JP3447075B2 - フレキシブル回路基板 - Google Patents
フレキシブル回路基板Info
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Description
薄膜で構成されるフレキシブル回路基板用材料に関し特
に、銅薄膜とポリイミドフィルムの接着性において高温
耐久性の良好なフレキシブル基板用材料に関する。
ムが形成されたフレキシブル回路基板は膜厚約10μm
以上の金属フィルムとポリマーフィルムとを接着剤で接
合してものがあるが、接着剤の熱的特性がポリマーフィ
ルムの性能に劣ることや金属フィルムの膜厚が10μm
以上と厚いために、数10μmの微細加工が困難である
等の理由から半導体産業における高密度配線に対応でき
ない、寸法安定性が悪い、製品にそりがある等の問題が
あった。これを解決するために接着剤なしで金属フィル
ムを形成する技術が検討されてきた。これは、真空蒸
着、スパッタリング等の薄膜形成方法により金属薄膜を
形成した後、回路パターンの形成を行うものである。こ
の材料においては金属薄膜の膜厚が1μm以下と薄いた
め数10μm幅の微細加工も容易である。
路パターンを基にしてそのパターン上に電解メッキ等に
よりさらに金属層を堆積、成長させることにより、微細
加工された導電体を形成する技術である。なお、後者の
技術は半導体産業における高密配線を可能にする技術で
あるが、回路形成工程や電解メッキ工程等の後工程にお
いて接着力の低下が問題となっていた。特開平02ー9
8994号公報には0.01〜5μmのクロム層をスパ
ッターで形成すること、特開昭62−181488号公
報には5〜1000nmのニッケル層やニッケル−クロ
ム層を蒸着で形成すること、特開昭62−62551号
公報にはクロム層を蒸着で形成するすること、特公昭5
7−18357号公報にはニッケル、コバルト、ジルコ
ニウム、パラジュウム等の金属層をイオンプレーティン
グ法で形成すること、特公昭57ー18356号公報に
はニッケル、ニッケル含有合金層をインオプレーティン
グ法で形成することを等の技術がすでに開示されてい
る。
成功をおさめているものの、半導体産業における高密度
配線を可能にするための材料としては、未だ満足される
性能にはなく実用化の足かせになっていた。すなわち、
リソグラフィー技術を用いる回路パターン形成工程や通
電抵抗の低下や機械的強度向上のための形成パターン上
に金属層を積層する電解メッキ工程等において金属層が
ポリイミドフィルムから剥離する問題は一部解決された
ものの、金属層/ポリイミドフィルムからなるフレキシ
ブル回路基板のめざす本来の特徴である耐熱性において
充分な性能が達成できなかった。例えば、空気中で15
0℃程度の温度に24時間保持するだけで、金属層とポ
リイミドフィルムの接着性が著しく低下するという問題
が発生していた。
接着性低下の原因を鋭意検討したところ、ポリイミドフ
ィルムを通して透過する反応性の気体が接着性に影響を
与えていることを見いだし、さらに、通過する気体を遮
断するためのガスバリヤー性の層を設けることで接着性
の低下を防ぎ得ることを見いだした(特願平04−18
3700)。この結果、金属層/ポリイミドフィルムか
らなるフレキシブル回路基板材料を前述のごとき過酷な
プロセスをもつ半導体産業において実用に供することが
可能なものを得ることができた。具体的な例を示せば、
ガスバリヤー層としてポリイミドフィルムの片面に、テ
トラメチルジシロキサンと酸素を原料としたプラズマ化
学気相蒸着法(P−CVD法)により、実質的に酸化珪
素層を30〜300nm厚みで形成する方法を提案し
た。かかる方法は、フィルムのガスバリヤー性を飛躍的
に向上させ、従って、高温強度の劣化おも抑制すること
を見いだした。しかしながら、かかるフィルムに対し曲
げや切断といった2次加工を施した試料の中には加熱試
験を行うと接着性の低下が見られるものがあるという別
の新規な問題に遭遇した。そこで、さらにその原因を鋭
意調査したところ、曲げ加工や切断加工がガスバリヤー
層に欠陥を生じせしめていることが原因であること見い
だした。
時の性能低下を克服するために、可撓性を向上させる方
法について鋭意研究したところ、酸化珪素の層の上に好
ましくはガスバリヤー性の高分子層を少なくとも単層積
層することにより上記課題が解決できることを見いだし
本発明に到達した。
と、当該ポリイミドフィルムの主面上に下地金属の薄膜
が形成され、その上に回路用の銅の薄膜が形成されてな
る多層膜と、当該ポリイミドフィルムのもう一方の主面
上少なくとも酸素と有機珪素化合物を用いたプラズマ化
学気相蒸着法で形成された酸化珪素の層と高分子層が積
層された、酸素透過率が、1cc・m -2 ・day -1 以下
であるガスバリヤー層が形成されるフレキシブル回路基
板材料、であり、高分子層が、ポリビニルアルコール、
ポリ塩化ビニリデンおよびエチレン・ビニルコール共重
合体においてエチレン共重合比率が30〜50モル%の
ものの群からすくなくとも1つ選ばれたガスバリヤ性の
層であるフレキシブル回路基板材料、である。
ィルムからなるフレキシブル回路基板材料のポリイミド
フィルムの金属が積層されていない側の主面上に、酸化
珪素からなるガスバリヤー層を設け、該酸化珪素の層の
外側にさらにガスバリヤー性の高分子層を積層すること
によって、高温試験時の特性を劣化のみならず2次加工
時の性能劣化が大幅に緩和されたフレキシブル回路基板
材料を提供するものである。
は本発明のフレキシブル回路基板用材料の一実施例を示
すものであって、1はポリイミドフィルム、2は下地金
属の層、3は銅薄膜、4は回路用銅膜、5は酸化珪素
層、6はガスバリヤー性高分子層を示すものである。
説明する。すなわち、本発明は、ポリイミドフィルム1
と、当該ポリイミドフィルムの主面上に下地金属の薄膜
2が形成され、その上に銅の薄膜4が形成されてなる多
層薄膜と、および当該ポリイミドフィルムのもう一方の
主面上に形成された酸化珪素層上にさらに少なくとも単
層のガスバリヤー性高分子層が形成されてなるフレキシ
ブル回路基板材料、であり、ポリイミドフィルムのもう
一方の主面に形成された酸化珪素と高分子層の酸素ガス
透過率が、1cc・m-2・day-1以下であるフレキシ
ブル回路基板材料、である。
バリヤー性を保ちながら密着性を保てればよく、30〜
3000nmが好ましく、より好ましくは60〜200
nmである。膜厚が薄すぎるとガスバリヤー性が充分で
なく、厚すぎるとポリイミドフィルムとの密着性が低下
する傾向がある。
着法ならびに化学気相蒸着等があるが、本発明では、化
学気相蒸着法を用いる。
D)法は、プラズマCVD法である。。原料としてはシ
ラン、ジシラン、テトラエチルオルソシラン、テトラメ
チルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン等の珪素
化合物と酸素を用いることが好ましい。有機珪素化合物
であれば必ずしも上記のものに限定されるものではな
く、各種シラノール、各種シラザン等も使用し得る。基
板が高分子である場合には、より好ましくは、テトラメ
チルジシロキサンと酸素を用いたプラズマCVD法であ
り、当該方法により、酸素透過率が、1cc・m-2・d
ay-1以下のガスバリヤー層を形成することが可能であ
る。
酸化珪素層を挟み込むように形成することが重要であ
る。驚くべきことにかかる構成を取ることにより、ガス
バリヤー層の可撓性が著しく向上するのである。高分子
の層は、可撓性があり、かつ、ガスバリヤー性が高いも
のが望ましく、具体的に示すならば、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリビニルアルコール、エチレン・ビニルアルコー
ル共重合体においてエチレン共重合比率が30〜40モ
ル%のものの群からすくなくとも1つ選ばれた層が好ま
しく、特に、ポリビニルアルコールが好ましい。高分子
層の形成には公知の湿式コート法を用いることができ
る。具体的に示すならば、バーコート、スピンコート、
ロールコート、リバースロールコート、ディップコート
等である。目的とする高分子層のモノマーを含有する溶
液を上記の方法でコートした後、重合させ被膜層を形成
する。高分子層の厚みの上限には特に臨界的な制限はな
いが、その効果を奏するに必要充分な範囲を示すなら
ば、1から50μmが好ましく、より好ましくは5から
20μmである。
ムのもう一方の主面上に形成される下地金属の薄膜につ
いては、酸化安定性に優れた金属や合金であるニッケ
ル、クロム、チタン、モリブデン、タングステン、亜
鉛、インジュウム、シリコン、インジュウウム−錫合
金、ニッケル系合金(ニクロム、インコネル、ハステロ
イ、ニモニック、モネル等)および鉄系合金(ステンレ
ス、インコロイ等)、アルミニウムおよびアルミニウム
合金、珪素、非晶質珪素さらに、これら金属の酸化物、
窒化物、炭化物、硼化物等が有用である。下地金属の厚
さは30〜100nmで充分である。30nm未満であ
ると本発明の効果が充分に発揮されなくなる。100n
mを越えて膜厚を増大させると導電率の低下、エッチン
グによる回路加工性の低下、コストの増加等の問題が顕
在化してくる。
が容易に理解するところの回路形成用の材料である。本
発明においては、それ以上の特に限定される要件はな
い。好ましくは純度99.99%以上の銅が用いられ
る。銅薄膜は100nm以上の膜厚に形成されるが、本
発明はフレキシブル回路基板であり、そのままで用いら
れるよりもメッキ工程、半田工程を経て回路が形成され
る。これらの後工程のことを考慮すると回路加工を容易
にするためには膜厚は200nm以上であることが望ま
しい。なお、銅薄膜は酸化珪素層5、透明高分子層6の
上に形成されてもよい。
蒸着法、イオンプレティーング法、スパッタリング法、
CVD法等乾式の形成方法はもちろん、浸漬法、印刷法
等の湿式の薄膜形成方法も利用することができる。薄膜
の接着性や薄膜の制御性に優れたスパッタリング法が特
に用いるに好ましい方法である。スパッタリングの方法
において、特に限定される条件はない。形成すべき薄膜
に対応させて適宜ターゲットを選択して用いることは当
業者の理解するところである。スパッタリングの方法に
も限定される条件はなく、DCマグネトロンスパッタリ
ング、高周波マグネトロンスパッタリング、イオンビー
ムスパッタリング等の方法が有効に用いられる。
る条件はないが、通常25μm〜125μmの膜厚のポ
リイミドフィルムが用途に応じて適宜選択されて用いら
れる。ポリイミドフィルムとして具体的な例を示すとす
れば、カプトン、ユーピレックス、アピカル等の商品名
として、市場で入手できるポリイミドフィルムを有効に
用いることができる。さらに、ピロメリット酸無水物、
ビフタル酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無
水物、オキシジフタル酸無水物、ハイドロフランジフタ
ル酸無水物等の酸無水物とメトキシジアミノベンゼン、
4,4’−オキシジアニリン、3,4’−オキシジアニ
リン、3,3’オキシジアニリン、ビスジアニリノメタ
ン、3,3’−ジアミノゼンゾフェノン、p,p−アミ
ノフェノキシベンゼン、p,m−アミノフェノキシベン
ゼン、m,p−アミノフェノキシベンゼン、m,m−ア
ミオフェノキシベンゼン、クロル−m−アミノフェノキ
シベンゼン、p−ピリジンアミノフェノキシベンゼン、
m−ピリジンアミノフェノキシベンゼン、p−アミノフ
ェノキシビフェニル、m−アミノフェノキシビフェニ
ル、p−ビスアミノフェノキシベンジスルホン、m−ビ
スアミノフェノキシベンジスルフォンp−ビスアミノフ
ェノキシベンジルケトン、m−ビスアミノフェノキシベ
ンジルケトン、p−ビスアミノフェノキシベンジルヘキ
サフルオロプロパン、m−ビスアミノフェノキシベンジ
ルヘキサフルオロプロパン、m−ビスアミノフェノキシ
ベンジルヘキサフルオロプロパン、p−ビスアミノフェ
ノキシベンジルプロパン、o−ビスアミノフェノキシベ
ンジルプロパン、m−ビスアミノフェノキシベンジルプ
ロパン、p−ジアミノフェノキシベンジルチオエーテ
ル、m−ジアミノフェノキシベンジルチオエーテル、イ
ンダンジアミン、スピロビジアミン、ジケトンジアミン
等のアミンと反応、イミド化して形成されるポリイミド
も本発明に効果的に用いることができる。
説明するが、本発明は以下の実施例になんら制限される
ものではない。 (実施例1)ポリイミドフィルムとして、膜厚が50.
8μmのカプトン−V(デュポン社製)を用い、この片
面上に、ヘリウムをキャリヤーガスとして用いたテトラ
メチルジシロキサン(以下TMDSOと略記する)と酸
素とを、平行平板型のプラズマCVD装置の内に導入
し、13.56MHzの高周波で放電させ、酸化珪素の
層を100nm厚に形成した。その時の成膜条件を表1
に示す。当該フィルムの酸化珪素を形成した面に対し
て、ゴーセノールKH−17(日本合成化学製)を純水
に10容量%まで希釈した溶液をバーコート法により
7.5μm厚にコートし、120℃で10分間乾燥させ
ることによりポリビニルアルコール層を形成した。当該
フィルムの酸素透過率をASTM D−1434に準拠
して測定したところ、0.81cc・m-2・day-1で
あった。
ーゲットにして、酸素のグロー放電で処理した後、クロ
ムをターゲットとして、DCマグネトロンスパッタリン
グ法により厚さ50nmのクロム薄膜層を下地金属の薄
膜として形成した後、真空状態を破ることなく、銅をタ
ーゲットにして、連続的にDCマグネトロンスパッタリ
ングにより、当該クロム薄膜に接して、平均膜厚が約6
00nmの銅薄膜を積層した。次に、当該銅薄膜の上に
銅の電解メッキを施すことにより回路用の銅膜の厚みを
20μmとした。
フィルムに対する接着力を測定したところ、常態強度で
平均1.4kg/cmであった。これを、150℃のオ
ーブンに入れ、10日間保持した後、同様に接着力を測
定したところ、平均1.3kg/cmであり、接着力は
92.9%低下したものの、依然として1.0kg/c
mを越える高い接着力を保持することを確認した。
当該フィルムを直径10mmのステンレス製の丸棒に裏
表5回ずつ計10回巻き付けたのち、150℃のオーブ
ンに入れ、10日間保持した後、同様に接着力を測定し
たところ、平均1.3kg/cmであり、この場合にお
いても、接着力は92.9%に低下したものの、依然と
して1.0kg/cmを越える高い接着力を保持するこ
とを確認した。
ルアルコールの層を形成する代わりに、pH調整用のピ
ロ燐酸ナトリウムを加えたクレハロンDO600(クレ
ハ化学製)溶液を、スピンコーターにより5μm厚にコ
ートし、85℃で8分間乾燥させることによりポリ塩化
ビニリデン層を形成した。当該フィルムの酸素透過率を
ASTMD−1434に準拠して測定したところ、0.
67cc・m-2・day-1であった。
フィルムに対する接着力を測定したところ、常態強度で
平均1.3kg/cmであった。これを、直径10mm
のステンレス製の丸棒に裏表5回ずつ計10回巻き付け
たのち、150℃のオーブンに入れ、10日間保持した
後、同様に接着力を測定したところ、平均1.2kg/
cmであり、接着力は92.3%に低下したものの、依
然として1.0kg/cmを越える高い接着力を保持す
ることを確認した。
−Vの代わりにユーピレックス−S(宇部興産製)を用
い、さらに、ポリビニルアルコールの層を形成する代わ
りに、エチレン・ビニルアルコール共重合体(エチレン
共重合比40mol%)を、リバースロールコーターに
より5μm厚にコートし、当該フィルムの酸素透過率を
ASTMD−1434に準拠して測定したところ、0.
54cc・m-2・day-1であった。
フィルムに対する接着力を測定したところ、常態強度で
平均1.2kg/cmであった。これを、直径10mm
のステンレス製の丸棒に裏表5回ずつ計10回巻き付け
たのち、150℃のオーブンに入れ、10日間保持した
後、同様に接着力を測定したところ、平均1.1kg/
cmであり、接着力は91.7%に低下したものの、依
然として1.0kg/cmを越える高い接着力を保持す
ることを確認した。
の層とポリビニルアルコールの層を有しないものを作製
し、銅回路基板のポリイミドフィルムに対する接着力を
測定したところ、常態強度で平均1.4kg/cmであ
った。これを、150℃のオーブンに入れ、10日間保
持した後、同様に接着力を測定したところ、低下が著し
く、0.01kg/cm以下になってしまった。
ルアルコールの層を有しないものを作製し、銅回路基板
ののポリイミドフィルムに対する接着力を測定したとこ
ろ、常態強度で平均1.4kg/cmであった。これ
を、150℃のオーブンにいれ10日間保持した後に接
着強度を測定したところ1.3kg/cmと高い水準を
維持していた。しかしながら、当該フィルムを直径10
mmのステンレス製の丸棒に裏表5回ずつ計10回巻き
付けたのち、150℃のオーブンに入れ、10日間保持
した後、同様に接着力を測定したところ、平均0.4k
g/cmであり、接着力は初期状態のの28.6%に低
下し、1.0kg/cmを越える高い接着力を保持する
ことはできなかった。
の層を有せず、ポリビニルアルコールの層のみを有する
ものを作製し、銅回路基板ののポリイミドフィルムに対
する接着力を測定したところ、常態強度で平均1.4k
g/cmであった。これを、150℃のオーブンにいれ
10日間保持した後に接着強度を測定したところ、平均
0.2kg/cmであり、接着力は初期状態の14.3
%に低下し、1.0kg/cmを越える高い接着力を保
持することはできなかった。
から明らかなように、本発明は半導体ICチップの高集
積化を実現するための耐熱性を充分満足しているばかり
でなく、フィルムの特性を生かす可撓性においても優れ
た特性をしめすフレキシブル回路基板用材料の技術を提
供するものであり、半導体産業にとって、極めて有用な
発明である。
例の層構成
例の層構成
Claims (2)
- 【請求項1】 ポリイミドフィルムと、当該ポリイミド
フィルムの主面上に下地金属の薄膜が形成され、その上
に銅の薄膜が形成されてなる多層膜と、当該ポリイミド
フィルムのもう一方の主面上に少なくとも酸素と有機珪
素化合物を用いたプラズマ化学気相蒸着法で形成された
酸化珪素の層と高分子層が積層された、酸素透過率が、
1cc・m -2 ・day -1 以下であるガスバリヤー層が形
成されるフレキシブル回路基板材料。 - 【請求項2】 高分子層が、ポリビニルアルコール、ポ
リ塩化ビニリデン、およびエチレン・ビニルコール共重
合体においてエチレン共重合比率が30〜50モル%の
ものの群からすくなくとも1つ選ばれたガスバリヤー性
の層である請求項1に記載のフレキシブル回路基板材
料。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02230193A JP3447075B2 (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | フレキシブル回路基板 |
Publications (2)
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JPH06237056A JPH06237056A (ja) | 1994-08-23 |
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Family
ID=12078927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP02230193A Expired - Lifetime JP3447075B2 (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | フレキシブル回路基板 |
Country Status (1)
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-
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