JPS5831336A - ホトマスク素材 - Google Patents
ホトマスク素材Info
- Publication number
- JPS5831336A JPS5831336A JP56130460A JP13046081A JPS5831336A JP S5831336 A JPS5831336 A JP S5831336A JP 56130460 A JP56130460 A JP 56130460A JP 13046081 A JP13046081 A JP 13046081A JP S5831336 A JPS5831336 A JP S5831336A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride
- oxide
- chromium
- layer
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002994 raw material Substances 0.000 title abstract 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 23
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 60
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 6
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N lithium nitrate Chemical compound [Li+].[O-][N+]([O-])=O IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001441724 Tetraodontidae Species 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- UOUJSJZBMCDAEU-UHFFFAOYSA-N chromium(3+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Cr+3].[Cr+3] UOUJSJZBMCDAEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 210000000554 iris Anatomy 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 nitride nitride Chemical class 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 210000000115 thoracic cavity Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発−は、半導体装置等の製造工程で使用されるホトマ
スク素材の改良に関する。
スク素材の改良に関する。
半導体装置等の製造において最も重要な工程の一つは微
細パターンを写真食刻法で形成する工程であり、その工
程ではホトマスクが欠かせない材料である。ホトマスク
にはエマルジーンマスク及びハードマスクの２種類があ
るが、近年のパターンの高密度化に伴い、パターン鮮鋭
度及び線幅再現性に優れ、欠陥の少ない−−ドマスクが
高密度化が望まれる半導体装置の製造工程で広（用いら
れている。
細パターンを写真食刻法で形成する工程であり、その工
程ではホトマスクが欠かせない材料である。ホトマスク
にはエマルジーンマスク及びハードマスクの２種類があ
るが、近年のパターンの高密度化に伴い、パターン鮮鋭
度及び線幅再現性に優れ、欠陥の少ない−−ドマスクが
高密度化が望まれる半導体装置の製造工程で広（用いら
れている。
ハードマスクとしては一般的にはクロム、酸化クロム、
酸化鉄およびシリコンの薄膜をガラス郷の透明基板上に
設けたものが使用されている。また写真食刻法で微細バ
ターｙを形成する際、露光用の入射光がクリコンクエバ
ー表面にて反射し、その反射光がマスクの不透明部分の
表置で再反射され、シリコンウェハーに再入射するとと
によりパターンの鮮鋭性および線幅再現性に悪影畳を及
ばすことが知られており、この現象を防止するために金
属り四＾上に酸化クフム膜を積層した所−低反射タイプ
のクロムマスクが広（用いられている。
酸化鉄およびシリコンの薄膜をガラス郷の透明基板上に
設けたものが使用されている。また写真食刻法で微細バ
ターｙを形成する際、露光用の入射光がクリコンクエバ
ー表面にて反射し、その反射光がマスクの不透明部分の
表置で再反射され、シリコンウェハーに再入射するとと
によりパターンの鮮鋭性および線幅再現性に悪影畳を及
ばすことが知られており、この現象を防止するために金
属り四＾上に酸化クフム膜を積層した所−低反射タイプ
のクロムマスクが広（用いられている。
一層ハードマスクの特長としてエマルジ薗ンマヌタとは
異り、使用中に汚れた場合でも洗浄する事により繰返し
使用が可能であるといり長所を有している事が非常に望
ましい、特にシリコンウェハーへの密着焼付によるパタ
ーン転写時に付着したホトレジストの除去には一般的に
熱濃硫酸等の強酸が使用されるため、ホトマスクはこれ
らの強酸に耐丸なければならない。
異り、使用中に汚れた場合でも洗浄する事により繰返し
使用が可能であるといり長所を有している事が非常に望
ましい、特にシリコンウェハーへの密着焼付によるパタ
ーン転写時に付着したホトレジストの除去には一般的に
熱濃硫酸等の強酸が使用されるため、ホトマスクはこれ
らの強酸に耐丸なければならない。
しかし従来の金属りｗＩＪｈ及び酸化クロムの積層によ
り作成されたマヌタではｌ１ｌｌＫ対する耐性が小さい
ため（りかえし使用に限度があった。またり一層と酸化
クロムとではエツチング液に対するエツチング速度が異
るため、微細パターン作成用の本シマスクとしては不十
分なエツチング特性しか得られていない。さらにレジス
ト接着性についても不十分なため微細パターン作成時Ｋ
１１１足な寸法精度が得られないとい５欠点も有してい
る。
り作成されたマヌタではｌ１ｌｌＫ対する耐性が小さい
ため（りかえし使用に限度があった。またり一層と酸化
クロムとではエツチング液に対するエツチング速度が異
るため、微細パターン作成用の本シマスクとしては不十
分なエツチング特性しか得られていない。さらにレジス
ト接着性についても不十分なため微細パターン作成時Ｋ
１１１足な寸法精度が得られないとい５欠点も有してい
る。
本Ｊ１ｋｌｌ！の１的は、繰返し使用するための強酸の
洗浄ＷＬに対し耐性を有し、繰返しの使用に適したホト
マスク基板を提供する事である。
洗浄ＷＬに対し耐性を有し、繰返しの使用に適したホト
マスク基板を提供する事である。
第二の目的は微細パターン作成用ホトヤスク基板を提供
する事である。
する事である。
本発明は酸化状態および窒化状態の異る金属酸化物およ
び／又は金属窒化物の存在する層を支持体の上に形成し
たホトマスク基板に係り、支持体上に直接または間接に
金属酸化物および金属窒化物の混合層または金属窒化物
の層の少くとも一層を設けたホトｆｆｓり基板に関する
。
び／又は金属窒化物の存在する層を支持体の上に形成し
たホトマスク基板に係り、支持体上に直接または間接に
金属酸化物および金属窒化物の混合層または金属窒化物
の層の少くとも一層を設けたホトｆｆｓり基板に関する
。
本発明の金属の酸化物は、金属と酸素との元素比が９９
１１〜３０ ｒ ７０のもので、酸素の比率が高いもの
を高級酸化物といい、低いものを低級酸化物という。
１１〜３０ ｒ ７０のもので、酸素の比率が高いもの
を高級酸化物といい、低いものを低級酸化物という。
本発明の金属の窒化物は、金属と窒素との元素比が９９
１１〜３ｏ３７０のもので、窒素の比率が高いものを高
級窒化物といい、低いものを低級窒化物という。
１１〜３ｏ３７０のもので、窒素の比率が高いものを高
級窒化物といい、低いものを低級窒化物という。
零発−のホトマスク素材は、その構成層中に前記のよう
に金属の窒化物又はこれと酸化物とを搗金物を含有せし
めであるので、耐エツチング性に優れ、しかも均一なエ
ツチングＩＩ＆瑠を行うことが出来る。
に金属の窒化物又はこれと酸化物とを搗金物を含有せし
めであるので、耐エツチング性に優れ、しかも均一なエ
ツチングＩＩ＆瑠を行うことが出来る。
本発明のホトマスク素材は、支持体ｌ上に金属の低級酸
化物と低級窒化物の単一層または混合層２′を形成し、
更にその上に同一金属の高級酸化物と高級窒化物の混合
層又は高級窒化物層３１を積層して構成する。
化物と低級窒化物の単一層または混合層２′を形成し、
更にその上に同一金属の高級酸化物と高級窒化物の混合
層又は高級窒化物層３１を積層して構成する。
前記支持体は、視覚的Ｋａｌ明であるだけでなく、露光
に用いる電ｍ液照射＊に対して透過性を有するもので、
例えばＸＩＩＫ対して透過性であれば良い。又支持体上
に選男中間層が形成されていてもよい。また本発明に用
いられる金属は、クロム、チタン、そりプーン、タンタ
ル、タングステン等エツチング液によって溶解する酸化
物および窒化物となるもので、＊にクロムの酸化物およ
び窒化物が好ましい、これらの金属の酸化物および窒化
物を支持体上に設置する場合は従来公知の方法、例えば
アルゴン、酸素、窒素ガス雰囲気中で金属をスパッタ雫
ンダによりて基板上に形成する事ができる。
に用いる電ｍ液照射＊に対して透過性を有するもので、
例えばＸＩＩＫ対して透過性であれば良い。又支持体上
に選男中間層が形成されていてもよい。また本発明に用
いられる金属は、クロム、チタン、そりプーン、タンタ
ル、タングステン等エツチング液によって溶解する酸化
物および窒化物となるもので、＊にクロムの酸化物およ
び窒化物が好ましい、これらの金属の酸化物および窒化
物を支持体上に設置する場合は従来公知の方法、例えば
アルゴン、酸素、窒素ガス雰囲気中で金属をスパッタ雫
ンダによりて基板上に形成する事ができる。
支持体上の酸化物と窒化物の混合層を形成する際に支持
体に隣接して高級酸化物と高級窒化物の混合層を設層し
、次に低級酸化物または低級窒化物の層を設けるか、こ
れらの混合層を設け、更にその上に高級酸化物と高級窒
化物の混合層を設けてもよく、また最下層が低級酸化物
および／または低級窒化物の層単独、混合層でその上に
高級酸化物と高級窒化物の混合層を積層してもよい。ま
た基板上Ｋｎｅｌｌ中間層を介して前記酸化物と窒化物
の混合層を設けても同様な使用効果が得られる。
体に隣接して高級酸化物と高級窒化物の混合層を設層し
、次に低級酸化物または低級窒化物の層を設けるか、こ
れらの混合層を設け、更にその上に高級酸化物と高級窒
化物の混合層を設けてもよく、また最下層が低級酸化物
および／または低級窒化物の層単独、混合層でその上に
高級酸化物と高級窒化物の混合層を積層してもよい。ま
た基板上Ｋｎｅｌｌ中間層を介して前記酸化物と窒化物
の混合層を設けても同様な使用効果が得られる。
本発明ホトマスク基板は、支持体上に同一金属による酸
化度および窒化度の異る混合層を積層しであるので、洗
浄液に対する耐性に優れ、繰返し使用が可能であり、ま
た従来のエツチング処理、エツチング条件を変える事な
く用いる事ができ、更にエツチング性能に秀れ、微細バ
ーーンに適応できる等よ（所期の目的を達成する事がで
會る。
化度および窒化度の異る混合層を積層しであるので、洗
浄液に対する耐性に優れ、繰返し使用が可能であり、ま
た従来のエツチング処理、エツチング条件を変える事な
く用いる事ができ、更にエツチング性能に秀れ、微細バ
ーーンに適応できる等よ（所期の目的を達成する事がで
會る。
以下に本発明のホトマスタ素材について実施例をあげて
具体的に説明するが、本発明はこれＫｌ！定されるもの
ではない。
具体的に説明するが、本発明はこれＫｌ！定されるもの
ではない。
実施例１
クロムと酸素の元素比が＆） ＋ １５の酸化クロムと
、クロムと窒素の元素比が９０１１０の窒化クロムの混
合層を膜厚１０００ＡＫなる様にガラス基板上に形成し
た。この膜を１２０℃の濃硫酸中に１時間浸漬したが、
膜厚減少は認められなかった。又この膜を硝酸第ト１ウ
ム系のエツチング液でエツチングした場合のエツチング
速度は約２７Ａ／秒であった。Ａターンエツジの凹凸は
±０．０２４ｍ以下で、１０秒間のオーバーエッチによ
るサイドエツチング量はＯ，ＯＳ声票であった。
、クロムと窒素の元素比が９０１１０の窒化クロムの混
合層を膜厚１０００ＡＫなる様にガラス基板上に形成し
た。この膜を１２０℃の濃硫酸中に１時間浸漬したが、
膜厚減少は認められなかった。又この膜を硝酸第ト１ウ
ム系のエツチング液でエツチングした場合のエツチング
速度は約２７Ａ／秒であった。Ａターンエツジの凹凸は
±０．０２４ｍ以下で、１０秒間のオーバーエッチによ
るサイドエツチング量はＯ，ＯＳ声票であった。
実施例２
ターム七酸嵩の元素比が４０１６０の酸化クロムと、り
■ムと窒素の元素比が５０１５０の窒化クロムの混合層
をｌラス基板上に、膜厚が６ｏｏ Ａ’となる様に形成
した。この膜を１２０℃の濃硫酸に１時間浸樟（た後も
膜厚資化は認められなかった。又この膜を硝酸ｊｌｌ−
にリクム系のエツチング波でエツチングした場合のエツ
チング速度、は約２８ｈ／秒であった。バター／エツジ
の閑凸は±０．０２μ寓以下であり、１０秒間のオーバ
ーエッチによるサイドエッチ量はｔＢ０５１１１１Ｌで
あった。
■ムと窒素の元素比が５０１５０の窒化クロムの混合層
をｌラス基板上に、膜厚が６ｏｏ Ａ’となる様に形成
した。この膜を１２０℃の濃硫酸に１時間浸樟（た後も
膜厚資化は認められなかった。又この膜を硝酸ｊｌｌ−
にリクム系のエツチング波でエツチングした場合のエツ
チング速度、は約２８ｈ／秒であった。バター／エツジ
の閑凸は±０．０２μ寓以下であり、１０秒間のオーバ
ーエッチによるサイドエッチ量はｔＢ０５１１１１Ｌで
あった。
実施例３
ガラス基板上にクロムと酸素の比が８５ ＋ １５の酸
化クロムと、クロムと窒素の比が９０ ｔ １０の窒化
り四ムの混合層を膜厚ｓｏｏ Ａ′設け−た後、その上
に上記比がそれぞれ４０１６０％５０！５０の酸化クロ
ムと窒化り田ムの混合層３００Ａ設ゆた。
化クロムと、クロムと窒素の比が９０ ｔ １０の窒化
り四ムの混合層を膜厚ｓｏｏ Ａ′設け−た後、その上
に上記比がそれぞれ４０１６０％５０！５０の酸化クロ
ムと窒化り田ムの混合層３００Ａ設ゆた。
この２層膜を硝酸第２セリクム系のエツチング液でエツ
チングした場合のエツチング完了時間は４秒であった。
チングした場合のエツチング完了時間は４秒であった。
バター／エツジの凹凸は±０．０３Ｓａｔ以下であり、
１０秒間のオーバーエッチによるサイドエッチ量は、０
．１ｓｙｌであった。さらにバターニング後のマスタな
１２０℃濃硫酸に１時間浸漬した場合も透過濃度および
パターン形状の変化は認められなかった。又、レジスジ
との接着性も＾好であり、パターン線巾のバラツキも非
常に小さく抑えられた。（δ≦０．１ａｍ） この結果は第一層目に最上層と同じ混合層を設けた場合
も保持される事は表により明白である。
１０秒間のオーバーエッチによるサイドエッチ量は、０
．１ｓｙｌであった。さらにバターニング後のマスタな
１２０℃濃硫酸に１時間浸漬した場合も透過濃度および
パターン形状の変化は認められなかった。又、レジスジ
との接着性も＾好であり、パターン線巾のバラツキも非
常に小さく抑えられた。（δ≦０．１ａｍ） この結果は第一層目に最上層と同じ混合層を設けた場合
も保持される事は表により明白である。
以上の結果によれば、低級酸化クロムと低級窒化クロム
の混合層と、高級酸化クロムと高級窒化クロムの混合層
を綴金せる事により、従来と同じ九理方法や条件で４６
１１・する事が可能で耐酸性およびエツチング性能の優
れた低反射クロムマスクが得られた。
の混合層と、高級酸化クロムと高級窒化クロムの混合層
を綴金せる事により、従来と同じ九理方法や条件で４６
１１・する事が可能で耐酸性およびエツチング性能の優
れた低反射クロムマスクが得られた。
このマスクを用いれば強酸で繰返し洗浄する事がで１、
洗浄によるマスタの損傷が減少するため、頴晶の−１り
は向上し、ブスト低減がはかれるた第凰Ｅ−−従来の低
反射り冒ムマスタ新璽図（ロ）一本発明の低反射ターム
マスクｍＷ図１は透明基板％２は金属層、３は酸化物層
、ｌは低級酸化物と低級窒化物との混合層 ３１は高級
酸化物と高級窒化物との混合層。
洗浄によるマスタの損傷が減少するため、頴晶の−１り
は向上し、ブスト低減がはかれるた第凰Ｅ−−従来の低
反射り冒ムマスタ新璽図（ロ）一本発明の低反射ターム
マスクｍＷ図１は透明基板％２は金属層、３は酸化物層
、ｌは低級酸化物と低級窒化物との混合層 ３１は高級
酸化物と高級窒化物との混合層。
代理人桑原義美
朽 １ 可
（α）
（ｂ）
手続補正書
昭和５７年１１月１８１１
特許庁長官 若 杉 和 失敗
１ 事件の表示
昭和８６年特許願第 １３０４６０ 号２ 発明の名
称 ホトマスク素材 ３、補正にする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名 称
（＋２７）小西六写真工業株式会社代表取締役 川
本 信 廖 東 補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」および
「発明の詳細な説明」の欄 ７、補正の内容 α） 明細書中篇１頁 特許請求の範囲を別紙の通り補正します。
称 ホトマスク素材 ３、補正にする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名 称
（＋２７）小西六写真工業株式会社代表取締役 川
本 信 廖 東 補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」および
「発明の詳細な説明」の欄 ７、補正の内容 α） 明細書中篇１頁 特許請求の範囲を別紙の通り補正します。
■ 同菖４頁ＩＩ２行目
「ホトヤスク」とあるな「ホトマスク」と訂正し、
ａ） 同第４頁１１１１行目〜第１３行目「酸素の比率
・・・・・・という、」とあるを「団１５０４３０１７
０のものを高級酸化物といい、弱＋１〜５０１５０のも
のを低級酸化物という、」（４） 同第４頁ｇｔｓ行目
〜第１７行目「窒素の比率・・・・・・という、」とあ
るを「一般に９９ｆｌ〜７５稟３のものを低級窒化物と
いい、７５ｇ２５−３０１７０のものを高級窒化物とい
う、」 （５） 同第５頁第４行目 「低級酸化物と低級窒化物」とあるな「低級酸化物およ
び低級窒化物」と訂正し、（６） 同第７頁〜第８頁を
次のように訂正します。
・・・・・・という、」とあるを「団１５０４３０１７
０のものを高級酸化物といい、弱＋１〜５０１５０のも
のを低級酸化物という、」（４） 同第４頁ｇｔｓ行目
〜第１７行目「窒素の比率・・・・・・という、」とあ
るを「一般に９９ｆｌ〜７５稟３のものを低級窒化物と
いい、７５ｇ２５−３０１７０のものを高級窒化物とい
う、」 （５） 同第５頁第４行目 「低級酸化物と低級窒化物」とあるな「低級酸化物およ
び低級窒化物」と訂正し、（６） 同第７頁〜第８頁を
次のように訂正します。
実施例１
り四人と酸素の元素比が８５ ＄ １５の醸化クロムと
と、クロムと窒素の元素比が９０１１０の窒化クロムの
混合層を膜厚１０００ＡＫなる様にガラス基板上に形成
した。この膜を１２０℃の濃硫酸中に１時間浸漬したが
、膜厚減少は認められなかった。又この膜を硝酸第２−
にリウム系のエツチング液でエツチングした場合のエツ
チング速度は約γム／秒であった。パターンエツジの凹
凸は±０．０２声翼以下工、１０秒間のオーバーエッチ
によるサイドエツチング量はＯ，ＯＳμ藁であった。
と、クロムと窒素の元素比が９０１１０の窒化クロムの
混合層を膜厚１０００ＡＫなる様にガラス基板上に形成
した。この膜を１２０℃の濃硫酸中に１時間浸漬したが
、膜厚減少は認められなかった。又この膜を硝酸第２−
にリウム系のエツチング液でエツチングした場合のエツ
チング速度は約γム／秒であった。パターンエツジの凹
凸は±０．０２声翼以下工、１０秒間のオーバーエッチ
によるサイドエツチング量はＯ，ＯＳμ藁であった。
実施例２
ガラス基板上にクロムと酸素の比が約９３＋１０のタ１
ム酸化物層を膜厚８００ム設けた後、その上にり胃ムと
酸素の比が約４０１６０のクロム酸化物と、り四人と窒
素の比が約閏富（資）のクロム窒化物の混合層を膜厚３
００ Ａ設けた。
ム酸化物層を膜厚８００ム設けた後、その上にり胃ムと
酸素の比が約４０１６０のクロム酸化物と、り四人と窒
素の比が約閏富（資）のクロム窒化物の混合層を膜厚３
００ Ａ設けた。
この２層膜を硝酸第２セリクムアンモニクムを主成分と
するエツチング液でエツチングした場合のエツチング完
了時間はψ秒であった、パターンエツジの鮮鋭性は非常
に＊好”Ｃ’あり、１０秒間のオーバーエツチングによ
るナイドエツチング量は０．ＩＪｌｍであった。
するエツチング液でエツチングした場合のエツチング完
了時間はψ秒であった、パターンエツジの鮮鋭性は非常
に＊好”Ｃ’あり、１０秒間のオーバーエツチングによ
るナイドエツチング量は０．ＩＪｌｍであった。
実施例３
ガラス基板上にり四本と酸素の比が約８５ｔ１５のクロ
ム酸化物と、クロムと窒素の比が約９０１１０であるク
ロム窒化物の混合層を膜厚９００ Ａ設けた後、その上
に上記比がそれぞれ４０１６０％５０５ｗであるクロム
酸化物とクロム窒化物の混合層を膜厚３Ｇ０ム設ゆた。
ム酸化物と、クロムと窒素の比が約９０１１０であるク
ロム窒化物の混合層を膜厚９００ Ａ設けた後、その上
に上記比がそれぞれ４０１６０％５０５ｗであるクロム
酸化物とクロム窒化物の混合層を膜厚３Ｇ０ム設ゆた。
この２層膜を硝酸第ト１ウムアン峰エクムを主成分とす
るエツチング液でエツチングした場合のエツチング完了
時間は４秒であった。パターンエツジの鮮鋭性は非常＃
ｃｊＬ好で。
るエツチング液でエツチングした場合のエツチング完了
時間は４秒であった。パターンエツジの鮮鋭性は非常＃
ｃｊＬ好で。
あり、１０秒間のオーバーエツチングによるサイドエツ
チング量は０．０９ａｍであう虎。
チング量は０．０９ａｍであう虎。
実施例４
ガラス基板上にクロムと窒素の比が約８５１１５である
クロ五窒化物層を膜厚８５０ム設けた後、その上ｖｃｐ
ａムと酸素の比が約４０１＆ｌであるクロム酸化物と、
りｑふと窒素の比が約５ｏｓ５０であるクロム窒化物の
混合層を膜厚ＳＯＯ人設けた。
クロ五窒化物層を膜厚８５０ム設けた後、その上ｖｃｐ
ａムと酸素の比が約４０１＆ｌであるクロム酸化物と、
りｑふと窒素の比が約５ｏｓ５０であるクロム窒化物の
混合層を膜厚ＳＯＯ人設けた。
この２層膜を、硝酸ｗｉ２セリクムアンモエ９ムを主成
分とするエツチング液でエツチングした場合のエツチン
グ完了時間は絽秒であった。パターンエツジの鮮鋭性は
非常に良好であり、１０秒間のオーバーエツチングによ
るサイドエツチング量）！０．１μ鴬であった。
分とするエツチング液でエツチングした場合のエツチン
グ完了時間は絽秒であった。パターンエツジの鮮鋭性は
非常に良好であり、１０秒間のオーバーエツチングによ
るサイドエツチング量）！０．１μ鴬であった。
実施例５
ガラス基板上にり四五と酸素の比が約９９＋１０のりｐ
ム酸化物層を膜厚８００ム設けた後、その上にり費ムと
窒素の比が約５１５０であるクロム窒化物層を膜厚３０
０ム設けた。
ム酸化物層を膜厚８００ム設けた後、その上にり費ムと
窒素の比が約５１５０であるクロム窒化物層を膜厚３０
０ム設けた。
この２層膜を硝酸第ト１ウムアン峰二り＾を主成分とす
るエツチング液でエツチングした場合のエツチング完了
時間は菊秒であった。パターンエツジの鮮鋭性は非常に
東野であり、 １０験間のオーバーエツチングによるサ
イドエツチング量は０．ＩＪ票であった。
るエツチング液でエツチングした場合のエツチング完了
時間は菊秒であった。パターンエツジの鮮鋭性は非常に
東野であり、 １０験間のオーバーエツチングによるサ
イドエツチング量は０．ＩＪ票であった。
実施例６
ガラス基板上にクロムと酸素の比が約＄５＋１５のクロ
ム酸化物と、りｐふと窒素の比が約９０１１０であるク
ロム窒化物の混合層を膜厚９ＧＯＡ設けた後、その上に
りμふと窒素の比が約５０１５０であるクー五窒化一層
を膜厚３ｏ。
ム酸化物と、りｐふと窒素の比が約９０１１０であるク
ロム窒化物の混合層を膜厚９ＧＯＡ設けた後、その上に
りμふと窒素の比が約５０１５０であるクー五窒化一層
を膜厚３ｏ。
ム設けた−
この２層膜を硝酸第ト１ウムアン％ｘｔウムを主成分と
するエツチング液でエツチングした場合のエツチング完
了時間は菊秒であった。パターン丹ツジの鮮鋭性は非常
に良好であり、１０秒間のオーバーエツチングによるナ
イドエツチング量は０１１１票であった。
するエツチング液でエツチングした場合のエツチング完
了時間は菊秒であった。パターン丹ツジの鮮鋭性は非常
に良好であり、１０秒間のオーバーエツチングによるナ
イドエツチング量は０１１１票であった。
実施例７
その上にクロムと窒素の比が約！！１５０であるクロム
窒化物層を膜厚３００ ；設けた。
窒化物層を膜厚３００ ；設けた。
この２層膜を硝酸第ト１ウムアｙ峰ニームを主成分とす
るエツチング液でエツチングした場合のエツチング完了
時間はＩ秒であった。パターンエツジの鮮鋭性唸非常に
良好であり、 １０秒間のオーバーエツチングによるサ
イドエツチング量は０．０８μ累であった。
るエツチング液でエツチングした場合のエツチング完了
時間はＩ秒であった。パターンエツジの鮮鋭性唸非常に
良好であり、 １０秒間のオーバーエツチングによるサ
イドエツチング量は０．０８μ累であった。
イスれの場合も、パター；フグ時はフすトレジストとし
てムＺ−１３５０を用い、その膜厚は０．５７１ｍとし
た。
てムＺ−１３５０を用い、その膜厚は０．５７１ｍとし
た。
又、いずれの構成においても、１２０℃の渦硫酸に対し
、十分な耐久性を有していた。
、十分な耐久性を有していた。
実施例８
ガラス基板上にクロムと酸素の比が８５１１５の酸化り
胃ムと、クロムと窒素の比が９０ ＋ １０の窒化りｐ
ムの混合層を膜厚ＳＯＯ；設けた後、その上に上記比が
それぞれ４０１６０，５０１５０の酸化クロムと窒化夕
胃ムの混合層３０ｏム設けた。
胃ムと、クロムと窒素の比が９０ ＋ １０の窒化りｐ
ムの混合層を膜厚ＳＯＯ；設けた後、その上に上記比が
それぞれ４０１６０，５０１５０の酸化クロムと窒化夕
胃ムの混合層３０ｏム設けた。
この２層膜を硝酸第２セリウム系のエツチング液でエツ
チングした場合のエツチング完了時間は４秒であった。
チングした場合のエツチング完了時間は４秒であった。
パターンエツジの凹凸は±０．０３ｊｍ以下であり、１
０秒間のオーバーエッチによるサイドエッチ、量枯２％
＋ ０２１１Ｊ’！Ｉｌｌ ｔ、であった、′ｆ！らに
パターン形状のマスクラ１２０℃濃硫酸に１時間浸漬し
た場合も透過濃度およびパターン形状の変化Ｆｉ認めら
れなかった０又、レジストとの接着性も良好であり、パ
ターｙ線巾のバラツキも非常に小さく抑えられた。、（
Ｊ≦０．１声ｍ’） この結果は腑一層目（最上層と同じ混合層を設けた場合
も保持される事は表により明白である。
０秒間のオーバーエッチによるサイドエッチ、量枯２％
＋ ０２１１Ｊ’！Ｉｌｌ ｔ、であった、′ｆ！らに
パターン形状のマスクラ１２０℃濃硫酸に１時間浸漬し
た場合も透過濃度およびパターン形状の変化Ｆｉ認めら
れなかった０又、レジストとの接着性も良好であり、パ
ターｙ線巾のバラツキも非常に小さく抑えられた。、（
Ｊ≦０．１声ｍ’） この結果は腑一層目（最上層と同じ混合層を設けた場合
も保持される事は表により明白である。
特許請求の範囲
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持体の上側に金属酸化物および金属窒化物の混合
層または金属窒化物の層を少くとも一層を設けたことを
特徴とするホトマスク素材。 化物および高級窒化物の混合層又は金属窒化物層とから
成るマスク層を形成した事を特徴とするホトマスク素材
。 ３ 金属がクロム、チタン、モリブデン、タンタル細よ
びタングステンから選らばれた少くとも一種で島る特許
請求の範ｌ！１ＪＩ１１項および第３項記載のホトマス
ク素材。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56130460A JPS5831336A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | ホトマスク素材 |
| US06/405,724 US4497878A (en) | 1981-08-19 | 1982-08-06 | Photomask material |
| DE8282304358T DE3274320D1 (en) | 1981-08-19 | 1982-08-18 | Photomask material |
| EP82304358A EP0073136B1 (en) | 1981-08-19 | 1982-08-18 | Photomask material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56130460A JPS5831336A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | ホトマスク素材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5831336A true JPS5831336A (ja) | 1983-02-24 |
Family
ID=15034764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56130460A Pending JPS5831336A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | ホトマスク素材 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4497878A (ja) |
| EP (1) | EP0073136B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5831336A (ja) |
| DE (1) | DE3274320D1 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6033555A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-20 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | ドライエッチング用マスク素材 |
| JPS60154254A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-13 | Hoya Corp | フオトマスクブランクとフオトマスク |
| JPS60182439A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | クロムマスク素材 |
| JPS60184672A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-20 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | クロム化合物層の製造方法 |
| JPS61272746A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-03 | Asahi Glass Co Ltd | フオトマスクブランクおよびフオトマスク |
| JPS62153957A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Hoya Corp | フォトマスクブランクとフォトマスク |
| JPH05297570A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクブランクの製造方法 |
| DE102009010854A1 (de) | 2008-02-27 | 2009-10-22 | Hoya Corp. | Fotomaskenrohling, Fotomaske und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| JP2017141482A (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | アルバック成膜株式会社 | 機能部品、機能部品の製造方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4563407A (en) * | 1982-11-16 | 1986-01-07 | Hoya Corporation | Photo-mask blank comprising a shading layer having a variable etch rate |
| DE3461301D1 (en) * | 1983-04-18 | 1987-01-02 | Battelle Development Corp | Hard layer formed by incorporating nitrogen into mo or w metal and method for obtaining this layer |
| US4677042A (en) * | 1984-11-05 | 1987-06-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask structure for lithography, method for preparation thereof and lithographic method |
| DE3600169A1 (de) * | 1985-01-07 | 1986-07-10 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Maskenstruktur zur lithographie, verfahren zu ihrer herstellung und lithographisches verfahren |
| DE3680975D1 (de) * | 1985-08-30 | 1991-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | Photomaskenmaterial. |
| JPS6252550A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク材料 |
| US4803110A (en) * | 1986-09-15 | 1989-02-07 | International Business Machines Corporation | Coated mask for photolithographic construction of electric circuits |
| US5629115A (en) * | 1993-04-30 | 1997-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure mask and method and apparatus for manufacturing the same |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5235513A (en) * | 1975-09-13 | 1977-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Circuit for shaping signal waveform |
| JPS5322426A (en) * | 1972-11-30 | 1978-03-01 | Canon Inc | Electrophotographic photo-sensitive body |
| JPS5325329A (en) * | 1976-06-07 | 1978-03-09 | Amdahl Corp | Data processor system and information scannout |
| JPS5421273A (en) * | 1977-07-19 | 1979-02-17 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture for photo mask |
| JPS54153790A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Fujitsu Ltd | Chromium oxide layer formation |
| JPS57104141A (en) * | 1980-12-22 | 1982-06-29 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask and photomask substrate |
| JPS57135980A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-21 | Hitachi Ltd | Apparatus having video indicator |
| JPS57147634A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-11 | Hoya Corp | Photomask blank |
| JPS57151945A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-20 | Hoya Corp | Photomask blank and its manufacture |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3406043A (en) * | 1964-11-09 | 1968-10-15 | Western Electric Co | Integrated circuit containing multilayer tantalum compounds |
| JPS4939873B1 (ja) * | 1969-10-15 | 1974-10-29 | ||
| US3907620A (en) * | 1973-06-27 | 1975-09-23 | Hewlett Packard Co | A process of forming metallization structures on semiconductor devices |
| US3975003A (en) * | 1973-11-19 | 1976-08-17 | Buford Wesley E | Torch type pipe cutter |
| JPS5517152A (en) * | 1978-07-25 | 1980-02-06 | Fujitsu Ltd | Photo mask |
| DE2851584B2 (de) * | 1978-11-29 | 1980-09-04 | Fried. Krupp Gmbh, 4300 Essen | Verbundkörper |
| DE3170637D1 (en) * | 1980-12-22 | 1985-06-27 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask and photomask blank |
-
1981
- 1981-08-19 JP JP56130460A patent/JPS5831336A/ja active Pending
-
1982
- 1982-08-06 US US06/405,724 patent/US4497878A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-08-18 DE DE8282304358T patent/DE3274320D1/de not_active Expired
- 1982-08-18 EP EP82304358A patent/EP0073136B1/en not_active Expired
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5322426A (en) * | 1972-11-30 | 1978-03-01 | Canon Inc | Electrophotographic photo-sensitive body |
| JPS5235513A (en) * | 1975-09-13 | 1977-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Circuit for shaping signal waveform |
| JPS5325329A (en) * | 1976-06-07 | 1978-03-09 | Amdahl Corp | Data processor system and information scannout |
| JPS5421273A (en) * | 1977-07-19 | 1979-02-17 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture for photo mask |
| JPS54153790A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Fujitsu Ltd | Chromium oxide layer formation |
| JPS57104141A (en) * | 1980-12-22 | 1982-06-29 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask and photomask substrate |
| JPS57135980A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-21 | Hitachi Ltd | Apparatus having video indicator |
| JPS57147634A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-11 | Hoya Corp | Photomask blank |
| JPS57151945A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-20 | Hoya Corp | Photomask blank and its manufacture |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6033555A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-20 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | ドライエッチング用マスク素材 |
| JPH0444735B2 (ja) * | 1983-08-04 | 1992-07-22 | Konishiroku Photo Ind | |
| JPS60154254A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-13 | Hoya Corp | フオトマスクブランクとフオトマスク |
| JPS6319854B2 (ja) * | 1984-01-24 | 1988-04-25 | Hoya Corp | |
| JPS60182439A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | クロムマスク素材 |
| JPS60184672A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-20 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | クロム化合物層の製造方法 |
| JPH0373628B2 (ja) * | 1984-02-29 | 1991-11-22 | Konishiroku Photo Ind | |
| JPS6322575B2 (ja) * | 1984-02-29 | 1988-05-12 | Konika Kk | |
| JPS6363896B2 (ja) * | 1985-05-28 | 1988-12-08 | ||
| JPS61272746A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-03 | Asahi Glass Co Ltd | フオトマスクブランクおよびフオトマスク |
| JPS62153957A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Hoya Corp | フォトマスクブランクとフォトマスク |
| JPH0473940B2 (ja) * | 1985-12-27 | 1992-11-25 | ||
| JPH05297570A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクブランクの製造方法 |
| DE102009010854A1 (de) | 2008-02-27 | 2009-10-22 | Hoya Corp. | Fotomaskenrohling, Fotomaske und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US8137868B2 (en) | 2008-02-27 | 2012-03-20 | Hoya Corporation | Photomask blank, photomask, and methods of manufacturing the same |
| US8137867B2 (en) | 2008-02-27 | 2012-03-20 | Hoya Corporation | Photomask blank, photomask, and methods of manufacturing the same |
| JP2017141482A (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | アルバック成膜株式会社 | 機能部品、機能部品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0073136A1 (en) | 1983-03-02 |
| EP0073136B1 (en) | 1986-11-12 |
| DE3274320D1 (en) | 1987-01-02 |
| US4497878A (en) | 1985-02-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5831336A (ja) | ホトマスク素材 | |
| JP2983020B1 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク | |
| EP1936437B1 (en) | Photomask blank, photomask and fabrication method thereof | |
| KR101330136B1 (ko) | 포토마스크 블랭크 | |
| US4363846A (en) | Photomask and photomask blank | |
| KR101584383B1 (ko) | 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 포토마스크 블랭크의 제조 방법 | |
| KR101263500B1 (ko) | 반투명 적층막, 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 이들의 제조방법 | |
| TW200909999A (en) | Photomask blank, photomask manufacturing method and semiconductor device manufacturing method | |
| JPS6363896B2 (ja) | ||
| KR20070012250A (ko) | 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 이의 제조방법 | |
| TWI354184B (en) | Film-depositing target and preparation of phase sh | |
| JPH0476101B2 (ja) | ||
| JP3037763B2 (ja) | フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法 | |
| TW457399B (en) | Blanks for half tone phase shift mask and half tone phase shift mask | |
| JPS6251461B2 (ja) | ||
| JP3312702B2 (ja) | 位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランクス | |
| TW202141168A (zh) | 光罩基底、光罩基底之製造方法、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法 | |
| JP3041802B2 (ja) | フォトマスクブランク及びフォトマスク | |
| EP0054736B1 (en) | Photomask and photomask blank | |
| JPS6132665B2 (ja) | ||
| CN107229181A (zh) | 相移掩模坯板、相移掩模及显示装置的制造方法 | |
| JPH0434144B2 (ja) | ||
| JP2001147516A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク | |
| JPS6095437A (ja) | フオトマスクブランク | |
| JP3250973B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |