JPH04142023A

JPH04142023A - Ｘ線露光装置およびｘ線露光方法

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Publication number: JPH04142023A
Application number: JP2265349A
Authority: JP
Inventors: Keiko Chiba; 啓子千葉
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1990-10-02
Filing date: 1990-10-02
Publication date: 1992-05-15
Anticipated expiration: 2013-03-18
Also published as: JP2728971B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野〕本発明は半導体製造装置、特にＸ線による露光を行う為
の露光装置で使用するＸ線マスク支持体、Ｘ線マスク構
造体と該Ｘ線マスク構造体を使用するＸ線露光装置及び
Ｘ線露光方法に関する。

〔従来の技術］近年、半導体集積回路の高密度化及び高速化に伴い、集
積回路のパターン線幅が約３年間で７０％に縮小される
傾向にある。

大容量メモリ素子（例えば４ＭＤＲＡＭ）の更なる集積
化により、１６　Ｍ　ｂ　ｉ　を容量のもの等では０．
５μｍルールのデバイス設計が行われる様になってきた
。この為焼付装置も一層の高性能化が要求され、転写可
能な最小線幅が０．５μｍ以下という高性能が要求され
始めて来ている。その為露光光源波長としてＸ線領域（
４乃至２０人）の光を利用したステッパが開発されつつ
ある。

上記Ｘ線露光に用いられるＸ線マスク支持体は、例えば
、第９図（ａ）、　　（ｂ）に示す様に、Ｘ線透過材よ
り成るＸ線透過膜２とこれを緊張保持する為の保持枠１
からなっており、又、Ｘ線マスク構造体は、第１０図（
ａ）、　　（ｂ）に示す様に、上記Ｘ線マスク支持体の
Ｘ線透過膜２上に所望パターンのＸ線吸収体３が形成さ
れたものである。

又、上記の如きＸ線マスク構造体を用いるＸ線露光装置
は、Ｘ線発生源とＸ線露光領域を区画するチャンバーと
シリコンウェハ等の被露光部材を所定位置に固定するウ
ェハーチャックと上記Ｘ線マスク構造体を被露光部材上
の所定位置に重ねるマスク把持手段を主要部分として形
成されている。

〔発明が解決しようとしている問題点」ＸｖＡ露光は上
記の如きＸ線マスク構造体及びＸ線露光装置を用いて行
われるものであるが、かがる従来のＸ線露光方法にあっ
ては以下の様な問題へがあった。即ち、Ｘ線露光装置で
は従来の光にくらへ商工子ルキーを持つＸ線を光源とし
て用いるため、マスクから光電子及びオージェ電子が発
生したり、更にＸ線露光装置ではＸ線の強度が低下しな
い様にヘリウム雰囲気となっている場合があり、この乾
燥雰囲気内でＸ線の露光を行うとマスクと気体の摩擦に
よる静電気も発生ずる。本来、Ｘ線露光時はマスク面と
被露光部材の間のキャップか１０μｍ〜数１０μｍの間
の一定値に保たれる必要があるにもかかわらず上記光電
子、オージェ電子及び静電気のためマスク面が帯電され
、マスク面と被露光部材とが接触して放電し、マスク面
が傷つけられたり、破損を生ずる場合があり、更に放出
される光電子や二次電子等の影響で被露光部材上のレノ
ストが過剰露光され、微細パターン形成時に寸法精度等
に狂い等を生じる場合がある。

従って本発明の目的は上記従来技術の問題点を解決し、
特に帯電防止性や寸法精度に優れたＸ線マスク支持体、
Ｘ線マスク構造体、Ｘ線露光装置及びＸ線露光方法を提
供することである。

〔問題点を解決する為の手段〕

上記目的は以下の本発明によって達成される。

即ち、本発明は、Ｘ線透過膜と該Ｘ線透過膜を保持する
保持枠とを有するＸ線マスク支持体において、該Ｘ線透
過膜か導電性を有し、且つ該保持枠か、該Ｘ１Ｓ透過膜
と電気的に接続された導電性被膜を有することを特徴と
するＸ線マスク支持体及び、Ｘ線透過膜と該Ｘ線透過膜
を保持する保持枠と該Ｘ線透過膜上に保持されたＸ線吸
収体とを有するＸ線マスク構造体において、該Ｘ線透過
膜が導電性を有し、且つ該保持枠が、該Ｘ線透過膜と電
気的に接続された導電性被膜を有することを特徴とする
Ｘ線マスク構造体及び、Ｘ線透過膜と該Ｘ線透過膜を保
持する保持枠と該Ｘ線透過膜上に保持されたＸ線吸収体
とを有するＸ線マスク構造体において、少なくとも該Ｘ
線透過膜と該保持枠とを覆う導電性の連続被膜を有する
ことを特徴とするＸ線マスク構造体である。

更に本発明は、Ｘ線発生手段と、Ｘ線被露光部材を所定
位置に固定する手段と、Ｘ線マスク構造体を所定位置に
固定する把持手段とを有するＸ線露光装置において、該
把持手段が、該Ｘ線マスク構造体との電気的導通手段を
具備していることを特徴とするＸ線露光装置である。

更に、本発明は、Ｘ線被露光部材に、Ｘ線マスク構造体
を介してＸ線を露光するＸ線露光方法において、該Ｘ線
マスク構造体が、導電性を有するＸ線透過膜と、該Ｘ線
透過膜と電気的に接続された導電性被膜を有する保持枠
と、該Ｘ線透過膜上に保持されたＸ線吸収体とを有し、
該Ｘ線マスク構造体を該Ｘ線マスク構造体との電気的導
通手段を具備した把持手段に固定した状態で、該Ｘ線露
光を行うことを特徴とするＸ線露光方法である。

以下、本発明について詳述する。

まず、本発明のＸ線マスク支持体及びＸ線マスク構造体
はそのＸ線透過膜が導電性を有している。

本発明において、Ｘ線透過膜に導電性を付与する方法と
しては、例えばＸ線透過膜自体を導電性材料にて形成す
る方法が挙げられ、本発明においてはＢ又はＰをドーピ
ングしたＳｌ、Ｃ等が好ましく用いられる。又、Ｘ線透
過膜表面を導電膜にて被覆することにより、該Ｘ線透過
膜に導電性を付与する方法が挙げられる。上記方法のう
ち、本発明においては、Ｘ線透過膜表面を導電膜にて被
覆することによりＸ線透過膜に導電性を付与する方法が
特に好ましく用いられる。即ち、Ｘ線透過膜自体がＳｌ
等の導電性材料にて形成されてい名湯台であっても、そ
のＳｌ膜表面を更に導電膜にて被覆することは、例えば
、Ｘ線マスク構造体の製造過程にあって、Ｓｉ膜表面の
酸化による導電性不良を防止する上で好ましく、又、Ｘ
線透過膜を形成する材料として、ＳｉＣ，ＳｉＮ等のと
りわけ、アライメント光及びＸ線の透過性に優れる絶縁
材料をも用いることができるので、所望に応じて広範囲
での材料選択が可能である。

本発明において、Ｘ線透過膜は前記の如く具体的にはＳ
ｉ、　　Ｃ，ＳｉＣ，ＳｉＮ、　ＢＮ、　　ＡＩＮ等の
無機膜又は該無機膜とポリイミド等の有機膜との複合膜
によって形成されるが、Ｘ線耐性、可視光透過率、Ｘ線
透過率、強度等の点て全て平均的に優れた５ｉＣ３ｉＮ
を使用することが好ましく、２μｍ以下の厚さに形成さ
れるのが好ましい。又、Ｘ線透過膜の表面を被覆する導
電膜は具体的には、カーホン、ＡｕＰｔ、ＡｕＰｄ等安
定な導電性のとれる材料によって形成されるが、Ｘ線透
過性等の点から特にカーホンを使用することが好ましく
、ＩＯλ〜１００人の厚さに形成されるのが好ましい。

とりわけ上記導電膜の厚さは極端に薄すぎると導電性不
良を生じ、方、極端に厚すぎるとアライメント光及びＸ
線の透過率を低下させてしまう。

更に、本発明のＸ線マスク支持体及びＸ線マスク構造体
は、その保持枠が、該Ｘ線透過膜と電気的に接続された
導電性被膜を有している。前記導電性被膜を形成する材
料としては先述のＸ線透過膜表面に被覆される導電膜と
同様に、カーボン、Ａｕ。

Ｐｔ、ＡｕＰｄ、Ｃｕ、Ｚｎ等、非磁性体であり導電性
のとれる材料が用いられ、特に表面酸化が少ないことか
らＡｕ、Ｐｔ、ＡｕＰｄを使用することが好ましい。又
、導電性被膜の厚さは前記導電膜と一体成膜される場合
にはその導電性、アライメント光及びＸ線の透過率の点
から好ましくは１０人〜１００人とされる。或いは、前
記導電膜と独立に成膜される場合には、Ｘ線透過膜上に
設けられる導電膜よりも厚く成膜され、後述する電気的
導通手段との接触時における剥離防止効果が付与される
。尚、その厚さは通常、最大でも１ｍｍ程度である。

本発明において、保持枠はＸ線透過膜を緊張保持するも
のであり保持枠下部に補強枠が付設されている場合には
、この補強枠をも含める。該保持枠は、具体的には、石
英カラス、硼硅酸カラス（パイレックス）、セラミック
ス、Ｓｌ、Ｔ１等の材料を用いて形成される。

又、本発明においてＸ線透過膜上に保持されるＸ線吸収
体は具体的にＡｕ、Ｔａ、Ｗ等のＸ線の吸収の大きい材
料を用いて、０．５μｍ〜１．０μｍの厚さに形成され
るのが好ましい。

以上詳述した本発明のＸ線マスク構造体は、例えば第１
図、第２図及び第３図に示される構造を有している。ま
ず第１図に示された態様例はＸ線透過膜２自体が導電性
材料より形成され、且つ保持枠１が該Ｘ線透過膜２と電
気的に接続された導電性被膜４ａを有するＸ線マスク構
造体である。尚、同図において３はＸ線吸収体を示す。

次に第２図に示された態様例はＸ線透過膜２と保持枠１
とを連続的に覆う導電性の連続被膜４が形成されたＸ線
マスク構造体である。この様に導電性被膜を連続被膜と
して形成することは、Ｘ線マスク構造体作製時のプロセ
スを少なくすることができる等の点て好ましい。

又、第３図に示された態様例は、本発明のＸ線マスク構
造体の特に好ましい例である。即ち、Ｘ線透過膜２が導
電膜４ｂを有し、且つ保持枠１が該導電膜４ｂと電気的
に接続された導電性被膜４ａを有するＸ線マスク構造体
である。第２図において３はＸ線吸収体を示す。本態様
はＸ線透過膜上に導電膜４ｂを、又、保持枠に導電性被
膜４ａを、各々独立に設けたものであるから、導電膜４
ｂと導電性被膜４ａの膜厚をそれぞれ独立に設定できる
。即ち、先述した如く、Ｘ線透過膜上の導電膜４ｂは、
Ｘ線透過率、アライメント光透過率の点から、１０〜１
００人程度が好ましいが、保持枠上の導電膜４ａは電気
的導通手段との接触及びマスクチャックへの着脱による
機械的な力がかかる場合があるので導電膜４ｂよりも厚
く成膜される方が好ましい。

次に、以上で述べたＸ線マスク構造体を用いたＸ線露光
に使用される本発明のＸ線露光装置について詳述する。

第４図に本発明装置の概略構成図を示す。本発明装置は
Ｘ線発生手段（不図示）と、Ｘ線被露光部材１２を所定
位置に固定する手段１３と、Ｘ線マスク構造体１４を所
定位置に固定する把持手段１５とを有する。上記各手段
の配置関係は第４図に示す如くであり、Ｘ線被露光部材
の固定手段１３とＸ線マスク構造体の固定手段１５とは
、互いに所望の間隔（ギャップ）を有する様に相対向し
てチャンバー１１内に配置されており、Ｘ線発生手段は
、Ｘ線（矢印）がＸ線マスク構造体１４を介してＸ線被
露光部材１２に照射される様に配置されている。又、チ
ャンバー１１内は、真空から大気圧まで用いることがで
きるが、好ましくはＸ線減衰及び熱伝導を考えて圧力１
００ｔｏｒｒ程度のヘリウム雰囲気とされる。以上述べ
た基本的構成は、従来公知のＸ線露光装置に従するもの
であって良く、更に必要に応じて公知の付加手段を有す
るものであって良い。本発明装置の特徴は、該把持手段
１５が、Ｘ線マスク構造体１４との電気的導通手段を具
備している点にある。かかる導通手段について第５図乃
至第７図を用いて詳述する。ここて、第５図乃至第７図
は、第４図のＸ線マスク構造体１４及び把持手段１５の
部分の拡大図である。まず、第５図及び第６図において
２５．３５はマスクチャックであり２６．３６はマスク
チャックの一部を構成しＸ線マスク構造体の位置決めを
行う際の基準となる■ブロックと呼ばれるものである。

更にこのＶブロック２６．３６には、アースハネ２７．
３７が設置されており、保持枠２１．３１の導電性被膜
２４．３４と接触している。かかる構成を採ることによ
り、Ｘ線露光時にＸ線吸収体２３．３３から発生する光
電子及びオーノエ電子はＸ線透過膜２２．３２上に形成
された導電膜２４．３４に吸収される。さらにかかる電
子は保持枠２１．３１の導電性被膜２４．３４にアース
バネ２７．３７、把持手段（■ブロック２６．３６及び
マスクチャック２５．３５）からチャンバーへと流れて
いき、Ｘ線マスク構造体の帯電が防止される。

ここで用いられるアースバネ２７．３７は、材質はリン
青銅、ステンレス等で表面にＡｕ、　　Ｐｔ、　　Ｐｄ
なとの貴金属におおわれているものが表面の腐蝕防止等
の点て好ましい。又、形状はＸ線マスクと接触する部分
をＸ線マスク面を傷つけない様に、接触端は曲面になっ
ているが、材質及び形状は導電性があり、Ｘ線マスクを
傷つけなければこれらの限りではない。

また２７．３７をアースバネと呼んだがバネ性のないピ
ン等でもかまわない。

又、第５図によると保持枠２１　（２１ｂ）の形状が斜
面部を持っているが第６図の様にアースバネ３７が保持
枠３１より高くならず、マスクウェハー間のキャップに
影響を与えなければ斜面部を持つ必要はない。

またマスクチャック２５．３５又はＶブロック２６．３
６がステンレス又はＡｊ＋などの導電性の材料にて形成
されている場合、特にアースバネ２７．３７がなくとも
電子が流れることができればよい。

更に第７図に示す如く、Ｘ線マスク構造体の把持手段が
■ブロックを持たずアースハネ４７がマスクチャック４
５に直接設けられてあっても良い。

以下、実施例を用いて、本発明を更に詳述する。

〔実施例１〕第５図に示される本発明のＸ線マスク構造体２８を以下
の様に作製した。保持枠２１ａとなるＳ１ウエハーをプ
ラズマＣＶＤ　（化学気相合成法）用チャンバー内にセ
ットする。

先ず背圧を２Ｘ１０＝Ｔｏｒｒ迄引いた後、水素で１０
％に希釈されたシランガス１０１０５ｅとメタンガス１
０１０５ｅを供給し、該Ｓ１ウエハーの温度を３５００
０に加熱し、圧力５Ｘ１０−”Ｔｏｒｒで高周波パワー
５０Ｗを印加して炭化硅素膜を成膜し、Ｘ線透過膜２２
とした。該Ｘ線透過膜２２上にめっき電極となるＣｒと
ＡｕをＥＢ蒸着により連続蒸着し更にその上に電子線レ
ジストＰＭＭＡ　（ＯＥＢＲ−１０００、商品名東京応
化社製）を塗布し電子線描画装置にて所望のパターンを
形成する。次に、亜硫酸系めっき液にニートロネクス３
０９、商品名・ＥＥＪＡ製）を用い５００Ｃ１ｍ　Ａ　
／　ｃ　ｒｒ？の条件にてめっきを行った。

その後レジストを専用剥離液で剥離しめっき電極をＲＩ
Ｅ（リアクティブイオンエツチング）装置にてＡｒプラ
スマで剥離しＸ線吸収体２３とした。さらに、Ｓ１ウエ
ハー２１ａの裏面のＳｉＮ膜を所望の窓の大きさにエツ
チングし、該Ｓｉウェハーを３０ｗｔ％ＫＯＨにてバッ
クエツチングして保持枠２１ａを形成した。この保持枠
２１ａの下部に更にパイレックスカラスからなる補強体
２１ｂをエポキシ系接着剤にて接着した。

最後に、上記Ｘ線マスク構造体を抵抗加熱蒸着機内にセ
ットし背圧を２Ｘ１０−６Ｔｏｒｒまて引いた後、カー
ボンを２人／ｓｅｃの速度で蒸着し導電膜２４を成膜し
た。

〔実施例２〕第７図に示す本発明のＸ線マスク構造体４８を以下の様
に作製した。まず、保持枠４１ａなるＳ１ウエハーをＥ
Ｂ蒸着機に蒸着マスクとともにセットする。

背圧を２Ｘ１０−６Ｔｏｒｒまて引き回転させなからＣ
ｒを２人／ｓｅｃ、Ａｕを１０人／　ｓ　ｅ　ｃの速度
で部分蒸着を行い導電膜４４ａ形成する。さらに、上記
Ｓ１ウエハーをプラズマＣＶＤ　（化学気相合成法）用
チャンバー内にセットする。

先ず背圧を２×１Ｏ−６Ｔｏｒｒ迄引いた後、水素で１
０％に希釈されたメタンカス１０１０５ｃとメタンカス
１０１０５ｅを供給した。該Ｓｉウェハーの温度を６５
００Ｃに加熱し、圧力５Ｘ１０”Ｔｏｒｒで高周波パワ
ー５０Ｗを印加して炭化硅素膜を成膜し、Ｘ線透過膜４
２とした。

次にこれを高周波スパッタ装置にセットし、背圧を２Ｘ
ｌＯ’−６Ｔｏｒｒまで引いた後、Ａｒカス５ｓｅｃｍ
にて圧力１．０Ｘ１０”Ｔｏｒｒで高周波パワー２００
Ｗを印加してＸ線透過膜４２上にＴａ膜を形成した。

更にその上にスパッタリング法によりＳｉＯ３を成膜、
次いて電子線レジストＰＭＭＡを塗布し、電子線描画装
置により所望のパターンに形成した。その後ＲＩＥ　（
リアクティブイオンエツチング）装置にてＣＦ４カスを
用いて５１０２をＣＢｒＦ　３カスを用いてＴａをパタ
ーニングし、Ｘ線吸収体４３とした。さらにＳ１ウエハ
ー４１ａの裏面のＳｉＣ膜を所望の窓の大きさにエツチ
ングしＳｉウェハーを３０ｗｔ％ＫＯＨにてバックエツ
チングし、その後側面及び裏面のＳｉＣ膜を剥離し第７
図のような形状とした。

その後これをＥＢ蒸着機にセットし背圧を２×１Ｏ−６
Ｔｏｒｒまて引きＡｕを】λ／　ｓ　ｅ　ｃの速度で蒸
着を行い導電膜４４ｂを形成する。保持枠４１の１部で
ある補強体４１ｂは石英カラスからなる。補強体４１ｂ
は斜面部を持つよう加工されておりＥＢＢ着機にセット
される。背圧２　Ｘ　Ｉ　０−６Ｔｏｒｒまで引いた後
回転されながら５人／　ｓ　ｅ　ｃの速度でｐｔが蒸着
され導電膜４４ａが成膜された。最後に補強体４１ｂを
４１ａに接着して、Ｘ線マスク構造体を完成した。

〔実施例３］第８図に示される本発明のＸ線マスク構造体５８を以下
の様に作製した。

保持枠５１ａとなるＳ１ウエハーを熱拡散炉にいれＢＨ
４カス中にて１１００℃の温度をかけ表面Ｂａ度をＩ　
０２０ｃ　ｍ−３とする。

上記処理後の８１ウエハーを高程波スパッタ装置にセッ
トし背圧を２Ｘ１０−６Ｔｏｒｒまて引いた後、Ａｒカ
スｌＯ１０５ｃにて圧力１０　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ、
基板温度１５０°Ｃ１高周波パワー５００Ｗを印加して
Ｓｉウェハー表面にＷ膜を形成した。その上に２層レジ
ストの下層となるＰＩＱ　（商品名０日立化成）、上層
となるＳｉ含有電子線レジスト５ＮＲ（商品名　東洋曹
達）を塗布し電子線描画装置にて所望のパターンを形成
した。その後ＲＩＥ（リアクティブイオンエツチング）
装置にて０２ガスを用いて２層レジストの下層ＰＩＱを
パターニングしＳＦ６ガスにてＷをエツチングしＸ線吸
収体５３を形成した。

さらにＳｉウェハー５１ａのＢが高濃度の面を所望の窓
の大きさにエツチングしＳ１ウエハーをＥＤＰ（、：Ｔ
−テレンシアミン４６．４ｍｏ　ｉ：％、ピコカテコー
ル４ｍ。

１％、Ｈ２０４９，６ｍｏ１％）】１８°Ｃにてエツチ
ングを行い第８図のように保持枠５１ａを形成した。

次に、上記マスクをＥＢ蒸着装置に蒸着マスクとともに
セットし背圧を５Ｘ１０−’Ｔｏｒｒまて引いた後、１
０人／ｓｅｃの速度てｐｔを蒸着し導電膜５４を成膜し
た。

最後に補強体５１ｂ（パイレックスカラスからなる）を
保持枠５１ａに接着し、本発明のＸ線マスク構造体を完
成した。

〔実施例４〕第４図に示されるＸ線露光装置において、導通手段１６
として、第５図乃至第８図に示される如きアースハネを
設けた装置を用い、これに実施例１乃至３て作製したＸ
線マスク構造体を各々、第５図、第７図、第８図に示す
様にセットして、Ｘ線露光を行った。

Ｘ線マスクの最小線幅は０．２５μｍであり、被露光部
材としては、ＳｉウェハーにＡｆが蒸着され、さらにそ
の上にＸ線しジストＲＡＹ−ＰＮ　（商品名・ヘキスト
社製）が塗布されているものを用いた。又、これらのマ
スク及び被露光部材にはアライメントマークがほどこさ
れている。

マスクはマスクカセット（不図示）に被露光部材はウェ
ハーカセット（不図示）にセットされ、搬送系（不図示
）によって運ばれ相対向して配置される。アライメント
マークによりマスクとウェハーはプロキンミテイギャツ
プ５０μｍ、位置精度０．０３μｍ以下に制御されて、
マスクはマスク把持手段１５、ウェハーは被露光部材を
固定する手段１３に固定される。

ＳＯＲから発生したＸ線はミラーでの反射及びＢｅ窓を
通過することによりほぼ７〜１４人の波長のＸ線となる
。これらのＸ線が前記マスク及びウェハーのセットが終
了するとツヤツタ−（不図示）があき、１秒露光される
。ステップ露光の場合ウェハーがステップしアライメン
トから露光までが繰りかえされる。

露光結果については、露光終了後、レジストを現像しパ
ターニングされたレジスト像をＥ　Ｂ　１ｉｌＪ長機で
評価した。評価の結果、実施例１乃至３いずれのＸ線マ
スク構造体においても過剰露光がなく線幅精度は最小線
幅において±０．０３μｍ、重ね合わせ精度は±０．１
μｍに制御され焼きつけることができた。

〔効果〕

以上の様に本発明によれば、Ｘ線マスクとそれを保持す
る保持枠が導電性被膜をもちこれを把持する手段の少な
くとも一部に導電部を形成し、これらの導電部を必要に
応じて電気的に接続することにより、露光時の帯電が防
止され、又、露光時に発生する光電子やオーンエ電子等
が有効に除去されるので、適正且つ寸法精度に優れたＸ
線露光が実現される。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図及び第３図は本発明のＸ線マスク構造体
の断面図である。第４図は本発明によるＸ線露光装置の断面を図解的に説
明する図である。第５図、第６図、第７図及び第８図は本発明のＸ線マス
ク構造体と該Ｘ線マスク構造体の把持手段との配置関係
を図解的に説明する図である。第９図（ａ）、　　（ｂ）は従来のＸ線マスク支持体を
図解的に説明する図であり、（ｂ）は（ａ）のＡＡ′　
断面図である。第１Ｏ図（ａ）、　　（ｂ）は従来のＸ線マスク構造体
を図解的に説明する図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ
′断面図である。１、　２１．　３１．　４１．　５１・・・保持枠２、
　２２．　３２．　４２．　５２・・・Ｘ線透過膜３、
　２３．　３３．　４３．　５３・・・Ｘ線吸収体４、
４ａ、　２４．、　３４．４４ａ、　　５４・・・導電
性被膜４ｂ、　　４４ｂ・・・導電膜１１・・・チャンバー１２・・・Ｘ線被露光部材１３・・・固定手段１４・・・Ｘ線マスク構造体１５・・・把持手段１６・・・導通手段２５、　３５．　４５．　５５・・・マスクチャック２
６．３６．５６・・・■ブロック２７　３７、　４７．　５７・・・アースハネ雉田第３甲Ｘ線（し）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）Ｘ線透過膜と該Ｘ線透過膜を保持する保持枠とを
有するＸ線マスク支持体において、該Ｘ線透過膜が導電
性を有し、且つ該保持枠が、該Ｘ線透過膜と電気的に接
続された導電性被膜を有することを特徴とするＸ線マス
ク支持体。
（２）該Ｘ線透過膜が、導電性材料より成る請求項１に
記載のＸ線マスク支持体。
（３）該Ｘ線透過膜が、導電膜を有する請求項１に記載
のＸ線マスク支持体。
（４）Ｘ線透過膜と該Ｘ線透過膜を保持する保持枠と該
Ｘ線透過膜上に保持されたＸ線吸収体とを有するＸ線マ
スク構造体において、該Ｘ線透過膜が導電性を有し、且
つ該保持枠が、該Ｘ線透過膜と電気的に接続された導電
性被膜を有することを特徴とするＸ線マスク構造体。
（５）該Ｘ線透過膜が、導電性材料より成る請求項４に
記載のＸ線マスク構造体。
（６）該Ｘ線透過膜が、導電膜を有する請求項４に記載
のＸ線マスク構造体。
（７）Ｘ線透過膜と該Ｘ線透過膜を保持する保持枠と該
Ｘ線透過膜上に保持されたＸ線吸収体とを有するＸ線マ
スク構造体において、少なくとも該Ｘ線透過膜と該保持
枠とを覆う導電性の連続被膜を有することを特徴とする
Ｘ線マスク構造体。
（８）Ｘ線発生手段と、Ｘ線被露光部材を所定位置に固
定する手段と、Ｘ線マスク構造体を所定位置に固定する
把持手段とを有するＸ線露光装置において、該把持手段
が、該Ｘ線マスク構造体との電気的導通手段を具備して
いることを特徴とするＸ線露光装置。
（９）該導通手段が、導電性材料より成る該把持手段で
ある請求項８に記載のＸ線露光装置。
（１０）該導通手段が、該把持手段に付設された導電部
である請求項８に記載のＸ線露光装置。
（１１）Ｘ線被露光部材に、Ｘ線マスク構造体を介して
Ｘ線を露光するＸ線露光方法において、該Ｘ線マスク構
造体が、導電性を有するＸ線透過膜と、該Ｘ線透過膜と
電気的に接続された導電性被膜を有する保持枠と、該Ｘ
線透過膜上に保持されたＸ線吸収体とを有し、該Ｘ線マ
スク構造体を該Ｘ線マスク構造体との電気的導通手段を
具備した把持手段に固定した状態で、該Ｘ線露光を行う
ことを特徴とするＸ線露光方法。