JPH01183117A - Ｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線露光方法Info
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- JPH01183117A JPH01183117A JP63006831A JP683188A JPH01183117A JP H01183117 A JPH01183117 A JP H01183117A JP 63006831 A JP63006831 A JP 63006831A JP 683188 A JP683188 A JP 683188A JP H01183117 A JPH01183117 A JP H01183117A
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- ray
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
Ｘ線転写技術を用いてＸ線マスク上のパターンをウェハ
上に転写する場合に、Ｘ線マスクとウェハの間の距離を
近づけたとき両者が静電気によってくっつくことを防止
するためのＸ線露光方法に関し、 Ｘ線マスクとウェハの間隔を狭くすることができ、ぼけ
がなく解像度の高いＸ線露光方法を提供することを目的
とし、 Ｘ線マスクとウェハを近接して配置し、該Ｘ線マスク上
のパターンをウェハ上に露光するＸ線露光方法において
、前記Ｘ線マスクまたはウェハの表面に導電性膜を形成
することを特徴とする特許露光方法を含み構成する。
上に転写する場合に、Ｘ線マスクとウェハの間の距離を
近づけたとき両者が静電気によってくっつくことを防止
するためのＸ線露光方法に関し、 Ｘ線マスクとウェハの間隔を狭くすることができ、ぼけ
がなく解像度の高いＸ線露光方法を提供することを目的
とし、 Ｘ線マスクとウェハを近接して配置し、該Ｘ線マスク上
のパターンをウェハ上に露光するＸ線露光方法において
、前記Ｘ線マスクまたはウェハの表面に導電性膜を形成
することを特徴とする特許露光方法を含み構成する。
本発明は、Ｘ線転写技術を用いてＸ線マスク上のパター
ンをウェハ上に転写する場合に、Ｘ線マスクとウェハの
間の距離を近づけたとき両者が静電気によってくっつく
ことを防止するためのＸ線露光方法に関する。
ンをウェハ上に転写する場合に、Ｘ線マスクとウェハの
間の距離を近づけたとき両者が静電気によってくっつく
ことを防止するためのＸ線露光方法に関する。
半導体装置製造の分野においては、Ｘ線を用い転写パタ
ーンの微細化が要望されている。
ーンの微細化が要望されている。
Ｘ線転写技術は、金属ターゲットに電子ビームを当てて
発生させたＸ線を、レジストを塗ったウェハ表面に近接
させたマスクに照射し、該マスクを透過したＸ線によっ
てマスクパターンをレジストに焼付けるものである。こ
の技術は、転写パターンの微細化に適し、ＬＳＩ（大規
模集積回路）パターンの形成に用いられている。
発生させたＸ線を、レジストを塗ったウェハ表面に近接
させたマスクに照射し、該マスクを透過したＸ線によっ
てマスクパターンをレジストに焼付けるものである。こ
の技術は、転写パターンの微細化に適し、ＬＳＩ（大規
模集積回路）パターンの形成に用いられている。
第２図は、従来のＸ線露光方法を説明するＸ線マスクと
ウェハの断面図である。同図において、Ｘ線マスクは、
Ａｕ、 ＩＡ 、 Ｔａ等の重金属からなるマスキング
パターン用のＸ線吸収体１ａと、Ｘ線を透過させ易いＢ
Ｎ−Ｈ、ＢＮＣ−Ｈ、５ｉＪ４、Ｓｉ、ポリイミド等の
材料で形成された厚さ２〜６μｍ程度のメンブレン１ｂ
を有する基板からなる。このＸ線マスクは１は、表面に
レジスト２を形成したＳｉウェハ３上に１０〜５０μｍ
程度の間隔Ｇの距離を隔てて配設される。また、このＳ
ｉウェハ３は、アルミニウム等の材料からなるチャック
４上に載置されている。このチャック４の下部には、ピ
エゾ素子５からなる調整機構が設けられている。このピ
エゾ素子５には、例えば５００Ｖ、 １μｍの電力が印
加され、この電圧に応じた変位によりＸ線マスク１とＳ
ｉウェハ３が並行になるよう間隔Ｇが調整される。
ウェハの断面図である。同図において、Ｘ線マスクは、
Ａｕ、 ＩＡ 、 Ｔａ等の重金属からなるマスキング
パターン用のＸ線吸収体１ａと、Ｘ線を透過させ易いＢ
Ｎ−Ｈ、ＢＮＣ−Ｈ、５ｉＪ４、Ｓｉ、ポリイミド等の
材料で形成された厚さ２〜６μｍ程度のメンブレン１ｂ
を有する基板からなる。このＸ線マスクは１は、表面に
レジスト２を形成したＳｉウェハ３上に１０〜５０μｍ
程度の間隔Ｇの距離を隔てて配設される。また、このＳ
ｉウェハ３は、アルミニウム等の材料からなるチャック
４上に載置されている。このチャック４の下部には、ピ
エゾ素子５からなる調整機構が設けられている。このピ
エゾ素子５には、例えば５００Ｖ、 １μｍの電力が印
加され、この電圧に応じた変位によりＸ線マスク１とＳ
ｉウェハ３が並行になるよう間隔Ｇが調整される。
上記従来の技術は、Ｘ線マスク１とＳｉウェハ３の距離
を減少することが、半影ぼけ及び回折効果によるぼけを
押さえ、解像度を向上させるために非常に重要な技術と
なっている。ただし、Ｘ線マスク１とＳｉウェハ３を接
触させることは、アライメント誤差を招くため避けなけ
ればならない。ここで、半影ぼけは第３図に示す如く、
Ｘ線の線源６が所定の大きさ（１，５〜５胴径）を有す
る発散源であるため、Ｘ線吸収体１ａの端部を通過した
Ｘ線がＳｉウェハ３上でエネルギー分布の変化する幅δ
を生じることによる。また、回折効果によるぼけは第４
図に示す如く、Ｘ線がＸ線吸収体１ａの端部で回折を生
じ、Ｓｉウェハ３上でＸ線吸収体１ａ側に回り込みエネ
ルギー分布を生じることによる。
を減少することが、半影ぼけ及び回折効果によるぼけを
押さえ、解像度を向上させるために非常に重要な技術と
なっている。ただし、Ｘ線マスク１とＳｉウェハ３を接
触させることは、アライメント誤差を招くため避けなけ
ればならない。ここで、半影ぼけは第３図に示す如く、
Ｘ線の線源６が所定の大きさ（１，５〜５胴径）を有す
る発散源であるため、Ｘ線吸収体１ａの端部を通過した
Ｘ線がＳｉウェハ３上でエネルギー分布の変化する幅δ
を生じることによる。また、回折効果によるぼけは第４
図に示す如く、Ｘ線がＸ線吸収体１ａの端部で回折を生
じ、Ｓｉウェハ３上でＸ線吸収体１ａ側に回り込みエネ
ルギー分布を生じることによる。
しかし、上記従来のＸ線露光方法において、半影ぼけ及
び回折効果によるぼけを押さえるためには、できるだけ
間隔Ｇを狭（することが望ましいが、この間隔Ｇを１０
〜２０μｍ程度にしたときには、Ｘ線マスク１とウェハ
３が付着するという問題が発生することがあった。この
原因は、第５図に示す如く、Ｘ線マスク１とＳｉウェハ
３上のレジスト２が絶縁体で電荷により分極を生じ、間
隔Ｇが狭くなったとき静電気力により互いに引き合うこ
とによるからと考えられる。特に、第２図に示す如く、
ピエゾ素子５に高電圧が印加されたとき、電荷が生じ易
く付着することがあった。
び回折効果によるぼけを押さえるためには、できるだけ
間隔Ｇを狭（することが望ましいが、この間隔Ｇを１０
〜２０μｍ程度にしたときには、Ｘ線マスク１とウェハ
３が付着するという問題が発生することがあった。この
原因は、第５図に示す如く、Ｘ線マスク１とＳｉウェハ
３上のレジスト２が絶縁体で電荷により分極を生じ、間
隔Ｇが狭くなったとき静電気力により互いに引き合うこ
とによるからと考えられる。特に、第２図に示す如く、
ピエゾ素子５に高電圧が印加されたとき、電荷が生じ易
く付着することがあった。
そこで本発明は、Ｘ線マスクとウェハの間隔を狭くする
ことができ、ぼけがなく解像度の高いＸ線露光方法を提
供することを目的とする。
ことができ、ぼけがなく解像度の高いＸ線露光方法を提
供することを目的とする。
上記問題点は、Ｘ線マスクとウェハを近接して配置し、
該Ｘ線マスク上のパターンをウェハ上に露光するＸ線露
光方法において、前記Ｘ線マスクまたはウェハの表面に
導電性膜を形成することを特徴とするＸ線露光方法によ
って解決される。
該Ｘ線マスク上のパターンをウェハ上に露光するＸ線露
光方法において、前記Ｘ線マスクまたはウェハの表面に
導電性膜を形成することを特徴とするＸ線露光方法によ
って解決される。
本発明は、Ｘ線マスクまたはウェハの表面に導電性膜を
形成するため、電荷が帯電せずＸ線マスクとウェハとが
互いに静電気力により引き合い付着することがない。従
って、Ｘ線マスクとウェハとの間隔を狭くすることがで
き、半影ぼけ及び回折効果によるぼけを押さえ解像度を
向上することができる。
形成するため、電荷が帯電せずＸ線マスクとウェハとが
互いに静電気力により引き合い付着することがない。従
って、Ｘ線マスクとウェハとの間隔を狭くすることがで
き、半影ぼけ及び回折効果によるぼけを押さえ解像度を
向上することができる。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例に係わる露光方法を示すＸ線
マスクとウェハの断面図である。同図において、Ｘ線マ
スク１１は４μｍ程度のメンブレンを有する基板からな
る。上記Ｓｉウェハ１２のレジス目３表面上には、アル
ミニウム（Ａ ｆｉ ）等の材料からなる軽元素のＸ線
透過性のすぐれた導電性膜１４が１０〜２０人程度真度
板着またはスパッタリング法等により形成される。また
、上記Ｘ線マスク１１の表面上には、すすをドープした
酸化インジュウム（Ｉ Ｔ Ｏ；Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
０ｘｉｄｅ）等の透明導電性膜１５が１０〜２０人程
度真度板着またはスパッタリング法等により形成される
。そして、上記導電性膜１４を形成したＸ線マスク１１
と、透明導電性膜１５を形成したＳｉウェハ１２は互い
に１０〜２０μｍ程度の間隔Ｇの距離を隔てて並行に配
設される。Ｘ線マスク１１とＳｉウェハ１２は、それぞ
れ接地される。
マスクとウェハの断面図である。同図において、Ｘ線マ
スク１１は４μｍ程度のメンブレンを有する基板からな
る。上記Ｓｉウェハ１２のレジス目３表面上には、アル
ミニウム（Ａ ｆｉ ）等の材料からなる軽元素のＸ線
透過性のすぐれた導電性膜１４が１０〜２０人程度真度
板着またはスパッタリング法等により形成される。また
、上記Ｘ線マスク１１の表面上には、すすをドープした
酸化インジュウム（Ｉ Ｔ Ｏ；Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
０ｘｉｄｅ）等の透明導電性膜１５が１０〜２０人程
度真度板着またはスパッタリング法等により形成される
。そして、上記導電性膜１４を形成したＸ線マスク１１
と、透明導電性膜１５を形成したＳｉウェハ１２は互い
に１０〜２０μｍ程度の間隔Ｇの距離を隔てて並行に配
設される。Ｘ線マスク１１とＳｉウェハ１２は、それぞ
れ接地される。
上記構成のＸ線露光方法では、絶縁体であるＸ線マスク
１１及びＳｉウェハ１２は、それぞれ導電性膜１４及び
透明導電性膜１５が形成され接地されているため、帯電
することがなく、互いに引き合い付着することがない。
１１及びＳｉウェハ１２は、それぞれ導電性膜１４及び
透明導電性膜１５が形成され接地されているため、帯電
することがなく、互いに引き合い付着することがない。
従って、従来よりもＸ線マスク１１とＳｉウェハ１２の
間隔を狭くすることができ、半影ぼけ及び回折効果によ
るぼけを押さえ解像度を向上することができる。
間隔を狭くすることができ、半影ぼけ及び回折効果によ
るぼけを押さえ解像度を向上することができる。
なお、上記実施例において、Ｘ線マスク１１及びＳｉウ
ェハ１２のそれぞれに透明導電性膜１５及び導電性膜１
４を形成しているが、いずれか一方のみでもよい。また
、透明導電性膜１５はＩＴＯ以外に透明性と導電性を有
する材料が使用でき、導電性膜１４はＸ線透過性のすぐ
れた導電性有機膜を使用してもよい。さらに、導電性膜
１４の膜厚は、できるだけ薄くするのが望ましいが、後
の工程でこの導電性膜１４を除去するようにすれば１０
０人程度板あってもよい。
ェハ１２のそれぞれに透明導電性膜１５及び導電性膜１
４を形成しているが、いずれか一方のみでもよい。また
、透明導電性膜１５はＩＴＯ以外に透明性と導電性を有
する材料が使用でき、導電性膜１４はＸ線透過性のすぐ
れた導電性有機膜を使用してもよい。さらに、導電性膜
１４の膜厚は、できるだけ薄くするのが望ましいが、後
の工程でこの導電性膜１４を除去するようにすれば１０
０人程度板あってもよい。
以上のように本発明によれば、Ｘ線マスクまたはウェハ
の表面に導電性膜を形成するようにしているため、静電
気力等により互いに付着することがなくなり、Ｘ線マス
クとウェハの間隔を狭くすることができる。従って、半
影ぼけ、回折によるぼけがなくなり解像度が向上する。
の表面に導電性膜を形成するようにしているため、静電
気力等により互いに付着することがなくなり、Ｘ線マス
クとウェハの間隔を狭くすることができる。従って、半
影ぼけ、回折によるぼけがなくなり解像度が向上する。
第１図は本発明実施例のＸ線露光方法を示すＸ線マスク
とウェハの断面図、 第２図は従来のＸ線露光方法の説明図、第３図は半影ぼ
けの説明図、 第４図回折効果によるぼけの説明図、 第５図は従来のＸ線マスクとウェハの分極状態の説明図
である。 図において、 １１はＸ線マスク、 １２はＳｉウェハ、 １３はレジスト、 ｑ
−１１４は導電性膜、 １５は透明導電性膜 を示す。
とウェハの断面図、 第２図は従来のＸ線露光方法の説明図、第３図は半影ぼ
けの説明図、 第４図回折効果によるぼけの説明図、 第５図は従来のＸ線マスクとウェハの分極状態の説明図
である。 図において、 １１はＸ線マスク、 １２はＳｉウェハ、 １３はレジスト、 ｑ
−１１４は導電性膜、 １５は透明導電性膜 を示す。
Claims (5)
- （１）Ｘ線マスク（１１）とウェハ（１２）を近接して
配置し、該Ｘ線マスク（１１）上のパターンをウェハ（
１２）上に露光するＸ線露光方法において、 前記Ｘ線マスク（１１）またはウェハ（１２）の表面に
導電性膜を形成することを特徴とするＸ線露光方法。 - （２）前記Ｘ線マスク（１１）の表面に形成する導電性
膜は、ＩＴＯからなる透明導電性膜（１５）であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線露光方法
。 - （３）前記ウェハ（１２）の表面に形成する導電性膜は
、Ｘ線透過性の軽元素金属であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のＸ線露光方法。 - （４）前記ウェハ（１２）の表面に形成する導電性膜は
、導電性有機膜であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のＸ線露光方法。 - （５）前記Ｘ線マスク（１１）またはウェハ（１２）の
表面に形成される導電性膜は、アースされることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63006831A JPH01183117A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | Ｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63006831A JPH01183117A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | Ｘ線露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01183117A true JPH01183117A (ja) | 1989-07-20 |
Family
ID=11649172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63006831A Pending JPH01183117A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | Ｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01183117A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02310A (ja) * | 1987-12-29 | 1990-01-05 | Canon Inc | Ｘ線用マスクとそれを用いた露光方法 |
| JPH02309A (ja) * | 1987-12-29 | 1990-01-05 | Canon Inc | Ｘ線用マスクとそれをを用いた露光方法 |
-
1988
- 1988-01-18 JP JP63006831A patent/JPH01183117A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02310A (ja) * | 1987-12-29 | 1990-01-05 | Canon Inc | Ｘ線用マスクとそれを用いた露光方法 |
| JPH02309A (ja) * | 1987-12-29 | 1990-01-05 | Canon Inc | Ｘ線用マスクとそれをを用いた露光方法 |
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