JPS60154254A - フオトマスクブランクとフオトマスク - Google Patents
フオトマスクブランクとフオトマスクInfo
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- JPS60154254A JPS60154254A JP59010650A JP1065084A JPS60154254A JP S60154254 A JPS60154254 A JP S60154254A JP 59010650 A JP59010650 A JP 59010650A JP 1065084 A JP1065084 A JP 1065084A JP S60154254 A JPS60154254 A JP S60154254A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- pattern
- chromium nitride
- film
- chromium
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路及び高密度集積回路等の製造
工程において使用されるフォトマスクブランクとフォト
マスク、特に石英ガラス基板を使用したフォトマスクブ
ランクとフォトマスクの改良に関する。
工程において使用されるフォトマスクブランクとフォト
マスク、特に石英ガラス基板を使用したフォトマスクブ
ランクとフォトマスクの改良に関する。
このフォトマスクブランクとフォトマスクの関係は、例
えば第１図に示すように、先ずフォトマスクブランクが
石英ガラス基板１上にクロムｗｉ２（膜厚：６００〜２
０００人）を被着して基本的に構成され、このフォトマ
スクブランク３を素材にして、第２図に示す工程を経て
、クロム膜を選択的にパターン化してなるフォトマスク
９が得られる。すなわち、第２図（ａ）において、ブラ
ンク３のり０ム膜２上にレジスト４（本例；米国５ｈｉ
ｐｌｅｙ製：ポジ型レジストＨＰ−１３５０、膜厚：
５Ｇ００人）を塗布したー、所望のパターン線幅を得る
べく露光マスク５を通して、レジスト４の上方から遠紫
外光ないし紫外光６（波長＝２００〜４００ｎｌ ）に
より露光する。次に同図（ｂ）において、現像液（本！
ｆＡ；ＨＰ−１３５０専用デベロツパ）により所定時間
（本例ニア０秒）焼機処理して、レジスト露光部分を除
去し、未露光部分に残存レジストパターン７をクロム膜
２上に形成する。次に同図（Ｃ）において、クロムｌ！
２に対応したエツチング液（本例；硝酸セリウムアンモ
ン１６５ｇと過塩素酸（７０％） ４２＃ｌｉ！に純水
を加えて１１の水容液、１９〜２０℃）にて、エツチン
グ時間６０秒でエツチングしてクロムパターン８を形成
する。そして同図（ｄ）において、レジストパターン７
を剥離液（本例；熱濃硫酸と過酸化水素水の混合液）に
て剥離して、クロムパターン８付きのフォトマスク９を
得る。
えば第１図に示すように、先ずフォトマスクブランクが
石英ガラス基板１上にクロムｗｉ２（膜厚：６００〜２
０００人）を被着して基本的に構成され、このフォトマ
スクブランク３を素材にして、第２図に示す工程を経て
、クロム膜を選択的にパターン化してなるフォトマスク
９が得られる。すなわち、第２図（ａ）において、ブラ
ンク３のり０ム膜２上にレジスト４（本例；米国５ｈｉ
ｐｌｅｙ製：ポジ型レジストＨＰ−１３５０、膜厚：
５Ｇ００人）を塗布したー、所望のパターン線幅を得る
べく露光マスク５を通して、レジスト４の上方から遠紫
外光ないし紫外光６（波長＝２００〜４００ｎｌ ）に
より露光する。次に同図（ｂ）において、現像液（本！
ｆＡ；ＨＰ−１３５０専用デベロツパ）により所定時間
（本例ニア０秒）焼機処理して、レジスト露光部分を除
去し、未露光部分に残存レジストパターン７をクロム膜
２上に形成する。次に同図（Ｃ）において、クロムｌ！
２に対応したエツチング液（本例；硝酸セリウムアンモ
ン１６５ｇと過塩素酸（７０％） ４２＃ｌｉ！に純水
を加えて１１の水容液、１９〜２０℃）にて、エツチン
グ時間６０秒でエツチングしてクロムパターン８を形成
する。そして同図（ｄ）において、レジストパターン７
を剥離液（本例；熱濃硫酸と過酸化水素水の混合液）に
て剥離して、クロムパターン８付きのフォトマスク９を
得る。
このフォトマスク９は、シリコン等のつ１ハ表面に塗布
したレジストにそのクロムパターン８を転写Ｊ−る際に
使用され、そのパターン８の線幅Ｗに微細化が目覚まし
く、最近では３μｍ−〉１μｍ程度まで要求されている
。この要求に応えるため、■ソーダライムガラスやアル
ミツボ［１シリケートガラス等の多成分系ガラスと対比
して熱膨張係数が小さい、■遠紫外光を非常に良く透過
する、等の特徴を有する石英ガラスが透明基板として使
用されている。
したレジストにそのクロムパターン８を転写Ｊ−る際に
使用され、そのパターン８の線幅Ｗに微細化が目覚まし
く、最近では３μｍ−〉１μｍ程度まで要求されている
。この要求に応えるため、■ソーダライムガラスやアル
ミツボ［１シリケートガラス等の多成分系ガラスと対比
して熱膨張係数が小さい、■遠紫外光を非常に良く透過
する、等の特徴を有する石英ガラスが透明基板として使
用されている。
そして、この石英ガラス基板１を使用したフォトマスク
９は、ハードマスクとして通常数十回又はそれ以上使用
され、その使用前侵に超音波洗浄（超純水）又はスクラ
ブ沈吟といったマスク洗浄をしな【プればならない。
９は、ハードマスクとして通常数十回又はそれ以上使用
され、その使用前侵に超音波洗浄（超純水）又はスクラ
ブ沈吟といったマスク洗浄をしな【プればならない。
しかしながら、−Ｖ記洗浄工程において特に超音波洗浄
を経たノ第１・マスク９は、第３図に示すようにクロム
パターン８の周縁部分１０やその周縁部分下の石英ガラ
ス部分１１が１平方インチ当り数個へ・数１個も欠落す
るという欠点があった。このりし１ムパターン８の欠落
は当然にして、半導体集積回路等のパターンにそのまま
転写されて欠損を発生させることから、フォトマスクと
して致命的欠陥となる。
を経たノ第１・マスク９は、第３図に示すようにクロム
パターン８の周縁部分１０やその周縁部分下の石英ガラ
ス部分１１が１平方インチ当り数個へ・数１個も欠落す
るという欠点があった。このりし１ムパターン８の欠落
は当然にして、半導体集積回路等のパターンにそのまま
転写されて欠損を発生させることから、フォトマスクと
して致命的欠陥となる。
本発明の目的は、洗浄工程後におけるパターン欠落を防
止したフォトマスク、その素材となるフォトマスクブラ
ンクを提供することであり、その目的を達成さぼるため
、本発明は、澤明勢隼上に２層以トの遮光性膜を被着し
、第、１．１円が＾ｒζＮ２の混合ガス中のＮ２ガス含
有率Ｃ＜＝ ８２．、、／、（、Ａｒ十Ｎ２）％）を１
０＋、り大きり５０％以、下５、膜厚工（入）＠５０人
よ、り大きり５００Å以下叫して、かつ前、記Ｎ２．、
ガス含有率Ｃが前記膜厚ｒとの関係式Ｃ≧（１Ｇ００／
（Ｔ−５０） ） ＋１０を満足した窒化クロム膜（
Ｃｒ Ｎ ）であるフォトマスク、ブランク、更に、こ
安ブランクを素材にして前記遮光性、膜を選択１卿、に
パターン化したフォトマスクである。
止したフォトマスク、その素材となるフォトマスクブラ
ンクを提供することであり、その目的を達成さぼるため
、本発明は、澤明勢隼上に２層以トの遮光性膜を被着し
、第、１．１円が＾ｒζＮ２の混合ガス中のＮ２ガス含
有率Ｃ＜＝ ８２．、、／、（、Ａｒ十Ｎ２）％）を１
０＋、り大きり５０％以、下５、膜厚工（入）＠５０人
よ、り大きり５００Å以下叫して、かつ前、記Ｎ２．、
ガス含有率Ｃが前記膜厚ｒとの関係式Ｃ≧（１Ｇ００／
（Ｔ−５０） ） ＋１０を満足した窒化クロム膜（
Ｃｒ Ｎ ）であるフォトマスク、ブランク、更に、こ
安ブランクを素材にして前記遮光性、膜を選択１卿、に
パターン化したフォトマスクである。
本発明は前述したように第１−の窒化クロム膜（窒化ク
ロムパターン）に特徴があり、第２層以降の膜についで
は、クロム（Ｃｒ） 、り、ングステン（Ｗ）、タンタ
ル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ、）、ニオブ（、Ｎｐ）及
びモリブデン〈ＨＯ）等や、これら酸化物、酸化窒化物
、炭化物、炭化窒化物からなる遮光性膜であればよい。
ロムパターン）に特徴があり、第２層以降の膜についで
は、クロム（Ｃｒ） 、り、ングステン（Ｗ）、タンタ
ル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ、）、ニオブ（、Ｎｐ）及
びモリブデン〈ＨＯ）等や、これら酸化物、酸化窒化物
、炭化物、炭化窒化物からなる遮光性膜であればよい。
酸化物（例；Ｃｒｙ）や酸化窒化物（例：ｃｒ ＯＮ
”）は表面区割防止膜として作用、し、炭化物（例；、
Ｃｒ Ｃ）や炭化λ化物（例；Ｃｒｘ Ｃｙ Ｈｚ ）
はエツチング時間−５− 及びパターン線幅の各制御等として作用する。また本発
明は、透明基板としてソーダライムガラス、アルミノボ
ロシリク−トガラス等の各種硝種の多成分系ガラス基板
でもよいが、特に石英ガラス基板を使用した場合、本軸
明の効果を顕著に奏する。
”）は表面区割防止膜として作用、し、炭化物（例；、
Ｃｒ Ｃ）や炭化λ化物（例；Ｃｒｘ Ｃｙ Ｈｚ ）
はエツチング時間−５− 及びパターン線幅の各制御等として作用する。また本発
明は、透明基板としてソーダライムガラス、アルミノボ
ロシリク−トガラス等の各種硝種の多成分系ガラス基板
でもよいが、特に石英ガラス基板を使用した場合、本軸
明の効果を顕著に奏する。
１第１図及び第５図はそれぞれ本発明による末施例のフ
ォトマスクブランク１４及びフォトマスク１１を示す。
ォトマスクブランク１４及びフォトマスク１１を示す。
表面を精密研摩した石英ガラス基板１上に、第１−とじ
て、真空度２ Ｘ １０ （Ｔｏｒｒ）のＡｒガス雰囲
気中でＮ２２Ｊスを下記の含有率に設定すると共に、１
．膜厚も種々設定して、プレーナマグネトロン直流スパ
ッタリングにより窒化クロム膜 。
て、真空度２ Ｘ １０ （Ｔｏｒｒ）のＡｒガス雰囲
気中でＮ２２Ｊスを下記の含有率に設定すると共に、１
．膜厚も種々設定して、プレーナマグネトロン直流スパ
ッタリングにより窒化クロム膜 。
（Ｃｒ 、Ｎ 、） １２を被着し、次に第２層として
、はぼ同一真空度のＡｒガス雰囲気中でクロム膜（Ｃｒ
）１３を同様のスパッタリングにより被着して、フォ１
〜マス、クブランク１４を製造した。なお、第１層と箱
２層の合計膜厚は、光学濃度（０，Ｄ、 ）を２．５以
上の値、（本例＝３．０土０，１）を得るように定め、
６００〜２０００人の範囲内であった。そして、第２図
に示９た工程と同様な４工程を経て、石英ガラス基−６
− 板１上に、パターン線幅Ｗ（本例：２μｍ）を有づる窒
化クロムパターン１５とその上にクロムパターン１６の
遮光性パターンを形成して、フォトマスク１１を製造し
た。
、はぼ同一真空度のＡｒガス雰囲気中でクロム膜（Ｃｒ
）１３を同様のスパッタリングにより被着して、フォ１
〜マス、クブランク１４を製造した。なお、第１層と箱
２層の合計膜厚は、光学濃度（０，Ｄ、 ）を２．５以
上の値、（本例＝３．０土０，１）を得るように定め、
６００〜２０００人の範囲内であった。そして、第２図
に示９た工程と同様な４工程を経て、石英ガラス基−６
− 板１上に、パターン線幅Ｗ（本例：２μｍ）を有づる窒
化クロムパターン１５とその上にクロムパターン１６の
遮光性パターンを形成して、フォトマスク１１を製造し
た。
本発明のフォトマスク１１における特徴である第１１４
の窒化クロムパターン１５は、その膜厚［（入）とＡｒ
ガス雰囲気中のＮ２ガスの含有率Ｃ（＝Ｎ２／ （Ａｒ
＋８２ ） ）をそれぞれ変えて試作して、所定の超音
波洗浄（本例；超純水、出力６００Ｗ 、周波数２８ｋ
Ｈｚ ）を受けた後のパターン欠落密度（個／平方イン
チ）を観測し、そのパターン欠落密度をパラメータと１
ノで、前述した膜厚ＴどＮ２ガス含有率Ｃとの間に第６
図に示すような特性関係が存在することを見い出した。
の窒化クロムパターン１５は、その膜厚［（入）とＡｒ
ガス雰囲気中のＮ２ガスの含有率Ｃ（＝Ｎ２／ （Ａｒ
＋８２ ） ）をそれぞれ変えて試作して、所定の超音
波洗浄（本例；超純水、出力６００Ｗ 、周波数２８ｋ
Ｈｚ ）を受けた後のパターン欠落密度（個／平方イン
チ）を観測し、そのパターン欠落密度をパラメータと１
ノで、前述した膜厚ＴどＮ２ガス含有率Ｃとの間に第６
図に示すような特性関係が存在することを見い出した。
こ）′ｃ１パターン欠落密度（個／平方インチ）とは、
大きさ１μｍ以Ｆの欠落が１平方インチ当り、何個存在
するかを示ずものであり、本例では同一条件で２０枚の
フォトマスクを試作して、パターン欠落密度の観測値の
平均値を採用した。
大きさ１μｍ以Ｆの欠落が１平方インチ当り、何個存在
するかを示ずものであり、本例では同一条件で２０枚の
フォトマスクを試作して、パターン欠落密度の観測値の
平均値を採用した。
第６図の特性図において、曲線ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅは
、パターン欠落密度（個／平方インチ）がそれぞれ０．
６． ０．５． ０゜４． ０．３及び０．２であると
きの特性曲線である。このパターン欠落密度は実用上０
．５（個／平方インチ）以下であることが望ましいこと
から、前記曲線すにおける膜厚Ｔ（入）とＮ２ガス含有
率Ｃとの関係式をめ（Ｃ＝ （１０００／ （Ｔ−５０
） ） ＋１０） 、この関係式がＣ≧（１０００／（
丁−５０）〕→〜１０であって、がっＣ〉１０％、■＞
５０人であることが第１の条件になる。
、パターン欠落密度（個／平方インチ）がそれぞれ０．
６． ０．５． ０゜４． ０．３及び０．２であると
きの特性曲線である。このパターン欠落密度は実用上０
．５（個／平方インチ）以下であることが望ましいこと
から、前記曲線すにおける膜厚Ｔ（入）とＮ２ガス含有
率Ｃとの関係式をめ（Ｃ＝ （１０００／ （Ｔ−５０
） ） ＋１０） 、この関係式がＣ≧（１０００／（
丁−５０）〕→〜１０であって、がっＣ〉１０％、■＞
５０人であることが第１の条件になる。
次に、第１層の窒化クロムパターン１５の膜厚゛「と混
合ガス中のＮ２ガスの含有率Ｃの各上限値について説明
する。先ず、窒化り【コムパターン１５は、前述したエ
ツチング工程（第２図（Ｃ））においで、エツチングが
等方性に進行することから、第７図に示すようにその断
面が膜厚Ｔを半径とする円の１／４部分でエツチングを
終了し、そのパターンの両側でアンダーカット量が２１
になる。そして、パターン線幅Ｗの精度として０．１μ
ｎ＋（ｉｏｏ。
合ガス中のＮ２ガスの含有率Ｃの各上限値について説明
する。先ず、窒化り【コムパターン１５は、前述したエ
ツチング工程（第２図（Ｃ））においで、エツチングが
等方性に進行することから、第７図に示すようにその断
面が膜厚Ｔを半径とする円の１／４部分でエツチングを
終了し、そのパターンの両側でアンダーカット量が２１
になる。そして、パターン線幅Ｗの精度として０．１μ
ｎ＋（ｉｏｏ。
ム）を確保するために前述したアンダーカット量 （（
２丁）を１０００Å以下（２「６１０００人）、すなわ
ち窒化クロムパターン１５の膜厚Ｔは本発明では５００
Å以下にする必要がある。
２丁）を１０００Å以下（２「６１０００人）、すなわ
ち窒化クロムパターン１５の膜厚Ｔは本発明では５００
Å以下にする必要がある。
次に、＾「とＮ２の混合ガス中のＮ２ガス含有率Ｃにつ
いては、それが増大するに従って、エツチング工程にお
いてエツチング速度が増大する□傾向にあり、特に５０
％を超えると過度に増大し、実用上エツチング制御可能
なエッチング速度１′ＯＯ人／秒を超えてしまうことか
ら、本発明では５０％以１ζにする必要がある。
いては、それが増大するに従って、エツチング工程にお
いてエツチング速度が増大する□傾向にあり、特に５０
％を超えると過度に増大し、実用上エツチング制御可能
なエッチング速度１′ＯＯ人／秒を超えてしまうことか
ら、本発明では５０％以１ζにする必要がある。
したがって、本発明におけるフォトマスクの第１層の窒
化クロムパターン１５（ブランク１４においては窒化ク
ロム膜１２）は、ＡｒとＮ２の混合ガス中のＮ２ガス含
有率Ｃを１０％より大きり５０％以下にし、その膜厚Ｔ
を５０人より大きり５００Å以下にし、て、かつＮ２ガ
ス含右率Ｃと膜厚°「とがＣ≧（，１０（ｊｑ’／ （
Ｔ −５０） ） ＋ １０ｔｒ満足’することが条件
になり、これによって本発明は、パターン線幅及びエツ
チング速度の各制御を可能にｌると共に、パターン欠落
を所望値以下に防止することができる。
化クロムパターン１５（ブランク１４においては窒化ク
ロム膜１２）は、ＡｒとＮ２の混合ガス中のＮ２ガス含
有率Ｃを１０％より大きり５０％以下にし、その膜厚Ｔ
を５０人より大きり５００Å以下にし、て、かつＮ２ガ
ス含右率Ｃと膜厚°「とがＣ≧（，１０（ｊｑ’／ （
Ｔ −５０） ） ＋ １０ｔｒ満足’することが条件
になり、これによって本発明は、パターン線幅及びエツ
チング速度の各制御を可能にｌると共に、パターン欠落
を所望値以下に防止することができる。
前記した条件の数値は実験結果によりめたもの ９−
であり、その許容差は１１０％である。
英ガラス基板１に代えてソーダラ、イムガラス等の多成
分系ガラス基板を使用してもよいし、成膜法としてスパ
ッタリングに代えて真空蒸着やイオンプレーティングを
使ｌしてもよい。また、第２層以降の膜としてクロム膜
１３に代まて門ングス讐ン膜や、酸化クロム膜（ｃｒ
ｏ ＞等の酸化物、酸化窒化りＯム膜（Ｃｒ ＯＮ ）
・等の酸化窒化物、炭化りＯム膜（Ｃｒ Ｃ）等の炭化
物及び炭化窒化クロム膜（Ｃｒ ＣＮ ）等の炭化窒化
物の各遮光性膜゛を個々のブランク、フォトマスクの使
用目的に応じて成膜してもよい。第８図及び第９図は、
それぞれ表面反射防止膜として第３層に酸化クロム膜（
Ｃｒ Ｏ）、１８及び酸化クロムパターン２０を７使用
したフォトマスクブランク１９及びフォトマスク２１を
示す。 ５ 以上の通り、本発明によれば、従来、特に６英ガラス基
板を使用したフォトマスクにおいてパターン欠落が顕著
に発生していたのに対し、そのパ １０− ターン欠落を防止することができることがら、その価値
はフォトマスク業界にあって絶大である。
分系ガラス基板を使用してもよいし、成膜法としてスパ
ッタリングに代えて真空蒸着やイオンプレーティングを
使ｌしてもよい。また、第２層以降の膜としてクロム膜
１３に代まて門ングス讐ン膜や、酸化クロム膜（ｃｒ
ｏ ＞等の酸化物、酸化窒化りＯム膜（Ｃｒ ＯＮ ）
・等の酸化窒化物、炭化りＯム膜（Ｃｒ Ｃ）等の炭化
物及び炭化窒化クロム膜（Ｃｒ ＣＮ ）等の炭化窒化
物の各遮光性膜゛を個々のブランク、フォトマスクの使
用目的に応じて成膜してもよい。第８図及び第９図は、
それぞれ表面反射防止膜として第３層に酸化クロム膜（
Ｃｒ Ｏ）、１８及び酸化クロムパターン２０を７使用
したフォトマスクブランク１９及びフォトマスク２１を
示す。 ５ 以上の通り、本発明によれば、従来、特に６英ガラス基
板を使用したフォトマスクにおいてパターン欠落が顕著
に発生していたのに対し、そのパ １０− ターン欠落を防止することができることがら、その価値
はフォトマスク業界にあって絶大である。
第１図は従来のフォトマスクブランクを丞ず断面図、第
２図は従来のフォトマスクの製造工程を示す断面図、第
３図は従来のフォトマスクを示す斜視図、第４図及び第
５図はそれぞれ本発明による実施例であるフォトマスク
ブランク及びフォトマスクを示す断面図、第６図は本発
明によるフォトマスクの第１層（窒化クロムパターン）
の膜厚ＴとＮ２ガス含有率Ｃとの特性図、第７図は本発
明におけるフォトマスクのアンダーカット量を示す断面
図、並びに第８図及び第９図はそれぞれ本発明による他
の実施例であるフォトマスクブランク及びフォトマスク
を示す断面図である。 １・・・石英ガラス基板、１２・・・窒化クロム膜、１
３・・・クロム膜、１４．１９・・・フォトマスクブラ
ンク、１５・・・窒化クロムパターン、１６・・・クロ
ムパターン、１７．２１φ・・フォトマスク、１８・・
・酸化クロム膜、２０・・・酸化りＯムパター １１− ン。 ｊ′ １２− 第１ｖ！Ｉ 第４図 第６図 第１１の融層■ 第７図 第８図 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １．事件の表示 昭和５９年特許願第１０６５０号２、
発明の名称 ノオト？スクブランクとフォトマスク ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区西新宿１丁目１３番１２号＠ １６
０ 置 ０３（３４８） １２２１ホ ヤ ガラス 名称 株式会社 保 谷 硝 子 （発送日：昭和５９年４月２４日） ５、補正の対象 明細書全文 ６、補正の内容 明細書全文を別紙の通り釘止づる。 ３９３−
２図は従来のフォトマスクの製造工程を示す断面図、第
３図は従来のフォトマスクを示す斜視図、第４図及び第
５図はそれぞれ本発明による実施例であるフォトマスク
ブランク及びフォトマスクを示す断面図、第６図は本発
明によるフォトマスクの第１層（窒化クロムパターン）
の膜厚ＴとＮ２ガス含有率Ｃとの特性図、第７図は本発
明におけるフォトマスクのアンダーカット量を示す断面
図、並びに第８図及び第９図はそれぞれ本発明による他
の実施例であるフォトマスクブランク及びフォトマスク
を示す断面図である。 １・・・石英ガラス基板、１２・・・窒化クロム膜、１
３・・・クロム膜、１４．１９・・・フォトマスクブラ
ンク、１５・・・窒化クロムパターン、１６・・・クロ
ムパターン、１７．２１φ・・フォトマスク、１８・・
・酸化クロム膜、２０・・・酸化りＯムパター １１− ン。 ｊ′ １２− 第１ｖ！Ｉ 第４図 第６図 第１１の融層■ 第７図 第８図 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １．事件の表示 昭和５９年特許願第１０６５０号２、
発明の名称 ノオト？スクブランクとフォトマスク ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区西新宿１丁目１３番１２号＠ １６
０ 置 ０３（３４８） １２２１ホ ヤ ガラス 名称 株式会社 保 谷 硝 子 （発送日：昭和５９年４月２４日） ５、補正の対象 明細書全文 ６、補正の内容 明細書全文を別紙の通り釘止づる。 ３９３−
Claims (2)
- （１） 透明基板上に２層以上の遮光性膜を被着したフ
ォトマスクブランクにおいて、第１層がＡｒガスとＮ２
ガスの混合ガス中（７） Ｎ２ガス含有率Ｃ（％）を１
０％より大きり５０％以下、膜厚丁（入）を５０人より
大きり５００Å以下にして、かつ前記Ｎ２ガス含有率Ｃ
が前記膜厚Ｔとの関係式Ｃ≧（１０００／ （Ｔ−５０
） ） ＋１０を満足した窒化クロム膜であることを特
徴とするフォトマスクブランク。 - （２） 透明基板上に２層以上の遮光性膜を被着して、
前記遮光性膜を選択的にパターン化したフォトマスクに
おいて、第１層が＾「ガスとＮ２ガスの混合ガス中のＮ
２ガス含有率Ｃ（％）を１０％より大きり５０％以下、
膜厚Ｔ（入）を５０人より太き（５００Å以下にして、
かつ前記Ｎ２ガス含有率Ｃが前記膜厚Ｔとの関係式Ｃ≧
（１０００／ （Ｔ−５０） ）＋１０を満聞した窒化
クロム膜であることを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59010650A JPS60154254A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | フオトマスクブランクとフオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59010650A JPS60154254A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | フオトマスクブランクとフオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154254A true JPS60154254A (ja) | 1985-08-13 |
| JPS6319854B2 JPS6319854B2 (ja) | 1988-04-25 |
Family
ID=11756093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59010650A Granted JPS60154254A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | フオトマスクブランクとフオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60154254A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54153790A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Fujitsu Ltd | Chromium oxide layer formation |
| JPS57104141A (en) * | 1980-12-22 | 1982-06-29 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask and photomask substrate |
| JPS57147634A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-11 | Hoya Corp | Photomask blank |
| JPS5831336A (ja) * | 1981-08-19 | 1983-02-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | ホトマスク素材 |
-
1984
- 1984-01-24 JP JP59010650A patent/JPS60154254A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54153790A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Fujitsu Ltd | Chromium oxide layer formation |
| JPS57104141A (en) * | 1980-12-22 | 1982-06-29 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask and photomask substrate |
| JPS57147634A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-11 | Hoya Corp | Photomask blank |
| JPS5831336A (ja) * | 1981-08-19 | 1983-02-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | ホトマスク素材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6319854B2 (ja) | 1988-04-25 |
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Legal Events
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |