JPS6319854B2 - - Google Patents
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- JPS6319854B2 JPS6319854B2 JP1065084A JP1065084A JPS6319854B2 JP S6319854 B2 JPS6319854 B2 JP S6319854B2 JP 1065084 A JP1065084 A JP 1065084A JP 1065084 A JP1065084 A JP 1065084A JP S6319854 B2 JPS6319854 B2 JP S6319854B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路及び高密度集積回路
等の製造工程において使用されるフオトマスクブ
ランクとフオトマスク、特に石英ガラス基板を使
用したフオトマスクブランクとフオトマスクの改
良に関する。
等の製造工程において使用されるフオトマスクブ
ランクとフオトマスク、特に石英ガラス基板を使
用したフオトマスクブランクとフオトマスクの改
良に関する。
このフオトマスクブランクとフオトマスクの関
係は、例えば第１図に示すように、先ずフオトマ
スクブランクが石英ガラス基板１上にクロム膜２
（膜厚：600〜2000Å）を被着して基本的に構成さ
れ、このフオトマスクブランク３を素材にして、
第２図に示す工程を経て、クロム膜を選択的にパ
ターン化してなるフオトマスク９が得られる。す
なわち、第２図ａにおいて、ブランク３のクロム
膜２上にレジスト４（本例；米国Shipley製：ポ
ジ型レジストMP−1350、膜厚：5000Å）を塗布
した後、所望のパターン線幅を得るべく露光マス
ク５を通して、レジスト４の上方から遠紫外光な
いし紫外光６（波長；200〜400nｍ）により露光
する。次に同図ｂにおいて、現像液（本例；MP
−1350専用デベロツパ）により所定時間（本例；
70秒）現像処理して、レジスト露光部分を除去
し、未露光部分に残存レジストパターン７をクロ
ム膜２上に形成する。次に同図ｃにおいて、クロ
ム膜２に対応したエツチング液（本例；硝酸セリ
ウムアンモン165ｇと過塩素酸（70％）42mlに純
水を加えて１の水容液、19〜20℃）にて、エツ
チング時間60秒でエツチングしてクロムパターン
８を形成する。そして同図ｄにおいて、レジスト
パターン７を剥離液（本例；熱濃硫酸と過酸化水
素水の混合液）にて剥離して、クロムパターン８
付きのフオトマスク９を得る。
係は、例えば第１図に示すように、先ずフオトマ
スクブランクが石英ガラス基板１上にクロム膜２
（膜厚：600〜2000Å）を被着して基本的に構成さ
れ、このフオトマスクブランク３を素材にして、
第２図に示す工程を経て、クロム膜を選択的にパ
ターン化してなるフオトマスク９が得られる。す
なわち、第２図ａにおいて、ブランク３のクロム
膜２上にレジスト４（本例；米国Shipley製：ポ
ジ型レジストMP−1350、膜厚：5000Å）を塗布
した後、所望のパターン線幅を得るべく露光マス
ク５を通して、レジスト４の上方から遠紫外光な
いし紫外光６（波長；200〜400nｍ）により露光
する。次に同図ｂにおいて、現像液（本例；MP
−1350専用デベロツパ）により所定時間（本例；
70秒）現像処理して、レジスト露光部分を除去
し、未露光部分に残存レジストパターン７をクロ
ム膜２上に形成する。次に同図ｃにおいて、クロ
ム膜２に対応したエツチング液（本例；硝酸セリ
ウムアンモン165ｇと過塩素酸（70％）42mlに純
水を加えて１の水容液、19〜20℃）にて、エツ
チング時間60秒でエツチングしてクロムパターン
８を形成する。そして同図ｄにおいて、レジスト
パターン７を剥離液（本例；熱濃硫酸と過酸化水
素水の混合液）にて剥離して、クロムパターン８
付きのフオトマスク９を得る。
このフオトマスク９は、シリコン等のウエハ表
面に塗布したレジストにそのクロムパターン８を
転写する際に使用され、そのパターン８の線幅Ｗ
に微細化が目覚ましく、最近では3μｍ→1μｍ程
度まで要求されている。この要求に応えるため、
ソーダライムガラスやアルミノボロシリケート
ガラス等の多成分系ガラスと対比して熱膨脹係数
が小さい、遠紫外光を非常に良く透過する、等
の特徴を有する石英ガラスが透明基板として使用
されている。
面に塗布したレジストにそのクロムパターン８を
転写する際に使用され、そのパターン８の線幅Ｗ
に微細化が目覚ましく、最近では3μｍ→1μｍ程
度まで要求されている。この要求に応えるため、
ソーダライムガラスやアルミノボロシリケート
ガラス等の多成分系ガラスと対比して熱膨脹係数
が小さい、遠紫外光を非常に良く透過する、等
の特徴を有する石英ガラスが透明基板として使用
されている。
そして、この石英ガラス基板１を使用したフオ
トマスク９は、ハードマスクとして通常数十回又
はそれ以上使用され、その使用前後に超音波洗浄
（超純水）又はスクラブ洗浄といつたマスク洗浄
をしなければならない。
トマスク９は、ハードマスクとして通常数十回又
はそれ以上使用され、その使用前後に超音波洗浄
（超純水）又はスクラブ洗浄といつたマスク洗浄
をしなければならない。
しかしながら、上記洗浄工程において特に超音
波洗浄を経たフオトマスク９は、第３図に示すよ
うにクロムパターン８の周縁部分１０やその周縁
部分下の石英ガラス部分１１が１平方インチ当り
数個〜数十個も欠落するという欠点があつた。こ
のクロムパターン８の欠落は当然にして、半導体
集積回路等のパターンにそのまま転写されて欠損
を発生させることから、フオトマスクとして致命
的欠陥となる。
波洗浄を経たフオトマスク９は、第３図に示すよ
うにクロムパターン８の周縁部分１０やその周縁
部分下の石英ガラス部分１１が１平方インチ当り
数個〜数十個も欠落するという欠点があつた。こ
のクロムパターン８の欠落は当然にして、半導体
集積回路等のパターンにそのまま転写されて欠損
を発生させることから、フオトマスクとして致命
的欠陥となる。
本発明の目的は、洗浄工程後におけるパターン
欠落を防止したフオトマスク、その素材となるフ
オトマスクブランクを提供することであり、その
目的を達成させるため、本発明は、透明基板上に
２層以上の遮光性膜を被着し、第１層がArとN2
の混合ガス中のN2ガス含有率Ｃ（＝N2／（Ar＋
N2）％）を10より大きく50％以下、膜厚Ｔ（Å）
を50Åより大きく500Å以下にして、かつ前記N2
ガス含有率Ｃが前記膜厚Ｔとの関係式Ｃ≧
〔1000／（Ｔ−50）〕＋10を満足した窒化クロム膜
（CrxNy）であるフオトマスクブランク、更にこ
のブランクを素材にして前記遮光性膜を選択的に
パターン化したフオトマスクである。
欠落を防止したフオトマスク、その素材となるフ
オトマスクブランクを提供することであり、その
目的を達成させるため、本発明は、透明基板上に
２層以上の遮光性膜を被着し、第１層がArとN2
の混合ガス中のN2ガス含有率Ｃ（＝N2／（Ar＋
N2）％）を10より大きく50％以下、膜厚Ｔ（Å）
を50Åより大きく500Å以下にして、かつ前記N2
ガス含有率Ｃが前記膜厚Ｔとの関係式Ｃ≧
〔1000／（Ｔ−50）〕＋10を満足した窒化クロム膜
（CrxNy）であるフオトマスクブランク、更にこ
のブランクを素材にして前記遮光性膜を選択的に
パターン化したフオトマスクである。
本発明は前述したように第１層の窒化クロム膜
（窒化クロムパターン）に特徴があり、第２層以
降の膜については、クロム（Cr）、タングステン
（Ｗ）、タンタル（Ta）、バナジウム（Ｖ）、ニオ
ブ（Nb）及びモリブデン（Mo）等や、これら酸
化物、酸化窒化物、炭化物、炭化窒化物からなる
遮光性膜であればよい。酸化物（例；CrxOy）や
酸化窒化物（例；CrxOyNz）は表面反射防止膜と
して作用し、炭化物（例；CrxCy）や炭化窒化物
（例；CrxCyNz）はエツチング時間及びパターン
線幅の各制御等として作用する。また本発明は、
透明基板としてソーダライムガラス、アルミノボ
ロシリケートガラス等の各種硝種の多成分系ガラ
ス基板でもよいが、特に石英ガラス基板を使用し
た場合、本発明の効果を顕著に奏する。
（窒化クロムパターン）に特徴があり、第２層以
降の膜については、クロム（Cr）、タングステン
（Ｗ）、タンタル（Ta）、バナジウム（Ｖ）、ニオ
ブ（Nb）及びモリブデン（Mo）等や、これら酸
化物、酸化窒化物、炭化物、炭化窒化物からなる
遮光性膜であればよい。酸化物（例；CrxOy）や
酸化窒化物（例；CrxOyNz）は表面反射防止膜と
して作用し、炭化物（例；CrxCy）や炭化窒化物
（例；CrxCyNz）はエツチング時間及びパターン
線幅の各制御等として作用する。また本発明は、
透明基板としてソーダライムガラス、アルミノボ
ロシリケートガラス等の各種硝種の多成分系ガラ
ス基板でもよいが、特に石英ガラス基板を使用し
た場合、本発明の効果を顕著に奏する。
第４図及び第５図はそれぞれ本発明による実施
例のフオトマスクブランク１４及びフオトマスク
１７を示す。表面を精密研磨した石英ガラス基板
１上に、第１層として、真空度２×10-3（Torr）
のArガス雰囲気中でN2ガスを下記の含有率に設
定すると共に、膜厚も種々設定して、プレーナマ
グネトロン直流スパツタリングにより窒化クロム
膜（CrxNy）１２を被着し、次に第２層として、
ほぼ同一真空度のArガス雰囲気中でクロム膜
（Cr）１３を同様のスパツタリングにより被着し
て、フオトマスクブランク１４を製造した。な
お、第１層と第２層の合計膜厚は、光学濃度
（O.D.）を2.5以上の値（本例；3.0±0.1）を得る
ように定め、600〜2000Åの範囲内であつた。そ
して、第２図に示した工程と同様な工程を経て、
石英ガラス基板１上に、パターン線幅Ｗ（本例；
2μｍ）を有する窒化クロムパターン１５とその
上にクロムパターン１６の遮光性パターンを形成
して、フオトマスク１７を製造した。
例のフオトマスクブランク１４及びフオトマスク
１７を示す。表面を精密研磨した石英ガラス基板
１上に、第１層として、真空度２×10-3（Torr）
のArガス雰囲気中でN2ガスを下記の含有率に設
定すると共に、膜厚も種々設定して、プレーナマ
グネトロン直流スパツタリングにより窒化クロム
膜（CrxNy）１２を被着し、次に第２層として、
ほぼ同一真空度のArガス雰囲気中でクロム膜
（Cr）１３を同様のスパツタリングにより被着し
て、フオトマスクブランク１４を製造した。な
お、第１層と第２層の合計膜厚は、光学濃度
（O.D.）を2.5以上の値（本例；3.0±0.1）を得る
ように定め、600〜2000Åの範囲内であつた。そ
して、第２図に示した工程と同様な工程を経て、
石英ガラス基板１上に、パターン線幅Ｗ（本例；
2μｍ）を有する窒化クロムパターン１５とその
上にクロムパターン１６の遮光性パターンを形成
して、フオトマスク１７を製造した。
本発明のフオトマスク１７における特徴である
第１層の窒化クロムパターン１５は、その膜厚Ｔ
（Å）とArガス雰囲気中のN2ガスの含有率Ｃ（＝
N2／（Ar＋N2））をそれぞれ変えて試作して、
所定の超音波洗浄（本例；超純水、出力600W、
周波数28kHz）を受けた後のパターン欠落密度
（個／平方インチ）を観測し、そのパターン欠落
密度をパラメータとして、前述した膜厚ＴとN2
ガス含有率Ｃとの間に第６図に示すような特性関
係が存在することを見い出した。こゝで、パター
ン欠落密度（個／平方インチ）とは、大きさ1μ
ｍ以上の欠落が１平方インチ当り、何個存在する
かを示すものであり、本例では同一条件で20枚の
フオトマスクを試作して、パターン欠落密度の観
測値の平均値を採用した。
第１層の窒化クロムパターン１５は、その膜厚Ｔ
（Å）とArガス雰囲気中のN2ガスの含有率Ｃ（＝
N2／（Ar＋N2））をそれぞれ変えて試作して、
所定の超音波洗浄（本例；超純水、出力600W、
周波数28kHz）を受けた後のパターン欠落密度
（個／平方インチ）を観測し、そのパターン欠落
密度をパラメータとして、前述した膜厚ＴとN2
ガス含有率Ｃとの間に第６図に示すような特性関
係が存在することを見い出した。こゝで、パター
ン欠落密度（個／平方インチ）とは、大きさ1μ
ｍ以上の欠落が１平方インチ当り、何個存在する
かを示すものであり、本例では同一条件で20枚の
フオトマスクを試作して、パターン欠落密度の観
測値の平均値を採用した。
第６図の特性図において、曲線ａ，ｂ，ｃ，ｄ
及びｅは、パターン欠落密度（個／平方インチ）
がそれぞれ0.6、0.5、0.4、0.3及び0.2であるとき
の特性曲線である。このパターン欠落密度は実用
上0.5（個／平方インチ）以下であることが望まし
いことから、前記曲線ｂにおける膜厚Ｔ（Å）と
N2ガス含有率Ｃとの関係式を求め（Ｃ＝〔1000／
（Ｔ−50）〕＋10）、この関係式がＣ≧〔1000／（Ｔ
−50）〕＋10であつて、かつＣ＞10％、Ｔ＞50Åで
あることが第１の条件になる。
及びｅは、パターン欠落密度（個／平方インチ）
がそれぞれ0.6、0.5、0.4、0.3及び0.2であるとき
の特性曲線である。このパターン欠落密度は実用
上0.5（個／平方インチ）以下であることが望まし
いことから、前記曲線ｂにおける膜厚Ｔ（Å）と
N2ガス含有率Ｃとの関係式を求め（Ｃ＝〔1000／
（Ｔ−50）〕＋10）、この関係式がＣ≧〔1000／（Ｔ
−50）〕＋10であつて、かつＣ＞10％、Ｔ＞50Åで
あることが第１の条件になる。
次に、第１層の窒化クロムパターン１５の膜厚
Ｔと混合ガス中のN2ガスの含有率Ｃの各上限値
について説明する。先ず、窒化クロムパターン１
５は、前述したエツチング工程（第２図ｃ）にお
いて、エツチングが等方性に進行することから、
第７図に示すようにその断面が膜厚Ｔを半径とす
る円の1/4部分でエツチングを終了し、そのパタ
ーンの両側でアンダーカツト量が2Tになる。そ
して、パターン線幅Ｗの精度として0.1μｍ（1000
Å）を確保するために前述したアンダーカツト量
（2T）を1000Å以下（2T≦1000Å）、すなわち窒
化クロムパターン１５の膜厚Ｔは本発明では500
Å以下にする必要がある。
Ｔと混合ガス中のN2ガスの含有率Ｃの各上限値
について説明する。先ず、窒化クロムパターン１
５は、前述したエツチング工程（第２図ｃ）にお
いて、エツチングが等方性に進行することから、
第７図に示すようにその断面が膜厚Ｔを半径とす
る円の1/4部分でエツチングを終了し、そのパタ
ーンの両側でアンダーカツト量が2Tになる。そ
して、パターン線幅Ｗの精度として0.1μｍ（1000
Å）を確保するために前述したアンダーカツト量
（2T）を1000Å以下（2T≦1000Å）、すなわち窒
化クロムパターン１５の膜厚Ｔは本発明では500
Å以下にする必要がある。
次に、ArとN2の混合ガス中のN2ガス含有率Ｃ
については、それが増大するに従つて、エツチン
グ工程においてエツチング速度が増大する傾向に
あり、特に50％を超えると過度に増大し、実用上
エツチング制御可能なエツチング速度100Å／秒
を超えてしまうことから、本発明では50％以下に
する必要がある。
については、それが増大するに従つて、エツチン
グ工程においてエツチング速度が増大する傾向に
あり、特に50％を超えると過度に増大し、実用上
エツチング制御可能なエツチング速度100Å／秒
を超えてしまうことから、本発明では50％以下に
する必要がある。
したがつて、本発明におけるフオトマスクの第
１層の窒化クロムパターン１５（ブランク１４に
おいては窒化クロム膜１２）は、ArとN2の混合
ガス中のN2ガス含有率Ｃを10％より大きく50％
以下にし、その膜厚Ｔを50Åより大きく500Å以
下にして、かつN2ガス含有率Ｃと膜厚ＴとがＣ
≧〔1000／（Ｔ−50）〕＋10を満足することが条件
になり、これによつて本発明は、パターン線幅及
びエツチング速度の各制御を可能にすると共に、
パターン欠落を所望値以下に防止することができ
る。前記した条件の数値は実験結果により求めた
ものであり、その許容差は±10％である。
１層の窒化クロムパターン１５（ブランク１４に
おいては窒化クロム膜１２）は、ArとN2の混合
ガス中のN2ガス含有率Ｃを10％より大きく50％
以下にし、その膜厚Ｔを50Åより大きく500Å以
下にして、かつN2ガス含有率Ｃと膜厚ＴとがＣ
≧〔1000／（Ｔ−50）〕＋10を満足することが条件
になり、これによつて本発明は、パターン線幅及
びエツチング速度の各制御を可能にすると共に、
パターン欠落を所望値以下に防止することができ
る。前記した条件の数値は実験結果により求めた
ものであり、その許容差は±10％である。
本発明の変形例については、透明基板として石
英ガラス基板１に代えてソーダライムガラス等の
多成分系ガラス基板を使用してもよいし、成膜法
としてスパツタリングに代えて真空蒸着やイオン
プレーテイングを使用してもよい。また、第２層
以降の膜としてクロム膜１３に代えてタングステ
ン膜や、酸化クロム膜（CrxOy）等の酸化物、酸
化窒化クロム膜（CrxOyNz）等の酸化窒化物、炭
化クロム膜（CrxCy）等の炭化物及び炭化窒化ク
ロム膜（CrxCyNz）等の炭化窒化物の各遮光性膜
を個々のブランク、フオトマスクの使用目的に応
じて成膜してもよい。第８図及び第９図は、それ
ぞれ表面反射防止膜として第３層に酸化クロム膜
（CrxOy）１８及び酸化クロムパターン２０を使
用したフオトマスクブランク１９及びフオトマス
ク２１を示す。
英ガラス基板１に代えてソーダライムガラス等の
多成分系ガラス基板を使用してもよいし、成膜法
としてスパツタリングに代えて真空蒸着やイオン
プレーテイングを使用してもよい。また、第２層
以降の膜としてクロム膜１３に代えてタングステ
ン膜や、酸化クロム膜（CrxOy）等の酸化物、酸
化窒化クロム膜（CrxOyNz）等の酸化窒化物、炭
化クロム膜（CrxCy）等の炭化物及び炭化窒化ク
ロム膜（CrxCyNz）等の炭化窒化物の各遮光性膜
を個々のブランク、フオトマスクの使用目的に応
じて成膜してもよい。第８図及び第９図は、それ
ぞれ表面反射防止膜として第３層に酸化クロム膜
（CrxOy）１８及び酸化クロムパターン２０を使
用したフオトマスクブランク１９及びフオトマス
ク２１を示す。
以上の通り、本発明によれば、従来、特に石英
ガラス基板を使用したフオトマスクにおいてパタ
ーン欠落が顕著に発生していたのに対し、そのパ
ターン欠落を防止することができることから、そ
の価値はフオトマスク業界にあつて絶大である。
ガラス基板を使用したフオトマスクにおいてパタ
ーン欠落が顕著に発生していたのに対し、そのパ
ターン欠落を防止することができることから、そ
の価値はフオトマスク業界にあつて絶大である。
第１図は従来のフオトマスクブランクを示す断
面図、第２図は従来のフオトマスクの製造工程を
示す断面図、第３図は従来のフオトマスクを示す
斜視図、第４図及び第５図はそれぞれ本発明によ
る実施例であるフオトマスクブランク及びフオト
マスクを示す断面図、第６図は本発明によるフオ
トマスクの第１層（窒化クロムパターン）の膜厚
ＴとN2ガス含有率Ｃとの特性図、第７図は本発
明におけるフオトマスクのアンダーカツト量を示
す断面図、並びに第８図及び第９図はそれぞれ本
発明による他の実施例であるフオトマスクブラン
ク及びフオトマスクを示す断面図である。 １……石英ガラス基板、１２……窒化クロム
膜、１３……クロム膜、１４，１９……フオトマ
スクブランク、１５……窒化クロムパターン、１
６……クロムパターン、１７，２１……フオトマ
スク、１８……酸化クロム膜、２０……酸化クロ
ムパターン。
面図、第２図は従来のフオトマスクの製造工程を
示す断面図、第３図は従来のフオトマスクを示す
斜視図、第４図及び第５図はそれぞれ本発明によ
る実施例であるフオトマスクブランク及びフオト
マスクを示す断面図、第６図は本発明によるフオ
トマスクの第１層（窒化クロムパターン）の膜厚
ＴとN2ガス含有率Ｃとの特性図、第７図は本発
明におけるフオトマスクのアンダーカツト量を示
す断面図、並びに第８図及び第９図はそれぞれ本
発明による他の実施例であるフオトマスクブラン
ク及びフオトマスクを示す断面図である。 １……石英ガラス基板、１２……窒化クロム
膜、１３……クロム膜、１４，１９……フオトマ
スクブランク、１５……窒化クロムパターン、１
６……クロムパターン、１７，２１……フオトマ
スク、１８……酸化クロム膜、２０……酸化クロ
ムパターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板上に２層以上の遮光性膜を被着した
フオトマスクブランクにおいて、第１層がArガ
スとN2ガスの混合ガス中のN2ガス含有率Ｃ（％）
を10％より大きく50％以下、膜厚Ｔ（Å）を50Å
より大きく500Å以下にして、かつ前記N2ガス含
有率Ｃが前記膜厚Ｔとの関係式Ｃ≧〔1000／（Ｔ
−50）〕＋10を満足した窒化クロム膜であることを
特徴とするフオトマスクブランク。 ２ 透明基板上に２層以上の遮光性膜を被着し
て、前記遮光性膜を選択的にパターン化したフオ
トマスクにおいて、第１層がArガスとN2ガスの
混合ガス中のN2ガス含有率Ｃ（％）を10％より大
きく50％以下、膜厚Ｔ（Å）を50Åより大きく500
Å以下にして、かつ前記N2ガス含有率Ｃが前記
膜厚Ｔとの関係式Ｃ≧〔1000／（Ｔ−50）〕＋10を
満足した窒化クロム膜であることを特徴とするフ
オトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59010650A JPS60154254A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | フオトマスクブランクとフオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59010650A JPS60154254A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | フオトマスクブランクとフオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154254A JPS60154254A (ja) | 1985-08-13 |
| JPS6319854B2 true JPS6319854B2 (ja) | 1988-04-25 |
Family
ID=11756093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59010650A Granted JPS60154254A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | フオトマスクブランクとフオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60154254A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54153790A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Fujitsu Ltd | Chromium oxide layer formation |
| JPS57104141A (en) * | 1980-12-22 | 1982-06-29 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask and photomask substrate |
| JPS57147634A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-11 | Hoya Corp | Photomask blank |
| JPS5831336A (ja) * | 1981-08-19 | 1983-02-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | ホトマスク素材 |
-
1984
- 1984-01-24 JP JP59010650A patent/JPS60154254A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54153790A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Fujitsu Ltd | Chromium oxide layer formation |
| JPS57104141A (en) * | 1980-12-22 | 1982-06-29 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask and photomask substrate |
| JPS57147634A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-11 | Hoya Corp | Photomask blank |
| JPS5831336A (ja) * | 1981-08-19 | 1983-02-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | ホトマスク素材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60154254A (ja) | 1985-08-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |