WO2006025242A1

WO2006025242A1 - ２層フレキシブル基板及びその製造方法

Info

Publication number: WO2006025242A1
Application number: PCT/JP2005/015365
Authority: WO
Inventors: Junichi Nagata; Yoshiyuki Asakawa
Original assignee: Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.
Priority date: 2004-09-01
Filing date: 2005-08-24
Publication date: 2006-03-09
Also published as: CN101040572A; JPWO2006025242A1; KR20070040825A; US20110081557A1; JP4525682B2; US8288011B2; KR100858310B1; CN100542374C

Description

明細書

2層フレキシブル基板及びその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、 2層フレキシブル基板とその製造方法に係り、より具体的には、絶縁体フィルム上に、乾式めつき法により、ニッケルバナジウムモリブデン下地金属層、或いは、ニッケルバナジウムクロムモリブデン下地金属層（シード層）を形成し、次いで該下地金属層上に銅被膜層を形成した、密着性が高ぐ耐食性を有し、つ絶縁信頼性の高い銅被膜層を形成した 2層フレキシブル基板とその製造方法に関するものである。

背景技術

[0002] 一般に、フレキシブル配線板を作製するために用いられる基板は、絶縁体フィルム上に接着剤を用いて導体層となる銅箔を貼り合わせた 3層フレキシブル基板 (例えば、特許文献 1参照）と、該絶縁体フィルム上に接着剤を用いることなしに乾式めつき法または湿式めつき法により導体層となる銅被膜層を直接形成した 2層フレキシブル基板とに大別される。

[0003] ここで、 3層フレキシブル基板を用いる場合には、サブトラクティブ法によって基板上に所望の配線パターンを形成することにより 3層フレキシブル配線板を製造することができ、また、 2層フレキシブル基板を用いる場合には、サブトラクティブ法またはァディティブ法によって基板上に所望の配線パターンを形成することにより 2層フレキシブル配線板を製造することができるが、従来においては、製造方法が簡単で、低コストで製造することができる 3層フレキシブル基板の使用が主流を占めていた。

[0004] ところで、近年の電子機器の高密度化に伴ヽ、配線幅も狭ピッチ化した配線板が求められるようになってきている。

しかし、 3層フレキシブル基板の製造に際し、基板である絶縁体フィルム上に形成した銅被膜層に所望の配線パターンに従ってエッチングして配線部の形成を行って配線板を製造する場合に、配線部の側面がエッチングされるとヽぅ、わゆるサイドエツチングが生ずるために配線部の断面形状が裾広がりの台形になり易い。従って、配線部間の電気的絶縁性を確保するまでエッチングを行うと配線ピッチ幅が広くなり過ぎてしまうために、従来一般的に使用されている 35 m厚さの銅箔を接着剤で絶縁体フィルムと貼り合わせた 3層フレキシブル基板を用いる限り、配線板における配線部の狭ピッチ化を行うには限界があった。

このため、従来の 35 μ m厚さの銅箔張り合わせ基板に代えて、 18 μ m厚さ以下の薄い銅箔張り合わせ基板を使用し、サイドエッチングによる裾広がりの幅を小さくして配線板における配線部の狭ピッチ化を図ることが行われてきた。

しかし、このような薄肉の銅箔は剛性が小さくハンドリング性が悪いため、ー且銅箔にアルミニウムキャリアなどの補強材を貼り合わせて剛性を高くした後、該銅箔と絶縁体フィルムの貼り合わせを行、、し力る後再びアルミニウムキャリアを除去するなどの方法が採られていたが、この方法はあまりに手間と時間がかかり、作業性、生産性が悪いという問題があった。

また、このような薄い銅箔では、膜厚のばらつきやピンホールや亀裂の発生などによる被膜欠陥が増加するなどの製造技術上の問題もあるし、さらに銅箔が薄くなればなるほど銅箔自体の製造が困難となり、製造価格が高くなつて 3層フレキシブル配線板のコストメリットが失われてしまう結果となっていた。

[0005] 殊に最近になって、厚さ 10数/ z m以下、あるいは数/ z m程度の銅箔を使用しなくては製造できな、ような狭幅で、狭ピッチの配線部を有する配線板への要求が強まるに至り、 3層フレキシブル基板を用いる配線板は、上記のような技術的な問題もさることながら、製造コスト上からも問題があった。

[0006] そこで、接着剤を施すことなく直接絶縁体フィルム上に銅被覆層を形成することができる 2層フレキシブル基板を用いた 2層フレキシブル配線板が注目されるに至った力かる 2層フレキシブル基板は接着剤なしで直接絶縁体フィルム上に銅導体層を形成するものであり、従って基板自体の厚さを薄くすることができる上に、被着させる銅導体被膜の厚さも任意の厚さに調整することができるという利点を有する。

そして、このような 2層フレキシブル基板を製造する場合には、絶縁体フィルム上に均一な厚さの銅導体層を形成する手段として、通常は、電気銅めつき法が採用される力そのためには、電気銅めつき被膜を施す絶縁体フィルムの上に薄膜の下地金属層を形成して表面全面に導電性を付与し、その上に電気銅めつき処理を行うのが一般的である (例えば、特許文献 2参照)。

[0007] ところで、絶縁体フィルム上に薄膜の下地金属層を得るためには、真空蒸着法、ィオンプレーティング法などの乾式めつき法を使用するのが一般的である力、このような乾式めつき法で得られる被膜層には、通常数十 μ m〜数百 μ mの大きさのピンホールが多数発生するので、下地金属層には往々にしてピンホールによる絶縁体フィルム露出部分を生ずることになる。

従来、一般にこの種のフレキシブル配線板においては、配線に必要な銅の導電性被膜の厚さは 35 mを超え 50 mまでが適当であるとされていた力形成される配線の幅も数百 m程度であるため、数十/ z mのピンホールの存在による配線部の欠陥を生ずることは少な力つた。

し力しながら、本発明において指向するような狭幅、狭ピッチの配線部を持ったフレキシブル配線板を得ようとする場合には、前述したように配線部形成のための銅被膜の厚さは 18 μ m以下、好ましくは 8 μ m以下、理想的には 5 μ m程度の極めて薄い厚さとすることが好ましぐ配線部に欠陥を生ずる恐れが多くなるものであった。

[0008] この状況を、下地金属層を形成した絶縁体フィルム上に所望の厚さの銅被膜層を形成した 2層フレキシブル基板を用いて、例えばサブトラクティブ法によってフレキシブル配線板の製造を行う場合を例にとって説明すると、配線部パターンの形成は次の工程で行われる。

(1)該銅導体層上に、配線部のみがマスキングされ非配線部の銅導体層が露出するような所望の配線部パターンを有するレジスト層を設ける、（2)露出している銅導体層をィ匕学エッチング処理により除去する、（3)最後にレジスト層を剥離除去する。従って、銅被膜層の厚さを、例えば 5 mというように極めて薄く形成した基板を使用して、例えば配線幅 15 m、配線ピッチ 30 mというような狭配線幅、狭配線ピッチの配線板を製造する場合には、乾式めつき処理によって基板の下地金属層に生じているピンホールのうち、粗大なものは大きさが数十 μ m乃至数百 μ mのオーダーに達するために、 5 m程度の厚さの電気銅めつき被膜を形成したのでは、ピンホールによる絶縁体フィルム露出部分を殆ど埋めることができないため、この露出部分、つまり導体層の欠落部分が配線部にかかり、配線部は該ピンホールの位置で欠落して配線欠陥となるか、そうでなくても配線部の密着不良を招く原因となっていた。

[0009] 上記した問題を解決する方法として、絶縁体フィルム上に乾式めつき法で下地金属層を形成した上に、さらに中間金属層として無電解めつきによる銅被覆層を施してピンホールによる絶縁体フィルムの露出部分を被覆する方法が提案されて、る（例えば、特許文献 3参照)。

し力し、この方法によるときは、確かにある程度ピンホールによる絶縁体フィルムの露出部分をなくすことはできる力一方において、無電解銅めつき処理に用いられるめっき液やその前処理液など力既に形成されて、る大小さまざまなピンホール部分力絶縁体フィルムと下地金属層との間に浸透し、これが下地金属層の密着性、その後に形成される電気銅めつきによる導体層の密着性を阻害する原因となる可能性があることがわ力つてきており、十分な解決策とはなっていな力つた。

[0010] また、例えば、特許文献 4には、プラズマ処理された表面を有するポリマーフィルムと、該プラズマ処理された表面に付着した、ニッケルまたはニッケル合金を含む-ッケルタイコート層と、該ニッケル層に付着した銅コート層と、さらに該銅コート層に付着した別の銅層を含む無接着剤フレキシブルラミネートが提案されており、ニッケル合金用の金属が、 Cu、 Cr、 Fe、 V、 Ti、 Al、 Si、 Pd、 Ta、 W、 Zn、 In、 Sn、 Mn、 Coおよびこれらのうち 2つ以上の混合物力なる群より選択されるニッケルタイコート層が記載されている。具体的には、有用な Ni合金として Monel (約 67%Ni、 30%Cu)、 Inc onel (約 76%Ni、 16%Cr、 8%Fe)などが挙げられている。得られるラミネートフィルムは初期剥離強度、ソルダフロート後の剥離強度、熱サイクル後の剥離強度に優れて!、ることが示されて!/、るが、複合金属膜の特性の良好さにつ、ての記載はされていない。

[0011] 更に、例えば、特許文献 5には、銅箔上にポリイミドワニスを塗布硬化させた銅張りポリイミドフィルムのポリイミド側のポリイミド Z金属界面の耐熱接着性を向上し、本複合基材の生産性と最終電気製品の耐久性及び信頼性を向上させるために、ポリイミド側に、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、バナジウム、チタン及びマンガン力なる群力選ばれる少なくとも一種の金属よりなる第一の薄層を真空成膜法で形成し、その上に銅よりなる所定厚の第二の薄層を真空成膜法で形成し、第二の薄層上に所定厚の銅よりなる第三の薄層を所定の電流密度で電気めつきを行い形成することが記載されている力実施例においては、第一の薄層としてクロムし力示されておらず、複合金属膜の特性の良好さにつ、ての記載はされて、な、。

[0012] 同様に、例えば、特許文献 6にも、層間の密着力、耐熱性、耐薬品性、耐屈曲性および電気特性が優れ、高信頼性で、かつ安価なフレキシブルプリント配線板を得ることを目的として、プラスチックフィルムの片面または両面に、ニッケル、コノレト、クロム、ノラジウム、チタン、ジルコニウム、モリブデンまたはタングステンの蒸着層と該蒸着層上に積層した蒸着された粒子径が 0. 007-0. 850 mの範囲の集合体力もなる電子ビーム加熱蒸着銅層とからなり所望の回路を形成した積層体、および回路を形成しない絶縁性の有機物カゝらなるマスク層を積層してフレキシブルプリント配線板とすることが記載されているが、実施例にはクロム蒸着層のみしか記載されておらず、複合金属膜の特性の良好さにつ、ての記載はされて、な、。

特許文献 1：特開平 6— 132628号公報

特許文献 2：特開平 8 - 139448号公報

特許文献 3 :特開平 10— 195668号公報

特許文献 4：特表 2000— 508265号公報

特許文献 5 :特開平 7— 197239号公報

特許文献 6：特開平 5 - 283848号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0013] 本発明は、乾式めつき法および電気めつき法を使用したフレキシブル配線板の製造における上記の問題点を解決し、絶縁体フィルム上に乾式めつき処理によって下地金属層を形成する時に生ずるピンホールに起因する銅被膜部の欠落がなぐかつ絶縁体フィルムと下地金属層との密着性、耐食性に優れ、絶縁信頼性の高い銅被膜層を形成した 2層フレキシブル基板とその製造方法を提供することを目的とするものである。課題を解決するための手段

[0014] 発明者らは、絶縁体フィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに直接下地金属層を形成し、該下地金属層上に所望の厚さの銅導体層を形成する 2層フレキシブル基板において、前記絶縁体フィルム上に、乾式めつき法により形成された、（1)バナジゥムの割合力〜13重量％、モリブデンの割合が 5〜40重量％で残部がニッケルのニッケルバナジウムモリブデン合金、或いは、（2)少なくともバナジウムを 2重量⁰ /₀含有し、バナジウムとクロムの合計力〜13重量⁰ /₀、モリブデンの割合が 5〜40 重量⁰ /₀で残部がニッケルのニッケルバナジウムクロムモリブデン合金、を主として含有する膜厚 3〜50nmの下地金属層と、該下地金属層上に銅被膜層を形成したことを特徴とする 2層フレキシブル基板を用い、上記課題を解決し、密着性が高ぐ耐食性を有し、かつ絶縁信頼性の高、銅導体層を形成した 2層フレキシブル基板を得ることができ、狭幅、狭ピッチの配線部を持ったフレキシブル配線板にも適用できることを見出し、本発明に至った。

[0015] 即ち、本発明の第 1の発明は、絶縁体フィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに直接下地金属層を形成し、次いで該下地金属層上に銅被膜層を形成する 2層フレキシブル基板において、前記下地金属層は、乾式めつき法により形成された、バナジゥムの割合力〜13重量％、モリブデンの割合が 5〜40重量％で残部がニッケルのニッケルバナジウムモリブデン合金を主として含有する膜厚 3〜50nmの下地金属層からなることを特徴とする 2層フレキシブル基板を提供するものである。

また、本発明の第 2の発明は、絶縁体フィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに直接下地金属層を形成し、次いで該下地金属層上に銅被膜層を形成する 2層フレキシブル基板にぉ、て、

前記下地金属層は、乾式めつき法により形成された、少なくともバナジウムを 2重量 %含有し、バナジウムとクロムの合計力〜13重量⁰ /₀、モリブデンの割合が 5〜40重量⁰ /₀で残部がニッケルのニッケルバナジウムクロムモリブデン合金を主として含有する膜厚 3〜50nmの下地金属層からなることを特徴とする 2層フレキシブル基板を提供するものである。

更に、本発明の第 3の発明は、前記下地金属層上に形成された前記銅被膜層は、膜厚が ΙΟηπ！〜 35 μ mであることを特徴ととする第 1又は第 2の発明記載の 2層フレキシブル基板を提供するものである。

更に、本発明の第 4の発明は、前記絶縁体フィルムは、ポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリテトラフルォロエチレン系フィルム、ポリフェ-レンサルファイド系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、液晶ポリマー系フィルム力選ばれた榭脂フィルムであることを特徴とする第 1〜第 3の発明記載の 2層フレキシブル基板を提供するものである。

本発明の第 5の発明は、絶縁体フィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに直接下地金属層を形成し、次いで該下地金属層上に銅被膜層を形成する 2層フレキシブル基板の製造方法において、前記絶縁体フィルム上に、バナジウムの割合力〜 13重量％、モリブデンの割合が 5〜40重量％で残部がニッケルのニッケルーバナジゥム—モリブデン合金の下地金属層を乾式めつき法により膜厚 3〜50nm形成し、次いで該下地金属層上に銅被膜層を形成することを特徴とする 2層フレキシブル基板の製造方法を提供するものである。また、本発明の第 6の発明は、絶縁体フィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに直接下地金属層を形成し、次いで該下地金属層上に銅被膜層を形成する 2層フレキシブル基板の製造方法において、前記絶縁体フィルム上に、少なくともバナジウムを 2重量⁰ /₀含有し、バナジウムとクロムの合計が 4〜13重量％、モリブデンの割合が 5〜40重量％で残部がニッケルのニッケルバナジウムクロムモリブデン合金の下地金属層を乾式めつき法により膜厚 3〜 50nm形成し、次ヽで該下地金属層上に銅被膜層を形成することを特徴とする 2層フレキシブル基板の製造方法を提供するものである。

また、本発明の第 7の発明は、前記銅被膜層を乾式めつき法により形成した後、更に、該銅被膜層の上に湿式めつき法により銅被膜層を形成することを特徴とする第 5 又は第 6の発明記載の 2層フレキシブル基板の製造方法を提供するものである。更に、本発明の第 8の発明は、前記乾式めつき法は、真空蒸着法、スパッタリング法、またはイオンプレーティング法の、ずれかであることを特徴とする第 5〜第 7の発明記載の 2層フレキシブル基板の製造方法を提供するものである。

発明の効果 [0017] 本発明の 2層フレキシブル基板の製造方法によれば、絶縁体フィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに直接下地金属層を形成し、該下地金属層上に所望の厚さの銅導体層を形成する 2層フレキシブル基板にぉヽて、前記絶縁体フィルム上に、乾式めつき法により形成された、（1)バナジウムの割合力〜13重量⁰ /₀、モリブデンの割合が 5〜40重量％で残部がニッケルのニッケルバナジウムモリブデン合金、或いは、（2)少なくともバナジウムを 2重量％含有し、バナジウムとクロムの合計が 4 〜13重量％、モリブデンの割合が 5〜40重量％で残部がニッケルのニッケルーバナジゥムクロムモリブデン合金、を主として含有する膜厚 3〜50nmの下地金属層と、該下地金属層上に銅被膜層を形成したことを特徴とする 2層フレキシブル基板を得ることができる。

そして、本発明の 2層フレキシブル基板によれば、該下地金属層にバナジウム、或いはバナジウムとクロムが含まれて、ることから、耐熱ピール強度の低下を防止することができ、また、同時にモリブデンが含まれていることから、耐食性、絶縁信頼性が向上することができるため、該 2層フレキシブル基板を用いることによって、密着性、耐食性が高ぐ欠陥のない配線部を有する信頼性の高い狭幅、狭ピッチの配線部を持つたフレキシブル配線板を効率よく得ることができるので、その効果は極めて大き!/、。発明を実施するための最良の形態

[0018] 1) 2層フレキシブル基板

本発明の 2層フレキシブル基板は、絶縁体フィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに直接下地金属層を形成し、該下地金属層上に所望の厚さの銅導体層を形成する 2層フレキシブル基板であって、前記絶縁体フィルム上に、乾式めつき法により形成された、（1)バナジウムの割合力〜 13重量⁰ /₀、モリブデンの割合が 5〜40重量⁰ /₀で残部がニッケルのニッケルバナジウムモリブデン合金、或いは、（2)少なくともバナジウムを 2重量⁰ /₀含有し、バナジウムとクロムの合計力〜 13重量⁰ /₀、モリブデンの割合が 5〜40重量％で残部がニッケルのニッケルバナジウムクロムモリブデン合金、を主として含有する膜厚 3〜50nmの下地金属層と、該下地金属層上に銅被膜層を形成したことを特徴としている。上記構成を採用することによって、密着性が高ぐ耐食性を有し、かつ絶縁信頼性の高い銅導体層を形成した 2層フレキシブル基板を得ることができるのである。

ここで、前記乾式めつき法で得られたニッケルバナジウムモリブデン合金、或いは、ニッケルバナジウムクロムモリブデン合金を主として含有する下地金属層の膜厚は、 3〜50nmの範囲が好ましい。該膜厚が 3nmよりも薄いと、配線加工を行う時のエッチング液が染み込み配線部が浮いてしまう等により配線ピール強度が著しく低下するなどの問題が発生するため、好ましくない。また、該膜厚が 50nmよりも厚くなると、エッチングを行うことが難しくなるため、好ましくない。また、該下地金属層の組成は、バナジウムの割合力〜13重量％、モリブデンの割合が 5〜40重量⁰ /₀ で残部がニッケルであること、或いは、少なくともバナジウムを 2重量％含有し、バナジゥムとクロムの合計が 4〜13重量⁰ /₀、モリブデンの割合が 5〜40重量⁰ /₀で残部がニッケルであることが必要である。

先ず、バナジウムの割合力〜13重量％であることは、熱劣化によって耐熱ピール強度が著しく低下することを防止するために必要である。バナジウムの割合力重量 %よりも低下すると、耐熱ピール強度が熱劣化で著しく低下することを防止できなくなるため好ましくない。また、バナジウムの割合が 13重量％よりも多くなると、エッチングが難しくなつてくるので好ましくなぐ更に、ターゲットの加工性から、同時スパッタリングを行う必要が出てきて、生産性の低下につながる。

また、同様に、少なくともバナジウムを 2重量％含有し、バナジウムとクロムの合計が 4〜13重量％であることは、熱劣化によって耐熱ピール強度が著しく低下することを防止するために必要である。バナジウムの割合が 2重量％よりも低下、あるいはバナジゥムとクロムの合計力重量％よりも低下すると、耐熱ピール強度が熱劣化で著しく低下することを防止できなくなるため好ましくない。また、バナジウムとクロムの合計が 13重量％よりも多くなると、エッチングが難しくなつてくるので好ましくなぐ更に、ターゲットの加工性から、同時スパッタリングを行う必要が出てきて、生産性の低下につながる。次に、モリブデンの割合は、 5〜40重量％であること力耐食性、絶縁信頼性の向上のために必要である。モリブデンの割合が 5重量％よりも少ないと、添加効果が現れず、耐食性、絶縁信頼性の向上が見られないため好ましくない。また、モリブデンの割合が 40重量％を超えると、耐熱ピール強度が極端に低下する傾向にあるため好ましくない。

更に、通常ニッケル基の合金ターゲットの場合、ニッケルの割合が 93%より大きいとスパッタリングターゲット自体が強磁性体となってしま、、マグネトロンスパッタリングで成膜する場合には、成膜スピードが低下してしまうため好ましくない。本構成のターゲット組成では、ニッケル量は 93%以下となるため、マグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した場合でも良好な成膜レートを得ることができる。

ところで、該ニッケルバナジウムモリブデン合金、或いは、該ニッケルーバナジゥムークロムモリブデン合金に耐熱性や耐食性を向上する目的で遷移金属元素を目的特性に合わせて適宜添加することが可能である。

また、該下地金属層には、該ニッケルバナジウムモリブデン合金、或いは、該ニッケルバナジウムクロムモリブデン合金以外に、ターゲット作製時に取り込まれるなどして含まれる 1重量％以下の不可避不純物が存在してヽても良!ヽ。

このため、後記する表 1では、 1重量％以下の不可避不純物を含めたニッケル量として、残部（ = bal. (balance))と表記した。

本発明の 2層フレキシブル基板においては、該下地金属層上に形成された、乾式めっき法で形成された銅被膜層と該銅被膜層の上に湿式めつき法で積層形成された銅被膜層を合わせた銅被膜層の膜厚は、 1011111〜35 111であることが好ましい。 1 Onmよりも薄い場合、乾式めつき法で形成される銅被膜層が薄くなるためその後の湿式めつき工程で給電がし辛くなるため好ましくない。また、 35 mよりも厚くなると生産性が低下するため好ましくな、。

本発明の 2層フレキシブル基板においては、絶縁体フィルムとして、ポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリテトラフルォロエチレン系フィルム、ポリフエ-レンサルファイド系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、液晶ポリマー系フィルムから選ばれる榭脂フィルムが挙げられる力ポリイミド系のフィルム及びポリアミド系のフィルムは、はんだリフロー等の高温の接続が必要な用途にも適用できる点で好ましい。

また、上記フィルムは、フィルム厚さが 8〜75 mのものが好適に使用することができる。尚、ガラス繊維等の無機質材料を適宜添加することもできる。更に、乾式めつき法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、またはイオンプレーテイング法のいずれかを用いること力できる。

一方、該乾式めつき法で銅層を形成した後、該銅被膜層の上に更に湿式めつき法で銅被膜層を積層形成することは、比較的厚、膜を形成することに適してヽる。

2) 2層フレキシブル基板の製造方法

以下、本発明の 2層フレキシブル基板の製造方法を詳述する。

本発明においては、上記したようにポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリテトラフルォロエチレン系フィルム、ポリフエ-レンサルフアイド系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、液晶ポリマー系フィルムから選ばれる榭脂フィルムである絶縁体フィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに直接下地金属層を形成し、該下地金属層上に所望の厚さの銅導体層を形成する。

a)脱水処理

該フィルムは通常水分を含んでおり、乾式めつき法により、ニッケルバナジウムモリブデン合金、或いは、ニッケルバナジウムクロムモリブデン合金を主として含有する下地金属層を形成する前に、大気乾燥あるいは Zおよび真空乾燥を行い、フィルム中に存在する水分を取り去っておく必要がある。これが不十分であると、下地金属層との密着性が悪くなつてしまう。

b)下地金属層の形成

乾式めつき法により、ニッケルバナジウムモリブデン合金、或いは、ニッケルバナジウムクロムモリブデン合金を主として含有する下地金属層を形成する場合、例えば、卷取式スパッタリング装置を用い下地金属層を形成する場合には、下地金属層の組成を有する合金ターゲットをスパッタリング用力ソードに装着する。 -ッケルーバナジウムモリブデン合金ターゲットの場合はバナジウム量が 13重量％を越えると、ニッケルバナジウムクロムモリブデン合金ターゲットの場合はバナジゥムとクロムの合計が 13重量％を越えると、圧延加工性が著しく低下するため製造が困難である。バナジウム量、或いは、バナジウムとクロムの合計が上記よりも多い場合は、ニッケル—バナジウム合金ターゲット、或いは、ニッケル—バナジウム—クロム合金ターゲットとモリブデンターゲットを 2基の力ソードに装着して、同時スパッタリングを行い、各力ソードの投入電力をコントロールすることによって所望の膜組成の下地金属層を得ることができるが、本発明では、特性上、上記組成以上は好ましくない。具体的には、フィルムをセットしたスパッタリング装置内を真空排気後、 Arガスを導入し、装置内を 1. 3Pa程度に保持し、さらに装置内の卷取卷出ロールに装着した絶縁体フィルムを毎分 3m程度の速さで搬送しながら、力ソードに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給しスパッタリング放電を開始し、フィルム上にニッケル - バナジウムモリブデン合金、或いは、ニッケルバナジウムクロムモリブデン合金を主として含有する金属層を連続成膜する。この成膜によって所望の膜厚の-ッケルーバナジウムモリブデン合金、或いは、ニッケルバナジウムクロムーモリブデン合金を主として含有する下地金属層がフィルム上に形成される。

c)銅被覆層の形成

同様に、銅ターゲットをスパッタリング用力ソードに装着したスパッタリング装置を用い、乾式めつき法により銅被膜層を成膜することができる。この時、下地金属層と銅被膜層は同一真空室内で連続して形成することが好ましい。

また、該銅被膜層の上に更に湿式めつき法により銅被膜層を形成する場合には、電気銅めつき処理のみで行う場合と、一次めつきとして無電解銅めつき処理、二次めつきとして電解銅めつき処理等の湿式めつき法を組み合わせて行う場合がある。ここで、一次めつきとして無電解銅めつき処理を行うのは、乾式めつきを蒸着で行つた場合、粗大なピンホールが形成されることがあり、表面に榭脂フィルムが露出する箇所ができることがあるため、基板全面に無電解銅めつき被膜層を形成させることにより、フィルム露出面を覆って基板面全面を良導体ィ匕し、これによつてピンホールの影響を受けることがな、ようにするためである。

尚、無電解めつきで使用する無電解めつき液は、含まれる金属イオンが自己触媒性を有し、かつヒドラジン、ホスフィン酸ナトリウム、ホルマリンなどの還元剤によって還元されて金属析出する還元析出型のものであればいずれでもよいが、本発明の主旨から、つて、下地金属層に生じて!/、るピンホールにより露出した絶縁体フィルムの露出部分の良導体ィ匕を図ることが目的でもあることから、導電性が良好で比較的作業性のよ!、無電解銅めつき液が最適である。また、力かる一次めつきとしての無電解銅めつき処理による銅めつき被膜層の厚さは、基板面におけるピンホールによる欠陥修復が可能で、かつ、後述する二次めつきとして電気銅めつき処理を施す際に電気銅めつき液によって溶解されない程度の厚さであればよぐ 0. 01〜： L 0 mの範囲であることが好ましい。

次に、該無電解銅めつき被膜層の上に、二次めつきとして電気銅めつき処理を行うのは、所望の厚さの銅導体層を形成するためである。

このようにして下地金属層上に形成された銅被膜層によれば、下地金属層形成時に発生した大小様々なピンホールによる影響を受けない良好で導体層の密着度の高い 2層フレキシブル基板を得ることが可能となる。

なお、本発明において行われる湿式銅めつき処理は、一次、二次ともに常法による湿式銅めつき法における諸条件を採用すればよい。

また、このようにして下地金属層上に形成された乾式'湿式めつき法による銅被膜層の合計厚さは、厚くとも 35 μ m以下にする必要がある。

3)配線パターンの形成

上記のような本発明に係る 2層フレキシブル基板を用いて、該 2層フレキシブル基板の少なくとも片面に、配線パターンを個別に形成する。また、所定の位置に層間接続のためのヴィァホールを形成して、各種用途に用いることもできる。

より具体的には、 (a)高密度配線パターンをフレキシブルシートの少なくとも片面に個別に形成する。（b)該配線層が形成されたフレキシブルシートに、該配線層とフレキシブルシートとを貫通するヴィァホールを形成する。（c)場合によっては、該ヴィァホール内に、導電性物質を充填してホール内を導電化する。

前記配線パターンの形成方法としては、フォトエッチング等の従来公知の方法が使用でき、例えば、少なくとも片面に銅被膜層形成された 2層フレキシブル基板を準備して、該銅上にスクリーン印刷ある、はドライフィルムをラミネートして感光性レジスト膜を形成後、露光現像してパターユングする。次いで、塩化第 2鉄溶液等のエツチング液で該金属箔を選択的にエッチング除去した後、レジストを除去して所定の配線パターンを形成する。

配線をより高密度化するためには、両面に銅被膜層が形成された 2層フレキシブル基板を準備し、両面をパターン加工して基板両面に配線パターンを形成することが好まヽ。全配線パターンを幾つの配線領域に分割するかどうかは該配線パターンの配線密度の分布等による力例えば、配線パターンを配線幅と配線間隔がそれぞれ 50 m以下の高密度配線領域とその他の配線領域に分け、プリント基板との熱膨張差や取扱ヽ上の都合等を考慮し、分割する配線基板のサイズを 10〜65mm程度に設定して適宜分割すればょヽ。

前記ヴィァホールの形成方法としては、従来公知の方法が使用でき、例えば、レーザ一加工、フォトエッチング等により、前記配線パターンの所定の位置に、該配線パターンとフレキシブルシートを貫通するヴィァホールを形成する。ヴィァホールの直径は、ホール内の導電ィ匕に支障がない範囲内で小さくすることが好ましぐ通常 100 /z m以下、好ましくは 50 μ m以下にする。

該ヴィァホール内には、めっき、蒸着、スパッタリング等により銅等の導電性金属を充填、あるいは所定の開孔パターンを持つマスクを使用して導電性ペーストを圧入、乾燥し、ホール内を導電ィ匕して層間の電気的接続を行う。前記導電性金属としては、銅、金、ニッケル等が挙げられる。

[実施例]

つぎに本発明の実施例を比較例とともに説明する。

ピール強度の測定方法は、 IPC— TM— 650、 NUMBER2. 4. 9に準拠した方法で行った。ただし、リード幅は lmmとし、ピールの角度は 90° とした。リードはサブトラタティブ法あるいはセミアディティブ法で形成した。また、耐熱性の指標としては、 1 mmのリードを形成したフィルム基材を、 150°Cのオーブンに 168時間放置し、取り出したあと室温になるまで放置したのち、 90° ピール強度を評価することで行った。まず、得られた 2層フレキシブル基板を用い、 30 mピッチ（ライン Zスペース = 15 /Ιδ μ ηι)の櫛歯試験片を塩ィ匕第二鉄エッチングで、サブトラタト法によって形成、あるいは、セミアディティブ法によって形成した試験片を作製した。

エッチング性の確認は、基本的には上記試験片の顕微鏡観察によって行った。また、 ΗΗΒΤ試験片の絶縁抵抗値の測定でも行い、 10^_6 Ω以下の抵抗値の場合は、リード間にエッチング残渣があるとみなし、エッチング性は良くないと判定した。耐環境試験である HHBT (High Temperature High Humidity Bias Test)試験の測定は、上記試験片を用い、 JPCA— ET04に準拠し、 85°C85%RH環境下で、 DC40Vを端子間に印加し、 lOOOhr抵抗を観察する。抵抗が 10⁶ Ω以下になった時点でショート不良と判断し、 lOOOhr経過後も 10⁶ Ω以上であれば合格と判断した。腐食の指標としては、裏面変色が挙げられるが、これは、 HHBT試験後のサンプル裏面観察によって行った。著しい変色が見られた場合、不良と判断し、変色が軽微な場合、合格と判断した。

実施例 1

[0022] 厚さ 38 μ mのポリイミドフィルム（東レ'デュポン社製、製品名「カプトン 150EN」）を 12cm X 12cmの大きさに切り出し、その片面に下地金属層の第 1層として 4重量％ V—20重量％Mo—Ni合金ターゲット (住友金属鉱山（株)製）を用い、直流スパッタリング法により、 4重量％ V— 20重量％Mo— Ni合金下地金属層を成膜した。

別途同条件で成膜した一部を透過電子顕微鏡 (TEM：日立製作所 (株)製)を用いて膜厚を測定したところ 20nmであった。上記 NiVMo膜を成膜したフィルム上に、さらにその上に第 2層として、 Cuターゲット (住友金属鉱山 (株)製)を用いて、スパッタリング法により銅被膜層を 200nmの厚さに形成し、電気めつきで 8 mまで成膜して、評価用の原料基材とした。この基材力サブトラタト法でピール強度評価用の lmm のリードと、 HHBT試験用の 30 mピッチの櫛歯試験片を形成した。

得られたフレキシブル基板の初期ピール強度は 641NZmであった。 150°Cのォーブン 168時間放置後の耐熱ピール強度は 533NZmと大きな変化が無ぐ良好でめつに。

絶縁信頼性試験を 3サンプルにつ、て行ったが、 V、ずれも劣化は認められなかつた。また、エッチング残渣もなくエッチング性も良好であった。更に、耐腐食性試験（8 5°C85%RH恒温槽中に 1000時間放置後のフィルム裏面変色)で変化は見られなかった。

実施例 2

[0023] 下地金属層の第 1層として 13重量％V— 20重量％Mo— Ni合金ターゲット（住友金属鉱山（株)製)を用い、直流スパッタリング法により、 13重量％V— 20重量％Mo Ni合金下地金属層を成膜した以外は実施例 1と同様にして、評価用の原料基材を得た。

別途同条件で成膜した一部を透過電子顕微鏡 (TEM：日立製作所 (株)製)を用いて膜厚を測定したところ 20nmであった。この基材カもサブトラタト法でピール強度評価用の lmmのリードと、 HHBT試験用の 30 mピッチの櫛歯試験片を形成した。得られたフレキシブル基板の初期ピール強度は 625NZmであった。 150°Cのォーブン 168時間放置後の耐熱ピール強度は 515NZmと大きな変化が無ぐ良好でめつに。

実施例 3

[0024] 下地金属層の第 1層として 7重量％ V— 5重量％Mo— Ni合金ターゲット (住友金属鉱山（株)製)を用い、直流スパッタリング法により、 7重量％V— 5重量％Mo— Ni合金下地金属層を成膜した以外は実施例 1と同様にして、評価用の原料基材を得た。別途同条件で成膜した一部を透過電子顕微鏡 (TEM：日立製作所 (株)製)を用いて膜厚を測定したところ 20nmであった。この基材カもサブトラタト法でピール強度評価用の lmmのリードと、 HHBT試験用の 30 mピッチの櫛歯試験片を形成した。得られたフレキシブル基板の初期ピール強度は 670NZmであった。 150°Cのォーブン 168時間放置後の耐熱ピール強度は 513NZmと大きな変化が無ぐ良好でめつに。

実施例 4

[0025] 下地金属層の第 1層として 7重量％V— 40重量％Mo— Ni合金ターゲット（住友金属鉱山（株)製)を用い、直流スパッタリング法により、 7重量％V— 40重量％Mo— N i合金下地金属層を成膜した以外は実施例 1と同様にして、評価用の原料基材を得た。

別途同条件で成膜した一部を透過電子顕微鏡 (TEM：日立製作所 (株)製)を用いて膜厚を測定したところ 20nmであった。この基材カもサブトラタト法でピール強度評価用の lmmのリードと、 HHBT試験用の 30 mピッチの櫛歯試験片を形成した。得られたフレキシブル基板の初期ピール強度は 690NZmであった。 150°Cのォーブン 168時間放置後の耐熱ピール強度は 503NZmと大きな変化が無ぐ良好でめつに。

実施例 5

下地金属層の第 1層として 7重量％V— 20重量％Mo— Ni合金ターゲット（住友金属鉱山（株)製)を用い、直流スパッタリング法により、 7重量％V— 20重量％Mo— N i合金下地金属層を、スパッタリング時間を短くすることで膜厚を変更した以外は実施例 1と

同様にして、評価用の原料基材を得た。

別途同条件で成膜した一部を透過電子顕微鏡 (TEM：日立製作所 (株)製)を用いて膜厚を測定したところ 3nmであった。この基材力サブトラタト法でピール強度評価用の lmmのリードと、 HHBT試験用の 30 mピッチの櫛歯試験片を形成した。得られたフレキシブル基板の初期ピール強度は 601NZmであった。 150°Cのォーブン 168時間放置後の耐熱ピール強度は 533NZmと大きな変化が無ぐ良好でめつに。

実施例 6

[0027] 下地金属層の第 1層として 7重量％V— 20重量％Mo— Ni合金ターゲット（住友金属鉱山（株)製)を用い、直流スパッタリング法により、 7重量％V— 20重量％Mo— N i合金下地金属層を成膜して、スパッタリング時間を長くすることで膜厚を変更した以外は実施例 1と同様にして、評価用の原料基材を得た。

別途同条件で成膜した一部を透過電子顕微鏡 (TEM：日立製作所 (株)製)を用いて膜厚を測定したところ 50nmであった。この基材カもサブトラタト法でピール強度評価用の lmmのリードと、 HHBT試験用の 30 mピッチの櫛歯試験片を形成した。得られたフレキシブル基板の初期ピール強度は 608NZmであった。 150°Cのォーブン 168時間放置後の耐熱ピール強度は 575NZmと大きな変化が無ぐ良好でめつに。

実施例 7

[0028] 実施例 1と同様にして、膜厚 20nmの NiVMo膜を成膜した。さらにその上に第 2層として、 Cuターゲット (住友金属鉱山 (株)製)を用いて、スパッタリング法により銅被膜層を 1 μ mの厚さに形成し、電気めつきで 8 μ mまで成膜して、評価用の原料基材とした。この基材カもサブトラタト法でピール強度評価用の lmmのリードと、 HHBT試験用の 30 μ mピッチの櫛歯試験片を形成した。

得られたフレキシブル基板の初期ピール強度は 615NZmであった。 150°Cのォーブン 168時間放置後の耐熱ピール強度は 575NZmと大きな変化が無ぐ良好であつた o

実施例 8

[0029] 実施例 1と同様にして、膜厚 20nmの NiVMo膜を成膜した。さらにその上に第 2層として、 Cuターゲット (住友金属鉱山 (株)製)を用いて、スパッタリング法により銅被膜層を 8 mまで成膜して、評価用の原料基材とした。この基材からサブトラタト法でピール強度評価用の lmmのリードと、 HHBT試験用の 30 mピッチの櫛歯試験片を形成した。

得られたフレキシブル基板の初期ピール強度は 628NZmであった。 150°Cのォーブン 168時間放置後の耐熱ピール強度は 540NZmと大きな変化が無ぐ良好でめつに。

実施例 9

[0030] 実施例 1と同様にして、膜厚 20nmの NiVMo膜を成膜した。さらにその上に第 2層として、 Cuターゲット (住友金属鉱山 (株)製)を用いて、スパッタリング法により銅被膜層を 500nmまで成膜して、この基材からピール強度評価用の lmmのリードと、 HHB T試験用の 30 μ mピッチの櫛歯試験片を、セミアディティブ法で 8 μ mまで厚付けして形成した。

得られたフレキシブル基板の初期ピール強度は 630NZmであった。 150°Cのォーブン 168時間放置後の耐熱ピール強度は 518NZmと大きな変化が無ぐ良好でめつに。

実施例 10 [0031] 下地金属層の第 1層として 2重量％V— 2重量％Cr— 20重量％Mo— Ni合金ターゲット (住友金属鉱山（株)製)を用い、直流スパッタリング法により、 2重量％V— 2重量％0:— 20重量％Mo— Ni合金下地金属層を成膜した以外は実施例 1と同様にして、評価用の原料基材を得た。

別途同条件で成膜した一部を透過電子顕微鏡 (TEM：日立製作所 (株)製)を用いて膜厚を測定したところ 20nmであった。この基材カもサブトラタト法でピール強度評価用の lmmのリードと、 HHBT試験用の 30 mピッチの櫛歯試験片を形成した。得られたフレキシブル基板の初期ピール強度は 652NZmであった。 150°Cのォーブン 168時間放置後の耐熱ピール強度は 541NZmと大きな変化が無ぐ良好でめつに。

実施例 11

[0032] フィルムとして、厚さ 12 mの芳香族ポリアミドフィルム（帝人アドバンストフイルム（株)製、製品名「ァラミカ 120RC」）を使用した以外は実施例 1と同様にして、評価用の原料基材を得た。

別途同条件で成膜した一部を透過電子顕微鏡 (TEM：日立製作所 (株)製)を用いて膜厚を測定したところ 20nmであった。この基材カもサブトラタト法でピール強度評価用の lmmのリードと、 HHBT試験用の 30 mピッチの櫛歯試験片を形成した。得られたフレキシブル基板の初期ピール強度は 602NZmであった。 150°Cのォーブン 168時間放置後の耐熱ピール強度は 501NZmと大きな変化が無ぐ良好でめつに。

絶縁信頼性試験を 3サンプルにつ、て行ったが、 V、ずれも劣化は認められなかつた。また、エッチング残渣もなくエッチング性も良好であった。更に、耐腐食性試験（8 5°C85%RH恒温槽中に 1000時間放置後のフィルム裏面変色)で変化は見られなかった。 (比較例 1)

[0033] 下地金属層の第 1層として 3重量％V— 20重量％Mo— Ni合金ターゲット（住友金属鉱山（株)製)を用い、直流スパッタリング法により、 3重量％V— 20重量％Mo— N i合金下地金属層を成膜した以外は実施例 1と同様にして、評価用の原料基材を得た。

別途同条件で成膜した一部を透過電子顕微鏡 (TEM：日立製作所 (株)製)を用いて膜厚を測定したところ 20nmであった。この基材カもサブトラタト法でピール強度評価用の lmmのリードと、 HHBT試験用の 30 mピッチの櫛歯試験片を形成した。得られたフレキシブル基板の初期ピール強度は 656NZmであった。 150°Cのォーブン 168時間放置後の耐熱ピール強度は 364NZmと大きな低下が見られた。さらに絶縁信頼性試験を 3サンプルにつヽて行ったが、絶縁劣化が 2サンプルで見られた。

一方、エッチング'性は良好であった。

また、耐腐食性試験（85°C85%RH恒温槽中に 1000時間放置後のフィルム裏面変色)では、フィルム裏面には変化が見られな力つた。

(比較例 2)

[0034] 下地金属層の第 1層として 7重量％V— 0. 5重量％Mo— Ni合金ターゲット（住友金属鉱山（株)製)を用い、直流スパッタリング法により、 7重量％V— 0. 5重量％Mo Ni合金下地金属層を成膜した以外は実施例 1と同様にして、評価用の原料基材を得た。

別途同条件で成膜した一部を透過電子顕微鏡 (TEM：日立製作所 (株)製)を用いて膜厚を測定したところ 20nmであった。この基材カもサブトラタト法でピール強度評価用の lmmのリードと、 HHBT試験用の 30 mピッチの櫛歯試験片を形成した。得られたフレキシブル基板の初期ピール強度は 620NZmであった。 150°Cのォーブン 168時間放置後の耐熱ピール強度は 524NZmと大きな変化が無ぐ良好でめつに。

さらに絶縁信頼性試験を 3サンプルについて行った力 2サンプルで、抵抗が 10⁶ Ω以下になりショート不良となった。一方、エッチング'性は良好であった。また、耐腐食性試験（85°C85%RH恒温槽中に 1000時間放置後のフィルム裏面変色)では、フィルム裏面に多くの部分に変色が認められた。

(比較例 3)

[0035] 下地金属層の第 1層として 7重量％V— 44重量％Mo— Ni合金ターゲット（住友金属鉱山（株)製)を用い、直流スパッタリング法により、 7重量％V— 44重量％Mo— N i合金下地金属層を成膜した以外は実施例 1と同様にして、評価用の原料基材を得た。

別途同条件で成膜した一部を透過電子顕微鏡 (TEM：日立製作所 (株)製)を用いて膜厚を測定したところ 20nmであった。この基材カもサブトラタト法でピール強度評価用の lmmのリードと、 HHBT試験用の 30 mピッチの櫛歯試験片を形成した。得られたフレキシブル基板の初期ピール強度は 634NZmであった。 150°Cのォーブン 168時間放置後の耐熱ピール強度は 284NZmと大きな低下が見られた。さらに絶縁信頼性試験を 3サンプルにつ、て行ったが、 V、ずれも劣化は認められなかった。

また、エッチング'性は良好であった。

また、耐腐食性試験（85°C85%RH恒温槽中に 1000時間放置後のフィルム裏面変色)で変化は見られな力つた。

(比較例 4)

[0036] 下地金属層の第 1層として 7重量％V— 20重量％Mo— Ni合金ターゲット（住友金属鉱山（株)製)を用い、直流スパッタリング法により、 7重量％V— 20重量％Mo— N i合金下地金属層を成膜して、スパッタリング時間を実施例 5よりもさらに短めに替えることで膜厚を変更した以外は実施例 1と同様にして、評価用の原料基材を得た。別途同条件で成膜した一部を透過電子顕微鏡 (TEM：日立製作所 (株)製)を用いて膜厚を測定したところ 2nmであった。この基材力サブトラタト法でピール強度評価用の lmmのリードと、 HHBT試験用の 30 mピッチの櫛歯試験片を形成した。得られたフレキシブル基板の初期ピール強度は 6 lONZmであった。 150°Cのォーブン 168時間放置後の耐熱ピール強度は 510NZmと大きな変化が無ぐ良好でめつに。さらに絶縁信頼性試験を 3サンプルについて行った力いずれも抵抗が 10⁶ Ω以下に

なりショート不良となった。一方、エッチング'性は良好であった。

また、耐腐食性試験（85°C85%RH恒温槽中に 1000時間放置後のフィルム裏面変色)ではフィルム裏面の多くの部分に変色が認められた。

(比較例 5)

[0037] 下地金属層の第 1層として 7重量％V— 20重量％Mo— Ni合金ターゲット（住友金属鉱山（株)製)を用い、直流スパッタリング法により、 7重量％V— 20重量％Mo— N i合金下地金属層を成膜し、スパッタリング時間を実施例 6よりもさらに長くすることで膜厚を変更した以外は実施例 1と同様にして、評価用の原料基材を得た。

別途同条件で成膜した一部を透過電子顕微鏡 (TEM：日立製作所 (株)製)を用いて膜厚を測定したところ 53nmであった。この基材カもサブトラタト法でピール強度評価用の lmmのリードと、 HHBT試験用の 30 mピッチの櫛歯試験片を形成した。得られたフレキシブル基板の初期ピール強度は 655NZmであった。 150°Cのォーブン 168時間放置後の耐熱ピール強度は 556NZmと大きな変化が無ぐ良好でめつに。

エッチング試験では、 3サンプルのうち、 2サンプルで、塩鉄エッチングで下地金属層がエッチングできず、 30 mピッチのリードを形成できな力つた。

さらに絶縁信頼性試験を 3サンプルにつ、て行ったが、 V、ずれも劣化は認められなかった。

(比較例 6)

[0038] 下地金属層の第 1層として 20重量％Mo— Ni合金ターゲット (住友金属鉱山（株）製)を用い、直流スパッタリング法により、 20重量％Mo— Ni合金下地金属層を成膜した以外は実施例 1と同様にして、評価用の原料基材を得た。

別途同条件で成膜した一部を透過電子顕微鏡 (TEM：日立製作所 (株)製)を用いて膜厚を測定したところ 20nmであった。この基材カもサブトラタト法でピール強度評価用の lmmのリードと、 HHBT試験用の 30 mピッチの櫛歯試験片を形成した。得られたフレキシブル基板の初期ピール強度は 650NZmであった。 150°Cのォーブン 168時間放置後の耐熱ピール強度は 320NZmと大きな低下が見られた。さらに絶縁信頼性試験を 3サンプルについて行った力いずれも抵抗が 10⁶ Ω以下になりショート不良となった。一方、エッチング'性は良好であった。

上記実施例、比較例の結果を表 1に纏めて示す。

[表 1]

産業上の利用可能性

以上述べた通り、本発明の 2層フレキシブル基板の製造方法によれば、絶縁体フィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに直接下地金属層を形成し、該下地金属層上に所望の厚さの銅導体層を形成する 2層フレキシブル基板にぉヽて、前記絶縁体フィルム上に、乾式めつき法により形成された、（1)バナジウムの割合力〜13重量⁰ /₀、モリブデンの割合が 5〜40重量％で残部がニッケルのニッケルバナジウムモリブデン合金、或いは、（2)少なくともバナジウムを 2重量％含有し、バナジウムとクロムの合計力〜13重量⁰ /₀、モリブデンの割合が 5〜40重量⁰ /₀で残部がニッケルのニッケルバナジウムクロムモリブデン合金、を主として含有する膜厚 3〜50n mの下地金属層と、該下地金属層上に銅被膜層を形成することができ、そして、本発明の 2層フレキシブル基板によれば、該下地金属層にバナジウム、あるいはバナジゥムとクロムが含まれていることから、耐熱ピール強度の低下を防止することができ、また、同時にモリブデンが含まれていることから、耐食性、絶縁信頼性が向上することができるため、該 2層フレキシブル基板を用いることによって、密着性、耐食性が高ぐ欠陥のなヽ配線部を有する信頼性の高、狭幅、狭ピッチの配線部を持ったフレキシブル配線板を効率よく得ることができるので、その効果は極めて大き、。

Claims

請求の範囲

[1] 絶縁体フィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに直接下地金属層を形成し、次ヽで該下地金属層上に銅被膜層を形成する 2層フレキシブル基板にぉヽて、前記下地金属層は、乾式めつき法により形成された、バナジウムの割合力〜 13重量⁰ /₀、モリブデンの割合が 5〜40重量％で残部がニッケルのニッケルバナジウム —モリブデン合金を主として含有する膜厚 3〜50nmの下地金属層力もなることを特徴とする 2層フレキシブル基板。

[2] 絶縁体フィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに直接下地金属層を形成し、次ヽで該下地金属層上に銅被膜層を形成する 2層フレキシブル基板にぉヽて、前記下地金属層は、乾式めつき法により形成された、少なくともバナジウムを 2重量 %含有し、バナジウムとクロムの合計力〜13重量⁰ /₀、モリブデンの割合が 5〜40重量⁰ /₀で残部がニッケルのニッケルバナジウムクロムモリブデン合金を主として含有する膜厚 3〜50nmの下地金属層からなることを特徴とする 2層フレキシブル基板。

[3] 前記下地金属層上に形成された前記銅被膜層は、膜厚が ΙΟηπ！〜 35 μ mであることを特徴とする請求項 1又は 2記載の 2層フレキシブル基板。

[4] 前記絶縁体フィルムは、ポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリテトラフルォロエチレン系フィルム、ポリフエ-レンサルファイド系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、液晶ポリマー系フィルムから選ばれた榭脂フイルムであることを特徴とする請求項 1〜3のいずれか 1項記載の 2層フレキシブル基板。

[5] 絶縁体フィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに直接下地金属層を形成し、次いで該下地金属層上に銅被膜層を形成する 2層フレキシブル基板の製造方法において、前記絶縁体フィルム上に、バナジウムの割合が 4〜13重量％、モリブデンの割合が 5〜40重量％で残部がニッケルのニッケルバナジウムモリブデン合金の下地金属層を乾式めつき法により膜厚 3〜50nm形成し、次いで該下地金属層上に銅被膜層を形成することを特徴とする 2層フレキシブル基板の製造方法。

[6] 絶縁体フィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに直接下地金属層を形成し、次いで該下地金属層上に銅被膜層を形成する 2層フレキシブル基板の製造方法において、前記絶縁体フィルム上に、少なくともバナジウムを 2重量％含有し、バナジゥムとクロムの合計力〜13重量⁰ /₀、モリブデンの割合が 5〜40重量⁰ /₀で残部が-ッケルのニッケルバナジウムクロムモリブデン合金の下地金属層を乾式めつき法により膜厚 3〜50nm形成し、次いで該下地金属層上に銅被膜層を形成することを特徴とする 2層フレキシブル基板の製造方法。

[7] 前記銅被膜層を乾式めつき法により形成した後、更に、該銅被膜層の上に湿式めつき法により銅被膜層を形成することを特徴とする請求項 5又は 6記載の 2層フレキシブル基板の製造方法。

[8] 前記乾式めつき法は、真空蒸着法、スパッタリング法、またはイオンプレーティング法のいずれかであることを特徴とする請求項 5〜7のいずれか 1項記載の 2層フレキシブル基板の製造方法。