形成した銅薄膜層(B)を設
けた銅薄膜積層体であって、該銅薄膜層(B)の結晶子径
が１５ｎｍ以上であることを特徴とする銅薄膜積層体で
あり、また該銅薄膜層(B)の表面抵抗値が０．８Ω／□
以下であるものであり、さらには銅薄膜積層体のＣｕ薄
膜層(B)上に、電解メッキおよびまたは無電解メッキ
で、銅層がさらに積層されたものからなるフレキシブル
プリント配線基板である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラスチックフイ
ルムの少なくとも片面上にスパッタリングや蒸着によっ
て形成されたＣｕ薄膜層を有する、フレキシブルプリン
ト配線基板用等に使用される銅薄膜積層体に関するもの
であり、該銅薄膜積層体のＣｕ薄膜層上に電解メッキや
無電解メッキによってさらに厚いＣｕ層を設けてなるも
のから製作されるフレキシブルプリント配線基板とする
等に使用される銅薄膜積層体に関する。
ルムの少なくとも片面上にスパッタリングや蒸着によっ
て形成されたＣｕ薄膜層を有する、フレキシブルプリン
ト配線基板用等に使用される銅薄膜積層体に関するもの
であり、該銅薄膜積層体のＣｕ薄膜層上に電解メッキや
無電解メッキによってさらに厚いＣｕ層を設けてなるも
のから製作されるフレキシブルプリント配線基板とする
等に使用される銅薄膜積層体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピューター、携帯情報機器、
ビデオ、時計等の所謂情報関連機器が発達し、これらの
製品は小型、軽量化を重要な命題として開発されてい
る。そのために、これらの機器に使用される配線基板は
益々小型、軽量化が要求されている。配線基板は、従
来、紙／フェノール樹脂含浸系等の絶縁性基板に銅箔を
貼り合せたものが使用されてきたが、高温度での寸法安
定性に問題があり、さらに重く厚く、加撓性に欠け配線
基板として小型、軽量化機器に適さないものとなってき
た。また、ポリイミドフイルム等の加撓性基材に銅箔等
を貼り合せたものも開発されている。さらに、特公平０
２−５５９４３号公報に開示されているように、ポリイ
ミドフイルム等の加撓性基材に真空蒸着法等によって核
付けなる金属極薄膜層を設けその上に、真空蒸着法等に
よって銅薄膜層を設けて、配線基板とする方法も知られ
ている。
ビデオ、時計等の所謂情報関連機器が発達し、これらの
製品は小型、軽量化を重要な命題として開発されてい
る。そのために、これらの機器に使用される配線基板は
益々小型、軽量化が要求されている。配線基板は、従
来、紙／フェノール樹脂含浸系等の絶縁性基板に銅箔を
貼り合せたものが使用されてきたが、高温度での寸法安
定性に問題があり、さらに重く厚く、加撓性に欠け配線
基板として小型、軽量化機器に適さないものとなってき
た。また、ポリイミドフイルム等の加撓性基材に銅箔等
を貼り合せたものも開発されている。さらに、特公平０
２−５５９４３号公報に開示されているように、ポリイ
ミドフイルム等の加撓性基材に真空蒸着法等によって核
付けなる金属極薄膜層を設けその上に、真空蒸着法等に
よって銅薄膜層を設けて、配線基板とする方法も知られ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ポリイミドフイルム等
の加撓性基材に銅箔等を貼り合せたものについては、貼
り合わせに用いられる銅箔の厚さが１２μｍ以上の厚さ
を有したものが大半であり、さらに張り合わせに使用す
る接着剤の厚さが加わり、少なくとも配線基板としての
厚さが４０μｍ以上となり、小型軽量化に対する要求に
沿わない場合が多かった。またこの技術においては、接
着剤の使用がその後の電気メッキ、無電解メッキさらに
回路形成のためのエッチング工程において耐久性が不足
する等の課題を有していた。
の加撓性基材に銅箔等を貼り合せたものについては、貼
り合わせに用いられる銅箔の厚さが１２μｍ以上の厚さ
を有したものが大半であり、さらに張り合わせに使用す
る接着剤の厚さが加わり、少なくとも配線基板としての
厚さが４０μｍ以上となり、小型軽量化に対する要求に
沿わない場合が多かった。またこの技術においては、接
着剤の使用がその後の電気メッキ、無電解メッキさらに
回路形成のためのエッチング工程において耐久性が不足
する等の課題を有していた。
【０００４】また、ポリイミドフイルム等の加撓性基材
に真空蒸着法等によって核付けなる金属極薄膜層を設け
その上に、真空蒸着法等によって銅薄膜層を設けて、配
線基板としたものは、加撓性、耐久性等においてほぼ満
足され、小型軽量化に対する要求に沿うものとして、近
年多用されてきている。しかしこのものにおいても、加
撓性基材に真空蒸着法等によって核付けなる金属極薄膜
層を設けその上に、真空蒸着法等によって銅薄膜層を設
け、その後電気メッキ、無電解メッキによって銅膜を厚
くして、回路としての導電性を付与する工程において、
真空蒸着法等によって形成された銅薄膜層の導電性不足
などにより、その後の工程である電解メッキ、無電解メ
ッキにおいて、特に電解メッキにおいて多大の電力を消
費する、メッキ浴の寿命が短くなる等の障害を有する場
合が多かった。
に真空蒸着法等によって核付けなる金属極薄膜層を設け
その上に、真空蒸着法等によって銅薄膜層を設けて、配
線基板としたものは、加撓性、耐久性等においてほぼ満
足され、小型軽量化に対する要求に沿うものとして、近
年多用されてきている。しかしこのものにおいても、加
撓性基材に真空蒸着法等によって核付けなる金属極薄膜
層を設けその上に、真空蒸着法等によって銅薄膜層を設
け、その後電気メッキ、無電解メッキによって銅膜を厚
くして、回路としての導電性を付与する工程において、
真空蒸着法等によって形成された銅薄膜層の導電性不足
などにより、その後の工程である電解メッキ、無電解メ
ッキにおいて、特に電解メッキにおいて多大の電力を消
費する、メッキ浴の寿命が短くなる等の障害を有する場
合が多かった。
【０００５】それ故、加撓性、耐久性等においてほぼ満
足され、小型軽量化に対する要求に応え得るところの、
プラスチックフイルムの少なくとも片面上に、少なくと
も真空薄膜形成法で形成されたＣｕ薄膜層を設けたフレ
キシブルプリント配線基板用の積層体におけるＣｕ薄膜
層の、後工程におけるすなわち電解メッキ工程におけ
る、多大の電力を消費する、メッキ浴の寿命が短くなる
等の障害を軽減したものが要求されており、本発明はこ
の要求に応え得るフレキシブルプリント配線基板用の積
層体等に主として使用される銅薄膜積層体を提供せんと
するものである。
足され、小型軽量化に対する要求に応え得るところの、
プラスチックフイルムの少なくとも片面上に、少なくと
も真空薄膜形成法で形成されたＣｕ薄膜層を設けたフレ
キシブルプリント配線基板用の積層体におけるＣｕ薄膜
層の、後工程におけるすなわち電解メッキ工程におけ
る、多大の電力を消費する、メッキ浴の寿命が短くなる
等の障害を軽減したものが要求されており、本発明はこ
の要求に応え得るフレキシブルプリント配線基板用の積
層体等に主として使用される銅薄膜積層体を提供せんと
するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、プラ
スチックフイルム(A)の少なくとも片面上に、少なくと
も真空薄膜形成法で形成された厚さ３０ｎｍ〜３００ｎ
ｍのＣｕ薄膜層(B)を設けた銅薄膜積層体であって、該
Ｃｕ薄膜層(B)の結晶子径が平均値１５ｎｍ以上である
ことを特徴とする銅薄膜積層体であり、またＣｕ薄膜層
(B)の表面抵抗値が０．８Ω／□以下である前記の銅薄
膜積層体であり、さらに前記の銅薄膜積層体のＣｕ薄膜
層(B)上に、電解メッキおよびまたは無電解メッキで、
銅層がさらに積層されたものからなるフレキシブルプリ
ント配線基板である。
スチックフイルム(A)の少なくとも片面上に、少なくと
も真空薄膜形成法で形成された厚さ３０ｎｍ〜３００ｎ
ｍのＣｕ薄膜層(B)を設けた銅薄膜積層体であって、該
Ｃｕ薄膜層(B)の結晶子径が平均値１５ｎｍ以上である
ことを特徴とする銅薄膜積層体であり、またＣｕ薄膜層
(B)の表面抵抗値が０．８Ω／□以下である前記の銅薄
膜積層体であり、さらに前記の銅薄膜積層体のＣｕ薄膜
層(B)上に、電解メッキおよびまたは無電解メッキで、
銅層がさらに積層されたものからなるフレキシブルプリ
ント配線基板である。
【０００７】
【発明の実施態様】本発明におけるプラスチックフイル
ム(A)としては、特に限定されるものではないが、ポリ
イミドフイルム、ポリエチレンテレフタレートフイル
ム、ポリエチレンナフタレートフイルム等のポリエステ
ルフイルム、ポリアミドイミドフイルム、ポリフェニレ
ンフイルム、ポリスルフォンフイルム、ポリフェニレン
スルフィッドフイルム、等が挙げられ、これらフイルム
には滑材や補強材等を添加したものでもよく、その表面
をコロナ放電処理、プラズマ処理、グロー放電処理、粗
面化処理等の物理的手段による処理や化学的変性処理を
施したものでもよく、それらの中で、特に好ましいのは
耐熱性の観点からポリイミドフイルムである。これらの
プラスチックフイルム(A)の厚さは、５〜１２５μｍ程
度のものが好ましく、より好ましいのは１０〜５０μｍ
である。これらの厚さの範囲から、銅薄膜積層体からの
フレキシブルプリント配線基板の加撓性、蒸着やメッキ
等の工程に対する耐性等の観点から適宜選定すればよい
ものである。
ム(A)としては、特に限定されるものではないが、ポリ
イミドフイルム、ポリエチレンテレフタレートフイル
ム、ポリエチレンナフタレートフイルム等のポリエステ
ルフイルム、ポリアミドイミドフイルム、ポリフェニレ
ンフイルム、ポリスルフォンフイルム、ポリフェニレン
スルフィッドフイルム、等が挙げられ、これらフイルム
には滑材や補強材等を添加したものでもよく、その表面
をコロナ放電処理、プラズマ処理、グロー放電処理、粗
面化処理等の物理的手段による処理や化学的変性処理を
施したものでもよく、それらの中で、特に好ましいのは
耐熱性の観点からポリイミドフイルムである。これらの
プラスチックフイルム(A)の厚さは、５〜１２５μｍ程
度のものが好ましく、より好ましいのは１０〜５０μｍ
である。これらの厚さの範囲から、銅薄膜積層体からの
フレキシブルプリント配線基板の加撓性、蒸着やメッキ
等の工程に対する耐性等の観点から適宜選定すればよい
ものである。
【０００８】本発明における、真空薄膜形成法で形成さ
れたＣｕ薄膜層(B)は、スパッタリング、電子ビーム蒸
着等の蒸着、ＣＶＤ法等の公知の真空薄膜形成法で形成
されたものであり、Ｃｕ（銅）としては、純度９９．９
％以上の銅からなるものが好ましいが、本発明の主旨を
損なわない限り、他金属元素を含むＣｕ（銅）でもよい
ものである。この真空薄膜形成法で形成されたＣｕ薄膜
層(B)の厚さは、例えばその応用であるところのフレキ
シブルプリント配線基板においては、その後の電解メッ
キ等の工程適性や得られる配線基板の加撓性から、２０
ｎｍ〜５００ｎｍ程度であるが、好ましくは３０ｎｍ〜
３００ｎｍであり、さらに好ましいのは５０ｎｍ〜２０
０ｎｍである。２０ｎｍより薄いと、例えば電解メッキ
工程で溶出され易く電解メッキが困難となり、５０ｎｍ
より厚いとプラスチックフイルム(A)との密着性に問題
が生じる等の欠点が多くなる。このＣｕ薄膜層(B)の結
晶子径が平均値１５ｎｍ以上であることが、本発明の主
旨であり、その作用効果の詳細は明らかではないが、Ｃ
ｕ薄膜層(B)の結晶子径が平均値１５ｎｍに満たない場
合、本発明の応用例の１であるフレキシブルプリント配
線基板において、配線基板作成に必要な、電解メッキに
よる銅層の厚膜化において、多大の電力を消費する、メ
ッキ浴の寿命が短くなる等の障害を多々発生することが
判明した。Ｃｕ薄膜層(B)の結晶子径の平均値は、より
好ましくは２０ｎｍ以上でありさらに好ましくは２５ｎ
ｍ以上である。また、上記したＣｕ薄膜層(B)の結晶子
径が平均値１５ｎｍ以上であるものであって、かつ該Ｃ
ｕ薄膜層(B)の表面抵抗値が０．８Ω／□以下である銅
薄膜積層体が、その応用であるフレキシブルプリント配
線基板において、配線基板作成に必要な、電解メッキに
よる銅層の厚膜化工程で、多大の電力を消費することな
く、メッキ浴の寿命を長く保持し得るがことが判明し
た。
れたＣｕ薄膜層(B)は、スパッタリング、電子ビーム蒸
着等の蒸着、ＣＶＤ法等の公知の真空薄膜形成法で形成
されたものであり、Ｃｕ（銅）としては、純度９９．９
％以上の銅からなるものが好ましいが、本発明の主旨を
損なわない限り、他金属元素を含むＣｕ（銅）でもよい
ものである。この真空薄膜形成法で形成されたＣｕ薄膜
層(B)の厚さは、例えばその応用であるところのフレキ
シブルプリント配線基板においては、その後の電解メッ
キ等の工程適性や得られる配線基板の加撓性から、２０
ｎｍ〜５００ｎｍ程度であるが、好ましくは３０ｎｍ〜
３００ｎｍであり、さらに好ましいのは５０ｎｍ〜２０
０ｎｍである。２０ｎｍより薄いと、例えば電解メッキ
工程で溶出され易く電解メッキが困難となり、５０ｎｍ
より厚いとプラスチックフイルム(A)との密着性に問題
が生じる等の欠点が多くなる。このＣｕ薄膜層(B)の結
晶子径が平均値１５ｎｍ以上であることが、本発明の主
旨であり、その作用効果の詳細は明らかではないが、Ｃ
ｕ薄膜層(B)の結晶子径が平均値１５ｎｍに満たない場
合、本発明の応用例の１であるフレキシブルプリント配
線基板において、配線基板作成に必要な、電解メッキに
よる銅層の厚膜化において、多大の電力を消費する、メ
ッキ浴の寿命が短くなる等の障害を多々発生することが
判明した。Ｃｕ薄膜層(B)の結晶子径の平均値は、より
好ましくは２０ｎｍ以上でありさらに好ましくは２５ｎ
ｍ以上である。また、上記したＣｕ薄膜層(B)の結晶子
径が平均値１５ｎｍ以上であるものであって、かつ該Ｃ
ｕ薄膜層(B)の表面抵抗値が０．８Ω／□以下である銅
薄膜積層体が、その応用であるフレキシブルプリント配
線基板において、配線基板作成に必要な、電解メッキに
よる銅層の厚膜化工程で、多大の電力を消費することな
く、メッキ浴の寿命を長く保持し得るがことが判明し
た。
【０００９】本発明における、Ｃｕ薄膜層(B)の結晶子
径が平均値１５ｎｍ以上であるものをプラスチックフイ
ルム(A)上に形成するに先立ち、前記したようにプラス
チックフイルム(A)の表面をコロナ放電処理、プラズマ
処理、グロー放電処理、粗面化処理等の物理的手段によ
る処理や化学的変性処理等を必要に応じて施してもよ
く、また、Ｃｕ薄膜層(B)とプラスチックフイルム(A)と
の密着性を向上する等の為、クロム、ニッケル等の金属
単体またはそれらの一種以上を含むものを予め薄膜形成
せしめてもよく、これらの薄膜はスパッタリング、電子
ビーム蒸着等公知の真空薄膜形成法で形成することが好
ましく、その厚さは５ｎｍ〜８０ｎｍ程度である。
径が平均値１５ｎｍ以上であるものをプラスチックフイ
ルム(A)上に形成するに先立ち、前記したようにプラス
チックフイルム(A)の表面をコロナ放電処理、プラズマ
処理、グロー放電処理、粗面化処理等の物理的手段によ
る処理や化学的変性処理等を必要に応じて施してもよ
く、また、Ｃｕ薄膜層(B)とプラスチックフイルム(A)と
の密着性を向上する等の為、クロム、ニッケル等の金属
単体またはそれらの一種以上を含むものを予め薄膜形成
せしめてもよく、これらの薄膜はスパッタリング、電子
ビーム蒸着等公知の真空薄膜形成法で形成することが好
ましく、その厚さは５ｎｍ〜８０ｎｍ程度である。
【００１０】本発明における、Ｃｕ薄膜層(B)の結晶子
径が平均値１５ｎｍ以上であるものをプラスチックフイ
ルム(A)上に形成する方法は、特に限定されないが、例
えばＣｕ薄膜層(B)のスパッタリング法での薄膜形成時
に、真空雰囲気中における水分比を０．０７以下より好
ましくは０．０６以下にして薄膜形成する方法、スパッ
タリング法での薄膜形成時のプラスチックフイルム(A)
の温度を４０℃以上、より好ましくは５０℃以上に維持
して薄膜形成する方法等が挙げられる。これらの方法が
Ｃｕ薄膜層(B)の結晶子径を平均値１５ｎｍ以上とする
効果についての詳細は不明だが、蒸発し堆積するＣｕに
対するＣｕ以外のしかもＣｕに対し活性な原子や分子の
存在が堆積する際のＣｕの結晶子径に主として影響を及
ぼしており、そのＣｕに対し活性な原子や分子の存在比
が銅に対して少ない状態での銅堆積が銅薄膜における結
晶子径を大きくするものと考えられる。
径が平均値１５ｎｍ以上であるものをプラスチックフイ
ルム(A)上に形成する方法は、特に限定されないが、例
えばＣｕ薄膜層(B)のスパッタリング法での薄膜形成時
に、真空雰囲気中における水分比を０．０７以下より好
ましくは０．０６以下にして薄膜形成する方法、スパッ
タリング法での薄膜形成時のプラスチックフイルム(A)
の温度を４０℃以上、より好ましくは５０℃以上に維持
して薄膜形成する方法等が挙げられる。これらの方法が
Ｃｕ薄膜層(B)の結晶子径を平均値１５ｎｍ以上とする
効果についての詳細は不明だが、蒸発し堆積するＣｕに
対するＣｕ以外のしかもＣｕに対し活性な原子や分子の
存在が堆積する際のＣｕの結晶子径に主として影響を及
ぼしており、そのＣｕに対し活性な原子や分子の存在比
が銅に対して少ない状態での銅堆積が銅薄膜における結
晶子径を大きくするものと考えられる。
【００１１】本発明における、Ｃｕ薄膜層(B)の膜厚さ
の測定は、蛍光Ｘ線装置（株式会社理学 製）を用いて
測定し、蛍光Ｘ線検量線法によりＣｕ強度からその膜厚
を算出した。本発明における、Ｃｕ薄膜層(B)の表面抵
抗値は、低抵抗率計 ロレスターＭＰ（ＭＣＰ−Ｔ３５
０；三菱化学株式会社 製）を用いて測定した。本発明
における、Ｃｕ薄膜層(B)の結晶子径の測定は、Ｘ線回
析装置（Ｍ１８ＸＨＦ；マックサイエンス株式会社
製）を用いて測定し、データ処理をＳＵＮＳＰ／ＩＰＸ
（マックサイエンス株式会社 製）を用いて行い、Ｃｕ
（111面）の配向から算出した。本発明における真空薄
膜形成時の雰囲気における水分等の測定は、残留ガスモ
ニター ＲＥＧＡ ＲＧ−２０２Ｐ （日本真空株式会
社 製）を用いて測定した（表示はイオン強度比）。
の測定は、蛍光Ｘ線装置（株式会社理学 製）を用いて
測定し、蛍光Ｘ線検量線法によりＣｕ強度からその膜厚
を算出した。本発明における、Ｃｕ薄膜層(B)の表面抵
抗値は、低抵抗率計 ロレスターＭＰ（ＭＣＰ−Ｔ３５
０；三菱化学株式会社 製）を用いて測定した。本発明
における、Ｃｕ薄膜層(B)の結晶子径の測定は、Ｘ線回
析装置（Ｍ１８ＸＨＦ；マックサイエンス株式会社
製）を用いて測定し、データ処理をＳＵＮＳＰ／ＩＰＸ
（マックサイエンス株式会社 製）を用いて行い、Ｃｕ
（111面）の配向から算出した。本発明における真空薄
膜形成時の雰囲気における水分等の測定は、残留ガスモ
ニター ＲＥＧＡ ＲＧ−２０２Ｐ （日本真空株式会
社 製）を用いて測定した（表示はイオン強度比）。
【００１２】以下本発明の実施例を挙げて説明する。但
し、本発明は実施例に限定されるものではない。
し、本発明は実施例に限定されるものではない。
【実施例】＊実施例１
プラスチックフイルム(A)として、２５μｍ厚さのポリ
イミドフイルム（東レ・デュポン株式会社 製 Kapton
100EN）を使用し、該フイルムを真空スパッタ装置に装
填し、フイルム走行速度５ｍ／ｍin（分）、真空薄膜形
成スパッタ時の雰囲気をアルゴンガス下で２．７×１０
−１Ｐa、アルゴン／水の存在比が９６／０．６におい
て、投入電力を４Ｗ／cm2とし、Ｃｕ薄膜層を１００ｎ
ｍ厚さで形成し銅薄膜積層体を得た。得られた銅薄膜積
層体の結晶子径は５３．２ｎｍ、表面抵抗値は０．３Ω
／□であった。
イミドフイルム（東レ・デュポン株式会社 製 Kapton
100EN）を使用し、該フイルムを真空スパッタ装置に装
填し、フイルム走行速度５ｍ／ｍin（分）、真空薄膜形
成スパッタ時の雰囲気をアルゴンガス下で２．７×１０
−１Ｐa、アルゴン／水の存在比が９６／０．６におい
て、投入電力を４Ｗ／cm2とし、Ｃｕ薄膜層を１００ｎ
ｍ厚さで形成し銅薄膜積層体を得た。得られた銅薄膜積
層体の結晶子径は５３．２ｎｍ、表面抵抗値は０．３Ω
／□であった。
【００１３】＊実施例２
プラスチックフイルム(A)として、２５μｍ厚さのポリ
イミドフイルム（東レ・デュポン株式会社 製 Kapton
100EN）を使用し、該フイルムを真空スパッタ装置に装
填し、フイルム走行速度５ｍ／ｍin（分）、真空薄膜形
成スパッタ時の雰囲気をアルゴンガス下で２．７×１０
−１Ｐa、アルゴン／水の存在比が９４／１．５におい
て、投入電力を４Ｗ／cm2とし、Ｃｕ薄膜層を１００ｎ
ｍ厚さで形成し銅薄膜積層体を得た。得られた銅薄膜積
層体の結晶子径は３７．５ｎｍ、表面抵抗値は０．４８
Ω／□であった。
イミドフイルム（東レ・デュポン株式会社 製 Kapton
100EN）を使用し、該フイルムを真空スパッタ装置に装
填し、フイルム走行速度５ｍ／ｍin（分）、真空薄膜形
成スパッタ時の雰囲気をアルゴンガス下で２．７×１０
−１Ｐa、アルゴン／水の存在比が９４／１．５におい
て、投入電力を４Ｗ／cm2とし、Ｃｕ薄膜層を１００ｎ
ｍ厚さで形成し銅薄膜積層体を得た。得られた銅薄膜積
層体の結晶子径は３７．５ｎｍ、表面抵抗値は０．４８
Ω／□であった。
【００１４】＊実施例３
プラスチックフイルム(A)として、２５μｍ厚さのポリ
イミドフイルム（東レ・デュポン株式会社 製 Kapton
100EN）を使用し、該フイルムを真空スパッタ装置に装
填し、フイルム走行速度５ｍ／ｍin（分）、真空薄膜形
成スパッタ時の雰囲気をアルゴンガス下で２．７×１０
−１Ｐa、アルゴン／水の存在比が９０／４．３におい
て、投入電力を４Ｗ／cm2とし、Ｃｕ薄膜層を１００ｎ
ｍ厚さで形成し銅薄膜積層体を得た。得られた銅薄膜積
層体の結晶子径は１５．２ｎｍ、表面抵抗値は０．７６
Ω／□であった。
イミドフイルム（東レ・デュポン株式会社 製 Kapton
100EN）を使用し、該フイルムを真空スパッタ装置に装
填し、フイルム走行速度５ｍ／ｍin（分）、真空薄膜形
成スパッタ時の雰囲気をアルゴンガス下で２．７×１０
−１Ｐa、アルゴン／水の存在比が９０／４．３におい
て、投入電力を４Ｗ／cm2とし、Ｃｕ薄膜層を１００ｎ
ｍ厚さで形成し銅薄膜積層体を得た。得られた銅薄膜積
層体の結晶子径は１５．２ｎｍ、表面抵抗値は０．７６
Ω／□であった。
【００１５】＊比較例１
プラスチックフイルム(A)として、２５μｍ厚さのポリ
イミドフイルム（東レ・デュポン株式会社 製 Kapton
100EN）を使用し、該フイルムを真空スパッタ装置に装
填し、フイルム走行速度５ｍ／ｍin（分）、真空薄膜形
成スパッタ時の雰囲気をアルゴンガス下で２．７×１０
−１Ｐa、アルゴン／水の存在比を８８／５．７とし
て、投入電力を４Ｗ／cm2とし、Ｃｕ薄膜層を１００ｎ
ｍ厚さで形成し銅薄膜積層体を得た。得られた銅薄膜積
層体の結晶子径は１３．９ｎｍ、表面抵抗値は０．８４
Ω／□であった。
イミドフイルム（東レ・デュポン株式会社 製 Kapton
100EN）を使用し、該フイルムを真空スパッタ装置に装
填し、フイルム走行速度５ｍ／ｍin（分）、真空薄膜形
成スパッタ時の雰囲気をアルゴンガス下で２．７×１０
−１Ｐa、アルゴン／水の存在比を８８／５．７とし
て、投入電力を４Ｗ／cm2とし、Ｃｕ薄膜層を１００ｎ
ｍ厚さで形成し銅薄膜積層体を得た。得られた銅薄膜積
層体の結晶子径は１３．９ｎｍ、表面抵抗値は０．８４
Ω／□であった。
【００１６】＊＊比較例２
プラスチックフイルム(A)として、２５μｍ厚さのポリ
イミドフイルム（東レ・デュポン株式会社 製 Kapton
100EN）を使用し、該フイルムを真空スパッタ装置に装
填し、フイルム走行速度５ｍ／ｍin（分）、真空薄膜形
成スパッタ時の雰囲気をアルゴンガス下で２．７×１０
−１Ｐa、アルゴン／水の存在比を７９／１５として、
投入電力を４Ｗ／cm2とし、Ｃｕ薄膜層を１００ｎｍ厚
さで形成し銅薄膜積層体を得た。得られた銅薄膜積層体
の結晶子径は１１．３ｎｍ、表面抵抗値は１．３５Ω／
□であった。
イミドフイルム（東レ・デュポン株式会社 製 Kapton
100EN）を使用し、該フイルムを真空スパッタ装置に装
填し、フイルム走行速度５ｍ／ｍin（分）、真空薄膜形
成スパッタ時の雰囲気をアルゴンガス下で２．７×１０
−１Ｐa、アルゴン／水の存在比を７９／１５として、
投入電力を４Ｗ／cm2とし、Ｃｕ薄膜層を１００ｎｍ厚
さで形成し銅薄膜積層体を得た。得られた銅薄膜積層体
の結晶子径は１１．３ｎｍ、表面抵抗値は１．３５Ω／
□であった。
【００１７】＊実施例４
プラスチックフイルム(A)として、２５μｍ厚さのポリ
イミドフイルム（東レ・デュポン株式会社 製 Kapton
100EN）を使用し、該フイルムを真空スパッタ装置に装
填し、フイルム走行速度５ｍ／ｍin（分）、真空薄膜形
成スパッタ時の雰囲気をアルゴンガス下で２．７×１０
−１Ｐa、アルゴン／水の存在比を９４／１．５とし
て、投入電力を８Ｗ／cm2とし、Ｃｕ薄膜層を１００ｎ
ｍ厚さで形成し銅薄膜積層体を得た。得られた銅薄膜積
層体の結晶子径は４９．５ｎｍ、表面抵抗値は０．４９
Ω／□であった。
イミドフイルム（東レ・デュポン株式会社 製 Kapton
100EN）を使用し、該フイルムを真空スパッタ装置に装
填し、フイルム走行速度５ｍ／ｍin（分）、真空薄膜形
成スパッタ時の雰囲気をアルゴンガス下で２．７×１０
−１Ｐa、アルゴン／水の存在比を９４／１．５とし
て、投入電力を８Ｗ／cm2とし、Ｃｕ薄膜層を１００ｎ
ｍ厚さで形成し銅薄膜積層体を得た。得られた銅薄膜積
層体の結晶子径は４９．５ｎｍ、表面抵抗値は０．４９
Ω／□であった。
【００１８】＊比較例３
プラスチックフイルム(A)として、２５μｍ厚さのポリ
イミドフイルム（東レ・デュポン株式会社 製 Kapton
100EN）を使用し、該フイルムを真空スパッタ装置に装
填し、フイルム走行速度５ｍ／ｍin（分）、真空薄膜形
成スパッタ時の雰囲気をアルゴンガス下で２．７×１０
−１Ｐa、アルゴン／水の存在比を９４／１．５とし
て、投入電力を２Ｗ／cm2とし、Ｃｕ薄膜層を１００ｎ
ｍ厚さで形成し銅薄膜積層体を得た。得られた銅薄膜積
層体の結晶子径は１０．２ｎｍ、表面抵抗値は１．２７
Ω／□であった。
イミドフイルム（東レ・デュポン株式会社 製 Kapton
100EN）を使用し、該フイルムを真空スパッタ装置に装
填し、フイルム走行速度５ｍ／ｍin（分）、真空薄膜形
成スパッタ時の雰囲気をアルゴンガス下で２．７×１０
−１Ｐa、アルゴン／水の存在比を９４／１．５とし
て、投入電力を２Ｗ／cm2とし、Ｃｕ薄膜層を１００ｎ
ｍ厚さで形成し銅薄膜積層体を得た。得られた銅薄膜積
層体の結晶子径は１０．２ｎｍ、表面抵抗値は１．２７
Ω／□であった。
【００１９】実施例１〜実施例４、比較例１〜比較例３
で得られた銅薄膜積層体を用いて、銅薄膜積層体のＣｕ
薄膜層上に同一条件で、それぞれ電解メッキ、無電解メ
ッキ、電解メッキをして、総銅層厚さを８μｍの銅層を
設けフレキシブルプリント配線基板用積層体を作成し
た。このとき実施例で得られた銅薄膜積層体の場合は、
多大の電力を消費する、メッキ浴の寿命が短くなる問題
は発生せず、得られたフレキシブルプリント配線基板用
積層体の外観欠点は殆どなく問題がなく殆ど全て９０％
以上がフレキシブルプリント配線基板として製品化しう
るものであった。しかし、比較例で得られた銅薄膜積層
体の場合は、多大の電力を消費し、メッキ浴の寿命が前
記実施例での場合に比べて平均半分と短くなり、得られ
たフレキシブルプリント配線基板用積層体の外観欠点
（不均一部の存在）が目立ち製品化しうる部分の比率
は、比較例１で４０％、比較例２で３０％、比較例３で
３５％であった。
で得られた銅薄膜積層体を用いて、銅薄膜積層体のＣｕ
薄膜層上に同一条件で、それぞれ電解メッキ、無電解メ
ッキ、電解メッキをして、総銅層厚さを８μｍの銅層を
設けフレキシブルプリント配線基板用積層体を作成し
た。このとき実施例で得られた銅薄膜積層体の場合は、
多大の電力を消費する、メッキ浴の寿命が短くなる問題
は発生せず、得られたフレキシブルプリント配線基板用
積層体の外観欠点は殆どなく問題がなく殆ど全て９０％
以上がフレキシブルプリント配線基板として製品化しう
るものであった。しかし、比較例で得られた銅薄膜積層
体の場合は、多大の電力を消費し、メッキ浴の寿命が前
記実施例での場合に比べて平均半分と短くなり、得られ
たフレキシブルプリント配線基板用積層体の外観欠点
（不均一部の存在）が目立ち製品化しうる部分の比率
は、比較例１で４０％、比較例２で３０％、比較例３で
３５％であった。
【００２０】
【発明の効果】プラスチックフイルム上に、真空薄膜形
成法で銅薄膜層を形成した銅薄膜積層体の銅薄膜層上に
電解メッキや無電解メッキで銅層をさらに厚膜化してフ
レキシブルプリント配線基板等になす場合の、電解メッ
キ工程において、電力節約やメッキ浴の寿命延長さらに
は厚膜化された膜の均一な外観等に、本発明のプラスチ
ックフイルム(A)の少なくとも片面上に、少なくとも真
空薄膜形成法で形成された厚さ３０ｎｍ〜３００ｎｍの
Ｃｕ薄膜層(B)を設けた銅薄膜積層体であって、該Ｃｕ
薄膜層(B)の結晶子径が平均値１５ｎｍ以上である銅薄
膜積層体が、極めて効果のあることが判った。
成法で銅薄膜層を形成した銅薄膜積層体の銅薄膜層上に
電解メッキや無電解メッキで銅層をさらに厚膜化してフ
レキシブルプリント配線基板等になす場合の、電解メッ
キ工程において、電力節約やメッキ浴の寿命延長さらに
は厚膜化された膜の均一な外観等に、本発明のプラスチ
ックフイルム(A)の少なくとも片面上に、少なくとも真
空薄膜形成法で形成された厚さ３０ｎｍ〜３００ｎｍの
Ｃｕ薄膜層(B)を設けた銅薄膜積層体であって、該Ｃｕ
薄膜層(B)の結晶子径が平均値１５ｎｍ以上である銅薄
膜積層体が、極めて効果のあることが判った。
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4E351 AA01 AA16 BB01 BB24 BB32
BB33 BB35 CC01 CC03 CC06
CC07 DD04 DD52 GG20
4F100 AB17B AB17C AB33B AK01A
AK42A AK49A BA03 BA07
BA10A BA10C BA13 EH66
EH71C GB43 JA11B JG04B
JL03 YY00B
4K029 AA11 AA25 BA08 BB07 BC05
BD02 CA01 CA05 GA03
4K044 AA16 AB02 BA06 BB02 CA13
CA15 CA18
Claims (3)
- 【請求項１】 プラスチックフイルム(A)の少なくと
も片面上に、少なくとも真空薄膜形成法で形成された厚
さ３０ｎｍ〜３００ｎｍのＣｕ薄膜層(B)を設けた銅薄
膜積層体であって、該Ｃｕ薄膜層(B)の結晶子径が平均
値１５ｎｍ以上であることを特徴とする銅薄膜積層体。 - 【請求項２】 Ｃｕ薄膜層(B)の表面抵抗値が０．８
Ω／□以下である請求項１記載の銅薄膜積層体。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の銅薄膜積層体
のＣｕ薄膜層(B)上に、電解メッキおよびまたは無電解
メッキで、銅層がさらに積層されたものからなるフレキ
シブルプリント配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001193883A JP2003001756A (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 銅薄膜積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001193883A JP2003001756A (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 銅薄膜積層体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003001756A true JP2003001756A (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=19032087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001193883A Pending JP2003001756A (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 銅薄膜積層体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003001756A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009274250A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 金属被覆ポリイミドフィルム基板 |
| JP2017041630A (ja) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 東レＫｐフィルム株式会社 | 金属化フィルムおよび金属化フィルムの製造方法 |
| WO2022030644A1 (ja) * | 2020-08-07 | 2022-02-10 | 東洋鋼鈑株式会社 | 銅張積層体及びその製造方法 |
| JP2022528846A (ja) * | 2019-05-31 | 2022-06-16 | 寧徳時代新能源科技股▲分▼有限公司 | 負極集電体、負極シート及び電気化学装置 |
-
2001
- 2001-06-27 JP JP2001193883A patent/JP2003001756A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009274250A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 金属被覆ポリイミドフィルム基板 |
| JP2017041630A (ja) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 東レＫｐフィルム株式会社 | 金属化フィルムおよび金属化フィルムの製造方法 |
| JP2022528846A (ja) * | 2019-05-31 | 2022-06-16 | 寧徳時代新能源科技股▲分▼有限公司 | 負極集電体、負極シート及び電気化学装置 |
| WO2022030644A1 (ja) * | 2020-08-07 | 2022-02-10 | 東洋鋼鈑株式会社 | 銅張積層体及びその製造方法 |
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Effective date: 20090714 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |