JPS62153957A - フォトマスクブランクとフォトマスク - Google Patents
フォトマスクブランクとフォトマスクInfo
- Publication number
- JPS62153957A JPS62153957A JP60294610A JP29461085A JPS62153957A JP S62153957 A JPS62153957 A JP S62153957A JP 60294610 A JP60294610 A JP 60294610A JP 29461085 A JP29461085 A JP 29461085A JP S62153957 A JPS62153957 A JP S62153957A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- light
- photomask
- shielding film
- nitrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体、ＩＣ，１８１等の’Ｉｔ造に用いら
れるフォ（へマスクブランクとフォトマスクに関するも
のである。
れるフォ（へマスクブランクとフォトマスクに関するも
のである。
（従来の技術〕
従来、この種のフォトマスクブランクとしては石英ガラ
スからなるガラス基板上に、モリブデン珪化物等の金属
珪化物からなる遮光付膜を、スパッタリング法、真空蒸
着法等により積層したものがあった。そして、この遮光
竹股土にレジスト膜を塗布し、所望のパターンを有づる
マスターマスクを通して露光する。次に、レジスト膜を
現像し、レジストパターンを形成し、このレジストパタ
ーンをマスクどして、金属珪化物からなる遮光性膜を、
ＣＦ４４−０２ （２％）の渥合ガスによりドライエ
ツチング覆る。さらに、レジストパターンを除去して金
属珪化物からなる遮光性膜パターンを設けたフォトマス
クがあった。
スからなるガラス基板上に、モリブデン珪化物等の金属
珪化物からなる遮光付膜を、スパッタリング法、真空蒸
着法等により積層したものがあった。そして、この遮光
竹股土にレジスト膜を塗布し、所望のパターンを有づる
マスターマスクを通して露光する。次に、レジスト膜を
現像し、レジストパターンを形成し、このレジストパタ
ーンをマスクどして、金属珪化物からなる遮光性膜を、
ＣＦ４４−０２ （２％）の渥合ガスによりドライエ
ツチング覆る。さらに、レジストパターンを除去して金
属珪化物からなる遮光性膜パターンを設けたフォトマス
クがあった。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、従来の金属１１化物からなる遮光性膜は
、石英ガラス基板との付着力にばらつきがあり、このた
め石英ガラス基板上に遮光性膜パターンを被着したフｔ
ｌ−マスクを超音波洗浄やスクラブ洗浄をすると、パ
ターンが欠落する問題点があった。また、金属珪化物か
らなる遮光性膜を、フッ化炭素のガスでドライエツチン
グし、精度の高い遮光性膜パターンを得ようとすると、
エツチングにより露出したガラス基板表面をもエツチン
グし、表面に不用な傷をつけてしまい、この傷がついて
いるフ第１・マスクをマスクとして、フォトマスクブラ
ンク上のレジメ１−を露光し、現像すると、傷による不
用なレジストパターンが形成されてしまう問題点があっ
た。
、石英ガラス基板との付着力にばらつきがあり、このた
め石英ガラス基板上に遮光性膜パターンを被着したフｔ
ｌ−マスクを超音波洗浄やスクラブ洗浄をすると、パ
ターンが欠落する問題点があった。また、金属珪化物か
らなる遮光性膜を、フッ化炭素のガスでドライエツチン
グし、精度の高い遮光性膜パターンを得ようとすると、
エツチングにより露出したガラス基板表面をもエツチン
グし、表面に不用な傷をつけてしまい、この傷がついて
いるフ第１・マスクをマスクとして、フォトマスクブラ
ンク上のレジメ１−を露光し、現像すると、傷による不
用なレジストパターンが形成されてしまう問題点があっ
た。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、前記した問題点を除去するためになされたも
ので、その第１発明は、ガラス基板と、前記ガラス基板
の一十表面１に被着した窒素とＩ］素とを含有した金属
からなる遮光＋１膜とを有し、かつ前記窒素の含有量が
１〜３０原子％であることを特徴とするフォトマスクブ
ランクであり、その第２発明は、ガラス基板と、前記ガ
ラス基板の−１表面−Ｌに被着した窒素と珪素とを含有
した金属からなる遮光性膜パターンとを有し、かつ前記
窒素の含有量が１〜３０原子％であることを特徴とする
フォトマスクである。なお、原子％の値は、ファイ社製
の表面分析機（商品名： ＥＳＣＡ／Ａｓｓ ５４８
）で測定した値である。
ので、その第１発明は、ガラス基板と、前記ガラス基板
の一十表面１に被着した窒素とＩ］素とを含有した金属
からなる遮光＋１膜とを有し、かつ前記窒素の含有量が
１〜３０原子％であることを特徴とするフォトマスクブ
ランクであり、その第２発明は、ガラス基板と、前記ガ
ラス基板の−１表面−Ｌに被着した窒素と珪素とを含有
した金属からなる遮光性膜パターンとを有し、かつ前記
窒素の含有量が１〜３０原子％であることを特徴とする
フォトマスクである。なお、原子％の値は、ファイ社製
の表面分析機（商品名： ＥＳＣＡ／Ａｓｓ ５４８
）で測定した値である。
そして、この発明の望ましい実施態様は、ガラス基板が
石英ガラスからなることであり、遮光性膜の金属がＮｏ
、 Ｎｉ、 Ｔａ、 Ｗ等の遷移金属のうちの少なくと
も一つからなることであり、また遮光性膜に含有されて
いる珪素の含有量が１０〜７０原子％である。
石英ガラスからなることであり、遮光性膜の金属がＮｏ
、 Ｎｉ、 Ｔａ、 Ｗ等の遷移金属のうちの少なくと
も一つからなることであり、また遮光性膜に含有されて
いる珪素の含有量が１０〜７０原子％である。
本発明は、遮光付膜として、窒素と珪素とを含有した金
属の膜を用いていることから、ガラス基板との付着力を
高めることができ、さらにガラス基板表面に不用な傷を
つけることもない。
属の膜を用いていることから、ガラス基板との付着力を
高めることができ、さらにガラス基板表面に不用な傷を
つけることもない。
本発明のフォトマスクブランクとフォトマスクの一実施
例を第１図及び第２図に基づき詳細に説明する。
例を第１図及び第２図に基づき詳細に説明する。
先ず、本例のフォトマスクブランクを第１図に基づき説
明する。このフォトマスクブランク１は、石英ガラスを
形状加圧し、主表面を精密研摩した石英ガラス基板２（
６インチ×６インチｘ Ｏ，０９インチ）と、窒素（１
５原子％）ど珪素（６０原子％）を含有したモリブデン
（２５原子％）の遮光性膜３（膜厚１２００人）とから
なり、遮光性膜３は石英ガラス基板２の一生表面上に被
着している。
明する。このフォトマスクブランク１は、石英ガラスを
形状加圧し、主表面を精密研摩した石英ガラス基板２（
６インチ×６インチｘ Ｏ，０９インチ）と、窒素（１
５原子％）ど珪素（６０原子％）を含有したモリブデン
（２５原子％）の遮光性膜３（膜厚１２００人）とから
なり、遮光性膜３は石英ガラス基板２の一生表面上に被
着している。
そして、このフォ１へマスクブランク１は、次の工程に
より製造される。
より製造される。
先ず、石英ガラス基板２の一生表面上に、モリブデン粉
末と珪素粉末とを真空焼結して作成したモリブデン珪化
物のターゲット（モリブデン：珪素の混合比は３３原子
％：６７原子％である。）を用い、アルボ２８５体積％
と窒素１５体積％の１１１合雰囲気中で反応性スパッタ
リング法により、前述した組成比の窒素と珪素とモリブ
デンとを有する遮光性膜３を被着し、フォトマスクブラ
ンク１を製作した。
末と珪素粉末とを真空焼結して作成したモリブデン珪化
物のターゲット（モリブデン：珪素の混合比は３３原子
％：６７原子％である。）を用い、アルボ２８５体積％
と窒素１５体積％の１１１合雰囲気中で反応性スパッタ
リング法により、前述した組成比の窒素と珪素とモリブ
デンとを有する遮光性膜３を被着し、フォトマスクブラ
ンク１を製作した。
次に、このフォトマスクブランク１からフォトマスクを
製作する工程を下記に述べる。
製作する工程を下記に述べる。
先ず、前述した遮光性１９３上にポジ型の７オトレジス
ト（例：ヘキスト社製のＡ７−１３５０）を滴下し、ス
ピンコード法により膜厚５０００人のレジスト膜を形成
し、次に所望するパターンを有するマスターマスクを通
して紫外光により露光し、レジス（・膜にパターンを転
写（る。次に、レジス１〜膜をｊｐ像し、レジストパタ
ーンを形成し、このレジストパターン付〕４ ｔ−マス
クブランクを１１行重板型プラズマ１ツヂング装暦内に
収容し、ＣＦ４ガスと０２ガスをエツチング装置内に流
入しながら（Ｃ［４ガスと０２ガスとの流ｎ目りは１０
：１）全圧０．３ＴＯｒｒ、電力１００Ｗの条例で、レ
ジメ！・パターンをマスクとして、遮光＋’膜３を９０
秒間ドライ−ｒッチングする。ぞして、０２プラズマに
よりレジストパターンを除去し、第２図に示ＪフＡ１〜
マスク４を製作する。句なわら、このフォトマスク４は
、石英ガラス基板２の一主表面上に遮光性膜パターン５
を被着しているものである。
ト（例：ヘキスト社製のＡ７−１３５０）を滴下し、ス
ピンコード法により膜厚５０００人のレジスト膜を形成
し、次に所望するパターンを有するマスターマスクを通
して紫外光により露光し、レジス（・膜にパターンを転
写（る。次に、レジス１〜膜をｊｐ像し、レジストパタ
ーンを形成し、このレジストパターン付〕４ ｔ−マス
クブランクを１１行重板型プラズマ１ツヂング装暦内に
収容し、ＣＦ４ガスと０２ガスをエツチング装置内に流
入しながら（Ｃ［４ガスと０２ガスとの流ｎ目りは１０
：１）全圧０．３ＴＯｒｒ、電力１００Ｗの条例で、レ
ジメ！・パターンをマスクとして、遮光＋’膜３を９０
秒間ドライ−ｒッチングする。ぞして、０２プラズマに
よりレジストパターンを除去し、第２図に示ＪフＡ１〜
マスク４を製作する。句なわら、このフォトマスク４は
、石英ガラス基板２の一主表面上に遮光性膜パターン５
を被着しているものである。
次に、本例の４枚のフォトマスクを純水中に浸漬し、超
音波洗浄（周波数： ２８ＫＩＩｚ 、電カニ３００Ｗ
、洗浄時間：１０分）し、遮光性膜パターンの欠落数の
増加を自動欠陥検査機を用いて測定した。
音波洗浄（周波数： ２８ＫＩＩｚ 、電カニ３００Ｗ
、洗浄時間：１０分）し、遮光性膜パターンの欠落数の
増加を自動欠陥検査機を用いて測定した。
なお、比較例として石英ガラスｖ板とモリブデン珪化物
の遮光性膜とからｂる従来の４枚のフォトマスクを同様
に洗浄して、遮光性膜パターンの欠落数の増加を自動欠
陥検査機を用いて測定した。
の遮光性膜とからｂる従来の４枚のフォトマスクを同様
に洗浄して、遮光性膜パターンの欠落数の増加を自動欠
陥検査機を用いて測定した。
この本例のフォトマスクと従来のフォトマスクの欠落数
の増加を下表に示す。
の増加を下表に示す。
この表から明らかなとおり、本例のフォトマスクは、従
来のフォ］・マスクが洗浄復にパターン欠落度を著しく
増加しているのに対して、パターン欠落数を全く増加し
ていないことから従来のフォトマスクよりも付着力が数
段優れていることが確認された。このような付着ツノ向
Ｖ効果は、試料数を１００枚に増加しても同様＜７結果
を得て、確認された。
来のフォ］・マスクが洗浄復にパターン欠落度を著しく
増加しているのに対して、パターン欠落数を全く増加し
ていないことから従来のフォトマスクよりも付着力が数
段優れていることが確認された。このような付着ツノ向
Ｖ効果は、試料数を１００枚に増加しても同様＜７結果
を得て、確認された。
また、本例のフォトマスクを濃度９６％の１１２ ＳＯ
４（温度１３０℃）中に浸漬し、遮光性膜パターンの膜
厚変化を測定した。その結果、第３図の線ａに示すよう
に浸漬し始めて、１２０分経過しても膜厚は減少せず、
窒素と珪素とモリブデンとからなる遮光性膜パターンは
、良好な耐酸性をも有している。
４（温度１３０℃）中に浸漬し、遮光性膜パターンの膜
厚変化を測定した。その結果、第３図の線ａに示すよう
に浸漬し始めて、１２０分経過しても膜厚は減少せず、
窒素と珪素とモリブデンとからなる遮光性膜パターンは
、良好な耐酸性をも有している。
また、前述したＣＦ４ガスと０２ガスとの混合ガスによ
るエツチング速度は、本例の遮光性膜が１０００人／分
、従来のモリブデン珪化物からなる遮光性膜が５００人
／分及び石英ガラス基板が１００人／分であり、本例の
遮光性膜の方が従来の遮光性膜のエツチング速度より２
倍も速いことから、完全に遮光付膜をエツチングするた
めのオーバーエツチングをする時間を短縮することかで
き、従来の遮光性膜をエツチングするときに生ずる石英
ガラス基板表面の傷は、著しく減少さゼることができた
。さらに、従来のモリブデン珪化物からなる遮光性膜を
、例えば、ポリブテン−１−スルホンからなるレジス１
〜膜等の耐プラズマ性の劣るレジスト膜からなるレジス
トパターンを用いてドライエツチングすると、従来の遮
光性膜はエツチング速度が遅いため、遮光性膜がエツチ
ングされる前に、レジストパターンもエツチングされて
しまい、本来遮光性膜のエツチングされない部分もエツ
チングされてしまったが、一方本例の遮光性膜は、エツ
チング速度が早いため、上記のような欠点は生ぜず、耐
プラズマ性の劣るレジス１〜膜を用いてドライエツチン
グをすることができた。
るエツチング速度は、本例の遮光性膜が１０００人／分
、従来のモリブデン珪化物からなる遮光性膜が５００人
／分及び石英ガラス基板が１００人／分であり、本例の
遮光性膜の方が従来の遮光性膜のエツチング速度より２
倍も速いことから、完全に遮光付膜をエツチングするた
めのオーバーエツチングをする時間を短縮することかで
き、従来の遮光性膜をエツチングするときに生ずる石英
ガラス基板表面の傷は、著しく減少さゼることができた
。さらに、従来のモリブデン珪化物からなる遮光性膜を
、例えば、ポリブテン−１−スルホンからなるレジス１
〜膜等の耐プラズマ性の劣るレジスト膜からなるレジス
トパターンを用いてドライエツチングすると、従来の遮
光性膜はエツチング速度が遅いため、遮光性膜がエツチ
ングされる前に、レジストパターンもエツチングされて
しまい、本来遮光性膜のエツチングされない部分もエツ
チングされてしまったが、一方本例の遮光性膜は、エツ
チング速度が早いため、上記のような欠点は生ぜず、耐
プラズマ性の劣るレジス１〜膜を用いてドライエツチン
グをすることができた。
本発明は、前記実施例に限らず、下記のものでもよい。
先ず、遮光性膜中の窒素の含有量は、１５原子％でなく
ても、１〜３０原子％であれば同様の効果がある。すな
わち、窒素含有量が１原子％未満であると、モリブデン
珪化物等の金属珪化物と同様の欠点が生じ、３０原子％
を越えると遮光性膜として必要な光学濃度が低下するた
めに、１〜３０原了％の窒素含有量を必凹どする。また
、ガラス基板は、石英ガラスに限らず、アルミノシリケ
ートガラス。
ても、１〜３０原子％であれば同様の効果がある。すな
わち、窒素含有量が１原子％未満であると、モリブデン
珪化物等の金属珪化物と同様の欠点が生じ、３０原子％
を越えると遮光性膜として必要な光学濃度が低下するた
めに、１〜３０原了％の窒素含有量を必凹どする。また
、ガラス基板は、石英ガラスに限らず、アルミノシリケ
ートガラス。
アルミノボロシリケートガラス等の他のガラスであって
もよい。また、遮光性膜を形成する金属としては、モリ
ブデンに限らず他の金属であってもよいが、望ましくは
、実用上Ｎｏ、 Ｔａ、 Ｗ、 Ｎｉ等の遷移金属やこ
れらの合金、例えばＴｉとＨＯとＷとからなる合金、Ｔ
ｉとＨＯとからなる合金等がよく、さらに望ましくは、
Ｎｏ、 ｒａ、 Ｗ、 Ｎｉのうちの−の金属又はこれ
らの合金からなるものがよい。また、遮光性膜中の珪素
の含有量は６０原子％に限定されないが、望ましくは１
０〜７０原子％がにい。それは、１０原子％未満である
と、耐酸性が劣化し、一方７０原子％を越えると光学Ｗ
Ａ度が低下することがあるからである。また、遮光性膜
内の膜厚方向において、ガラス基板側には珪素の含有量
を多くし、レジスＩ〜膜を塗布する側には金属を多くし
てもよい。
もよい。また、遮光性膜を形成する金属としては、モリ
ブデンに限らず他の金属であってもよいが、望ましくは
、実用上Ｎｏ、 Ｔａ、 Ｗ、 Ｎｉ等の遷移金属やこ
れらの合金、例えばＴｉとＨＯとＷとからなる合金、Ｔ
ｉとＨＯとからなる合金等がよく、さらに望ましくは、
Ｎｏ、 ｒａ、 Ｗ、 Ｎｉのうちの−の金属又はこれ
らの合金からなるものがよい。また、遮光性膜中の珪素
の含有量は６０原子％に限定されないが、望ましくは１
０〜７０原子％がにい。それは、１０原子％未満である
と、耐酸性が劣化し、一方７０原子％を越えると光学Ｗ
Ａ度が低下することがあるからである。また、遮光性膜
内の膜厚方向において、ガラス基板側には珪素の含有量
を多くし、レジスＩ〜膜を塗布する側には金属を多くし
てもよい。
また、遮光性股上に酸化モリブデン、ｌ’ｌｉ化タンタ
ル、ｌＩ化ブチタンの低反射膜を積層してもよい。
ル、ｌＩ化ブチタンの低反射膜を積層してもよい。
また、遮光性膜は、結晶性又は非結晶性の伺れであって
もよく、さらに、遮光性膜の製造方法として、前記実施
例のように、金属と珪素とを混合したターゲットを用い
る必要はなく、金属と珪素とを別々のターゲットにして
もよい。
もよく、さらに、遮光性膜の製造方法として、前記実施
例のように、金属と珪素とを混合したターゲットを用い
る必要はなく、金属と珪素とを別々のターゲットにして
もよい。
本発明は、以上の通りであることから、ガラス基板と遮
光性膜との付着力を向上し、さらにガラス基板に不用な
傷の発生を防止することができる。
光性膜との付着力を向上し、さらにガラス基板に不用な
傷の発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のフォトマスクブランクの一実施例を示
す断面図であり、第２図は本発明のフォトマスクの一実
施例を示す断面図である。第３図は本発明のフォトマス
クの一実施例の遮光性膜パターンの膜厚変化を示す時間
−膜厚特性図である。
す断面図であり、第２図は本発明のフォトマスクの一実
施例を示す断面図である。第３図は本発明のフォトマス
クの一実施例の遮光性膜パターンの膜厚変化を示す時間
−膜厚特性図である。
Claims (8)
- （１）ガラス基板と、前記ガラス基板の一主表面上に被
着した窒素と珪素とを含有した金属からなる遮光性膜と
を有し、かつ前記窒素の含有量が１〜３０原子％である
ことを特徴とするフォトマスクブランク。 - （２）ガラス基板が石英ガラスからなることを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載のフォトマスクブラン
ク。 - （３）金属が、遷移金属のうちの少なくとも一つからな
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項又は第（
２）項記載のフォトマスクブランク。 - （４）珪素の含有量が１０〜７０原子％であることを特
徴とする特許請求の範囲第（１）項、第（２）項又は第
（３）項記載のフォトマスクブランク。 - （５）ガラス基板と、前記ガラス基板の一主表面上に被
着した窒素と珪素とを含有した金属からなる遮光性膜パ
ターンとを有し、かつ前記窒素の含有量が１〜３０原子
％であることを特徴とするフォトマスク。 - （６）ガラス基板が石英ガラスからなることを特徴とす
る特許請求の範囲第（５）項記載のフォトマスク。 - （７）金属が、遷移金属のうちの少なくとも一つからな
ることを特徴とする特許請求の範囲第（５）項又は第（
６）項記載のフォトマスク。 - （８）珪素の含有量が１０〜７０原子％であることを特
徴とする特許請求の範囲第（５）項、第（６）項又は第
（７）項記載のフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60294610A JPS62153957A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | フォトマスクブランクとフォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60294610A JPS62153957A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | フォトマスクブランクとフォトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62153957A true JPS62153957A (ja) | 1987-07-08 |
| JPH0473940B2 JPH0473940B2 (ja) | 1992-11-25 |
Family
ID=17809986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60294610A Granted JPS62153957A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | フォトマスクブランクとフォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62153957A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009294681A (ja) * | 2009-09-24 | 2009-12-17 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5831336A (ja) * | 1981-08-19 | 1983-02-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | ホトマスク素材 |
| JPS60176235A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Ｘ線露光用マスク原板 |
| JPS60202441A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用パタ−ン形成マスク |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP60294610A patent/JPS62153957A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5831336A (ja) * | 1981-08-19 | 1983-02-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | ホトマスク素材 |
| JPS60176235A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Ｘ線露光用マスク原板 |
| JPS60202441A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置用パタ−ン形成マスク |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009294681A (ja) * | 2009-09-24 | 2009-12-17 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0473940B2 (ja) | 1992-11-25 |
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