JPS6061750A - X線露光マスクの製造方法 - Google Patents
X線露光マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS6061750A JPS6061750A JP58170754A JP17075483A JPS6061750A JP S6061750 A JPS6061750 A JP S6061750A JP 58170754 A JP58170754 A JP 58170754A JP 17075483 A JP17075483 A JP 17075483A JP S6061750 A JPS6061750 A JP S6061750A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- pattern
- deposited
- thin
- ray exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 150000003657 tungsten Chemical class 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006268 silicone film Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は微細パターンの高精度転写技術として注目され
ているXi露元法に於いて用いられるX線露光マスクの
1!造方法に関するものである・X線露光法は、波長の
短い軟X線を図形の転写媒体として用いるため、プロキ
シミティ露光による微細パターン高精度一括転写が可能
であり、この為マスクの汚れが生じ難いといった長所を
有している。その反面、電子ビーム励起方式のX線源を
用いたX線露光装置では、点光源から放射状ζこ発生す
る軟X線を図形の転写媒体として用いるが故ζこマスク
及びウェハの反りや歪が転写パターンの位置ずれやボケ
に大きく影響するという開切も抱えている。しかしなが
ら、ウェハの大口径化もまた半導体デバイスの生産性及
び歩留りを篩める為に不可欠である。この為、従来、マ
イラー、カプトン、ポリイミド、パリレン−Nなどとい
ったプラスチックの薄膜を転写パターンの支持層とする
大口径のX線露光マスク(以後プラスチックマスクと称
する)を用いて、密MW光により人口径ウェハに一括転
写しようと下る試みがなされている。
ているXi露元法に於いて用いられるX線露光マスクの
1!造方法に関するものである・X線露光法は、波長の
短い軟X線を図形の転写媒体として用いるため、プロキ
シミティ露光による微細パターン高精度一括転写が可能
であり、この為マスクの汚れが生じ難いといった長所を
有している。その反面、電子ビーム励起方式のX線源を
用いたX線露光装置では、点光源から放射状ζこ発生す
る軟X線を図形の転写媒体として用いるが故ζこマスク
及びウェハの反りや歪が転写パターンの位置ずれやボケ
に大きく影響するという開切も抱えている。しかしなが
ら、ウェハの大口径化もまた半導体デバイスの生産性及
び歩留りを篩める為に不可欠である。この為、従来、マ
イラー、カプトン、ポリイミド、パリレン−Nなどとい
ったプラスチックの薄膜を転写パターンの支持層とする
大口径のX線露光マスク(以後プラスチックマスクと称
する)を用いて、密MW光により人口径ウェハに一括転
写しようと下る試みがなされている。
ところが、現在までのところ、これらプラスチックマス
クには、プラスチック薄膜の寸法の経時変化や温度及び
湿度の変動に伴う寸法の変化及び使用状態においてもウ
ェハに密着したプラスチック薄膜を引き離す時に生する
歪等々の問題があるため、1μm@後若しくはそれ以下
の超漱細パターンを所望の精度で車ね合せ露光すること
は非常に困難である。
クには、プラスチック薄膜の寸法の経時変化や温度及び
湿度の変動に伴う寸法の変化及び使用状態においてもウ
ェハに密着したプラスチック薄膜を引き離す時に生する
歪等々の問題があるため、1μm@後若しくはそれ以下
の超漱細パターンを所望の精度で車ね合せ露光すること
は非常に困難である。
一方、Au等のX線を良く吸収する重金属で形成した所
望の転写パターンを8iや8i3N4.5i02 。
望の転写パターンを8iや8i3N4.5i02 。
SiO,BN、A/、0.等々の軟X線の透過率が大き
い無機材料から成る#膜で支持し窓枠状のSiフレーム
で前記薄膜を補強支持する構造のX線露光マスク(以後
これを無機マスクと称]−る)の開発もまた盛んである
。こうした無機マスクは、一般に寸法の経時変化が殆ん
ど無くまた、温度や湿度の変化に伴う寸法の変動が小さ
いため、極めて高M度の位置合せを必要とTる超LSI
等の製造に適している。
い無機材料から成る#膜で支持し窓枠状のSiフレーム
で前記薄膜を補強支持する構造のX線露光マスク(以後
これを無機マスクと称]−る)の開発もまた盛んである
。こうした無機マスクは、一般に寸法の経時変化が殆ん
ど無くまた、温度や湿度の変化に伴う寸法の変動が小さ
いため、極めて高M度の位置合せを必要とTる超LSI
等の製造に適している。
一方無機マスクの欠点は、機械的強度がプラスチックマ
スクに比べて小さい為、大口径ウェハに一括露光する為
の大口径マスクの製造が困IIgな点である。しかし、
大口径ウェハに露光する場合の上記の問題点は比較的小
口径の高平面度を有する無機マスクを用いたステップ・
アンド・リピート露光方式を採用するこさζこより解決
できる。なぜならば、こうすることによってマスク面積
は小さくてもよいことになり、マスクの寸法が小さいた
めに反りが小さくなり、しかも温51wや湿度の変化に
伴うマスクのピッチ精度の低下が小さく抑えられ、更に
各露光ステップ毎にX線露光マスクξウェハの間隔及び
平行層を妙妙lこ調整できるようlこなる為、ウェハの
口径とは無関係に高精度の位置合せが可能ζこなるので
ある。
スクに比べて小さい為、大口径ウェハに一括露光する為
の大口径マスクの製造が困IIgな点である。しかし、
大口径ウェハに露光する場合の上記の問題点は比較的小
口径の高平面度を有する無機マスクを用いたステップ・
アンド・リピート露光方式を採用するこさζこより解決
できる。なぜならば、こうすることによってマスク面積
は小さくてもよいことになり、マスクの寸法が小さいた
めに反りが小さくなり、しかも温51wや湿度の変化に
伴うマスクのピッチ精度の低下が小さく抑えられ、更に
各露光ステップ毎にX線露光マスクξウェハの間隔及び
平行層を妙妙lこ調整できるようlこなる為、ウェハの
口径とは無関係に高精度の位置合せが可能ζこなるので
ある。
ところがこうしたステップ・アンド・リピート露光方式
を採用したとしても1μTn以下の做細パターンをそれ
に見合った加工精度および位置合せ精度で転写する為に
は、Xft1J′IIJ光マスクの反りはパターン領域
で約1μm以下、マスク全体で少なくとも10μm以下
にする必要がある。さころが従来得られているX線露光
マスクは、前記N膜の材質およびその堆積条件を選択す
ることにより、該薄膜自身は所望の平面度で形成するこ
とが可能であるものの、該薄膜上に形成する重金属パタ
ーンが一般に大きな応力を有している為、X線露光マス
ク基板に大きな反りを生じ、X線露光に於けるマスク上
ウェハ間の間隔を十分狭めるこ、X:ができない為に所
望の転写精度を得ることが困雉であったばかりでなく、
パターン密度によってX線露光マスクの反りが変化する
為、例えばMOSデバイス等の製造プロセスに於いては
マスクの位置合せM度をも低下させる原因となっていた
。
を採用したとしても1μTn以下の做細パターンをそれ
に見合った加工精度および位置合せ精度で転写する為に
は、Xft1J′IIJ光マスクの反りはパターン領域
で約1μm以下、マスク全体で少なくとも10μm以下
にする必要がある。さころが従来得られているX線露光
マスクは、前記N膜の材質およびその堆積条件を選択す
ることにより、該薄膜自身は所望の平面度で形成するこ
とが可能であるものの、該薄膜上に形成する重金属パタ
ーンが一般に大きな応力を有している為、X線露光マス
ク基板に大きな反りを生じ、X線露光に於けるマスク上
ウェハ間の間隔を十分狭めるこ、X:ができない為に所
望の転写精度を得ることが困雉であったばかりでなく、
パターン密度によってX線露光マスクの反りが変化する
為、例えばMOSデバイス等の製造プロセスに於いては
マスクの位置合せM度をも低下させる原因となっていた
。
本発明の目的は上記のごとき従来のX線露光マスクの欠
点を改良し、転写パターンを構成する重金属パターンの
応力を補償し、パターン密度によらず常に高平面度のX
線露光マスクを製造下る方法を提供するものである。
点を改良し、転写パターンを構成する重金属パターンの
応力を補償し、パターン密度によらず常に高平面度のX
線露光マスクを製造下る方法を提供するものである。
以下本発明の詳細を一実施例を引用しながら図面を用い
て説明する。
て説明する。
第1図から第5図に至る各図は本発明の一実施例による
X線露光マスクの主要與造工程ζこ於ける模式的断面図
を工程順に示した′ものである。
X線露光マスクの主要與造工程ζこ於ける模式的断面図
を工程順に示した′ものである。
先ず、(100)若しくは(110)シリコン単結晶基
板1の一表面上に窒化シリコン、二酸化シリコン、炭化
シリコン、窒化ボロン又はアルミナのいずれか一つ若し
くはそれ等の複合膜から成る薄膜をOVD法、スパッタ
リング法又は熱酸化法等の方法によV)堆積し、通常の
光学露光技術で形成したレジストパターンを保護膜にし
て湿式化学エツチング技術を用いて前記薄膜を所望の窓
枠状パターン2に加工する(ハシ1図)。
板1の一表面上に窒化シリコン、二酸化シリコン、炭化
シリコン、窒化ボロン又はアルミナのいずれか一つ若し
くはそれ等の複合膜から成る薄膜をOVD法、スパッタ
リング法又は熱酸化法等の方法によV)堆積し、通常の
光学露光技術で形成したレジストパターンを保護膜にし
て湿式化学エツチング技術を用いて前記薄膜を所望の窓
枠状パターン2に加工する(ハシ1図)。
しかる後前記ソリコン単結晶基板1の他方の表面上に厚
さ1μmの窒化シリコン膜3をプラズマOVD法若しく
はOVD法により堆積する(第2図)。
さ1μmの窒化シリコン膜3をプラズマOVD法若しく
はOVD法により堆積する(第2図)。
次に前記窒化シリコン膜3の表面上に例えばArガスを
用いたスパッタリング法をこより約1000^ないし数
千穴のtiさのW#膜を堆積し、続いてWF6ガス♂H
,ガスを用いたOV、、D法若しくはプラズマ0VI)
法により約100OAすいし数千Aの厚さのW薄膜を堆
積する(第3図)。両方法lこよって堆積し1こW博膜
4全体の厚さは数千A1.〔いし約1μInとすること
が望ましい。
用いたスパッタリング法をこより約1000^ないし数
千穴のtiさのW#膜を堆積し、続いてWF6ガス♂H
,ガスを用いたOV、、D法若しくはプラズマ0VI)
法により約100OAすいし数千Aの厚さのW薄膜を堆
積する(第3図)。両方法lこよって堆積し1こW博膜
4全体の厚さは数千A1.〔いし約1μInとすること
が望ましい。
次に前記W薄膜4上に例えば電子ヒーノ・露光技術等に
より所望のパターンをレジストで形成し、このレジスト
パターンをマスクにして8(6又は0(34,あるいは
Siす14等のカスを用いた反応性スパッタエッチング
により、該W薄膜4をパターン化して4′とした後、不
用となったレジストパターンを除去′?I−る(第4図
)。
より所望のパターンをレジストで形成し、このレジスト
パターンをマスクにして8(6又は0(34,あるいは
Siす14等のカスを用いた反応性スパッタエッチング
により、該W薄膜4をパターン化して4′とした後、不
用となったレジストパターンを除去′?I−る(第4図
)。
最後ζこ該Wパターン4′を例えはQ、lJンク等を用
いた任意の治具を用いて保誂しつつ、先に形成した窓枠
状薄膜2を保護服にして111記ソリコン単結晶基板1
の一部を例えばK O)(水溶液等の異方性エッチンク
液を用いでシリコン屋化膜3が露出丁6まで除去すれは
第5図に示すごとき断面形状を有するX勝幽光マスクが
得られる。
いた任意の治具を用いて保誂しつつ、先に形成した窓枠
状薄膜2を保護服にして111記ソリコン単結晶基板1
の一部を例えばK O)(水溶液等の異方性エッチンク
液を用いでシリコン屋化膜3が露出丁6まで除去すれは
第5図に示すごとき断面形状を有するX勝幽光マスクが
得られる。
−J& lこスパッタリンク法でS i J%板上4こ
堆積したW薄膜は約5 X 1.Odyn / cra
ftいし2X1010dyn/crAという太き1x圧
縮応力を有しており、逆にWF、ガスと11.ガスを用
いたOVD法又はプラズマOVD法で堆積したW薄膜は
およそIXIOgdyn/i7.にいしI XIOdy
n /cdの引張り応力を有している為、X線露光マス
クのパターンとして必要な数千へないし1μm程度の膜
厚のWN膜をいずれか一つの方法で堆積すると、W薄膜
自身の内部応力により膜中にクラックを生じたりあるい
は基板から剥離してしまう為、約500OA以上の膜厚
のW薄膜を形成することは困難であるが、上記のように
スパッタリングとOVD法若しくはプラズマOVD法に
よるW薄膜を交互をこ績層丁れは、互いの応力を相殺す
る為、数千へ以上の膜厚を有する欠陥の無いW膜が得ら
れるはかりでなく、それぞれの方法で堆積するW薄膜の
膜厚比を内部応力の強度に応じて適宜選択子れは、基板
に列して応力を全く付加しないW膜の形成が可能となる
。
堆積したW薄膜は約5 X 1.Odyn / cra
ftいし2X1010dyn/crAという太き1x圧
縮応力を有しており、逆にWF、ガスと11.ガスを用
いたOVD法又はプラズマOVD法で堆積したW薄膜は
およそIXIOgdyn/i7.にいしI XIOdy
n /cdの引張り応力を有している為、X線露光マス
クのパターンとして必要な数千へないし1μm程度の膜
厚のWN膜をいずれか一つの方法で堆積すると、W薄膜
自身の内部応力により膜中にクラックを生じたりあるい
は基板から剥離してしまう為、約500OA以上の膜厚
のW薄膜を形成することは困難であるが、上記のように
スパッタリングとOVD法若しくはプラズマOVD法に
よるW薄膜を交互をこ績層丁れは、互いの応力を相殺す
る為、数千へ以上の膜厚を有する欠陥の無いW膜が得ら
れるはかりでなく、それぞれの方法で堆積するW薄膜の
膜厚比を内部応力の強度に応じて適宜選択子れは、基板
に列して応力を全く付加しないW膜の形成が可能となる
。
このようにして形成したW薄膜は如何なる形状にパター
ニングしようとも新たな応力を生ずることは無いので、
本発明によればパターンの密度や形状に関らす、常に高
平面1敢のX線露光マスクが容易に得られる。なお前記
実施例ではシリコン窒化膜3上にスパッタリング法でW
薄膜を形成し、次にOV I)法あるいはプラズマOV
D法てW薄膜を形成し1こが順序を逆にしてもよいし、
この3つの方法すべてを使ってもよい。
ニングしようとも新たな応力を生ずることは無いので、
本発明によればパターンの密度や形状に関らす、常に高
平面1敢のX線露光マスクが容易に得られる。なお前記
実施例ではシリコン窒化膜3上にスパッタリング法でW
薄膜を形成し、次にOV I)法あるいはプラズマOV
D法てW薄膜を形成し1こが順序を逆にしてもよいし、
この3つの方法すべてを使ってもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図から第5図に至る各図は、本発明による製造工程
順に示したX線露光マスクの模式断面図であり、図中各
番号はそ2tそれ次のもQ)を示す。 1・パソリコン単結晶基板、2・・・薄膜、3・・・7
リコン9化膜、4・・・W薄膜、4′・・・W薄膜4(
/J−郡で形成したパターン、1′−・・シリコン単結
晶基板1の一部で形成した窓枠状補強支持梁 オ 1 図 72 図 オ 5 図
順に示したX線露光マスクの模式断面図であり、図中各
番号はそ2tそれ次のもQ)を示す。 1・パソリコン単結晶基板、2・・・薄膜、3・・・7
リコン9化膜、4・・・W薄膜、4′・・・W薄膜4(
/J−郡で形成したパターン、1′−・・シリコン単結
晶基板1の一部で形成した窓枠状補強支持梁 オ 1 図 72 図 オ 5 図
Claims (1)
- シリコン単結晶基板の一表面上ζこ誘電体薄膜を堆積し
、該誘電体薄膜を所望の形状に加工する工程と、前記シ
リコン単結晶基板の他方の表面上にシリコン窒化膜を堆
積する工程と、スパッタリング法、CVD法、プラズマ
CVD法の3つの方法の中からスパッタリング法を含む
ように選んだ2つあるいは3つの方法を用いて、前記シ
リコン窒化j換上にタングステン薄膜を複数層堆憤する
工程と、このタングステン薄膜表面上にレジストパター
ンを形成し、反応性スパッタエツチング法により該タン
グステン4膜をパターン化する−[程と、前記シリコン
単結晶基板の一部を化学的ζこエツチングする工程とを
含む事を特徴とするX線露光マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58170754A JPS6061750A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | X線露光マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58170754A JPS6061750A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | X線露光マスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6061750A true JPS6061750A (ja) | 1985-04-09 |
Family
ID=15910766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58170754A Pending JPS6061750A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | X線露光マスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6061750A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60122944A (ja) * | 1983-11-02 | 1985-07-01 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | パタ−ン製造用マスクの製造方法 |
EP0306091A2 (de) * | 1987-09-03 | 1989-03-08 | Philips Patentverwaltung GmbH | Verfahren zur Herstellung einer Maske für Strahlungslithographie |
JPH0242711A (ja) * | 1988-04-18 | 1990-02-13 | Canon Inc | リソグラフィ用マスクの構造体 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5775427A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-12 | Nec Corp | Manufacture of mask for exposure to x-ray |
JPS57198461A (en) * | 1981-05-18 | 1982-12-06 | Philips Nv | Radiant lithographic mask and manufacture thereof |
-
1983
- 1983-09-16 JP JP58170754A patent/JPS6061750A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5775427A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-12 | Nec Corp | Manufacture of mask for exposure to x-ray |
JPS57198461A (en) * | 1981-05-18 | 1982-12-06 | Philips Nv | Radiant lithographic mask and manufacture thereof |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60122944A (ja) * | 1983-11-02 | 1985-07-01 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | パタ−ン製造用マスクの製造方法 |
JPH0430737B2 (ja) * | 1983-11-02 | 1992-05-22 | ||
EP0306091A2 (de) * | 1987-09-03 | 1989-03-08 | Philips Patentverwaltung GmbH | Verfahren zur Herstellung einer Maske für Strahlungslithographie |
JPH0194347A (ja) * | 1987-09-03 | 1989-04-13 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 放射リソグラフィ用マスクの製造方法 |
JPH0242711A (ja) * | 1988-04-18 | 1990-02-13 | Canon Inc | リソグラフィ用マスクの構造体 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5291536A (en) | X-ray mask, method for fabricating the same, and pattern formation method | |
KR100372073B1 (ko) | 노광 마스크, 노광 마스크 제조 방법, 및 노광 마스크를사용한 반도체 디바이스 제조 방법 | |
JPS6061750A (ja) | X線露光マスクの製造方法 | |
JPH0345526B2 (ja) | ||
JP2904145B2 (ja) | 荷電ビーム描画装置用アパチャおよびその製造方法 | |
JP4333107B2 (ja) | 転写マスク及び露光方法 | |
JP3110955B2 (ja) | 荷電粒子線露光用マスク製造方法 | |
JP2538902B2 (ja) | X線露光用マスク | |
JPH11307442A (ja) | X線マスク及びx線マスクブランク並びにそれらの製造方法 | |
JPS59163825A (ja) | X線露光マスクおよびその製造方法 | |
JP5332776B2 (ja) | 転写マスクの製造方法 | |
JPS62119924A (ja) | 透過マスクの作製方法 | |
JPS6249623A (ja) | X線露光マスク | |
JPH02252229A (ja) | X線露光用マスクの製造方法 | |
JP2002217094A (ja) | 電子線露光用マスク及びその製造方法 | |
JP3364151B2 (ja) | X線マスク及びその製造方法 | |
JPS63186427A (ja) | X線リソグラフイ用マスク材 | |
JP2000150364A (ja) | X線マスクブランク及びその製造方法、並びにx線マスク及びその製造方法 | |
JPH07201706A (ja) | 半導体装置の製造方法、x線マスク構造体の製造方法、x線マスク構造体、該x線マスク構造体を用いたx線露光方法及びx線露光装置、該x線露光方法を適用して製造される半導体装置 | |
JP3900759B2 (ja) | スパッタリング成膜用の基板ホルダー及びそれを用いたフォトマスクブランクスの製造方法 | |
JPH04335515A (ja) | X線露光用マスク | |
JP3195328B2 (ja) | X線マスクおよびx線マスクの製造方法 | |
JPS62298112A (ja) | X線露光マスクおよびその製造方法 | |
JP3451431B2 (ja) | X線露光用マスク及びその製造方法 | |
JPH0322686B2 (ja) |