JPS60198820A - リソグラフイ−用マスク構造体 - Google Patents
リソグラフイ−用マスク構造体Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はリソグラフィーにおいて用いられるマスク構造
体に関する。・ 〔従来技術〕 リソグラフィー技術を用いて被加工材表面を部分的に変
質せしめることＫより各種製品を製造することが工業上
特に電子工業の分野において広く−の表面変質部を有す
る製品を大量に製造することができる。被加工材の表面
変質は各種エネルギーの照射により行われ、この際のパ
ターン形成のため、部分的にエネルギー遮断材を配置し
てなるマスクが用いられる。この様なマスクとしては、
照射エネルギーが可視光の場合にはガラス又は石英等の
透明基板上に黒色の塗料を部分的に塗布したり又は金属
等の可視光不透過性の薄板を部分的に付与したものが用
いられていた。
体に関する。・ 〔従来技術〕 リソグラフィー技術を用いて被加工材表面を部分的に変
質せしめることＫより各種製品を製造することが工業上
特に電子工業の分野において広く−の表面変質部を有す
る製品を大量に製造することができる。被加工材の表面
変質は各種エネルギーの照射により行われ、この際のパ
ターン形成のため、部分的にエネルギー遮断材を配置し
てなるマスクが用いられる。この様なマスクとしては、
照射エネルギーが可視光の場合にはガラス又は石英等の
透明基板上に黒色の塗料を部分的に塗布したり又は金属
等の可視光不透過性の薄板を部分的に付与したものが用
いられていた。
しかるに、近年、より微細なパターン形成がめられ更に
より短時間でのりソゲシフイー加工がめられるにつれて
、照射エネルギーとしてＸ線更にはイオン線等の粒子線
が用いられる様になってきた。これらのエネルギーは上
記可視光の場合にマスク形成部材として用いられたガラ
ス板や石英板を通過せしめると大部分吸収されてしまう
。
より短時間でのりソゲシフイー加工がめられるにつれて
、照射エネルギーとしてＸ線更にはイオン線等の粒子線
が用いられる様になってきた。これらのエネルギーは上
記可視光の場合にマスク形成部材として用いられたガラ
ス板や石英板を通過せしめると大部分吸収されてしまう
。
このため、これらエネルギーを用いる場合にはガラス板
や石英板を用いてマスクを形成することは好ましくない
。そこで、Ｘ線や粒子線を照射エネルＪ−ｊ−１，で用
いるリソグラフィーにおいては。
や石英板を用いてマスクを形成することは好ましくない
。そこで、Ｘ線や粒子線を照射エネルＪ−ｊ−１，で用
いるリソグラフィーにおいては。
各種の無機薄膜例えばチツ化シリコン、チツ化ホウ素又
は酸化シリコン等の薄膜、あるいは各種の有機薄膜例え
ばポリイミド、ポリアミド又はポリエステル等の薄膜、
更圧はこれらの複合薄膜をエネルギー透過体として用い
、これらの面上に金。
は酸化シリコン等の薄膜、あるいは各種の有機薄膜例え
ばポリイミド、ポリアミド又はポリエステル等の薄膜、
更圧はこれらの複合薄膜をエネルギー透過体として用い
、これらの面上に金。
白金、ニッケル、パラジウム、ロジウム又はインジウム
等の金属をエネルギー不透過体として部分的に付与する
ことにより、マスクを形成することが行われている。こ
のマスクは自己保形性がないので適宜の保持体に支持さ
れる。保持体としては通常環状保持基板が用いられる。
等の金属をエネルギー不透過体として部分的に付与する
ことにより、マスクを形成することが行われている。こ
のマスクは自己保形性がないので適宜の保持体に支持さ
れる。保持体としては通常環状保持基板が用いられる。
即ち、エネルギー吸収性のマスク材を所望のパターンに
て片面に付与されたエネルギー透過性の保持薄膜の周辺
部を環状保持基板の一端面に付着せしめることにより、
マスク構造体が形成されている。
て片面に付与されたエネルギー透過性の保持薄膜の周辺
部を環状保持基板の一端面に付着せしめることにより、
マスク構造体が形成されている。
ところで、この様なマスク構造体を用いてリソグラフィ
ーを行うと、マスク材は照射エネルギーを吸収して発熱
する０上記の如き従来の保持薄膜はいずれも熱伝導性が
低いため、マスク材の発熱が続くと保持薄膜は次第に高
温となり熱膨張する。
ーを行うと、マスク材は照射エネルギーを吸収して発熱
する０上記の如き従来の保持薄膜はいずれも熱伝導性が
低いため、マスク材の発熱が続くと保持薄膜は次第に高
温となり熱膨張する。
これにより保持薄膜にたるみが発生し平面度が悪くな９
、ひいては加工精度が低下する。更Ｋ、この様な熱膨張
と収縮とを繰返すと保持薄膜は疲労劣化して破損するお
それもある。
、ひいては加工精度が低下する。更Ｋ、この様な熱膨張
と収縮とを繰返すと保持薄膜は疲労劣化して破損するお
それもある。
本発明は、以上の如き従来技術に鑑み成されたもので、
保持基板にマスク材保持薄膜を付着せしめてなるリソグ
ラフィー用マスク構造体の熱的安定性を向上させること
を目的とする。
保持基板にマスク材保持薄膜を付着せしめてなるリソグ
ラフィー用マスク構造体の熱的安定性を向上させること
を目的とする。
前記目的を達成すべく、本発明のリングラフイー用マス
ク構造体は、所望のパターンにてマスク材を付与してな
るマスク材保持薄膜の周辺部を２つの環状基板の間に保
持せしめたリソグラフィー用マスク構造体において、マ
スク材保持薄膜が熱伝導層を有し、該熱伝導層が熱伝導
上実質的に熱伝導性である保持基板に接触していること
を特徴とする。
ク構造体は、所望のパターンにてマスク材を付与してな
るマスク材保持薄膜の周辺部を２つの環状基板の間に保
持せしめたリソグラフィー用マスク構造体において、マ
スク材保持薄膜が熱伝導層を有し、該熱伝導層が熱伝導
上実質的に熱伝導性である保持基板に接触していること
を特徴とする。
第１図は本発明によるマスク構造体の第１の実施例の断
面図である。マスク材１は保持薄膜２の片面に所望のパ
ターンにて付与されている。マスク材１としては例えば
金、白金、ニッケル、パラジウム、ロジウム、インジウ
ム等の０．７μ程度の薄膜が用いられる。保持薄膜２は
熱伝導層２ａを含み、マスク材１は該熱伝導層２ａに接
触して位置せしめられている。熱伝導層２ａは良好な熱
伝導性を有する薄膜であり、例えば金、銀、銅、アルミ
ニウム、ベリリウム、スズ等の金属薄膜が用いられ、そ
の厚さは例えば５０〜３０００Ａである。熱伝導層２ａ
としては金属薄膜以外にケイ素。
面図である。マスク材１は保持薄膜２の片面に所望のパ
ターンにて付与されている。マスク材１としては例えば
金、白金、ニッケル、パラジウム、ロジウム、インジウ
ム等の０．７μ程度の薄膜が用いられる。保持薄膜２は
熱伝導層２ａを含み、マスク材１は該熱伝導層２ａに接
触して位置せしめられている。熱伝導層２ａは良好な熱
伝導性を有する薄膜であり、例えば金、銀、銅、アルミ
ニウム、ベリリウム、スズ等の金属薄膜が用いられ、そ
の厚さは例えば５０〜３０００Ａである。熱伝導層２ａ
としては金属薄膜以外にケイ素。
炭素等の薄膜を使用することもできる。２ｂは照射エネ
ルギーを透過し且つ熱伝導層２ａとともにマスク材１を
保持するための層であり、該層２ｂとしては例えばチッ
化ホウ素、チッ化シリコン。
ルギーを透過し且つ熱伝導層２ａとともにマスク材１を
保持するための層であり、該層２ｂとしては例えばチッ
化ホウ素、チッ化シリコン。
酸化シリコン等の無機薄膜又はポリイミド、ポリアミド
、ポリエステル等の有機薄膜が用いられ、その厚さは例
えば２〜１２μである。
、ポリエステル等の有機薄膜が用いられ、その厚さは例
えば２〜１２μである。
保持薄膜２の周辺部は下側の部分が円環状の内側保持基
板６に、上側の部分が円環状のｇ 個４！ｉＬ椿基板４
に接着されている。尚、第２図は内側保持基板６の平面
図である。内側保持基板３としては例えばシリコンガラ
ス、石英、リン青銅、黄銅。
板６に、上側の部分が円環状のｇ 個４！ｉＬ椿基板４
に接着されている。尚、第２図は内側保持基板６の平面
図である。内側保持基板３としては例えばシリコンガラ
ス、石英、リン青銅、黄銅。
ニッケル、ステンレス等が用いられる。内側保持基板６
の厚さは適度の剛性を有する限りにおいて特に制限がな
いが、例えば５〜ｌＱｍｍである。又、第６図は外側保
持基板４の平面図である。外側保持基板４は良好な熱伝
導性を有する熱伝導体からなる。この様な熱伝導体とし
ては例えば鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、モ
リブデン等の金属又はそれらを含む合金例えば黄銅、リ
ン青銅等を挙げることができる。
の厚さは適度の剛性を有する限りにおいて特に制限がな
いが、例えば５〜ｌＱｍｍである。又、第６図は外側保
持基板４の平面図である。外側保持基板４は良好な熱伝
導性を有する熱伝導体からなる。この様な熱伝導体とし
ては例えば鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、モ
リブデン等の金属又はそれらを含む合金例えば黄銅、リ
ン青銅等を挙げることができる。
尚、この保持基板６又は４として鉄、ニッケル。
コバルト又はこれらを含む合金類を用いれば、リソグラ
フィー装置への着脱をマグネチックチャックにより行う
ことができる。また、保持薄膜２の熱伝導層２ａは保持
基板４と直接接触しているのが好ましいが、それらの間
の熱伝導に大きな影響を与えない限りにおいて適宜の媒
介層を介在せしめてもよい。
フィー装置への着脱をマグネチックチャックにより行う
ことができる。また、保持薄膜２の熱伝導層２ａは保持
基板４と直接接触しているのが好ましいが、それらの間
の熱伝導に大きな影響を与えない限りにおいて適宜の媒
介層を介在せしめてもよい。
第４図は本発明によるマスク構造体の第２の実施例の断
面図である。この実施例においては、外側保持基板４が
上部層４ａ及び下部層４ｂからなり、上部層４ａは例え
ば黄銅であり下部層４ｂは磁性体例えば鉄である。
面図である。この実施例においては、外側保持基板４が
上部層４ａ及び下部層４ｂからなり、上部層４ａは例え
ば黄銅であり下部層４ｂは磁性体例えば鉄である。
第５図は本発明によるマスク構造体の第３の実施例の断
面図である。この実施例においては、保持薄膜２は熱伝
導層２ａを２ｂの上下２層に持っているもので、下の熱
伝導層２ａが熱伝導体である内側保持基板乙に、上の熱
伝導層２ａが熱伝導体である外側保持基板４にそれぞれ
接触しているため、さらに大きな効果を期待できる０〔
本発明の効果〕 以上の如き本発明のマスク構造体によれば、保持薄膜と
保持基板の接着力を強化することができ、且つリソグラ
フィー加工時のエネルギー照射によりマスク材に発生す
る熱は直ちに保持薄膜の熱伝導層を通って保持基板へと
伝達し、これによりマスク構造体は全体的にわずかに温
度が上昇するのみであり、局部発熱による保持薄膜の劣
化を大幅に低減させることができる。
面図である。この実施例においては、保持薄膜２は熱伝
導層２ａを２ｂの上下２層に持っているもので、下の熱
伝導層２ａが熱伝導体である内側保持基板乙に、上の熱
伝導層２ａが熱伝導体である外側保持基板４にそれぞれ
接触しているため、さらに大きな効果を期待できる０〔
本発明の効果〕 以上の如き本発明のマスク構造体によれば、保持薄膜と
保持基板の接着力を強化することができ、且つリソグラ
フィー加工時のエネルギー照射によりマスク材に発生す
る熱は直ちに保持薄膜の熱伝導層を通って保持基板へと
伝達し、これによりマスク構造体は全体的にわずかに温
度が上昇するのみであり、局部発熱による保持薄膜の劣
化を大幅に低減させることができる。
第１図は本発明によるマスク構造体の第１の実施例の断
面図であり、第２図はその内側保持基板の平面図、第６
図はその外側保持基板の平面図である。第４図及び第５
図はそれぞれ本発明によるマスク構造体の第２．第６の
実施例の断面図である。 １；マスク材、２；保持薄膜、２ａ；熱伝導層１ ′６
；内側保持基板、４；外側保持基板。
面図であり、第２図はその内側保持基板の平面図、第６
図はその外側保持基板の平面図である。第４図及び第５
図はそれぞれ本発明によるマスク構造体の第２．第６の
実施例の断面図である。 １；マスク材、２；保持薄膜、２ａ；熱伝導層１ ′６
；内側保持基板、４；外側保持基板。
Claims (1)
- 所望のパターンにてマスク材を付与してなるマスク材保
持薄膜の周辺部を２つの環状基板の間に保持せしめたリ
ソグラフィー用マスク構造体において、マスク材保持薄
膜が熱伝導層を有し、該熱伝導層が実質的に熱伝導性で
ある保持基板に接触していることを特徴とするリソグラ
フィー用マスク構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59056691A JPS60198820A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | リソグラフイ−用マスク構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59056691A JPS60198820A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | リソグラフイ−用マスク構造体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60198820A true JPS60198820A (ja) | 1985-10-08 |
Family
ID=13034471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59056691A Pending JPS60198820A (ja) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | リソグラフイ−用マスク構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60198820A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02309A (ja) * | 1987-12-29 | 1990-01-05 | Canon Inc | Ｘ線用マスクとそれをを用いた露光方法 |
-
1984
- 1984-03-23 JP JP59056691A patent/JPS60198820A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02309A (ja) * | 1987-12-29 | 1990-01-05 | Canon Inc | Ｘ線用マスクとそれをを用いた露光方法 |
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