TWI453532B - 空白罩幕、光罩及其製造方法 - Google Patents

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Description

空白罩幕、光罩及其製造方法
本揭露案是有關於可在193nm至248nm之曝光波長(exposure wavelength)下使用的空白罩幕(blankmask)，以及用於製造二元空白罩幕(binary blankmask)及光罩(photomask)的方法。
諸如IC、LSI或VLSI之半導體積體電路(semiconductor integrated circuit)之製造通常是藉由使用微影製程(lithography process)來執行，且微影製程之主要組件是包含半導體電路信息(semiconductor circuit information)之光罩。使用空白罩幕來製造光罩。一般而言，空白罩幕可分類為：二元空白罩幕，其由用鉻作為其主要成份之光屏蔽膜(light-shielding film)以及形成於透明基板(transparent substrate)上之抗反射膜(anti-reflection film)形成；以及相移空白罩幕(phase shift blankmask)，其由基於MoSi之相移膜(MoSi-based phase shift film)形成。對於具有較大的最小線寬(line width)之相關技術半導體積體電路，用使用二元空白罩幕製造之光罩來實現半導體積體電路。然而，隨著最近最小線寬之按比例縮減，用相移空白罩幕製造之相移光罩之使用逐漸增加。
由於隨著微影技術之發展曝光波長變得較短，因此曝光能量之量增加，從而不僅導致對金屬膜(metal film)之損壞，亦導致諸如霾(haze)等缺陷問題。塗覆有化學增 幅型抗蝕劑(chemically amplified resist)之高端空白罩幕之使用可導致因諸如浮渣(scum)及基腳(footing)等問題而引起的CD誤差及點型(Spot-type)缺陷。當藉由使用硫酸(sulfuric acid，H2 SO4 )及氨水(aqueous ammonia，NH4 OH)執行清洗時，化學殘餘物保留於用於罩幕之金屬薄膜之表面上，且因化學殘餘物之間由曝光能量之吸收驅使的光化學反應(photochemical reaction)而產生霾。另外，剩餘的未被清洗的化學殘餘物引起與CAR之強酸組份(strong acid component)(H+ )之中和反應(neutralizing reaction)，且所述反應阻止光罩在顯影劑中顯影，進而導致CAR上形成浮渣及基腳。因此，在半導體及罩幕工業中，藉由在清洗之後使用60℃至85℃之熱去離子水執行沖洗(rinse)，以便克服此等問題。
然而，來自使用熱去離子水之沖洗的對金屬薄膜之物理及化學損害使金屬薄膜之特性劣化，從而導致晶圓圖案化期間CD均一性及線性等中之CD誤差。特定而言，由於熱去離子水沖洗而導致的薄膜厚度的減小造成諸如透射率增加、相移減小以及表面粗糙度較大等問題。
本揭露案提供一種在空白罩幕之製造中用於形成金屬膜的方法。特定而言，對化學物質、熱去離子水及曝光光(exposure light)之抗性以及薄膜均一性可在金屬膜之形成期間藉由以下方式增強：增加薄膜之密度，增強薄膜之密度均一性，以及減少缺陷、微粒及成弧現象(arching phenomena)，使得可藉由使用由熱壓(hot press，HP)、輥壓(roll press，RP)、熱均壓(hot iso-static press，HIP)及熔融(melting)方法製造的選自由鉻、鎢、鉭、矽化鉬及鈦組成之族群的目標，來形成具有密集晶粒尺寸分佈之膜。亦有可能在金屬膜形成之後經由使用RTP及真空烘焙機(Vacuum Baker)的熱處理來增強對化學物質、熱去離子水及曝光光之抗性以及薄膜密度，且移除內部鍵合。有可能藉由使用金屬膜來製造可在193nm或以上之微影製程中使用的空白罩幕及光罩。因此，本揭露案亦提供具有用於高端空白罩幕及光罩之極佳性質的空白罩幕及光罩。
本發明之第一實施例包含：透明基板；金屬膜，其形成於所述透明基板上；以及抗蝕劑膜，其形成於所述金屬膜上，其中所述金屬膜形成於所述透明基板之152mm區上，且具有等於或小於20%的密度均一性。
本發明之第二實施例包含第一實施例之所有特徵，且特徵在於：形成於所述透明基板之所述152mm區上之所述金屬膜可具有等於或小於20%之晶粒尺寸均一性。
本發明之第三實施例包含第一實施例之所有特徵，且特徵在於：所述金屬膜可具有等於或大於2.5之光學密度。
本發明之第四實施例包含第一實施例之所有特徵，且特徵在於：形成於所述透明基板之所述152mm區上之所述金屬膜可具有等於或小於15nm之晶粒尺寸。
本發明之第五實施例包含第一實施例之所有特徵，且特徵在於：所述金屬膜在浸漬於化學物及熱去離子水中之 後，可具有等於或小於5%的透射率及反射率均一性的變化。
本發明之第六實施例包含第一實施例之所有特徵，且特徵在於：所述金屬膜可具有單層結構或包括至少兩個層之多層結構。
本發明之第七實施例包含第一實施例之所有特徵，且特徵在於：所述金屬膜可為Cr膜，且可包含30at%至70at%之鉻(Cr)以及氧、氮及碳中之至少一者。
本發明之第八實施例包含第一實施例之所有特徵，且特徵在於：所述金屬膜可為MoSi膜，且可包含1at%至30at%之Mo、15at%至70at%之Si以及氧、氮及碳中之至少一者。
本發明之第九實施例包含第一實施例至第八實施例中之任一者之所有特徵，且特徵在於：所述空白罩幕可更包含形成於所述金屬膜上之硬罩幕膜。
本發明之第十實施例包含第九實施例之所有特徵，且特徵在於：所述硬罩幕膜可具有等於或小於1kΩ之薄層電阻(sheet resistance)。
本發明之第十一實施例包含第九實施例之所有特徵，且特徵在於：所述硬罩幕膜在浸漬於化學物及熱去離子水中之後，可具有等於或小於5%的透射率及反射率均一性的變化。
本發明之第十二實施例包含第九實施例之所有特徵，且特徵在於：所述金屬膜或所述硬罩幕膜可藉由使用 濺鍍目標之濺鍍製程來形成，且所述濺鍍目標可具有等於或小於200μm之晶粒尺寸。
本發明之第十三實施例包含第十二實施例之所有特徵，且特徵在於：所述濺鍍目標可具有等於或小於20%之晶粒尺寸均一性。
本發明之第十四實施例包含第十二實施例之所有特徵，且特徵在於：所述濺鍍目標可藉由選自由以下各項組成之族群的其中之一者來製造：熱壓、輥壓、熱均壓以及熔融。
本發明之第十五實施例包含第九實施例之所有特徵，且特徵在於：在所述金屬膜及所述硬罩幕膜形成之後，可執行熱處理。
本發明之第十六實施例包含第九實施例之所有特徵，且特徵在於：所述熱處理可藉由選自由以下各項組成之族群的其中之一者來執行：快速熱製程(rapid thermal process，RTP)、真空烘焙機、爐(furnace)以及熱板(hot-plate)。
本發明之第十七實施例，第一實施例至第八實施例中的任一者的製造方法，包含：在透明基板上形成金屬膜；以及在所述金屬膜上形成抗蝕劑膜。
本發明之第十八實施例包含第十七實施例之所有特徵，且特徵在於：所述方法可更包含在形成所述金屬膜與形成所述抗蝕劑膜之間，在所述金屬膜上形成硬罩幕膜。
根據本發明之第十九實施例，藉由圖案化第一實施例 至第八實施例中之任一者之金屬膜而製備光罩。
根據本發明之第二十實施例，一種用於製造光罩的方法包含：經由微影及顯影來圖案化第一實施例至第八實施例中之任一者之抗蝕劑膜；以及藉由蝕刻下伏金屬膜來圖案化所述金屬膜。
根據本發明之第二十一實施例，一種用於製造光罩之方法包含：經由微影及顯影來圖案化第九實施例之抗蝕劑膜；蝕刻下伏硬罩幕膜；以及藉由用經蝕刻之硬罩幕膜蝕刻下伏金屬膜來圖案化所述金屬膜。
在下文中，將參考隨附圖式詳細描述具體實施例。
參看圖1，一種用於製造根據例示性實施例之空白罩幕以達成上文所提及之目標的方法之特徵在於：在透明基板10上循序且選擇性地形成金屬膜20及抗蝕劑膜40。
用於製造空白罩幕之方法可包含：a1)製備透明基板10；b1)在操作a1中所製備之透明基板上形成金屬層20；以及c1)在操作b1中所形成之金屬層20上塗覆抗蝕劑以形成抗蝕劑膜40，進而製造二元空白罩幕100。
現將更詳細地描述相應的操作。
在操作a1中，透明基板10由鹼石灰(sodalime)、人造石英(synthetic quartz)、CaF2 或類似物製成，且包含5吋或5吋以上之基板，其具有自i線之波長(365nm)至 ArF雷射(作為微影光源)之波長(193nm)的至少85%或85%以上的透射率。而且，如應用於浸沒式微影(immersion lithography)，透明基板10之特徵在於：在193nm之波長下具有等於或小於4nm/6.35mm之雙折射率(birefringence)。
在操作b1中，金屬膜20之特徵在於包含光屏蔽膜(light shielding film)21及抗反射膜(anti-reflective film)22中之至少一者。光屏蔽膜21及抗反射膜22可為由選自由以下各項組成之族群的至少一者形成的薄膜：鉻(Cr)、鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鈷(Co)、釩(V)、鈀(Pd)、鈮(Nb)、鋅(Zn)、鉿(Hf)、鍺(Ge)、鋁(Al)、鉑(Pt)、錳(Mn)、鐵(Fe)、釕(Ru)、銻(Sb)、鎳(Ni)、鎘(Cd)、鋯(Zr)、錫(Sn)、鎵(Ga)、矽(Si)、鉬(Mo)及金屬矽化物，且可藉由使用選自由以下各項組成之族群的至少一惰性氣體：氬(Ar)、氦(He)、氖(Ne)、氙(Xe)及氪(Kr)以及選自由以下各項組成之族群的至少一活性氣體：氧氣(O2 )、氮氣(N2 )、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2 )、氧化亞氮(N2 O)、一氧化氮(NO)、二氧化氮(NO2 )、氨(NH3 )及甲烷(CH4 )而形成。光屏蔽膜21及抗反射膜22是藉由濺鍍在0.1至10毫托之壓力下以1至10W/cm2 之密度形成。在所形成之金屬膜20為Cr膜之情況下，金屬膜20可以30at%至70at%之組成比率含有Cr，光屏蔽膜21可具有小於1000Å之厚度，抗反射膜22可具有小於500Å之厚度，且金屬膜20可具有大於2.5之 光學密度。
而且，金屬層20之特徵在於：即使在化學物及熱去離子水中沖洗及暴露於光之後，透射率及反射率之均一性變化亦為10%或更小，較佳為5%或更小。
參看圖2，在操作b1中，可進一步在金屬膜20上形成硬罩幕膜30，進而製造硬罩幕空白罩幕200。硬罩幕膜30可包含選自由Cr、Mo、Ta、Si、W及Ti組成之族群的至少一者，且可由氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氧化物、碳氮化物以及氧碳氮化物以反應性濺鍍(reactive sputtering)形成。
在操作b1中，硬罩幕膜30由相對於金屬膜20具有不同蝕刻特性的材料形成。較佳的是，當蝕刻硬罩幕膜30時，硬罩幕膜30相對於金屬膜20具有大於5的蝕刻選擇性，且當蝕刻金屬膜20時，金屬膜20相對於硬罩幕膜具有大於5的蝕刻選擇性。舉例而言，在金屬膜20較佳由包含MoSi之材料形成的情況下，硬罩幕膜30由包含Cr之材料形成，且在金屬膜20由包含Cr之材料形成的情況下，硬罩幕膜30較佳由包含MoSi之材料形成。
在操作b1中，構成金屬層20之光屏蔽膜21及抗反射膜22可由具有不同蝕刻特性的材料形成。當光屏蔽膜21及抗反射膜22由具有不同蝕刻特性的材料形成時，光屏蔽膜21及抗反射膜22相對於彼此充當硬罩幕膜。此時，抗反射膜22及上覆的硬罩幕膜30應由相對於彼此具有不同蝕刻特性的材料形成，但光屏蔽膜21及硬罩幕膜30可 由相同材料形成。在操作b1中，在光屏蔽膜21及硬罩幕膜30由包含MoSi之材料形成的情況下，抗反射膜22由包含Cr之材料形成，且在光屏蔽膜21及硬罩幕膜30由包含Cr之材料形成的情況下，抗反射膜22可由包含MoSi之材料形成。
在操作b1中，當藉由使用臭氧水移除硬罩幕膜30上之抗蝕劑膜時，較佳的是硬罩幕膜30之表面上的反射率之變化在152mm之有效區域內應為2%或更小。較佳的是，硬罩幕膜30具有小於500Å之厚度及小於1kΩ/□之薄層電阻。
而且，硬罩幕膜30之特徵在於：即使在化學物及熱去離子水中沖洗以及暴露於光之後，透射率及反射率之均一性變化亦為10%或更小，較佳為5%或更小。
在操作b1中，用於製造金屬膜20及硬罩幕膜30之目標可由選自由以下各項組成之族群的其中之一者來製備：熱壓(HP)、輥壓(RP)、熱均壓(HIP)以及熔融，且用於製造所述目標之原料應由具有等於或大於4N之純度的粉末製成。在目標由具有小於4N之純度的粉末製成的情況下，製成之目標具有較高的雜質濃度，其導致在形成金屬膜20及硬罩幕膜30時的局部成弧(local arcing)，使得產生大量微粒之機率可增加。而且，雜質對晶粒之行為機制具有影響，使得難以製造具有小於200μm之均一晶粒尺寸的目標。此外，在具有小於200μm之晶粒尺寸之目標中，晶粒尺寸均一性應為20%或更小。
在操作b1中，用於製造金屬膜20及硬罩幕膜30的目標的特徵在於具有小於200μm之晶粒尺寸，較佳小於150μm之晶粒尺寸。當目標之晶粒尺寸高於200μm時，難以使金屬膜20及硬罩幕膜30獲得等於或大於2.0g/cm3 之薄膜密度，且亦難以使金屬膜20及硬罩幕膜30獲得具有小於15nm之晶粒尺寸的密集結構。而且，當目標之晶粒尺寸較大時，在形成金屬膜20及硬罩幕膜30時產生缺陷、微粒及成弧之機率增加，使得金屬膜20及硬罩幕膜30中之缺陷可增加。相反，當濺鍍目標之晶粒尺寸低於200μm時，有可能使金屬膜20及硬罩幕膜30獲得等於或大於2.0g/cm3 之薄膜密度，且亦有可能使金屬膜20及硬罩幕膜30獲得小於20%之薄膜密度之均一性。而且，有可能使金屬膜20及硬罩幕膜30獲得具有小於15nm之晶粒尺寸的密集結構。
在操作b1中，當金屬膜20及硬罩幕膜30之晶粒尺寸低於15nm時，金屬膜20及硬罩幕膜30之密度增加，且因此構成膜之原子之間的鍵(bond)具有穩定結構，使得膜之表面中的能量狀態變得極為穩定。由於膜之表面中的穩定能量狀態，沖洗化學物與膜之表面之間的反應與在具有大於15nm之晶粒尺寸之膜的情況下相比，發生頻率較小，且因此相對於沖洗化學物的可靠性可增強。尤其在形成金屬膜20及硬罩幕膜30之152mm區中之薄膜密度均一性低於20%時，化學物及曝光光在152mm區中均一地起反應，且因此薄膜特性之變化(諸如，在清洗及曝光之後的反射率均一性、厚度均一性、光學密度均一性)是 均一的。
在操作b1中，在形成膜之後，可藉由使用快速熱製程(RTP)或真空烘焙機來執行熱處理，進而改良薄膜之薄膜密度及鍵合特性，以增強相對於沖洗化學物的可靠性。
根據例示性實施例之用於製造光罩的方法的特徵在於包含經由用於製造光罩之典型製程在由操作a1至c1製造之空白罩幕上形成抗蝕劑膜圖案及金屬膜圖案，以及移除不必要的抗蝕劑膜圖案。
在下文中，將參考例示性實施例更全面地描述本發明。提供此等實施例以使得本揭露案將詳盡且完整，且將本發明之範疇完全傳達給熟習此項技術者。此外，本發明僅由申請專利範圍之範疇界定。
(實施例1)
在實施例1中，根據濺鍍目標之晶粒尺寸執行對金屬膜之晶粒尺寸的評估，且亦執行對所製造之金屬膜針對熱去離子水之可靠性的評估。
藉由使用DC磁控濺鍍設備(DC magnetron sputtering equipment)在6×6×0.25吋透明基板上形成光屏蔽膜及抗反射膜，所述設備中使用具有不同晶粒尺寸之Cr目標。藉由使用氣體Ar、N2 及CH4 在1kW之功率及1.5毫托之壓力下形成光屏蔽膜。此時，所形成之光屏蔽膜之厚度為700Å至800Å，且光學密度在193nm處為2.9。此後，藉由使用反應性氣體N2 及CO2 形成抗反射膜。所形成之抗反射膜之厚度為200Å至300Å，且光學密度在193nm處為 18%至19%。相對於所形成之膜執行晶粒尺寸量測及對熱去離子水之抗性評估。藉由使用FE-SEM設備來執行晶粒尺寸量測。藉由將樣本浸入70℃之熱去離子水中歷時1500秒，且接著量測193nm處之反射率之變化，來執行對熱去離子水之抗性評估。表1顯示晶粒尺寸量測結果及針對熱去離子水之可靠性評估結果。
表1顯示在將形成金屬膜之15mm區浸入熱去離子水之後量測到的反射率結果。隨著目標晶粒尺寸增加，金屬膜晶粒尺寸亦增加。此是因為目標晶粒尺寸越小，目標之結構越密集，且因Ar原子之碰撞而導致的目標原子的發射由於目標之各向同性(isotropy)而為均一的。而且，隨著金屬膜晶粒尺寸增加，針對熱去離子水之可靠性減小。此是因為增加之金屬膜晶粒尺寸增加了薄膜中之諸如孔隙等內部缺陷，因此減小了薄膜密度。
因此，為了獲得針對熱去離子水可靠的薄膜，較佳的是，金屬膜應具有小於30nm之晶粒尺寸，且目標應具有小於200μm之晶粒尺寸，更佳的是，金屬膜應具有小於15nm之晶粒尺寸，且目標應具有小於150μm之晶粒尺寸。
雖然實施例1描述金屬膜具有兩層結構，但具有三層或三層以上結構之金屬膜亦可適用於本發明。在金屬膜具有三層結構之情況下，所述三層結構可具有循序堆疊於基板上之光屏蔽膜、抗反射膜及硬罩幕膜的堆疊次序。此時，光屏蔽膜及抗反射膜包含MoSi或MoTaSi作為基底材料，且硬罩幕膜包含Cr作為基底材料。以上金屬之氧化物、碳化物、氮化物、碳氧化物、氮氧化物、碳氮化物以及氧碳氮化物可適用。
(實施例2)
在實施例2中，根據濺鍍目標之晶粒尺寸執行對金屬膜之密度的評估，且亦執行對所製造之金屬膜針對熱去離子水之可靠性的評估。
在與實施例1中之濺鍍條件相同之濺鍍條件下形成金屬膜。所形成之光屏蔽膜之厚度為約700Å，且光學密度在193nm處為2.98。所形成之抗反射膜之厚度為約300Å，且反射率在193nm處為約19%。相對於所形成之金屬膜執行膜密度量測及針對熱去離子水之抗性評估。藉由使用XRP設備來執行膜密度量測。藉由將樣本浸入70℃之熱去離子水中歷時1500秒，且接著量測193nm處反射 率之變化，來執行針對熱去離子水之抗性評估。表2顯示膜密度量測結果及針對熱去離子水之可靠性評估結果。
表2顯示根據目標晶粒尺寸之密度量測結果。隨著目標晶粒尺寸增加，金屬膜之膜密度減少。此是因為增加之目標晶粒尺寸導致異常放電及成弧，且因此構成金屬膜之原子之間的鍵未充分形成，使得膜密度減小且密度均一性增加。膜密度越低，針對熱去離子水之抗性越低。
因此，為了獲得針對熱去離子水可靠的膜，較佳的是，金屬膜應具有等於或大於2.0g/cm3 之膜密度，且目標應具有小於200μm之晶粒尺寸，更佳的是，金屬膜應具有等於或小於2.5g/cm3 之膜密度，且目標應具有等於或小於150μm之晶粒尺寸。
(實施例3)
在實施例3中，根據濺鍍目標之晶粒尺寸執行對金屬膜之密度均一性的評估，且亦執行對所製造之金屬膜針對 熱去離子水之可靠性的評估。在與實施例1及實施例2中之濺鍍條件相同之濺鍍條件下形成金屬膜。所形成之光屏蔽膜之厚度為約710Å，且光學密度在193nm處為2.85。所形成之抗反射膜之厚度為約300Å，且反射率在193nm處為約19%。藉由使用XRP設備來量測所形成之膜的密度均一性。藉由將樣本浸入70℃之熱去離子水中歷時1500秒，且接著量測193nm處反射率之變化，來執行針對熱去離子水之抗性評估。表3顯示相對於具有152mm區之膜的密度均一性量測結果及針對熱去離子水之可靠性評估結果。
表3顯示根據密度均一性之浸入熱去離子水中之後金屬膜之反射率的變化。隨著目標晶粒尺寸增加，金屬膜之密度均一性亦增加。在浸入熱去離子水中之後，反射率範圍亦增加。此是因為非均一膜密度導致化學能量局部集中 於具有較低密度之區，從而增加金屬膜與熱去離子水中之諸如OH或O2- 等離子之間的反應。因此，自上述實驗結果，金屬膜之密度均一性應較佳低於20%，更佳低於10%。
根據本揭露案，有可能經由金屬膜來製造針對沖洗化學物及曝光光具有極佳抗性的空白罩幕，所述金屬膜具有增強之密度、增強之密度均一性以及微結構且穩定之鍵合結構。此高端空白罩幕可延長光罩之壽命，且可無任何誤差地精確地將圖案轉印至晶圓上，從而改良光罩之產量及品質。
10‧‧‧透明基板
20‧‧‧金屬膜
21‧‧‧光屏蔽膜
22‧‧‧抗反射膜
30‧‧‧硬罩幕膜
40‧‧‧抗蝕劑膜
100‧‧‧空白罩幕
自以下結合隨附圖式而進行之描述可更詳細地理解例示性實施例，其中：
圖1是根據例示性實施例之二元空白罩幕之剖視圖。
圖2是根據另一例示性實施例之硬罩幕空白罩幕之剖視圖。
10‧‧‧透明基板
20‧‧‧金屬膜
21‧‧‧光屏蔽膜
22‧‧‧抗反射膜
40‧‧‧抗蝕劑膜
100‧‧‧空白罩幕

Claims (20)

  1. 一種空白罩幕，包括：透明基板；金屬膜，其形成於所述透明基板上；以及抗蝕劑膜，其形成於所述金屬膜上，其中所述金屬膜形成於所述透明基板之152mm區上，且具有等於或小於20%之密度均一性及等於或小於20%之晶粒尺寸均一性。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之空白罩幕，其中所述金屬膜具有等於或大於2.5之光學密度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之空白罩幕，其中形成於所述透明基板之所述152mm區上之所述金屬膜具有等於或小於15nm之晶粒尺寸。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之空白罩幕，其中所述金屬膜在化學物及熱去離子水中沖洗之後具有等於或小於5%之透射率及反射率均一性的變化。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之空白罩幕，其中所述金屬膜具有單層結構或包括至少兩個層的多層結構。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之空白罩幕，其中所述金屬膜為Cr膜，且包括30at%至70at%之鉻(Cr)以及氧、氮及碳中之至少一者。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之空白罩幕，其中所述金屬膜為MoSi膜，且包括1at%至30at%之Mo、15at%至70at%之Si以及氧、氮及碳中之至少一者。
  8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之空白罩幕，更包括形成於所述金屬膜上之硬罩幕膜。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之空白罩幕，其中所述硬罩幕膜具有等於或小於1kΩ之薄層電阻。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之空白罩幕，其中所述硬罩幕膜在化學物及熱去離子水中沖洗之後具有等於或小於5%之透射率及反射率均一性的變化。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之空白罩幕，其中所述金屬膜或所述硬罩幕膜是藉由使用濺鍍目標之濺鍍製程而形成，且所述濺鍍目標具有等於或小於200μm之晶粒尺寸。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之空白罩幕，其中所述濺鍍目標具有等於或小於20%之晶粒尺寸均一性。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之空白罩幕，其中所述濺鍍目標是藉由選自由以下各項組成之族群的其中之一者來製造：熱壓、輥壓、熱均壓以及熔融。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之空白罩幕，其中在形成所述金屬膜及所述硬罩幕膜之後，執行熱處理。
  15. 如申請專利範圍第8項所述之空白罩幕，其中所述熱處理是藉由選自由以下各項組成之族群的其中之一者來執行：快速熱製程(RTP)、真空烘焙機、爐以及熱板。
  16. 一種用於製造如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之空白罩幕的方法，包括：在透明基板上形成金屬膜；以及 在所述金屬膜上形成抗蝕劑膜。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，更包括在所述形成所述金屬膜與所述形成所述抗蝕劑膜之間，在所述金屬膜上形成硬罩幕膜。
  18. 一種藉由圖案化如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之空白罩幕之金屬膜而製備的光罩。
  19. 一種用於製造光罩的方法，包括：經由微影及顯影來圖案化如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之空白罩幕之抗蝕劑膜；以及藉由蝕刻下伏金屬膜來圖案化所述金屬膜。
  20. 一種用於製造光罩之方法，包括：經由微影及顯影來圖案化如申請專利範圍第9項所述之空白罩幕之抗蝕劑膜；蝕刻下伏硬罩幕膜；以及藉由用所述經蝕刻之硬罩幕膜蝕刻下伏金屬膜來圖案化所述金屬膜。
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