JPH02309A - Ｘ線用マスクとそれをを用いた露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はＸ線用マスクとそれを用いた露光方法に関し、
主に波長２人〜１５０人程度の軟Ｘ線（以下単にｒＸ線
」という場合もある。）を用いＩＣ，ＬＳＩ等の半導体
素子を製造する際に好適なＸ線用マスクとそれを用いた
露光方法に関するものである。

（従来の技術） 最近ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子製造用の露光装置にお
いては半導体素子の高集積化に伴って、より高分解能の
焼付けが可能な軟Ｘ線を利用した露光装置が種々と提案
されている。

この軟Ｘ線を利用した露光装置で使用されるＸ線用マス
クは一般にリング状の形状をした支持枠と、その開口に
緊張して張られた軟Ｘ線に対する透過部、及び非透過部
とを有する膜状体とから構成されている。

非透過部は該膜状体に基板を構成する支持膜（マスクメ
ンブレン）の上に設けられた幾何学形状の軟Ｘ線に対す
る遮光体（Ｘ線吸収体も含む）から成っており、該遮光
体はサブミクロンの精度で、かつ再現性良く被転写体、
例えばウニ八面上に転写されるように構成されている。

一方、透過部は遮光体が設けられていない領域の支持膜
自体より成っている。

軟Ｘ線を用いた露光装置においては、露光用のＸ線光源
からの照射光エネルギーの損失を防ぐ為、多くの場合、
Ｘ線用マスクの設置されている空間及びウェハのレジス
ト塗布面側の上部空間は共に減圧大気、若しくは低圧力
ヘリウム雰囲気になっている。

このような条件下で波長が例えば２〜１５０　Ａ程度の
軟Ｘ線で露光するとＸ線用マスクの支持膜、マスク吸収
体、雰囲気ガス原子が軟Ｘ線を吸収し、充電効果により
光電子を放出する。特に支持膜が絶縁体薄膜であるとき
は、支持膜構成原子の光電子放出による帯電は、もちろ
んのこと電子数が多い吸収体からの電子放出による帯電
が生じ、支持膜が高い正電位を有するようになってくる
。

一般に支持膜とウェハのレジスト面との距離はプロキシ
ミティ露光においては露光用光源からの光束の拡がりに
よるボケが無視出来る程度に小さく、例えば１０μｍ〜
１００μｍの間に設定されている。この為、支持膜とウ
ェハが静電的に力を及ぼし合い支持膜が吸引され支持膜
が変形し、支持膜のたわみによりパターンの焼付精度が
低下し、特に吸引力が強い場合は支持膜がウェハに密着
してしまう場合がある。

転写すべきパターン寸法が例えば０．５μｍ以下の高分
解能を得ることを目的とする露光装置においては、一般
に支持膜はその熱膨張による位置ずれ、吸収体、残留応
力による歪等を抑える為に熱膨張係数が小さくヤング率
の大きな無機材（特にセラミックス）を用い、その厚さ
が２μｍ程度となるようにして構成されている。

−数的にこの種の材料は脆くて硬いものが多い。その為
、支持膜は過度の変形や不均一な圧力印加等により容易
に破損してしまう場合があった。

これを解決する手段としては、例えば支持膜表面にアル
ミニウム等の軟Ｘ線に対して吸収の小さい金属を数１０
０人厚で蒸着する方法がある。この方法は電気伝導度や
Ｘ線透過率は良いが、ウェハとのアライメントの際の可
視光若しくは赤外光の透過光が著しく低くアライメント
精度を著しく低下させてしまうという問題点があった。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明は主に軟Ｘ線を用いた露光装置における各要素、
例えばＸ線用マスク支持体、Ｘ線用マスクの構成、そし
てＸ線マスクを照射するときの条件等適切に設定するこ
とにより、Ｘ線用マスクの静電的吸引若しくは吸着現象
を効果的に防止し、かつ可視光又は赤外光のうちアライ
メントを行う光の反射を防止し、例えば反射率が２０％
以下となるようにし、アライメント時のマスクからの反
射光とウェハからの反射光が混合するのを防止し、高精
度のアライメント及びパターン焼付けが可能なＸ線用マ
スクとそれを用いた露光方法及び露光装置の提供を目的
とする。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、Ｘ線透過性の透過膜を多層積層した支持膜を
支持枠に保持したＸ線用マスク支持体であって、該支持
膜は電気抵抗率が１×１０−４Ω・ｃｍ以下の透過膜Ｔ
を少なくとも一層挟持して構成されていることを特徴と
している。

又Ｘ線透過性の透過膜を多層積層した支持膜を支持枠に
保持し該支持膜面上にＸ線吸収体より成るパターンを設
けたＸ線用マスクを構成する場合には、該支持膜は電気
抵抗率が１×１０−４Ω・ｃｍ以下の透過膜Ｔを少なく
とも一層挟持して構成されていることを特徴としている
。

この他Ｘ線用マスクの露光方法としては、電気抵抗率が
ｔｘｉｏ−４Ω・ｃｍ以下のＸ線透過性の透過膜Ｔを少
なくとも一層挟持するように多層積層した支持膜を支持
枠に保持し、該支持膜面上にＸ線吸収体より成るパター
ンを設けたＸ線用マスクを被転写体に近接対向配置し、
該Ｘ線用マスクと該被転写体とのアライメントを行った
後、該Ｘ線用マスク側よりＸ線を照射し、該支持膜面上
のパターンに関するパターン情報を該被転写体に転写し
たり、又このとき電位差調整手段を設け、Ｘ線を照、射
したときに生ずる該Ｘ線用マスク側の電位と該被転写体
側の電位とが等しくなるようにしたことを特徴としてい
る。

（実施例） 第１図は本発明のＸ線用マスクの一実施例の模式断面図
である。図中、１０は支持膜であり、軟Ｘ線に対して所
定の透過率を有する後述する値の電気抵抗値を有する少
なくとも１つの透過膜を含む複数の透過膜１．２．３を
多層積層して構成されている。４はリング状の支持枠で
あり、支持膜１０を緊張保持している。支持膜１０と支
持枠４よりＸ線用マスク支持体１１を構成している。

尚、本実施例に右いて透過膜１は最も厚い基準透過膜を
構成している。

５は軟Ｘ線に対するＸ線吸収体としての非透過膜であり
、支持１１ｉ１０上に幾何形状に描かれており、それよ
り例えば電子回路等のパターンを形成している。

支持１１９１０、支持枠４、そしてＸ線吸収体５よりＸ
線用マスク１２を構成している。

本実施例では支持膜１０を構成する多層積層構造の透過
膜のうち挟持されている少なくとも１つの透過膜Ｔを、
例えば同図の透過膜２を電気抵抗率がＩ　Ｘ　１０””
Ω・ｃｍ以下の電気抵抗率の小さな材料より構成してい
ることを特徴としている。

これにより支持膜１０表面若しくは全体にわたり良好な
る電気伝導性をもたせ、電位差調整手段として、例えば
接地部材を用いることにより支持ｒｌ！Ａ１０の電位を
接地電位に保つべく接地接続するようにしている。

これにより支持膜１０上のＸ線吸収体５より成るパター
ンを被転写体としてのウニへ面上に焼付ける際に軟Ｘ線
を照射したときに支持膜１０面上に電荷が発生し、その
面上に集積し、例えばウニ八面側に吸引されて変形する
のを効果的に防止している。

そして透過膜２の厚さをｄ２を５ｎｓ以上５０ｎｍ以下
に設定している。透過膜２の厚さが５０ｎｍよりも厚す
ぎると軟Ｘ線の透過膜２における吸収が多くなりすぎ、
又、５ｎ■よりも薄すぎると支持膜の帯電を防ぐ効果が
減少してくるので良くない。

支持膜１０は軟Ｘ線の透過率が高ければ高い程良い。こ
の為には同一材料を用いている場合は、なるべく薄く構
成するのが良いが、ある程度の機械的強度も確保しなく
てはならず、一定の厚さが必要となってくる。

この為、本実施例では支持膜１０全体の膜厚を基準透過
＠１が有機膜より成っているときには、軟Ｘ線に対する
単位厚さ当りの吸収が少ない為に１μｍ以上１５μｍ以
下とし、基準透過膜１が軽元素を主成分とする無機膜よ
り成っているときは、０．５μｍ以上５μｍ以下となる
ように設定している。

又、多層積層構造の支持膜１０をウェハとのアライメン
トを行う場合、マスクからの反射光とウェハからの反射
光が混合するのを防止しウェハ信号光が効率的に得られ
るように設定している。即ち、可視光又は赤外光のうち
アライメントを行う光に対する反射率が低くなるように
、例えば反射率が２０％以下となるように、特に最上層
の透過１ｌｉ３の材料及び膜厚を適切に設定している。

例えば支持膜１０をＸ線照射側より順に透過膜（第１層
）を有機膜又は無機膜、透過膜２（第２層）を金属膜と
して透過膜３（第３層）を有機膜又は無機膜の全体とし
て３つの透過膜より構成している。

又、透過膜Ｔを多層積層した透過膜の片側の面から数え
て２番目以降となるようにして軟Ｘ線の光電子放出によ
る帯電効果を弱めている。

本実施例では電気抵抗率がＩ　Ｘ　ＩＰ４Ω・０ｍ以下
の透過膜を構成する材料として鉄、コバルト。

ニッケル、銅９．亜鉛、モリブデン、ルテニウム。

ロジウム、パラジウム、銀、カドニウム、タングステン
、オスミウム、イリジウム、白金、金の遷移元素及びベ
リリウム、アルミニウム、インジウム等からなる群より
選ばれた１つの材料より構成している。

この他、多層積層構造を構成する透過膜の材料としては
ポリイミド、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート
、ポリパラキシリレン等の有機物、炭化ケイ素、窒化ケ
イ素、窒化アルミ、二酸化ケイ素、窒化ホウ素等の軽元
素を主成分とした無機物等が適用可能である。

第１図の実施例では多層積層構造の支持膜を３層より構
成したが、３層以上で構成しても良いことは当然である
。

又、上記支持膜上に形成するＸ線吸収体としての材料と
しては、一般に密度の高い物質、例えば金、白金、タン
グステン、タンタル、銅、ニッケル及びそれらを含む化
合物の薄ＩＩ（例えば、０．５乃至１μｍ程度の厚み）
の如く、従来のＸ線マスク構造体に使用されているＸ線
吸収体はいずれも本発明において使用出来、特に限定さ
れない。

次に本実施例においてＸ線用マスク支持体（マスクブラ
ンクス）にｘｍ吸収体より成るパターンを形成し、Ｘ線
用マスクを作製する一例を示す。

まず、上記支持膜面上にメツキ電極層を設け、その上に
単層又は多層のレジストをエレクトロンビーム描画によ
りパターニングし、例えば、金をメツキしてＸ線吸収体
である金パターンを形成する。又、支持膜上にＷやＴａ
等を成膜し、単層又は多層のレジストをエレクトロンビ
ーム描画により形成し、次いでＷやＴａ層をプラズマエ
ツチングしてＸ線吸収体を形成することができる。

特にシリコン基板面上に無機膜より成る支持膜を形成す
る場合にはＸ線吸収体はシリコンウェハのバックエツチ
ング前に形成しても良い。本実施例では以上のようにし
てＸ線用マスクを作製している。

第２図は本発明に係るＸ線用マスク１２を被転写体とし
てのウェハ４３に近接配置して、Ｘ線用マスク１２にＸ
線を照射して該Ｘ線用マスク面上に形成したパターンを
ウェハ面上に転写する場合の所謂プロキシミティ露光に
おける一実施例の概略図である。

同図においては支持膜（マスクメンブレン）２０面上に
Ｘ線吸収体２２をパータン形成してＸ線用マスク１２と
したものを用いている。

Ｘ線用マスク１２はフレーム２１によりマスクステージ
４１に吸着等の方法により固定されている。一方Ｘ線用
レジストを塗布したシリコンウェハ４３はウェハチャッ
ク４２に真空吸着等の方法により固定されている。この
ときＸ線用マスク１２とウェハ４３４面との間隔はプロ
キシミティギャップと言われる所定量の空隙ｇに設定さ
れている。これによりＸ線用マスク１２とウェハ４３と
のＸ線照射における電位差に基づく接触を防止し、Ｘ線
用マスクが破損しないようにしている。

本実施例ではこのときの空隙ｇを５μｍ〜１００μｍの
範囲内となるように設定している。

本実施例では以上のように構成した露光装置な用いて、
例えば次のようにしてＸ、１１１露光（照射）を行って
いる。

まず可視光又は近赤外光より成るアライメント光２４に
てＸ線用マスク１２面上に設けたアライメントマークと
ウェハ４３面上に設けたアライメントマークとを合致さ
せる。即ち、Ｘ線用マスク１２とウェハ４３とが所定の
位置関係となるようにアライメントマークを利用して行
う。そしてアライメントが終了したら露光用のＸ線２３
を不図示のシャッタを通して必要時間だけ照射する。

通常Ｘ線用マスク１２の露光照射領域はウェハ４３に対
して小さい為、アライメント→Ｘ線照射→ステージ移動
の動作を繰り返して行い、これによりウェハ全面を露光
している。

又、Ｘ線照射時に支持膜１０、特にＸ線吸収体２２と被
転写体であるウェハ４３面上に電荷が発生し集積するの
を防止する為、又は支持膜１０とウェハ４３との電位差
がなくなるように本実施例では次のように電位差調整手
段を設けて行フている。

（イ）電位差調整手段として接地部材を用い支持膜１０
とウェハ４３の各々を接地し、これにより双方の電位差
をなくしている。

（ロ）電位差調整手段として接続部材を用い支持膜ｌＯ
とウェハ４３とを電気的に接続し、双方の電位差をなく
している。

（ハ）電位差調整手段として電圧印加手段を用い支持膜
１０とウェハ４３の各々に所定の電圧を印加し、支持膜
１０とウェハ４３との電位差がなくなるようにしている
。

以上のようにして本実施例では支持膜１０とウェハ４３
との電位差がなくなるようにしているが双方の電位差を
なくす方法は前述の方法に限らず、どのような手段を用
いても本発明においては適用可能である。

次に本実施例に係るＸ線用マスクの支持膜の製造方法の
実施例を示す。

第３図は本発明に係るＸ線用マスクの支持膜の製造装置
の第１実施例の概略図である。同図において６はプラズ
マＣＶＤ　（化学気相合成法）用チャンバー　７はマグ
ネトロンスペッタ用チャンバーであり、両者間をバルブ
８を開閉することにより、被成膜用の基板３２を大気に
曝すことなく連続的に成膜を繰り返すことが出来るよう
に構成している。

基板３２は例えば表面粗さ０．０１μｍ、ｒｍＳに研磨
した２ｍｍ厚のケイ素基板より成っており、プラズマＣ
ＶＤ用チャンバーの８００°Ｃまで加熱が可能のサンプ
ルホルダー９に設置されている。

本実施例では、まず背圧を２　ｘ　１０−’Ｔｏｒｒに
減圧した後、下部電極３１に開けられた穴から水素で１
０％に希釈されたシランガス５　ｓｅｃｍとメタンガス
２０　ｓｅｃｍを供給し、基板３２の温度を２００’Ｃ
に加熱して圧カフ、５　Ｘ　１０””Ｔｏｒｒで高周波
パワー８Ｗを印加し、第１図の透明膜１に相当する２、
０μｍの膜厚の炭化ケイ素（Ｓ　ｉ　Ｃ）層を形成した
。

膜厚のモニターはヘリウムネオンレーザ−３３、ミラー
１３、検出器１４を用い反射率な測定することにより行
フた。尚、ミラー１３と検出器１４を保護部材１５によ
り保護した。

その後、真空度をマグネトロンスパッタ用チャンバー７
と同程度の２　ｘ　１０−’Ｔｏｒｒとした後、バルブ
８を開けて２．０μｍの膜厚のＳｉＣ層が形成された基
板３２をマグネトロンスパッタ用チャンバーのサンプル
ホルダー１６に設置した。そしてアルゴンガス圧を５　
ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒとして高周波パワー１００Ｗを印
加してオスミウム（Ｏｓ）性のスパッタターゲットの上
に位置するシャッター１Ｂを開閉して第１図の透明膜２
に相当するオスミ、ラム（Ｏｓ）８ｎｍの成膜を行った
。

このとき基板３２の加熱は行なわず、膜厚は較正された
水晶式膜厚計１９により行った。

更にその後、プラズマＣＶＤ用チャンバー６内に戻し、
最初と同じ条件で第１図の透明膜３に相当するフＯｎｍ
のＳｉＣ層を形成した。

そして基板３２を十分冷却した後、裏面中央部を２５Ｉ
ＩＩ１口の大きさにケイ素基板３２のバックエツチング
を行いＳｉＣ，２μｍ厚１０ｓ、８ｎｍ厚／ＳｉＣ，７
０ｎｍ厚の多層積層構造をなすＸ線用マスクの支持膜１
０を製造した。

このＸ線用マスクの支持膜１０に波長８３０　ｎ１１の
半導体レーザーを透過膜に垂直にＳｉＣ，？０ｎ１１厚
（透明膜３）の側から入射させ、反射率と透過率を求め
たところ、それぞれ２％、９０％となった。ＳｉＣ，２
μｍ厚のみの透過膜の場合、反射率と透過率はそれぞれ
５５％、４５％であり、これに比較して反射率は急激に
減少しており、同時に透過率が大幅に改善された。

このＸ線用マスクの支持膜に波長０．８３４ｎｍのアル
ミニウムのにα線を入射し、透過率を求めたところ６５
％の透過率が得られた。又、支持膜の対接地電位の上昇
は認められなかった。

本実施例では支持膜１０上に第１図に示す軟Ｘ線の吸収
体５の形成は行なわなかったが、通例基板３２のバック
エツチング以前に金等の軟Ｘ線の吸収体５を必要な形状
にパターニングしている。

尚、バックエツチング時に必要な形状からの歪みが発生
する場合は、透過膜を形成した後に金等の軟Ｘ線に対す
る吸収体５を必要な形状にバターニングしても良い。

次に第２実施例として第３図に示す第１実施例と全く同
様な方法により２．０μ論厚のＳｉＣ層をケイ素基板３
２上に形成した。その後、マグネトロンスパッタを行っ
たが本実施例では金（Ａｕ）より成るスパッタターゲッ
トを用いることにより、Ａｕ、８ｎ−の成膜を行った。

その後、プラズムＣＶＤ用チャンバーに戻し、膜厚６５
ｎｍのＳｉＣの成膜を行った。そして、バックエツチン
グによりＳｉＣ，２μｍ厚／Ａｕ、８ｎｍ厚／ＳｉＣ，
６５ｎ■厚の多層積層構造をなすＸ線用マスクの支持膜
を製造した。

このＸ線用マスクの支持膜に波長８３０　ｎｍの半導体
レーザーを透過膜に垂直にＳｉＣ，６５ｎ謹厚（透明膜
３）の側から入射させ、反射率と透過率を求めたところ
、それぞれ３％、９５％であった。

又、波長０．８３４　ｎ−のアルミニウムのにα線を入
射し、透過率を求めたところ６５％の透過率が得られた
。又、支持膜の対接地電位の上界は認められなかった。

次に第３実施例として第３図に示すサンプルホルダー９
に表面粗さ０．０１μｍ、ｒｍｓに研磨した２μｍ厚の
ケイ素基板３２を設置した。背厚な２　Ｘ　１０−’Ｔ
ｏｒｒまで引いた後、水素で１０％に希釈されたシラン
ガスＳ　５ｃｃ−とアンモニア２０　ｓｅｃｍを下部電
極に開けられた穴から供給した。基板３２の温度を２５
０°Ｃに加熱して圧カフ、５×１０−’Ｔｏｒｒで高周
波パワー２０Ｗを印加し、２．０μｍ厚の窒化ケイ素（
Ｓ　ｉ　Ｎｘ）層を形成した。

この窒化ケイ素には水素が若干含有されるものと思われ
るが、屈折率は波長８３０ｎｍに対して２．０程度であ
り、Ｓｉ、Ｎ４と同程度の屈折率を示した。又、バッフ
ァエツチング液でエツチングしたところ、Ｓｔ、Ｎ４よ
りややエツチングレートが大きかった。

ケイ素基板３２上にｉ、０７５ｍ厚で形成されたＳｉＮ
ｘ上にスパッタによりオスミウムＯｓ。

８ｎ■を形成した。スパッタ条件は前述の第１実施例と
同様である。その後、その上にＳｉＮｘを７０Ωｍ成膜
し、バックエツチングによりＳｉＮｘ２μｍ厚１１０５
８ｎ厚／　Ｓ　ｉ　Ｎ　ｘフＯｎｍ厚の多層積層構造を
なすＸ線用マスクの支持膜を得た。

このＸ線用マスクの支持膜に波長８３０　ｎｍの半導体
レーザーを透過膜に垂直にＳＳｉＮｘ７０ｎ厚（透明膜
３）の側から入射させ、反射率と透過率を求めたところ
それぞれ１％未満、７５％であった。今回と同様の方法
で作製されたＳｉＮｘ。

２μｍ厚の透過膜は反射率と透過率はそれぞれ２８％、
７０％であった。これより反射率は急激に減少し、透過
率の改善がみられた。

このＸ線用マスクの支持膜に波長０．８３４ｎｍのアル
ミニウムのにα線を入射させ、透過率を求めたところ５
５％の透過率が得られた。又、透過膜の対接地電位の上
昇は認められなかった。

次に第４実施例として炭素含有量が化学量論的組成（ケ
イ素：炭素＝１　：　１）より多い炭化ケイ素（ＳｉＣ
）より成る支持膜を有機ケイ層化合物であるポリシラス
チレンの焼成方法により作成した。

まず、ポリシラスチレン（商品名Ｓ−４００、日本曹達
（株）製）をトルエンに溶解し、１０ｗｔ／Ｖ溶液を作
製した。表面を鏡面研磨した炭素基板上にスピナーにて
上記溶解液を塗布し２０μｍ厚さのポリシラスチレン膜
を形成した。次にこれを基板ごとに焼成炉に入れ乾燥窒
素雰囲気下にて２００　　°ｃ、１時間、更に１００°
Ｃ／分の昇温速度で１２５０’ｃまで昇温し２５時間そ
の温度に保った後、炉の加熱を停止し自然冷却をして、
厚さ２．０μｍの炭化ケイ素より成る支持膜を得た。こ
のときの支持膜の電気抵抗を測定したところ０．１Ω・
ｃｍであった。

この支持膜に金（Ａｕ）を８Ωｍ蒸着し、更にスパッタ
リング法により、ＳｉＣを６５Ωｍ成膜した。この際タ
ーゲット上にグラファイト板を面積比で１０％となるよ
うに重ね炭素組成が化学量論比から３％ないし工Ｏ％ず
れるようにし、電気伝導性をもたせた。

以上の工程で形成したＳｉＣ，′２μｍ　／　Ａ　ｕ　
。

８Ωｍ／Ｓ　ｉ　Ｃ，６５ｎｍ厚さの多層膜構造をなす
Ｘ線用マスク支持体にＸ線吸収体を形成した。このＸ線
用マスクの支持膜に波長８３０Ωｍの半導体レーザな透
過膜に垂直にＳ　ｉ　Ｃ，厚さ６５ｒｖ（透明膜３）の
側から入射させ、反射率と透過率を求めたところ、それ
ぞれ３％、９５％であった。

又、波長０．８３４ｎｍのアルミニウムのにα線を入射
し、透過率を求めたところ６５％の透過率が得られた。

又、支持膜の対接地電位の上界は認められなかった。

以上の各実施例においては、多層積層構造の作製におい
てマグネトロンスパッタ法とプラズマＣＶＤ法を併用し
たが、これ以外にもＥＢ蒸着法、抵抗加熱法、あるいは
上記以外のスパッタ法、反応性スパッタ法、上記以外の
ＣＶＤ法を用いても良い。

又、有機膜を形成する方法としてスピンコード法、ＬＢ
法なども用いることが可能である。又、２つの異なる成
膜方法で２つの異なる材料を成膜したが、同一の成膜方
法で２つ以上の材料を成膜しても良い。

以上の各実施例では全て第１層と第３層を同一の物質で
構成した場合を示したが、全ての層の物質を変えて構成
しても良い。

又、波長８３０　ｎｍの半導体レーザーに対して反射防
止膜となるように膜厚を設定したが可視光、赤外光のう
ちアライメント用の光であれば、いずれの波長の光を用
いても良い。

（発明の効果） 以上のように本発明によれば複数の透明膜の多層積層構
造より成るＸ線用マスクの支持膜の少なくとも１つの透
明膜に所定の電気抵抗率を有する材料を用い、又Ｘ線照
射時に前述のような構成の電位差調整手段を利用するこ
とにより支持膜と被転写体（ウェハ）との電位差をなく
すことにより、軟Ｘ線の露光による支持膜の帯電に伴う
悪影響を極めて効果的に防止することができ、帯電に伴
う静電吸引等による支持膜の変形等を防止することので
きる高精度のパターン転写が可能なＸ線用マスクやそれ
を用いた露光方法及び露光装置を達成することができる
。

更にアライメント用の波長の光に対して反射防止膜とな
るように設定することにより、支持膜表面からの反射に
よるアライメント時の不要の光を軽減させ、透過率を向
上させることができ、高いアライメント精度が容易に得
られるＸ線用マスクを達成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のＸ線用マスクの一実施例の模式断面図
、第２図は本発明のＸ線用マスクを用いた露光装置の要
部概略図、第３図は本発明に係るＸ線用マスクの支持膜
を製造する為の一実施例の概略図である。 図中、１０は支持膜、１，２．３は透明膜、４は支持枠
、５は軟Ｘ線の吸収体、３２は基板、６はプラズマＣＶ
Ｄ用チャンバー　７はマグネトロンスパッタ用チャンバ
ー　８はバルブ、９．１６はサンプルホルダー　３１．
１７は下部電極、３３はヘリウムネオンレーザ−１３は
ミラー１４は検出器、１８はシャッター　１９は水晶式
膜厚計である。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｘ線透過性の透過膜を多層積層した支持膜を支持
   枠に保持したＸ線用マスク支持体であって、該支持膜は
   電気抵抗率が１×１０＾−＾４Ω・ｃｍ以下の透過膜Ｔ
   を少なくとも一層挟持して構成されていることを特徴と
   するＸ線用マスク支持体。
2. （２）Ｘ線透過性の透過膜を多層積層した支持膜を支持
   枠に保持し該支持膜面上にＸ線吸収体より成るパターン
   を設けたＸ線用マスクであって、該支持膜は電気抵抗率
   が１×１０＾−＾４Ω・ｃｍ以下の透過膜Ｔを少なくと
   も一層挟持して構成されていることを特徴とするＸ線用
   マスク。
3. （３）電気抵抗率が１×１０＾−＾４Ω・ｃｍ以下のＸ
   線透過性の透過膜Ｔを少なくとも一層挟持するように多
   層積層した支持膜を支持枠に保持し、該支持膜面上にＸ
   線吸収体より成るパターンを設けたＸ線用マスクを被転
   写体に近接対向配置し、該Ｘ線用マスクと該被転写体と
   のアライメントを行った後、該Ｘ線用マスク側よりＸ線
   を照射し、該支持膜面上のパターンに関するパターン情
   報を該被転写体に転写することを特徴とするＸ線用マス
   クを用いた露光方法。
4. （４）電気抵抗率が１×１０＾−＾４Ω・ｃｍ以下のＸ
   線透過性の透過膜Ｔを少なくとも一層挟持するように多
   層積層した支持膜を支持枠に保持し、該支持膜面上にＸ
   線吸収体より成るパターンを設けたＸ線用マスクを被転
   写体に近接対向配置し、該Ｘ線用マスクと該被転写体と
   のアライメントを行った後、該Ｘ線用マスク側よりＸ線
   を照射し、該支持膜面上のパターンに関するパターン情
   報を該被転写体に転写する際、Ｘ線を照射したときに生
   ずる該Ｘ線用マスク側の電位と該被写体側の電位とが等
   しくなるようにしたことを特徴とするＸ線用マスクを用
   いた露光方法。
5. （５）前記Ｘ線用マスクと前記被転写体とを電気的に接
   続して前記Ｘ線の照射を行うことを特徴とする請求項４
   記載のＸ線用マスクを用いた露光方法。
6. （６）前記Ｘ線用マスクと前記被転写体とを各々接地し
   て前記Ｘ線の照射を行うことを特徴とする請求項４記載
   のＸ線用マスクを用いた露光方法。
7. （７）前記支持膜の膜厚を該支持膜を構成する基準透過
   膜が有機膜より成っているときは１μｍ〜１５μｍの範
   囲内より、又該基準透過膜が無機膜より成っているとき
   は０．５μｍ〜５μｍの範囲内より構成したことを特徴
   とする請求項１記載のＸ線用マスク支持体又は請求項２
   記載のＸ線用マスク又は請求項３記載のＸ線用マスクを
   用いた露光方法又は請求項４記載のＸ線用マスクを用い
   た露光方法。
8. （８）前記支持膜をＸ線照射側より順に第１層を有機膜
   又は無機膜、第２層を金属膜、第３層を有機膜又は無機
   膜の全体として３つの透過膜より構成したことを特徴と
   する請求項１記載のＸ線用マスク支持体又は請求項２記
   載のＸ線用マスク又は請求項３記載のＸ線用マスクを用
   いた露光方法又は請求項４記載のＸ線用マスクを用いた
   露光方法。
9. （９）前記Ｘ線用マスクと前記被転写体との間隔を５μ
   〜１００μの範囲内に設定したことを特徴とする請求項
   ３記載のＸ線用マスクを用いた露光方法又は請求項４記
   載のＸ線用マスクを用いた露光方法。